中职电子技术基础与技能期中试题.doc

中职电子技术基础与技能期中试题.doc
中职电子技术基础与技能期中试题.doc

2015—2016学年度第二学期期中

电子技术基础与技能 试题

题号 一 二 三 四 五 总分 签字 得分

一、单项选择题(10小题,每题2分,共20分)

1、对于放大电路,所谓开环是指( )

A.无信号源

B.无反馈通路

C.无电源

D.无负载 2、稳压二极管的稳压区是其工作在( ) A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 D.死区

3、桥式整流电路中,已知U 2=10V,若某一个二极管开路,此时输出的电压U L =( )

A.12V

B.9V

C.4.5V

D.0 4、反馈放大器的含义是( ) A.输入与输出之间有信号通路

B.电路中存在反向传输的信号通路

C.除放大电路以外还有信号通路

D.存在使输入信号削弱的反向传输通路

5、提高放大器的输入电阻和稳定输出电流,则应选用( ) A.电流串联负反馈 B.电流并联负反馈 C.电压串联负反馈 D.电压并联负反馈

6、差分放大电路主要的优点是( )

A.输入电阻大

B.输出电阻小

C.温漂小

D.放大倍数稳定 7、功率放大器的效率是指( ) A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比

C.最大输出功率与电源所提供的功率之比

D.三极管得到的最大功率与电源供给功率之比 8、在OCL 电路中,引起交越失真的原因是( ) A.输入信号大 B.三极管的β过大

C.电源电压太高

D.三极管输入特性的非线性 9、为了减小交越失真,加偏置的OCL 电路在静态时处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.微导通状态

10、集成稳压器CW78L05表示( )

A.输出电压5V,最大输出电流1A

B.输出电压-5V,最大输出电流1A

C.输出电压-5V,最大输出电流0.1A

D.输出电压5V,最大输出电流0.1A

二、多项选择题(5小题,每题3分,共15分)

1、多级放大电路与单级放大电路相比,错误的是( ) A.通频带变窄 B.通频带变宽 C.电压增益提高 D.电压增益减小

2、关于集成运放的理想特性,正确的是( ) A.开环差模放大倍数趋于无穷大

B.两输入端之间的输入电阻趋于无穷大

C.输出电阻趋于无穷大

D.共模抑制比趋于无穷大

3、功率放大器的基本要求有( )

A.尽可能大的输入功率

B.尽可能高的效率

C.较小的非线性失真

D.较好的散热装置

4、OTL 电路和OCL 电路的区别主要有( )

A.有无输出电容

B.有无输出变压器

C.双电源或单电源供电

D.是否存在交越失真

5、三极管各个极的电位如下,不处于放大状态的三极管是( )

A.V B =0.7V,V E =0V,V C =0.3V

B.V B =-6.7V,V E =-7.4V,V C =-4V

V B =-3V,V E =0V,V C =6V D.V B =2.7V,V E =2V,V C =2V 三、填空题(5小题,每题2分,共10分)

1、多级放大电路通常有三种耦合方式,即 、变压器耦合和 方式。

2、集成运放工作在线性区的特征是引入深度 。工作在线性放大状态的集成运放具有两个重要特点,分别是 。

3、大小相等、极性相反的信号称为 信号;大小相等、极性相同的信号称为 信号。

4、乙类功放电路中,功放管静态工作点设置在 边缘,因此几乎无静态电流,电路的功率损耗减到最小,放大器的效率最高可达 。

5、直流稳压电源是一种当交流电网电压发生变化时,或 变动时,能保持 基本稳定的直流电源。 四、判断题(10小题,每题2分,共20分)

1、多级放大电路的电压放大倍数是每级“有载电压放大倍数”的代数和。( )

2、直流负反馈是指直流通路中的负反馈。( )

3、放大器的零点漂移是指输出信号不能稳定于零电压。( )

4、集成运放电路采用差分放大电路的原因是抑制零点漂移。( )

5、实际功率放大电路经常采用甲乙类放大电路。( )

6、用硅稳压二极管组成稳压电路,使用时负载电阻应与稳压二极管串联。( )

7、稳压二极管稳压电路不能适应负载较大电流的需要。( )

8、在运算电路中,集成运放的反向输入端均为虚地。( ) 9、CW317是一种输出负电压的三端可调式集成稳压器。( ) 10、一般情况下,开关式稳压电路比线性稳压电路效率高。( )

五、综合题(4小题,共35分)

1、(10分)如下图所示为四级放大电路: (1)求放大电路的总增益G u 。

(2)当在此放大电路中加入输入信号U i=20uV 时,求输出信号电压U o 。 2、(10分)如下图所示稳压电路中,参数已标在图上(U Z =6V ),试求:

(1)输出电压U 0

(2)变压器二次电压有效值U 2

(3)负载电流I L

(4)流过限流电阻R 的电流I R

(5)流过稳压二极管的电流I Z

………………………………………………………………………………………………………………………………………

G u 1(15dB) G u 2(40dB) G u 3(40dB) G u 4(5dB)

3、(15分)下图为集成运放的基本应用电路,输入电压u I1=1V,u I2=2V,说明各运放的功能并计算输出电压u0的值。(1)

(2)

(3)

u

o1 u

u o3

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越 高,本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性 载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 (P-, N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。单向导电性:正向导通,反向截止。

中职《电子技术基础》教案_246

中职《电子技术基础》教案篇一:《电子技术基础》教案 教案 2009 ~ 2010 学年第一学期 学院、系室机电教研室 课程名称《电子技术基础》 专业、年级、班级09级机电一体化 主讲教师李春菊 中国矿业大学银川学院 课程表 《电子技术基础》教案 编号:01

篇二:《电子技术基础》正式教案电 子 技 术 基 础 教 案 1-1 半导体的基础知识 目的与要求

1. 了解半导体的导电本质, 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2. PN结的形成 教学方法

讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体

第一章常用半导体器件 1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理:了解简介。 一、半导体的导电特性半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 1.热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一

中等职业技术学校:电子技术基础试题库3Word版

中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为()。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由()所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管()的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是()。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1.用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=0.7V,V E=1V则晶体管工作在()状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2.在三极管的输出特性曲线中,当I B减小时,它对应的输出特性曲

线

() A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管,如果当I B从10μA增大到30μA时,I C 从2mA变为3mA,那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管,各电极必须满足() A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有()作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管,测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V,则该管是()管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示,则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电

模拟电子技术基本练习题(解)教学文稿

模拟电子技术基本练 习题(解)

电子技术基础(模拟部分)综合练习题 2010-12-12 一.填空题:(将正确答案填入空白中) 1.N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素,其多数载流子是电子,少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是电子。 2.为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度最高;基区宽度最薄;集电结结面积最大。 3.三极管工作在放大区时,发射结要正向偏置,集电结反向偏置,工作在饱和区时,发射结要正向偏置,集电结正向偏置,工作在截止区时,发射结要反向偏置,集电结反向偏置。 4.工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是扩散电流,流过集电结的电流主要是漂移电流。 5.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为0.04mA,该管的β值为 49。 6.某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为0.05mA,该管的α值为 0.99。 7.某三极管工作在放大区时,当I B从20μA增大到40μA,I C从1mA变成 2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。

9.晶体管的三个工作区是放大区,截止区,饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区,饱和区,截止区。 10.场效应管又称单极型管,是因为只有一种载流子参与导电;半导体三极管又称双极型管,是因为有两种载流子参与导电。 11.串联式直流稳压电源是由组成取样电路;比较放大器; 基准电压和调整管。 12.集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级四部分组成。 13.在一个三级放大电路中,已知A v1=20;A v2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是共基极组态;A2是共射极组态;A3是共集电极组态。14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器;反馈网络; 稳幅电路和选频网络。 15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16.PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17.对于放大电路,所谓开环是指放大电路没有反馈支路。 18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入电压串联负反馈。19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20.差动放大电路中,共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 二.选择题

中等职业学校《电子技术基础》教案

第1、2课时

课题半导体三极管课型 教学 目的 1、了解三极管的结构与特性; 2、掌握三极管的类型和电流放大原理; 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点 难点 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 E2. 1. 1 三极昔结构示意国和表示符W 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。 1 )发射区向基区发射电子的过程 2 )电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性:i B=f(U BE) U C E常数 2、输出特性:i c=f(U CE) i B常数 三极管的基本结构和类型

了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理; 理解三极管的特性曲线和主要参数。课后 小结

第5、6 课时 课题 教学 目的 重点 难点 课型 共发射极放大电路 1、了解电路的结构组成 2、用图解法分析静态工作点和动态波形 1、电流放大原理 2、特性曲线 教学过程 三、三极管的基本结构和类型 1 、2、在电路中的联接方式四、极 管的电流放大作用及原理 五、特性曲线和主要参数 输入特性 I E=I C+I B 1 、 I C I 2 、 输出特性 l E=f(U BE)|U CE:常数 |c=f(U CE 常数 3 、 主要参数 直 A /V 课后 小结 了解共发射极放大电路的结构组成,及原理。熟练进行图解法分析放 大器的静态工作点和动态波形。

第7、8 课时 课题 1共发射极放大电路的动态分析课型 教学1了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 难点微变等效电路的画法 教学过程、三极管的微变等效电路: U i 课后掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 小结 、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数A u =U-02.输入输出电 、放大器的微变等效电

中等职业学校电子技术基础教学大纲

中等职业学校 《电子技术基础与技能》 教学大纲 适用专业:电子技术应用、电子信息技术、机电技术等相关专业 国家示范性职业学校数字化资源共建共享计划 《电子技术应用》精品课程资源建设项目 组长单位:江苏省如皋中等专业学校 修订日期:2012年4月

一、课程性质与任务 本课程是中等职业学校电类专业的一门基础课程。其任务是:使学生掌握电子信息类、电气电力类等专业必备的电子技术基础知识和基本技能,具有分析和处理生产与生活中一般电子问题的基本能力,具备继续学习后续电类专业技能课程的基本学习能力,为获得相应的职业资格证书打下基础。培养学生的职业道德与职业意识,提高学生的综合素质与职业能力,增强学生适应职业变化的能力,为学生职业生涯的发展奠定基础。 二、课程教学目标 1.专业能力目标 (1)初步具有查阅电子元器件手册并合理选用元器件的能力。 (2)会使用常用电子仪器仪表。 (3)了解电子技术基本单元电路的组成、工作原理及典型应用。 (4)初步具有识读电路图、简单电路印制板和分析常见电子电路的能力。 (5)具有制作和调试常用电子电路及排除简单故障的能力。 (6)掌握电子技能实训的安全操作规范,形成安全生产、规范操作的意识。 2.方法能力目标 (1)了解电子技术的认知方法,培养学习兴趣,形成正确的学习方法,有一定的自主学习能力。 (2)具有资料查阅和信息处理能力,具有一定的交流、分析、解决问题的能力。 (3)通过参加电子实践活动,培养运用电子技术知识和工程应用方法解决与生产和生活相关电子问题的能力,形成良好的工作方法与工作作风。 3.社会能力目标 (1)树立辩证唯物主义观点,形成实事求是的科学态度和良好的职业道德,具有创新精神与团队合作精神。 (2)树立节能环保、产品质量等职业意识。 三、教学内容结构 大纲采用模块式结构,教学内容由基础模块与选学模块构成,每个模块下又分为两个部分:模拟电子技术和数字电子技术。 1.基础模块是各专业学生必修的教学内容和应该达到的基本教学要求,建议安排84学时。 2.选学模块是适应不同专业需要,以及不同地域、学校、学制差异,满足学生个性发展的选学内容。选定后也为该专业的必修内容,建议至少选择12学时教学内容。 3.课程总学时数应至少保证96学时。

中职电工电子技术基础课程标准

中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程,它包含了电工电子技术中最基本的内容,使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能,具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力,具备学习后续专业技能课程的能力;对学生进行职业意识培养和职业道德教育,提高学生的综合素质与职业能力,增强学生适应职业变化的能力,为学生职业生涯的发展奠定基础,是培养公民素质的基础课程。同时,它为学生的终身发展,形成科学的世界观、价值观奠定基础,对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是:阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理;电磁现象的基本现象和规律;晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用;低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数,建议根据专业不同,有所区别,各专业的教学时数分别为: ㈠、28学时(适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业) ㈡、60学时(适用于农业机械使用与维护专业) 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期,具体学时分配建议在第七部分:内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要,精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识,增加一些问题探究等内容,构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向,以提升学生电工电子技术知识,了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标,以强化应用为重点。 在本课程的实施中,要根据三年制中等职业教育学生的认知水平,提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求,适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识,避免繁杂的运算。同时,要展现知识形成和发展的过程,为学生提供感受和体验的机会,激发学生兴趣,培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位,理论教学为实习服务,根据企业需要,本着必需、够用原则,将内容模块化,教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律,彻底打破原有的学科体系设计思路,紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容,突出项目任务与电工电子知识的联系,让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识,增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性,提高学生的就业能力。

《电子技术基础与技能 》课程标准

《电子技术基础与技能》课程标准 一、概述 (一)课程性质 本课程是高等职业技术学校电气控制自动化专业的核心课程,是本专业学生必修的专业基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作,使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能,为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性,一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解,更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。 (二)课程设计理念与思路 本课程贯彻以就业为导向,以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发,以应用为目的,以必需、够用为度,以职业能力分析为依据,设定课程培养目标,较大程度降低理论教学的重心,删除与实际工作关系不大的繁冗计算,以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容,注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 本课程在教学中,将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境,使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动,激发了学生学习的潜能。 二、课程目标 (一)总目标 通过学习,使学生获得电子技术方面的基础知识和技能,培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法,发展自主学习能力,养成良好的思维习惯和职业规范,能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲,发展科学探索兴趣,培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神,有振兴中华,将科技服务于社会的责任感。

中职计算机基础教学设计

中职《计算机基础》项目教学设计 ——用WORD制作电子报为例 课程内容:WORD排版操作 所属学科:计算机基础 课程学时:2节课 教学对象:中专一年级 学习环境:计算机机房,每人一台可以上网的电脑学生可以上网查找所需要的资料 一、中职《计算机基础》项目教学设计基本流程概述 二、项目学习教学设计的背景

培养“技能型、应用型人才”是中等职业技术教育的培养目标是。笔者所在校是国家级重点学校,教学对象是刚入学的新生,他们对职业中专的学习,尤其是计算机课程的学习有较强的新鲜感。学习之初,让学生们多完成一些类似职业岗位要的任务,对培养学生的分析问题、解决问题的能力,培养学生的创新能力大有益处同时,有助于学生走出初中的学习模式,适应中专的学习,建立高效的学习方法,快掌握计算机应用技术,为学生将来主动适应工作需要奠定基础。 基于以上认识,在《计算机应用基础》“文档编辑与管理”模块的教学中,笔设计了用Word 制作电子报的任务。制作电子报虽在教学及研究中常常被采用,不新形式,但以制作电子报为学习Word的载体有无可替代的优势:(1)综合性强,及众多知识点,有一定难度,提高学生应用Word软件的实战水平;(2)锻炼学生实践能力和创新精神;(3)学生经历了搜集信息、整理信息、利用信息、表达信息过程,能够提高学生的信息素养。 电子报的主题为“我的职业目标”。专业技能是中职学生实现职业目标的基础中职生要成功地步入社会,寻找到适合自身发展和社会需要的就业平台,首先必须一技之长。职业教育即就业教育,学生入学时虽己选择了专业,但一些学生对自学习的专业缺乏深入的了解,专业思想不牢,学习意识不强。制作电子报“我的职目标”,要求学生立足自己的专业,规划出近期的职业目标。学生通过任务的完成,不仅能掌握Word图文混排、艺术化版面设计的技术,并且能加深对所学专业的认识熟知专业技能与就业的密切关系,巩固专业思想,激发学习专业技能的动力。在项目教学中,一个合适的项目可使学生形成学习的热情和期待完成的兴奋。 三、项目学习教学设计的理念 1.以实际问题的解决为中心 项目学习的目的是让学生通过解决所面临的实际问题的过程来获得学习。因此,中职计算机应用基础课程项目学习教学设计主要是从学生现有的计算机基础知识基础和学习能力出发,结合职业学校不同专业特点,设计与之相关的问题,以实际问题的解决为中心来开展教学。2.从经验、项目和反思中获得学习在项目学习教学设计中,经验是项目的基础,学生要在原有知识和经验的基础上,寻解决问题的方法,并通过项目来验证方法正确与否,如果项目失败,则在此项目的反思过程中总结新的经验并改进解决问题的方法,然后再次通过项目进行检验,依此类推。因此项目学习是“从做中学”、“从反思中学”以及“在学习中学会学习”的有机结合,是一个循环进行的项目—反思的过程,学生主要是通过交流已有的知识经验,并通过项目、反思来获得学习的。 3.注重操作技能培养 计算机的基本操作能力的掌握,对学生利用其解决工作和生活中所面临的实际问题至关重要,对其利用计算机进行学习的能力也是有着一定的影响。所以在中职计算机应用基础课程项目学习教学设计中,教学的目标主要以提高学生的计算机操作技能为主,逐步培养学生利用计算机解决实际问题的能力。 4.充分体现学生的主体地位 项目学习的过程是学生小组合作学习的过程,教师在项目学习中只是作为学习的指导者,参与小组学习并适时给予恰当的指导,整个学习过程是在学生的相互协作中完成的。因此,项目学习教学设计将学习的主动权交给学生,并通过适当的问题或情景等调动学生积极主动地参与教学过程,帮助学生养成良好的学习习惯。 5.强调团队合作 学生在项目学习的过程中,需要与小组成员相互交流经验,加深对问题的理解,并通过相互合作、互助来共同解决问题。这个过程更注重团队的合作能力,所以项目学习教学设计要强调团队合作,要让学生在项目学习中,既能发展智力、训练思维,又可以提高他们的团队意

对口高职电子技术基础中职期末精编测试题(一)

电子技术基础期末试题(一) 一、填空题(每空2分,共54分) 1.三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2.整流电路的作用是将电压变换为电压。3.PN结的单向导电性表现为时导通;时截止。4.交流负反馈能改善放大器的性能,直流负反馈能稳定放大器的,负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5.正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为,相位平衡条件为△,n为整数。 6.硅二极管的导通电压为 V,锗二极管的导通电压为 V。 7.完成变换:(365)10=()2=()16 =( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9.开关型稳压电路的调整管工作在状态;普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0,全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门;与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题(每小题3分,共33分) 12.基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13.与非门的逻辑函数表达式为() A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14.用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大,则二极管() A.正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=,可以写作() A.G F E Y+ + = B.Y = E+F+G C.G F E Y? ? = D.FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是() A.1 B.A C.AA D. 0

17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示,该电路中存在( ) A.线性失真,饱和失真 B.非线性失真,饱和失真 C.线性失真,截止失真 D.非线性失真,截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ,则输出电压Uo 等于 ( ) A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19.逻辑函数EF F E F E ++,化简后答案是( ) A .EF B .F E F E + C .E+F D .E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ,则负载两端电压为( ) A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端个数是( ) A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中,三极管三个极的电位分别如图所示,则此管 是( ) A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题(每小题3分,共33分) ( )23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 ( )24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ,r 为电池内阻。 ( )25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 ( )26.电位大小与参考点无关,电压大小与参考点有关。 ( )27.二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。 ( )28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 ( )29.与甲类功放相比,乙类功放的主要优点是没有失真。 ( )30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号,低通滤波器应处于“关”的位置。 ( )31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v

习题答案电子技术基础与技能资源

习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 (1)单向导电 导通 截止 (2)硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 (3)最大整流电流 最高反向工作电压 (4)将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 (5)将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 (6)桥式整流 (7)将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 (1)( √ ) (2)( × ) (3)( √ ) (4)( √ ) (5)( √ ) (6)( √ ) 3.选择题 (1)C (2)B (3)B (4)C (5)A (6)D (7)C 4.分析与运算 解:a)VT 导通。Uao=-9V b)VT1导通,VT2截止。Uao=0V c)VT2导通,VT1截止。Uao=-4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 (1)导体 绝缘体 (2)本征半导体 (3)P 型 (4)负极 正极 (5)反向击穿 (6)反向 (7)反偏 (8)半波整流 2.判定题 (1)( × ) (2)( × ) (3)( × ) (4)( √ ) (5)( × ) (6)( × ) 3.选择题 (1)C (2)C (3)D (4)A 4.分析与运算 (1)解:依照二极管的正向伏安特性曲线可知,若按此接法,由于电源本身内阻专门小,1.6V 电压几乎全加在二极管两端,通过二极管的电流会专门大,容易烧坏二极管,电源也会因过热而损坏,因此不承诺把二极管按此方法连接。 (2)解:8种接法;5个不同值,16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 (3)解:VD1、VD4接反,电容C 极性接反。 (4)解:V V U U O 1081209.09.02=?==; 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=; 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 (1)空穴 (2)0.5 0.2

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

中职电子技术教案课件教材资料

项目一半导体的基础知识 一、半导体: 1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。 2、导体: 3、绝缘体 二、本征半导体 1、本征半导体:纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有:硅和锗。它们都是四价元素,原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它们是靠的作用而紧密联系在一起。 2、空穴:共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由 电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。 3、空穴电流: 在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流;同时价电子也按一定的方向一次填补空穴,从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。 三:杂质半导体 1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性,这种半导体被称为杂质半导体。 1).N型半导体 在本征半导体中,掺入5价元素,使晶体中某些原子被杂质原子所代替,因为杂质原子最外层有5个价电子,它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是,电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数,与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 2).P型半导体 在本征半导体中,掺入3价元素,晶体中的某些原子被杂质原子代替,但是杂质原子的最外层只有3个价电子,它与周围的原子形成共价键后,还多余一个空穴,因此使其中的空穴浓

度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中,自由电子是少数载流子,空穴使多数载流子。 四、PN结 一、PN结基础知识 1、 PN结:我们通过现代工艺,把一块本征半导体的一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,于是这两种半导体的交界处就形成了P—N结,它是构成其它半导体的基础,我们要掌握好它的特性!2:异形半导体接触现象 1)扩散运动:在形成的P—N结中,由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大,因此它们会产生扩散运动(高浓度向低浓度扩散):电子从N区向P区扩散;空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子,它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴,在P区留下了带负电的杂质离子,这样就形成了空间电荷区,也就是形成了电场(自建场). 它们的形成过程如图(1),(2)所示 2)漂移运动:在电场的作用下,载流子将作漂移运动,它的运动方向与扩散运动的方向相反,阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关,扩散的越多,电场越强,同时对扩散运动的阻力也越大,当扩散运动与漂移运动相等时,通过界面的载流子为0。此时,PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区,我们又把它称为阻挡层或耗尽层。

电子技术基础与技能电子教案(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号:01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体; 2、了解PN结的形成过程及其特性; 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等; 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点:二极管的符号及单向导电特性。 难点:PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念,学生第一次接触到,而且这些内容十分抽象难理解,所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容,而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,因此,教师要如此引入过渡,学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排:2课时 七、教学过程 1、导入新课: 大家在初中学习了电阻,电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质,如铁、铝、铜等金属;不能导电的物质就是绝缘体,如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢?这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段

(1)出示投影(课本图1-1 二极管单向导电电路图) 让生认识电路图,了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件,今天我们就来重点学习这种元件。 (2)先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1)半导体:由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性,特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2)P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体,然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体,即N型半导体和P型半导体。(可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图)。 3)PN结:出示投影(课本图1-2 PN的结构示意图),简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 (3)二极管 1)出示投影(课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号) 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2)实物投影展示各种不同形状的二极管外形,之后拿出实物让生观察,增强学生的感性意识。 3)二极管的特性曲线 出示投影(课本图1-5 二极管的伏安特性曲线) 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压:对于硅管是0.5V,锗管是0.2V;导通电压:对于硅管是0.7V;对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆 4)二极管的种类及参数:师简单介绍

中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)

2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 (A卷,四大题型34小题) 考试形式:闭卷 一、填 空题 (10小 题,20空格,每空格1分,共20分。) 1、直流放大器产生零点漂移的原因是:________________;________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________,KCMR越大,抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时,电路中需加保护电路,常用的保护电路有:________________保护;________________保护;________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小,可采用________________反馈;要求放大电路输入电阻小、输出电阻大,可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压,并提高输入电阻,则应该对放大器施加_______________反馈;如果要求稳定放大器输出电流,并提高输出电阻,则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号,可选用________________振荡器,如要产生较低频率的信号,可选用________________振荡器,如要产生频率________________的信号,可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率________________,________________电压被放大,而相位________________。 9、在桥式整流电路中,若输出电压为9V,负载中的电流为1A,则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位,该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题(11小题,每小题2分,共22分。将叙述 班级: 姓名:学号:题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案

(完整word版)中等职业学校《电子技术基础》教案.doc

第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性:单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类: (1)按材料分 : 有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 )按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 )按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 )按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似,均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区

第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性;2、掌握三极管的类型和电流放大原理; 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1)发射区向基区发射电子的过程 2)电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性:i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性:i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理;理解三极管的特性曲线和主要参数。

中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案

《电子技术基础》期中试卷 一、填空题(每空1分,共32分) 1、晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。 结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。 3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。 4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。 5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。 管型(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______工作状态(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______ 称为三极管的_______电流,它反映三极管的_______,Iceo越_______越好。 7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。 8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。 二、判断题(每题2分,共14分) l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。()2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。() 3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就 班级:姓名:学号:题号一二三四五六七八九总分得分

相关文档
最新文档