中职电子技术基础期中试卷
最新中职电子技术基础期终考试试题(二)

电子试题一填空1. 正反馈可组成___________,负反馈可改善_______________。
2. 判别正负反馈最简捷的方法是___________。
3. 放大器输出电阻越_______,放大器带负载能力越强。
4. LC振荡的三种基本电路是_________________、__________________、_______________。
5. 一个自激振荡器只有满足_________条件和_________条件,才能产生振荡。
6. 直流放大器要解决的主要问题是________________。
7. 在差动放大电路的输入信号中,___________信号是有用的信号,___________信号则是设法抑制的信号。
8. 真值表是描述逻辑函数______________和_______________对立关系的表格。
9. 逻辑或表达式为____________。
0. 逻辑与表达式__________。
11. 按MOS管的类型不同,MOS集成电路可分为___________MOS集成电路和__________MOS集成电路。
12. 电子技术中的工作信号可分为两大类:一类是随时间连续变化的,称为_______信号,另一类是不连续变化的脉冲信号,称为__________信号。
13. 晶体二极管作为开关元件,是利用了它的__________。
14. 晶体三极管不仅有放大作用,还有________作用。
15. 三极管的输出特性分成三个区域,在交流放大器中,三极管一般工作在放大区,而在脉冲数字电路中三极管一般在_______区或_______区。
16. 三极管作为开关元件使用时,它主要工作在_______区和_______区,并经常在这两个区域进行快速转换。
17. 在开关电路中,只有"0"和"1"两种状态,通常把高电平看作__________状态,把低电平看作__________状态。
中职电子技术基础期中试题

2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷(A 卷) 考试形式:闭卷■、开卷□ 出卷人:康洋 考试时间: 60分钟一、判断题(本大题共10小题,每小题3分,共30分,请将其答案写在答题卡内。
)1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通,加反向电压截止,这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压(二极管正极接高电位,负极接低电位)时的特性。
5. 二极管导通后,二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构,因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向,箭头朝外的是 NPN 型三极管,箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是:用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题(本大题共10小题,每小题4分,共40分,请将其答案写在答题卡内。
)1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极,又称( )。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为( )。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为( )。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号( )可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是( )。
A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结正偏,集电结正偏C. 发射结反偏,集电结正偏D. 发射结反偏,集电结反偏 6. NPN 型三极管中,当V C >V B >V E ,三极管处于( )A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号( )A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V , -10 V , -9.3 V , 则这只三极管是( )。
中职电子技术基础期中试卷

2012年秋学期《电子技术基础》期中测试2012.11.一、填空题(0.5’×50)1、半导体中有两种载流子:和。
2、晶体二极管具有特性,即加电压时导通,加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用,是一种控制型器件,通过电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区:区、区和区;两个PN 结:和;三个电极:、和,分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是:、工艺条件(内部条件)是:、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为和两种类型,它们的图形符号分别为和,基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和接法。
三极管的三个电极中,极既可以作为输入端,又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V;锗管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V。
10、若测得某晶体三极管的电流为:当I B=20µA时,I C=2mA;当I B=60µA时,I C=5.4mA,则可求出该管β为,I CEO为,I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时,测出与对应值的关系,它可以分为三个区域,即区、区和区。
当三极管工作在区时,关系式I C =βI B才成立;当三极管工作在区时,I C≈0;当三极管工作在区时,V CE≈0;三极管在区时,具有恒流特性。
二、判断题(2’×10)1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。
( )2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此N 型半导体带负电。
( )3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。
( )4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。
( )5、用万用表测量小功率二极管,一般使用R ×10K Ω挡。
( ) 6.用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。
中职数字电路中考试试题

- 1 -职教中心2016-2017学年度第一学期期中考试题(卷)科目:电子技术基础 适用班级:16汽修、采矿一、 选择题 (每题3分,共12分) 1、右图①表示( A )电路, ②图表示( B )电路A、与门B、或门 C、非门 D、与非门2、逻辑电路如图⑤,函数式为( A )A 、 F= AB + CB 、 F= A B + CC 、 F= AB +CD 、F=A+B C3、下列图中的逻辑关系正确的是 ( B )A.Y= A BB.Y= ABCC.Y= AB4、逻辑功能为“全1出0,有0出1”的逻辑门是( ) 二、 计算题、(本题共10分,要求有计算过程)5、有一数码 10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ,作 为 8421BCD 码时,它相当于十进制数 93 。
三、 作图题(本题共30分)6、已知各逻辑门输入 A 、 B 和输出 F 的波形如下图所示写出 F 的逻辑表达式并画出逻辑电路。
A B7、图 1、2 中电路由 TTL 门电路构成,试分别写出 F1、F2 的表达式。
题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分班级: 姓名:四、填空题(本题共10分)8.在门电路中,最基本的逻辑门是、、。
9.异或门的逻辑功能是:__________________ 、________________。
五、用公式法化简下列函数(每题5分,共10分)1.Y1=AB+ABD+AC+BCD2.Y2=(A+AB)(A+BC+C)六、判断题(本题共10分)1、()负逻辑规定:逻辑1代表低电平,逻辑0代表高电平。
2、()逻辑代数中的0和1代表两种不同的逻辑状态,并不表示数值的大小。
3、()逻辑代数式A+1=A成立4、()非门可以用与非门代替,但,与非门不能用非门代替。
5、()非门通常是多个输入端,一个输出端。
七、证明题(本题共9,共18分)1、用真值表验证摩根定律2、证明:AB+A C+BC=AB+A C- 2 -。
中职电子技术基础半期考试题

《电子技术基础》期中考试题考试日期:90分钟考核方式:闭卷班级:姓名:一、填空(每空2 分,共10分)1、判别三极管的管脚,先判定基极和管型::当指针表的“黑笔”固定,则此管为管(选填“NPN”或“PNP”),此电极为极。
2、将交流电变换成的过程叫整流,整流电路通常由组成。
3、测量三极管3个引脚的对地电压分别为①1V、②5V、③1.7V,则此管为硅材料型的三极管(选填“NPN”或“PNP”)二、单项选择(每题3分,共30分)4.二极管有几个电极几个PN结()A.1、2 B.2、1 C.2、25.三极管有几个电极几个PN结()A.3、2 B.2、3 C.3、36.三极管可以是由半导体硅材料制成,称为()A.晶体管B.半导体C.硅三极管7.NPN型三极管的基区是()型A.N B.P C.PN8.三极管制作时,通常它们的基区做得很()A.很厚B.很薄C.一样9.三极管制作时,通常它们的基区掺杂浓度()A.低B.高C.一样10.三极管截止状态时,三极管相当于一个开关()A.闭合B.时开时合C.断开11.三极管实现放大的外部条件是:其发射结必须加()向电压A.正向B.反向C.不一定的12.二极管的最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时()A.反向电流值B.指二极管击穿时的电压值C.允许通过二极管的最大正向电流的平均值13.二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线,称为()A.二极管的伏安特性B.三极管的伏安特性C.二极管的主要参数三、多项选择(每题5分,共20分,选对不全得2分,错选、不选得0分)14、半导体的主要特点有()A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.导电性15、半导体中存在两种载流子()A.带负电的自由电子B.带正电的空穴C.正负电荷16、按照应用的不同,二极管分为()A.整流、检波、B.开关、稳压、C.发光、光电、D.快恢复和变容二极管17、三极管符号中发射极上的箭头方向,表示()A.发射结正偏时电流的流向B.发射结反偏时电流的流向C.NPN型箭头方向为电流流出D.PNP型箭头方向为电流流入四、判断正误(对的打“√”错的打“×”)(每题2分,共20分)18.自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体1和绝缘体。
中职电子技术基础与技能期中试题

A.输入信号大 B.三极管的β过大 C.电源电压太高 D.三极管输入特性的非线性 9、为了减小交越失真,加偏置的OCL电路在静态时处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.微导通状态 10、集成稳压器CW78L05表示( ) A.输出电压5V,最大输出电流1A B.输出电压-5V,最大输出电流1A C.输出电压-5V,最大输出电流0.1A D.输出电压5V,最大输出电流 0.1A 二、多项选择题(5小题,每题3分,共15分) 1、多级放大电路与单级放大电路相比,错误的是( ) A.通频带变窄 B.通频带变宽 C.电压增益提高 D.电压增益减小 2、关于集成运放的理想特性,正确的是( ) A.开环差模放大倍数趋于无穷大 B.两输入端之间的输入电阻趋于无穷大 C.输出电阻趋于无穷大 D.共模抑制比趋于无穷大 3、功率放大器的基本要求有( ) A.尽可能大的输入功率 B.尽可能高的效率 C.较小的非线性失真 D.较好的散热装置 4、OTL电路和OCL电路的区别主要有( ) A.有无输出电容 B.有无输出变压器 C.双电源或单电源供电 D.是否存在交越失真 5、三极管各个极的电位如下,不处于放大状态的三极管是( ) A.VB=0.7V,VE=0V,VC=0.3V B.VB=-6.7V,VE=-7.4V,VC=-4V C.VB=-3V,VE=0V,VC=6V D.VB=2.7V,VE=2V,VC=2V 三、填空题(5小题,每题2分,共10分) 1、多级放大电路通常有三种耦合方式,即 、变压器耦 合和 方式。 2、集成运放工作在线性区的特征是引入深度 。工作在线性放 大状态的集成运放具有两个重要特点,分别是 。 3、大小相等、极性相反的信号称为 信号;大小相等、极性 相同的信号称为 信号。 4、乙类功放电路中,功放管静态工作点设置在 边缘,因此几 乎无静态电流,电路的功率损耗减到最小,放大器的效率最高可达
中职《电子技术基础》期中考试题

中职《电子技术基础》试题一、单项选择题1.某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为()A、约等于150伏B、可略大于150伏C、不得大于40伏D、等于75伏2. 晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流IC将()。
A.随I B增加而增加 B.随I B增加而减少C.与I B无关,只决定于V c和R C3.单管共射放大器输入正弦电压,用示波器观察到输出波形的正半周被削顶,该放大器的静态工作点设置得 ( )A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定4.稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。
A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区5、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时,输出波形容易产生失真,Q点偏高时的失真叫做失真,对应的输出电压波形将出现失真。
A 饱和;顶部B 饱和;底部C 截止;底部D 截止;顶部二、填空题1、晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN 结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K"挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和接法。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。
管 型 (1)_______(2)_______(3)_______(4)_______ 工作状态 (1)_______(2)_______(3)_______(4)_______6.射级输出器晶体管的公共端是_______。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。
8.在检测三极管管脚极性时,万用表黑表笔固定在某一管脚,红表笔分别接另外两管脚,两次阻值均较小,则黑表笔所接管脚为_________,三极管管型为_________。
中职《电工电子技术基础》期中考试试卷及答案

中职第一学期电工班级: 姓名: 得分:一、填空题:(每空1分,共 30 分)1. 任何一个完整的电路都一般由 电源 、 负载 和 中间环节(导线和开关) 三个基本部分组成。
2、根据电源的外特性和全电路欧姆定律U=E-Ir 的概念,可见,电源端电压U 随着电流I 的增大而 减小 ,而电源的电动势随着内阻的增大而 减小 。
一般电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态,电源 短路 是严重的故障状态,必须避免发生。
3、一般规定参考点的电位规定为 零电位 ,低于参考点的电位是 负电位 ,而高于参考点电位是 正电位 。
4取决于导体的 长度 、 横截面积 和 自身的材料 ,其表达式 5电压和功率的最大值都有一定的限制,分别称为 额定电流 、 额定电压 、 额定功率 。
6、分析和计算复杂电路的主要依据是: 基尔霍夫 定律和 欧姆 定律。
7内阻r 数值 不变 ,电路图改为 并 联。
8、用一个恒定的电动势与内阻r 串 联表示的电源称为 电压源 。
用一个恒定的电流Is 与内阻r 并 联表示的电源称为 电流源 。
9、电磁铁的形式很多,但基本组成部分相同,一般由 励磁线圈 、 铁心 、 衔铁 三个主要部分组成。
二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 10 分1、( × )电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。
2、( × )电压是产生电流的根本原因。
因此电路中有电压必有电流。
3、( × )绝缘体两端的电压无论再高,都不可能通过电流。
4、( × )电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。
5、( √ )理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。
6、( √ )对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,但方向相反。
7、( × )电阻并联后的总电阻大于其中任一只电阻的阻值。
8、( × )在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。
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2012年秋学期
《电子技术基础》期中测试
2012.11.
一、填空题(0.5’×50)
1、半导体中有两种载流子:和。
2、晶体二极管具有特性,即加电压时导通,加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用,是一种控制型器件,通过
电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区:区、区和区;两个PN 结:和;三个电极:、和,分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是:、工艺条件(内部条件)是:、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为和两种类型,它们的图形符号分别为和,基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式:接法、接法和
接法。
三极管的三个电极中,极既可以作为输入端,又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为V,导通电压约为V;锗管的门坎电压约为V,导通电压约为V。
10、若测得某晶体三极管的电流为:当I B=20µA时,I C=2mA;当I B=60µA时,I C=5.4mA,则可求出该管β为,I CEO为,I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时,测出与对应值的关系,它可以分为三个区域,即区、区和区。
当三极管工作在区时,关系式I C =βI B才成立;当三极管工作在区时,I C≈0;当三极管工作在区时,V CE≈0;三极管在区时,具有恒流特性。
二、判断题(2’×10)
1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。
( )
2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此N 型半导体带负电。
( )
3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。
( )
4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。
( )
5、用万用表测量小功率二极管,一般使用R ×10K Ω挡。
( ) 6.用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。
( ) 7、无论哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b 极电位总是高于e 极电位,c 极电位也总是高于b 极电位。
( ) 8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成,所以e 极和c 极可以互换使用。
( ) 9、对于NPN 型三极管,若U BE >0,U BE >U CE ,则该管工作在饱和状态。
( ) 10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。
( )
三、选择题(2’×10)
1、某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为( ) A 、约等于150伏 B 、可略大于150伏 C 、不得大于40伏 D 、等于75伏
2、电路如图所示,图中二极管为理想二极管, 当输入电压Vi=0V 时,输出电压Vo=( )V ; 当输入电压Vi=20V 时,输出电压Vo=( )V 。
A 、3V B 、0V C 、10V D 、20V
3、在一块放大电路板上,测得某三极管对地电位如图所示,则管子的导电类型,管脚自左至右的顺序分别为( )。
A 、NPN 型,ebc
B 、PNP 型,ebc
C 、NPN 型,bce
D 、PNP 型,bce
4.在半波整流滤波电路中,如已知U2=10V ,则负载RL 上的输出电压为( )。
A .12V B .9V C .4.5V D .10V 5.晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流I C 将 ( )。
A .随I B 增加而增加 B .随I B 增加而减少
V +
_
O
C .与I B 无关,只决定于Uce 和R C 6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零, 反向电阻为无穷大,则电压V AB 为( )。
A .-3V B .5V ; C .8V
D .-8V
7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是 ( )。
8、上图中处于截止状态的三极管是 ( )。
9、分压式偏置电路中,如R b1增大,电路中其余条件不变,则I C 将 ( )。
A .增大 B .减小 C .不变 D .无法确定
四、分析计算题(35’)
1.画出下图放大电路中的交、直流通路。
(8’)
(a )
(b )
+
_
L
A
B
C
D
+
_
L
G
2、试判断下图中的二极管状态,并计算输出电压V o 。
(4’)
3、如图所示放大器中已知V G =15V ,R C =3K Ω,R b =500 K Ω,β=60,试估算放大器的静态工作点和输入电阻r i 、输出电阻r o 、和电压放大倍数A V 。
(12’)
4、如图所示分压式偏置电路中中:V G =12V ,R b1=200 K Ω,R b2=100K Ω,R C =2K Ω,β=60,试估算I CQ 和V CEQ 。
(6’)
5、画出单相半波整流电路图,若输出电压V L 为45V ,负载R L =5K Ω,试计算变压器次级电压V 2和流过二极管的电流I V 及二极管承受的最大反向电压V RM 。
(5’)
+
_
L
Vo
+_
+V G。