pnp三极管参数
2SA系列(PNP型)三极管参数表
750m -70m
硅 PNP 三极管
750m -50m
硅 PNP 三极管,高频射频放大
60m
硅 PNP 三极管,功率放大，功率开关，
TOSHIBA
900m
配对管 2SC2655
硅 PNP 三极管,功率放大，功率开关，
TRANSYS
900m
配对管 2SC2655
硅 PNP 三极管,功率放大，功率开关，
管 2SC458/2SC2310
硅 PNP 三极管,高频低噪声放大，配对 300m -100m
管 2SC458/2SC2310
硅 PNP 三极管,高频低噪声放大，配对 300m -100m
管 2SC458/2SC2310
硅 PNP 三极管,高频低噪声放大，配对 300m -100m
管 2SC458/2SC2310
MICRO 长电
硅 PNP 三极管,电压低噪声放大，配对 400m
管 2SC2362K
硅 PNP 三极管,TO-92，放大
500m
-50m -50m
PANASONIC 硅 PNP 三极管,放大，配对管 2SC2363 500m -50m
硅 PNP 三极管,一般放大，配对管 PANASONIC
2SC1473
25 -5
-60
-50
60M 70-240
3CA10D
MOSPEC 硅 PNP 三极管,功率管
25 -5
-60
-50
60M 70-240
3CA10D
TOSHIBA 硅 PNP 三极管,功率管
25 -5
-60
-50
60M 70-240
3CA10D
长电 硅 PNP 三极管,TO-92，放大
常用PNP三极管参数
常用PNP三极管参数PNP三极管是一种常用的半导体器件，常被用于电子电路中的放大、开关、稳压等功能。
了解其常用参数对于理解和应用该器件是非常重要的。
1.电流放大倍数（β值）：PNP三极管的电流放大倍数指的是集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的比值。
它是指三极管的放大能力，一般值在10～500之间，不同型号的三极管有不同的β值。
2. 最大集电极电流（Ic max）：指在特定工作条件下，三极管所能承受的最大电流值。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
3. 最大集电极-基极电压（Vce max）：指在特定工作条件下，三极管集电极与基极之间所能承受的最大电压值。
超过该值后会导致器件击穿。
4. 饱和区和截止区：PNP三极管有两个特殊的工作区域。
饱和区指的是当基极电流（Ib）足够大，使得集电极电压（Vce）很小甚至接近零时，三极管处于饱和状态。
截止区指的是当基极电流（Ib）非常小且集电极电压（Vce）较大时，三极管处于截止状态。
5.输入电压偏置和输出电压偏置：PNP三极管的工作需要正确定义基极和发射极之间的电压偏置。
输入电压偏置指的是基极电压与发射极电压之间的差值，输出电压偏置指的是集电极电压与发射极电压之间的差值。
6. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
7.最大工作频率（fT）：指能够在频率上最大工作的三极管。
这个参数对于高频应用非常重要。
它取决于三极管内部结构和材料的特性。
8. 热电阻（θja）：指三极管的热耦合特性，即用于散热时三极管芯片与环境间的温度差。
热阻越小，散热效果越好，越有利于保护器件。
9.尺寸和引脚布局：PNP三极管通常有标准的引脚布局，如基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
这些尺寸和引脚布局使得三极管易于焊接和安装。
10. 各种参数受到温度影响：PNP三极管的性能受到温度的影响。
特别是电流放大倍数（β值）和最大集电极电流（Ic max）会随着温度的变化而变化。
SA系列(PNP型)三极管参数表
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1020T
UTC
硅PNP三极管,功率放大，功率开关，配对管2SC2655
900m
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1021
TOSHIBA
停产，用2SA1408代替
20
-1.5
-150
20M
3CA10F
2SA1022
PANASONIC
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011S
SANYO
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011W
WS
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
3CG120A
2SA1031C
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
200M
100-500
3CK14F
2SA1031D
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
硅PNP三极管,低频放大，配对管2SC2295
200m
-30m
-30
-20
最新常用PNP三极管参数
最新常用PNP三极管参数PNP三极管是一种双极晶体管，用于控制电流的放大和开关功能。
它由三个层叠的半导体层，即基极（base），射极（emitter）和集电极（collector）组成。
最新常用的PNP三极管参数包括以下几个方面：1. 最大集电极电流（Ic_max）：这是三极管能够承受的最大电流值。
一般来说，这个值会在数据手册中给出。
2. 最大射极-基极电压（Veb_max）：这是三极管能够承受的最大电压值。
超过这个电压，三极管可能损坏。
3.直流放大倍数（β）：这是一个无量纲的数字，表示集电极电流与基极电流之间的比例关系。
通常情况下，β的值在几十到几百之间。
4. 射极饱和电压（Vce_sat）：这是三极管在饱和状态下的集电极-射极电压。
在饱和状态下，三极管的集电极-射极间的电压会减小到一个较低的值。
5. 动态输入电阻（ri）：这是三极管在工作过程中，基极-射极间的等效输入电阻。
它可以影响到输入信号的放大效果。
6. 动态输出电阻（ro）：这是三极管在工作过程中，集电极-射极间的等效输出电阻。
它可以影响到输出信号的输出效果。
7.噪声系数（NF）：这是一个无量纲的数字，用于表示三极管的噪声性能。
一般来说，较低的噪声系数表示较好的噪声性能。
8.频率响应（fT）：这是三极管在高频范围内，能够稳定工作的最高频率。
通常情况下，fT的值越高，表示三极管在高频范围内的工作效果越好。
除了上述参数外，还有一些其他的参数，比如温度系数、功耗等，这些参数在不同型号的PNP三极管中可能有所不同。
总之，PNP三极管的参数提供了对其性能的定量描述，方便工程师在设计电路时参考和选择合适的器件。
以上所列举的是一些常用的PNP三极管参数，市场上还有很多其他的参数需要根据具体应用需求进行选择。
常用PNP三极管参数培训资料
常用PNP三极管参数培训资料PNP三极管是一种常见的半导体器件，被广泛应用于电子电路中的放大、切换和调整信号等功能。
了解和掌握PNP三极管的参数对于电子工程师来说非常重要。
下面是一份常用PNP三极管参数的培训资料。
1.放大因子（β）：PNP三极管的放大因子β指的是基极电流（IB）和集电极电流（IC）之间的比值，即β=IC/IB。
放大因子的数值代表了三极管的放大能力。
一般来说，β的数值在50至800之间，不同型号的PNP三极管具有不同的放大因子。
2. 饱和电流（ISat）：饱和电流是指PNP三极管在导通时的最大电流。
当基极电流足够大时，三极管将进入饱和状态，此时对于集电极电流没有影响，使得电流不再增加。
饱和电流的数值一般在几十到几百毫安之间。
3.耗散功率（Pd）：耗散功率是指PNP三极管在工作时消耗的功率。
它可以通过电流和电压的乘积来计算，即Pd=VCE×IC。
对于不同的PNP三极管，其耗散功率有不同的限制。
4.最大集电极-基极电压（VCEO）：最大集电极-基极电压指的是PNP三极管的最大耐压能力。
当集电极和基极之间的电压超过VCEO时，三极管可能会被烧坏。
因此，在使用PNP三极管时，应确保电压不超过其最大集电极-基极电压。
5. 最大集电极电流（ICmax）：最大集电极电流是指PNP三极管所能承受的最大电流。
当集电极电流超过ICmax时，三极管可能会被损坏。
因此，在设计电路时，应注意不超过PNP三极管的最大集电极电流。
6. 最大功耗温度（Tmax）：最大功耗温度是指PNP三极管所能承受的最高温度。
超过该温度，三极管的性能和可靠性可能会受到影响。
因此，在设计电路时，应选择合适的散热措施，确保PNP三极管工作在安全的温度范围内。
7. 集电极-基极饱和电压（VCEsat）：集电极-基极饱和电压是指PNP三极管在饱和状态下的集电极电压和基极电压差。
一般而言，VCEsat的值越小，三极管的导通能力越好。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
pnp三极管参数解释
pnp三极管参数解释pnp三极管是一种常见的电子器件，常用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
理解和掌握pnp三极管的参数对于正确使用和设计电路至关重要。
在本文中，将详细解释pnp三极管的相关参数，帮助读者更好地理解和应用这一电子元件。
1.极性标识：pnp三极管的三个引脚分别为基极（B）、发射极（E）和集电极（C），其中基极与发射极之间构成一对p型结，发射极与集电极之间构成一对n型结。
在电路中，pnp三极管的极性标识通常用箭头表示，箭头指向基极，表示电流的流动方向。
2.最大集电电流（Icmax）：最大集电电流是pnp三极管能够承受的最大电流值。
超过这个数值，可能引起器件过热和损坏。
因此，在设计电路时，需确保集电电流在规定范围内。
3.最大功耗（Pmax）：最大功耗是pnp三极管能够承受的最大功率值。
当电流和电压超过设定值时，器件可能产生过多的热量，导致损坏。
因此，保证功耗在允许范围内非常重要。
4.最大集电-发射电压（Vceo）：最大集电-发射电压是pnp三极管在收集电极与发射电极之间可以承受的最大电压值。
超过这个数值，可能引发击穿现象，造成器件失效。
5.最大功率频率（fT）：最大功率频率是指pnp三极管的最高工作频率。
它衡量了三极管的最大工作速度，超过这个频率，三极管的放大作用将显著下降。
6.直流放大倍数（hfe）：直流放大倍数衡量了pnp三极管输入电流变化与输出电流变化之间的关系。
它代表了三极管的放大能力，一般在规格书上有具体数值。
7.内部电阻（Rce）：内部电阻代表了pnp三极管的电流控制能力。
较小的内部电阻可以提高三极管的放大效果，增强电路的稳定性。
8.最大反向击穿电压（Vcb）：最大反向击穿电压是指pnp三极管集电极与基极之间可以承受的最大反向电压值。
超过这个数值，电流将无法正常流动，引发器件故障。
综上所述，pnp三极管的参数对于电路设计和使用至关重要。
通过准确理解和掌握这些参数，可以更好地应用pnp三极管，实现电子电路的稳定和优化。
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pnp三极管参数
PNP三极管是一种常用的电子元件，也是电子电路中重要的一部分。
它的参数包括：最大集电极电流（ICmax），最大基极电流（IBmax），最大发射极电流（IEmax），最大漏电流（ICBO），最大反向漏电流（IEBO），最大集电极-基极电压（VCEO），最大发射极-基极电压（VEBO）等。
最大集电极电流（ICmax）是指PNP三极管能够承受的最大集电极电流。
当超过这个电流时，PNP三极管可能会被损坏。
因此，在设计电路时，需要根据实际需要选择合适的PNP三极管，以确保其能够承受所需的电流。
最大基极电流（IBmax）是指PNP三极管的基极电流的最大允许值。
超过这个电流值，PNP三极管的工作可能会不稳定，甚至被损坏。
因此，在使用PNP三极管时，需要控制好基极电流的大小，以确保其在允许范围内工作。
接下来，最大发射极电流（IEmax）是指PNP三极管的发射极电流的最大允许值。
发射极电流是由基极电流控制的，当超过IEmax时，发射极电流可能会导致PNP三极管的损坏。
因此，在设计电路时，需要注意控制发射极电流的大小，以确保其在允许范围内。
最大漏电流（ICBO）是指PNP三极管的集电极与基极之间的漏电流。
当PNP三极管处于截止状态时，ICBO是流过集电极的漏电流。
在设计电路时，需要考虑ICBO的大小，以确保其对电路的影响不会过大。
最大反向漏电流（IEBO）是指PNP三极管的发射极与基极之间的反向漏电流。
在设计电路时，需要考虑IEBO的大小，以确保其对电路的影响不会过大。
最大集电极-基极电压（VCEO）是指PNP三极管能够承受的最大集电极-基极之间的电压。
当超过这个电压值时，PNP三极管可能会被损坏。
在设计电路时，需要根据实际需要选择合适的PNP三极管，以确保其能够承受所需的电压。
最大发射极-基极电压（VEBO）是指PNP三极管的发射极-基极之间的电压。
超过这个电压值时，PNP三极管的工作可能会不稳定，甚至被损坏。
因此，在使用PNP三极管时，需要控制好发射极-基极电压的大小，以确保其在允许范围内工作。
PNP三极管的参数对于电子电路的设计和应用非常重要。
在选择PNP三极管时，需要考虑它的最大集电极电流、最大基极电流、最大发射极电流、最大漏电流、最大反向漏电流、最大集电极-基极电压和最大发射极-基极电压等参数。
通过合理选择合适的PNP三极管，并控制好电流和电压的大小，可以确保电子电路的正常工作和稳定性。
因此，在电子电路设计中，需要充分理解和应用PNP三极管的参数，以达到设计要求。