半导体传感器及应用
半导体传感器的原理与应用现状分析
半导体传感器的原理与应用现状分析作者：张玉洁陈志华张猛来源：《电脑知识与技术》2023年第28期摘要：本文从传感器技术的实践意义出发，首先介绍了半导体传感器的特性原理、制备的一般过程和分类；其次，详细介绍了物理敏感型、化学敏感型、生物敏感型这三类半導体传感器的具体工作原理、类别，以及这三类传感器在生产生活中的应用现状。
最后，对半导体传感器的应用未来进行了展望。
关键词：半导体传感器；物联网；探测与感知；自动化控制中图分类号：TP212 文献标识码：A文章编号：1009-3044（2023）28-0083-040 引言随着信息技术的发展，传感器技术也获得了飞速进步，作为底层信息采集的终端，传感器对自然界中各类信号展示出强大的感知和捕捉能力，使得自动监测和控制成为现实。
换而言之，没有传感器就没有实时测量，也没有自动控制，更没有智能系统。
传感器的种类繁多，可按照工作原理、所用材料、待测对象、应用领域等进行分类。
其中，按材料的物理化学性质可分为导体传感器、绝缘体传感器和半导体传感器。
半导体传感器是其中应用最广泛的一种传感器，利用半导体的各种物理化学性质制成，被广泛应用于工业控制、各类环境监测、医疗康养和生物工程等领域中。
1 半导体传感器的制备和分类半导体传感器的种类繁多，采用的敏感材料多数是硅、Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，以及Ⅱ-Ⅵ族元素化合物。
不论哪种传感器，敏感材料都是其中的关键环节，决定着传感器的线性度、灵敏度、稳定性等静态特性以及时间响应、频率响应等动态性能[1]。
常用的敏感材料有以硅、硒以及它们的氧化物为代表的无机半导体材料，以氧化锌、氧化锆等为代表的金属氧化物半导体材料，和以PVC、高分子膜等为代表的有机半导体材料。
其中，硅基材料（包含硅单晶、硅多晶和非晶硅）是目前应用最为广泛的半导体材料，以硅材料为例简要说明一下从材料制备成传感器的一般过程。
首先，对硅基片进行光刻，以将掩膜版上的图形转移到基片上。
光刻过程会依次经过预处理、甩胶、前烘、曝光、显影和后烘等环节，然后会在基片上形成光刻胶的掩膜图样。
金属氧化物半导体传感器的研究与应用
金属氧化物半导体传感器的研究与应用金属氧化物半导体传感器（Metal Oxide Semiconductor Sensor，简称MOS Sensor）是一种广泛应用于气体检测的传感器。
它基于气敏材料的电学性质，可以通过监测材料电阻的变化来识别环境中的气体种类及其浓度。
这种传感器具有快速、灵敏、价格低廉等优点，在工业、环保、医药、食品等领域的气体探测中得到了广泛应用。
1. 金属氧化物半导体传感器的基本原理金属氧化物半导体传感器是一种电阻传感器，它的敏感元件是一种金属氧化物半导体。
当有气体分子与敏感元件表面接触时，会改变敏感元件表面的化学状态，从而影响其电学性质。
传感器通过监测敏感元件电阻变化的大小，来判断环境中是否存在某种气体以及气体浓度的大小。
2. 金属氧化物半导体传感器的研究进展金属氧化物半导体传感器的研究始于20世纪70年代，当时主要使用的敏感材料是SnO2（二氧化锡）。
随着研究的不断深入，人们发现不同的金属氧化物对不同种类的气体具有不同的敏感度和选择性。
因此，研究人员不断探索新的敏感材料，如ZnO（氧化锌）、TiO2（二氧化钛）、WO3（三氧化钨）等，以扩大传感器的应用范围。
同时，传感器的电极结构、工作温度、气体流动方式等方面也得到了改进。
传感器的电极结构分为平行电极、交错电极、栅电极等，其中，栅电极结构的传感器能够提高材料的响应速度和灵敏度。
工作温度对传感器的性能也有较大影响，通常是在300-500℃的温度下工作。
而气体流动方式的改变可以分别影响检测器的灵敏度、响应速度等参数。
3. 金属氧化物半导体传感器的应用金属氧化物半导体传感器的应用非常广泛，主要涉及到工业、环保、医药、食品等领域。
在工业领域，传感器被应用于燃气检测、有毒气体检测、自动控制等方面，可以保障生产环境的安全。
在环保领域，传感器被应用于废气处理、大气污染监测等方面，可以帮助政府和企业监控环境质量，保障居民健康。
在医药领域，传感器被应用于呼吸道疾病的诊断、血氧浓度的监测等方面，可以提高医疗水平，改善人民健康。
半导体材料的光电特性与光传感器应用
半导体材料的光电特性与光传感器应用随着科学技术的不断发展，半导体材料在光电领域的应用日趋广泛。
本文将着重探讨半导体材料的光电特性以及光传感器应用，并展示它们在现代社会中的重要性。
一、半导体材料的光电特性半导体材料是一种能够在特定条件下既表现出导电性又表现出绝缘性的材料。
其光电特性是指在光照射下发生的电学行为。
下面我们将从两个方面来讨论半导体材料的光电特性。
1. 光吸收与光电子激发当光照射到半导体材料上时，光子的能量被转化为电子能量。
这个过程被称为光吸收。
光子的能量必须与半导体的带隙能量相匹配，才能发生吸收。
当光子能量大于带隙能量时，超过带隙能量的部分被用于电子激发，产生与光子能量相等的自由电子。
2. 光电导与光电流光电导是指在光照射下，由于光电子的产生而导致的材料电导率的增加。
光电导可以通过外加电场来提高，从而增加电流的传导能力。
光电流是指在光照射下，由于光电子的产生而流过材料的电流。
二、光传感器的应用光传感器是一种能够将光信号转化为电信号的器件。
由于半导体材料的光电特性，在光传感器的设计与制造中发挥了重要作用。
下面我们将介绍两种光传感器的应用。
1. 光电二极管光电二极管是一种基于PN结构的光传感器。
当光照射到光电二极管上时，光子的能量被转化为电子能量，产生光电效应。
这些光电子在PN结的电场作用下，形成电流。
光电二极管广泛应用于光通信、光电测量、光电检测等领域。
2. 光敏电阻光敏电阻是一种能够通过改变电阻来感应光强的光传感器。
它由导电材料和光敏材料组成。
当光照射到光敏电阻上时，光敏材料的电导性会发生变化，进而引起整个电阻的变化。
光敏电阻常用于光照度检测、光电自动控制等场景。
三、光电特性与光传感器应用的重要性半导体材料的光电特性以及光传感器的应用在现代社会中具有重要的意义。
首先，光电特性的研究使得我们对半导体材料的电子行为有了更深入的了解，为材料的改进和优化提供了指导。
其次，光传感器的应用使得光信号的精确测量和控制成为可能，促进了光学领域的发展。
金属氧化物半导体传感器的制备及应用
金属氧化物半导体传感器的制备及应用金属氧化物半导体传感器（Metal Oxide Semiconductor Sensor，简称MOS）是一种能够检测并响应气体的半导体器件，其主要通过检测周围环境气体的变化来实现气体控制和监测。
MOS传感器已广泛应用于空气污染监测、生物医学检测、室内空气质量检测等领域。
本文将从MOS传感器制备和应用两个方面来探讨其相关知识。
一、MOS传感器的制备1. 原理MOS传感器的制备基于其本质特征——半导体材料的氧化还原反应。
MOS传感器主要由金属氧化物和半导体两个部分组成，氧化物在阳极氧化下形成靶膜，将待检测气体暴露在此膜表面，因其吸附物的不同而改变电场。
这种改变由负载电路测出，通过对比实验数据，便可得知周围气体的相关信息。
2. 制备过程MOS传感器制备的过程相对复杂，具体步骤如下：1) 基板清洗。
由于MOS传感器采用半导体硅为基板，所以在制备前必须将其表面进行清洗，以免杂质产生。
2) 金属沉积。
在清洗好的半导体基片上沉积一层金属，常用的金属有铝、铜、铁等。
3) 退火。
将沉积了金属的基板在高温下进行退火，可以消除金属层与基板之间的应变差。
4) 氧化。
在金属层上氧化成阻挡层，保证后续电流只能从半导体侧注入，而阻止金属侧的电流加入。
5) 接触阳极/ 阳极氧化。
在氧化的铝层上形成铝阳极，通过阳极氧化处理，生成微米级的氧化铝靶膜。
6) 样品制备。
将样品放入靶膜内暴露，并用负载电路测量微小电压信号的变化。
二、MOS传感器的应用MOS传感器在生活中应用广泛，例如在室内环境检测、生物医学实验和空气污染监测等领域经常被使用。
这里简单介绍一下MOS传感器在汽车尾气中的应用。
汽车尾气是环境污染的重要来源之一，其中含有废气、有毒气体等多种有害气体。
MOS传感器可以快速检测并监测汽车尾气中的有害气体，以帮助减少环境污染。
具体步骤如下：1) 采集尾气。
第一步，将汽车发动机排放的尾气样品采集到采样器中。
pn结温度传感器原理及应用
pn结温度传感器原理及应用PN结温度传感器是一种基于半导体材料制成的温度传感器。
其工作原理是基于PN结电压与温度之间的关系，通过测量PN结电压的变化来测量温度。
这种传感器具有体积小、响应快、精度高等优点，因此在许多领域都有广泛的应用。
一、PN结温度传感器的工作原理PN结温度传感器采用PN结作为感温元件，利用PN结的电压与温度之间的关系来测量温度。
在常温下，PN结的电压几乎为零，但随着温度的升高，PN结的电压会逐渐增大。
这是因为随着温度的升高，半导体材料中的载流子（电子和空穴）数量增加，导致PN结内的电场减弱，电压增大。
因此，通过测量PN结电压的变化，可以确定温度的变化。
二、PN结温度传感器的应用1.温度监测PN结温度传感器可以用于各种需要进行温度监测的场合，如工业生产、医疗诊断、环境监测等。
在工业生产中，对温度的准确控制可以保证产品质量和生产效率。
在医疗诊断中，对病人进行体温监测可以为医生提供重要的诊断依据。
在环境监测中，对空气、土壤、水等环境因素进行监测可以帮助我们了解环境状况并采取相应的措施。
2.温度控制PN结温度传感器可以用于实现温度控制，如在电子设备中的温度保护电路、家用电器中的温度控制系统等。
在这些应用中，通过PN结温度传感器实时监测温度，当温度超过预设值时，控制系统会启动冷却装置或加热装置，以保持设备内部的温度稳定。
3.生物医学应用PN结温度传感器在生物医学领域也有广泛的应用，如监测动物体内的温度变化、监测人体组织器官的温度变化等。
在动物体内植入PN结温度传感器可以实时监测动物的体温变化，对于预防和治疗动物疾病具有重要意义。
在人体组织器官中植入PN结温度传感器可以实时监测器官的温度变化，对于诊断和治疗人体疾病具有重要作用。
4.光学应用PN结温度传感器还可以用于光学应用中，如光纤温度传感器、光谱分析等。
在这些应用中，PN结温度传感器可以用来测量光的强度和温度变化，对于光学信号的处理和传输具有重要作用。
半导体传感器分类
半导体传感器分类半导体传感器是一种能够将外界的物理量或化学量转化为电信号的器件。
它具有灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低等优点，在工业自动化、环境监测、医疗仪器等领域具有广泛的应用。
根据其工作原理和测量量的不同，半导体传感器可以分为多种类型。
1. 压力传感器压力传感器是一种能够测量外界压力的传感器。
它通常由半导体材料制成，利用压电效应或应变效应来测量压力。
压力传感器广泛应用于工业控制、航空航天、汽车电子等领域，用于测量气体或液体的压力。
2. 温度传感器温度传感器是一种用于测量温度的传感器。
常见的半导体温度传感器有热敏电阻、热电偶、热敏电阻和硅基温度传感器等。
它们通过测量半导体材料的电阻、电压或电流来间接测量温度。
温度传感器广泛应用于家电、汽车、医疗设备等领域。
3. 湿度传感器湿度传感器是一种用于测量空气湿度的传感器。
它通过测量半导体材料的电阻或电容变化来间接测量湿度。
湿度传感器广泛应用于气象观测、室内环境监测、农业等领域，用于测量空气中的湿度水分含量。
光照传感器是一种用于测量光照强度的传感器。
它通常由半导体材料制成，利用半导体材料的光电效应来测量光照强度。
光照传感器广泛应用于照明控制、自动化设备、安防监控等领域，用于感知环境的光照条件。
5. 气体传感器气体传感器是一种用于测量气体浓度的传感器。
它通过与目标气体发生化学反应或吸附作用，改变其电学性质来测量气体浓度。
气体传感器广泛应用于环境监测、工业安全、室内空气质量监测等领域，用于检测有害气体的浓度。
6. 加速度传感器加速度传感器是一种用于测量物体加速度的传感器。
它通常由微机电系统（MEMS）制成，利用质量的惯性来测量加速度。
加速度传感器广泛应用于汽车安全、智能手机、运动追踪等领域，用于检测物体的加速度和运动状态。
7. 磁场传感器磁场传感器是一种用于测量磁场强度的传感器。
它通常由磁敏材料或霍尔元件制成，利用磁场对材料的影响来测量磁场强度。
磁场传感器广泛应用于导航系统、电子罗盘、磁性材料检测等领域，用于测量磁场的方向和强度。
pn结温度传感器原理及应用
pn结温度传感器原理及应用PN结温度传感器原理及应用一、引言温度传感器是一种能够将温度转化为可感知的信号的器件，广泛应用于工业控制、环境监测、医疗仪器等领域。
其中，PN结温度传感器以其简单的结构和高精度的温度测量能力而备受青睐。
本文将介绍PN结温度传感器的原理、特点以及应用。
二、PN结温度传感器的原理PN结温度传感器是一种基于PN结的半导体温度传感器。
它利用PN 结材料的温度特性，通过测量PN结的电压来间接得知环境的温度。
PN结是由P型材料和N型材料组成的结构。
当PN结与外部电路相连，形成正向偏置时，电流将流过PN结并产生电压。
根据PN结的热电效应，当PN结的温度升高时，PN结的电压也会发生变化。
三、PN结温度传感器的特点1. 精度高：PN结温度传感器具有较高的温度测量精度，通常可以达到0.1°C的精度。
2. 线性度好：PN结温度传感器的输出电压与温度之间呈线性关系，使得温度的测量结果更加准确可靠。
3. 响应速度快：PN结温度传感器的响应速度较快，可以快速反应温度变化，适用于对温度变化敏感的应用场景。
4. 体积小：PN结温度传感器通常采用微型封装，体积小巧，便于集成到其他设备中。
5. 低功耗：PN结温度传感器的工作电流较低，功耗较小，适用于需要长时间工作的场合。
四、PN结温度传感器的应用1. 工业控制：PN结温度传感器广泛应用于工业控制领域，用于监测和控制生产过程中的温度变化，以保证产品的质量和稳定性。
2. 环境监测：PN结温度传感器可以用于室内外温度监测，例如气象站、温室、仓储设备等，为农业、气象等领域提供实时的温度数据。
3. 电子设备：PN结温度传感器可以嵌入电子设备中，用于监测设备的温度，以防止过热引起的故障或损坏。
4. 汽车行业：PN结温度传感器可以用于汽车的温度监测，例如发动机温度、冷却系统温度等，以保证汽车的正常运行和安全性。
5. 医疗仪器：PN结温度传感器可以用于医疗仪器中，例如体温计、热疗设备等，用于监测人体温度或控制治疗温度。
半导体的应用领域(3篇)
第1篇一、电子器件领域1. 集成电路（IC）集成电路是半导体技术中最具代表性的应用之一。
集成电路将大量晶体管、电阻、电容等元件集成在一个芯片上，具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等优点。
集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子、工业控制等领域。
2. 显示器半导体显示器是半导体技术的重要应用之一，主要包括液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）和量子点显示器（QLED）等。
这些显示器具有高分辨率、高亮度、低功耗等特点，广泛应用于电视、手机、电脑、车载显示屏等领域。
3. 光电子器件光电子器件是利用半导体材料的光电特性制成的器件，主要包括发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、光电二极管（PD）等。
这些器件在照明、通信、医疗、安防等领域具有广泛应用。
二、通信领域1. 无线通信半导体技术在无线通信领域得到了广泛应用，如手机、无线网卡、无线充电等。
半导体器件在无线通信中起到了关键作用，如射频放大器、滤波器、功率放大器等。
2. 光通信光通信是利用光波在光纤中传输信息的一种通信方式。
半导体技术在光通信领域发挥着重要作用，如光发射器、光接收器、光开关等。
三、计算机领域1. 中央处理器（CPU）CPU是计算机的核心部件，半导体技术在CPU的发展中起到了关键作用。
随着半导体工艺的进步，CPU的性能不断提升，使得计算机的运算速度越来越快。
2. 内存内存是计算机中用于存储数据和指令的部件。
半导体技术在内存的发展中起到了关键作用，如动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）等。
四、消费电子领域1. 手机手机是半导体技术的重要应用领域之一。
随着半导体工艺的进步，手机的功能越来越强大，如高性能处理器、高清摄像头、大容量电池等。
2. 数字相机数字相机是半导体技术的重要应用领域之一。
半导体技术在数字相机中起到了关键作用，如高性能图像传感器、图像处理芯片等。
五、医疗领域1. 医疗成像设备半导体技术在医疗成像设备中得到了广泛应用，如X射线成像、CT扫描、核磁共振成像（MRI）等。
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1. 负特性湿敏半导瓷的导电机理
由于水分子中的氢原子具有很强的正电场, 当水在半导 瓷表面吸附时, 就有可能从半导瓷表面俘获电子, 使半导瓷表 面带负电。如果该半导瓷是Ｐ型半导体, 则由于水分子吸附 使表面电势下降。若该半导瓷为Ｎ型, 则由于水分子的附着 使表面电势下降。如果表面电势下降较多, 不仅使表面层的电子耗尽, 同时吸引更多的空穴达到表 面层, 有可能使到达表面层的空穴浓度大于电子浓度, 出现所
（2） 薄膜型气敏元件采用真空镀膜或溅射方法, 在石英 或陶瓷基片上制成金属氧化物薄膜（厚度0.1 μm以下）, 构成 薄膜型气敏元件。 氧化锌（ZnO）薄膜型气敏元件以石英玻璃或陶瓷作为 绝缘基片, 通过真空镀膜在基片上蒸镀锌金属, 用铂或钯膜作 引出电极, 最后将基片上的锌氧化。氧化锌敏感材料是N型半 导体, 当添加铂作催化剂时, 对丁烷、丙烷、乙烷等烷烃气体 有较高的灵敏度, 而对H2、CO2等气体灵敏度很低。若用钯作 催化剂时, 对H2 、CO有较高的灵敏度, 而对烷烃类气体灵敏 度低。因此,这种元件有良好的选择性, 工作温度在400~500℃ 的较高温度。
的升高没有负特性材料的阻值下降得那么明显。图9 - 6给出了
Fe3O4正特性半导瓷湿敏电阻阻值与湿度的关系曲线。 3. （1） MgCr2O4-TiO2湿敏元件氧化镁复合氧化物-二氧化钛 湿敏材料通常制成多孔陶瓷型“湿-电”转换器件, 它是负特性 半导瓷, MgCr2O4为Ｐ型半导体, 它的电阻率低, 阻值温度特性 好, 结构如图9 - 7所示, 在MgCr2O4-TiO2陶瓷片的两面涂覆有多 孔金电极。
一、 氯化锂湿敏电阻
氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类潮解, 离子导电率发生 变化而制成的测湿元件。该元件的结构如图9 - 3所示, 由引线、 基片、 感湿层与电极组成。
氯化锂通常与聚乙烯醇组成混合体, 在氯化锂（LiCl） 溶液中, Li和Cl均以正负离子的形式存在, 而Li +对水分子 的吸引力强, 离子水合程度高, 其溶液中的离子导电能力与 浓度成正比。当溶液置于一定温湿场中, 若环境相对湿度高, 溶液将吸收水分， 使浓度降低, 因此, 其溶液电阻率增高。 反之, 环境相对湿度变低时, 则溶液浓度升高, 其电阻率下降, 从而实现对湿度的测量。氯化锂湿敏元件的湿度 —— 电阻特 性曲线如图9 - 4所示。 由图可知, 在50%~80%相对湿度范围内, 电阻与湿度的 变化呈线性关系。 为了扩大湿度测量的线性范围, 可以将多 个氯化锂含量不同的器件组合使用 , 如将测量范围分别为 (10%~20%)RH, (20%~40%)RH, (40%~70%)RH, (70%~90%)RH 和 (80%~99%)RH 五种元件配合使用 , 就可自 动地转换完成整个湿度范围的湿度测量。
二、 气敏传感器的应用 气敏电阻元件种类很多, 按制造工艺上分烧结型、薄膜 型、厚膜型。 （1） 烧结型气敏元件将元件的电极和加热器均埋在金属 氧化物气敏材料中, 经加热成型后低温烧结而成。 目前最常 用的是氧化锡（SnO2）烧结型气敏元件, 它的加热温度较低, 一般在200~300℃, SnO2气敏半导体对许多可燃性气体, 如氢、 一氧化碳、 甲烷、丙烷、乙醇等都有较高的灵敏度。
金电极与引出线烧结在一起, 为了减少测量误差, 在陶瓷 片外设置由镍铬丝制成的加热线圈, 以便对器件加热清洗, 排 除恶劣气氛对器件的污染。 整个器件安装在陶瓷基片上, 电 极引线一般采用铂-铱合金。 MgCr2O4-TiO2 陶瓷湿度传感器的相对湿度与电阻值之间 的关系, 见图9-8所示。传感器的电阻值既随所处环境的相对 湿度的增加而减少 , 又随周围环境温度的变化而有所变化。 （2） ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏元件ZnO-Cr2O3湿敏元件的结构 是将多孔材料的电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上, 并焊上 铂引线, 然后将敏感元件装入有网眼过滤的方形塑料盒中用树 脂固定而做成的， 其结构如图9 - 9所示。 ZnO-Cr2O3传感器能连续稳定地测量湿度, 而无需加热除 污装置, 因此功耗低于0.5 Ｗ, 体积小, 成本低, 是一种常用测湿 传感器。
如图9 - 1（b）所示。 由上述分析可以看出, 气敏元件工作时需要本身的温度 比环境温度高很多。因此, 气敏元件结构上, 有电阻丝加热, 结构如图9 - 2所示, 1和2是加热电极, 3和4是气敏电阻的一对
电极。
气敏元件的基本测量电路, 如图9 - 1（a）所示, 图中EH 为加热电源, EC为测量电源, 电阻中气敏电阻值的变化引起电 路中电流的变化, 输出电压（信号电压）由电阻Ro上取出。 特别在低浓度下灵敏度高, 而高浓度下趋于稳定值。 因此, 常 用来检查可燃性气体泄漏并报警等。
导电为主。 于是, 表面电阻将由于电子浓度下降而加大, 这
类半导瓷材料的表面电阻将随湿度的增加而加大。 如果对 某一种半导瓷, 它的晶粒间的电阻并不比晶粒内电阻大很多, 那么表面层电阻的加大对总电阻并不起多大作用。
不过, 通常湿敏半导瓷材料都是多孔的, 表面电导占的比例
很大, 故表面层电阻的升高, 必将引起总电阻值的明显升高; 但 是, 由于晶体内部低阻支路仍然存在, 正特性半导瓷的总电阻值
金属氧化物在常温下是绝缘的 , 制成半导体后却显示气 敏特性。通常器件工作在空气中, 空气中的氧和NO2 这样的
电子兼容性大的气体 , 接受来自半导体材料的电子而吸附负
电荷, 结果使N型半导体材料的表面空间电荷层区域的传导电 子减少, 使表面电导减小, 从而使器件处于高阻状态。一旦元 件与被测还原性气体接触, 就会与吸附的氧起反应, 将被氧束 缚的电子释放出来, 敏感膜表面电导增加, 使元件电阻减小。 该类气敏元件通常工作在高温状态（200~450℃）, 目的 是为了加速上述的氧化还原反应。
例如, 用氧化锡制成的气敏元件, 在常温下吸附某种气 体后, 其电导率变化不大, 若保持这种气体浓度不变, 该器件
的电导率随器件本身温度的升高而增加 , 尤其在100~300℃
范围内电导率变化很大。显然, 半导体电导率的增加是由于 多数载流子浓度增加的结果。
氧化锡、 氧化锌材料气敏元件输出电压与温度的关系
一、 气敏电阻的材料是金属氧化物, 在合成材料时, 通过化学 计量比的偏离和杂质缺陷制成, 金属氧化物半导体分N型半导 体, 如氧化锡、氧化铁、氧化锌、氧化钨等,P型半导体, 如氧 化钴、 氧化铅、氧化铜、氧化镍等。为了提高某种气敏元件 对某些气体成分的选择性和灵敏度 , 合成材料有时还渗入了 催化剂, 如钯（Pd）、铂（Pt）、银（Ag）等。
9.3色 敏 传 感 器
半导体色敏传感器是半导体光敏感器件中的一种。 它是 基于内光电效应将光信号转换为电信号的光辐射探测器件。 但不管是光电导器件还是光生伏特效应器件，它们检测的都 是在一定波长范围内光的强度, 或者说光子的数目。而半导体 色敏器件则可用来直接测量从可见光到近红外波段内单色辐 射的波长。这是近年来出现的一种新型光敏器件。 一、 半导体色敏传感器的基本原理 半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管的 组合, 故又称光电双结二极管。 其结构原理及等效电路如图9 - 10所示。 为了说明色敏传感器的工作原理, 有必要了解光电 二极管的工作机理。
子和N区的空穴）就受势垒区强电场的吸引而被拉向对面区
域, 这部分少数载流子对电流作出贡献。 多数载流子（P区中 的空穴或 N 区中的电子）则受势垒区电场的排斥而留在势垒
区的边缘。
在势垒区内产生的光生电子和光生空穴 , 则分别被电场 扫向N区和P区, 它们对电流也有贡献。 用能带图来表示上述 过程如图9 - 11（a）所示。 图中Ec表示导带底能量; Ev表示 价带顶能量。 “ ”表示带正电荷的空穴; “· ”表示电子。 IL表示光电流, 它由势垒区两边能运动到势垒边缘的少数载 流子和势垒区中产生的电子-空穴对构成, 其方向是由N区流 向P区, 即与无光照射P-N结的反向饱和电流方向相同。 当P-N结外电路短路时, 这个光电流将全部流过短接回路,
谓表面反型层, 这些空穴称为反型载流子。它们同样可以在 表面迁移而对电导做出贡献, 由此可见, 不论是Ｎ型还是Ｐ型 半导瓷, 其电阻率都随湿度的增加而下降。图9 - 5表示了几 种负特性半导瓷阻值与湿度之关系。
2.
正特性湿敏半导瓷的导电机理认为这类材料的结构、 电子能量状态与负特性材料有所不同。当水分子附着半导瓷 的表面使电势变负时, 导致其表面层电子浓度下降, 但还不足 以使表面层的空穴浓度增加到出现反型程度, 此时仍以电子
第9章 半导体传感器
9.1 气敏传感器 9.2 湿敏传感器 9.3 色敏传感器 9.4 半导体式传感器的应用
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第9 章 半导体传感器
9.1 气 敏 传 感 器
用半导体气敏元件组成的气敏传感器主要用于工业上天 然气、煤气、石油化工等部门的易燃、易爆、有毒、有害气 体的监测、预报和自动控制 , 气敏元件是以化学物质的成分 为检测参数的化学敏感元件。
ห้องสมุดไป่ตู้
即从 P 区和势垒区流入 N 区的光生电子将通过外短接回路全
部流到P区电极处, 与P区流出的光生空穴复合。因此, 短接时 外回路中的电流是ＩL, 方向由P端经外接回路流向N端 。
这时, P-N结中的载流子浓度保持平衡值, 势垒高度（图9 11（a）中的q(UD-U)）亦无变化。
当P-N结开路或接有负载时, 势垒区电场收集的光生载流子 便要在势垒区两边积累, 从而使P区电位升高, N区电位降低, 造 成一个光生电动势, 如图9 - 11（b）所示。该电动势使原P-N结 的势垒高度下降为q（UＤ-U）。其中V即光生电动势,它相当于 在P-N结上加了正向偏压。只不过这是光照形成的, 而不是电源 馈送的, 这称为光生电压, 这种现象就是光生伏特效应。
1. 光电二极管的工作原理 对于用半导体硅制造的光电二极管, 在受光照射时, 若入
射光子的能量hυ大于硅的禁带宽度 Eg, 则光子就激发价带中