模拟电路考试题及答案

自测题一

一、判断题

1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。( F )

2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T )

3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题

1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。

A.外电场

B.内电场

C.掺杂

D.热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A.右移 B.左移 C.上移 D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 5.三极管β值就是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源)

A.电压控制电压

B.电流控制电流

C.电压控制电流

D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数就是( B )。 A.电流放大系数 B.最大整流电流

C.集电极最大允许电流

D.集电极最大允许耗散功率

8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为

V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次就是( B ) 。

A.e, b, c

B.b, e, c

C.b, c, e

D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流就是由( B )运动形成的。 A.多数载流子 B.少数载流子

C.扩散

D.少数载流子与多数载流子共同

10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别就是6V 、12V 与6、7V ,则此三极管就是( D )。(发正偏集反偏)

A.PNP 型硅管

B.PNP 型锗管

C.NPN 型锗管

D.NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。

A.非饱与区

B.饱与区

C.截止区

D.击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零 三、填空题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。

2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。

3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。

4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。

5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。

6.三极管最重要的特性就是 电流放大作用 。

7.温度升高时,晶体管的反向饱与电流将 增大 。

8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。

10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11.开启电压0)(>th U GS 的就是 N 沟道增强型 场效应管。 12.开启电压0)(

自测题二

一、判断题

1.晶体管的输入电阻be r 就是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。( F )

2.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。( T )

3.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。( F )

4.在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。( F )

5.直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大交流信号。( F )

二、单选题

1.在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将( C )。

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

2.在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将( C )。

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

3.在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路就是( C )。

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

4.在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路就是( B )。

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

5.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时(无电流),则该管工作状态为( B )。

A.饱与

B.截止

C.放大

D.不能确定

6.晶体管能够放大的外部条件就是( B )。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结正偏,集电结反偏

C.发射结反偏,集电结正偏

D.发射结反偏,集电结反偏

7.组合放大电路的输出级采用射极输出(共集)方式就是为了使( D )。

A.电压放大倍数高

B.输出电流小

C.输出电阻增大

D.带负载能力强

8.放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因就是( A )。

A.耦合电容与旁路电容的影响

B.晶体管极间电容与分布电容的影响

C.晶体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点设置不合适

9.当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后,级联放大器的带宽( A )。

A.小于BW

B.等于BW

C.大于BW

D.不能确定

10.射极输出器的特点就是( A )。

A.输入电阻高、输出电阻低

B.输入电阻高、输出电阻高

C.输入电阻低、输出电阻低

D.输入电阻低、输出电阻高

11.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( A )。

A.共射组态

B.共基组态

C.共集组态

D.共漏组态

12.在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真就是( B )。

A.截止失真

B.饱与失真

C.交越失真

D.频率失真

13.当信号频率等于放大电路的

L

f与

H

f时,放大倍数的数值将下降到中频时的( B )。(P55 )

A.0、5倍

B.0、7倍

C.0、9倍

D.1、2倍

14.在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法就是( B )。

A.共发射极电路的

u

A最大、

i

r最小、

o

r最小

B.共集电极电路的

u

A最小、

i

r最大、

o

r最小

C.共基极电路的

u

A最小、

i

r最小、

o

r最大

D.共发射极电路的

u

A最小、

i

r最大、

o

r最大

15.已知某基本共射放大电路的mA

I

CQ

1

=,V

U

CEQ

6

=,管子的饱与压降V

U

CES

1

=,Ω

=

=k

R

R

L

C

4,则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为( B )。

A.1V

B.2V

C.5V

D.6V

三、填空题

1.要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的静态工作点。

2.在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生饱与失真。

3.若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生截止失真。

4.基本共射放大电路,当温度升高时,Q点将向上移。

5.若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于饱与状态。

L

则其电压放大倍数越大。

9.某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为1KΩ。