三极管的结构及工作原理.
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
三极管的特征
三极管的特征三极管是一种常用的电子元件，具有许多独特的特征和功能。
本文将详细介绍三极管的特征，包括三极管的结构、工作原理和应用领域。
一、结构特征三极管由三个不同类型的半导体材料（N型、P型或P型、N型）组成，通常被称为发射极、基极和集电极。
这三个区域分别构成了三极管的结构，决定了其特性。
二、工作原理三极管的工作原理基于PN结的导电性。
当三极管的基极-发射极结正向偏置时，发射极和基极之间形成一个正向偏压，从而形成了一个导通通道。
这时，集电极和基极之间的结反向偏置，集电极基本上不导电。
当基极电流增加时，发射极电流也会相应增加。
三、特性1. 放大功能：三极管是一种双极型放大器件，可以将微弱的信号放大为较大的信号。
通过控制输入信号的大小，可以实现放大倍数的调节。
2. 开关功能：三极管可以作为电子开关使用。
当三极管处于截止状态时，集电极和基极之间的电流非常小；当三极管处于饱和状态时，集电极和基极之间的电流较大。
通过控制输入信号的大小，可以控制三极管的导通与截止，实现开关的功能。
3. 高频特性：三极管具有良好的高频特性，可以在射频和微波领域中使用。
由于其短开关时间和高频特性，三极管在无线电通信、雷达和卫星通信等领域中得到广泛应用。
4. 可控性：通过调节基极电流，可以精确地控制三极管的放大倍数和工作状态。
这使得三极管成为电路设计中的重要元件，可用于各种应用中。
四、应用领域1. 放大器：三极管可以用作放大器，将微弱的信号放大为较大的信号。
在音频放大器、射频放大器和功率放大器等领域中广泛应用。
2. 开关：三极管的开关功能使其在数字电子电路中得到广泛应用。
例如，在计算机内存、逻辑门和计数器等电路中使用。
3. 振荡器：三极管可以作为振荡器的关键元件，产生稳定的振荡信号。
在无线电、通信和计算机等领域中，振荡器被广泛应用。
4. 放电管：三极管可以用作电子放电管，用于控制和保护电路中的电压和电流。
五、总结三极管是一种重要的电子元件，具有放大、开关、高频特性和可控性等特点。
npn三极管工作原理
npn三极管工作原理一、引言npn三极管是一种广泛使用的电子元件，它具有放大、开关等多种功能。
本文将详细介绍npn三极管的工作原理。
二、npn三极管结构npn三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成：P型半导体（基区）、N型半导体（发射区）和P型半导体（集电区）。
这种结构使得npn三极管具有两个PN结：发射结和集电结，以及一个PNP结：基结。
三、npn三极管的工作原理当正向偏置发射结时，N型半导体中的自由电子会向前扩散，而P型半导体中的空穴会向后扩散。
这些自由电子和空穴会在基区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过集电区到达外部电路，从而形成集电电流IC。
当正向偏置基结时，基区中的空穴会向前扩散，而N型半导体中的自由电子会向后扩散。
这些空穴和自由电子会在发射区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过发射区到达外部电路，从而形成发射电流IE。
当集电极与发射极之间的电压为零或负时，npn三极管处于截止状态。
此时，发射区中的自由电子和空穴不会重新组合，也就不会形成少数载流子。
因此，集电区没有电流流过去。
当集电极与发射极之间的电压为正时，npn三极管处于放大状态。
此时，由于正向偏置基结和发射结，少数载流子会产生，并通过集电区到达外部电路。
这些少数载流子可以被放大并控制。
四、npn三极管的特性1. 放大特性：npn三极管可以将小信号放大成较大信号。
2. 开关特性：npn三极管可以用作开关，在截止状态和饱和状态之间切换。
3. 稳定性：npn三极管具有较好的温度稳定性和工作点稳定性。
五、应用领域npn三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
同时，在数字逻辑门、计算机存储器等领域也有广泛应用。
六、总结本文详细介绍了npn三极管的结构、工作原理、特性和应用领域。
npn三极管是一种重要的电子元件，对于电子工程师来说，掌握其工作原理和应用十分必要。
简述三极管放大的基本原理
简述三极管放大的基本原理
三极管放大是一种常用的电子放大器配置，基于半导体材料制成的三极管被用作放大电路中的核心元件。
其基本原理如下：
1. 三极管的结构：三极管由三个区域构成：发射极、基极和集电极。
发射极主要用于发射电子，基极用于控制电子流，集电极则用于收集电子。
2. 工作方式：通过在发射极-基极电路中施加一个小输入信号，可以改变基极电流。
当基极电流发生变化时，三极管中的电流放大作用会使输出电流比输入电流大得多。
3. 放大原理：当输入信号施加在基极-发射极电路上时，三极管的工作状态将发生变化。
如果输入信号增加，基极电流也会增加，从而导致集电极电流增加。
这会导致集电极电压下降，产生较大幅度的输出信号。
因此，三极管可以将微弱的输入信号放大为较大的输出信号。
4. 放大倍数：三极管放大倍数由其特定的电流放大系数（β值）决定。
β值越大，放大倍数越高。
总结起来，三极管的放大原理基于控制基极电流的方式来实现信号放大。
通过合适的电路设计和合适的工作点设置，可以实现较高的放大倍数和稳定的放大效果。
这使得三极管放大器在各种电子设备中得到广泛应用，例如音频放大器和射频放大器。
三极管的结构及工作原理
三极管的结构及工作原理三极管（transistor）是一种半导体器件，是现代电子技术中最重要的基本元器件之一、它是通过控制输入信号来操控输出信号的电子元件。
三极管的结构是由两个PN结组成的。
三极管通常由三个层次组成，分别是发射极、基极和集电极。
其中发射极和集电极是N型半导体材料，基极是P型半导体材料。
这种结构被称为NPN型三极管。
与之相反，如果集电极和发射极是P型半导体材料，而基极是N型半导体材料，则为PNP型三极管。
三极管的工作原理基于PN结的特性。
当PN结处于正向偏置时，P区多数载流子（空穴）向N区扩散，N区多数载流子（电子）向P区扩散，通过复合过程，形成电流。
而当PN结处于反向偏置时，少数载流子扩散的数量相对较小，形成的电流相对较小。
利用这种特性，三极管可以控制输入信号和输出信号之间的电流关系。
三极管的工作可以分为放大作用和开关作用两种。
在放大作用中，输入信号通过串联在发射极和基极之间的电阻器Rbase，这个输入信号可以将P区的耗尽层翻转，从而减小了基极电流IB，这种作用称为电流放大作用。
当IB减小时，由于基极电流与集电极电流的关系，集电极电流IC也随之减小。
因此，可以通过控制输入信号来放大输出信号。
在开关作用中，当输入信号为高电平时，通过Rbase传入基极的电流IB增大，使得三极管被打开，集电极电流IC流向负载电阻，控制开关的导通。
相反，当输入信号为低电平时，基极电流IB减小，三极管关闭，集电极电流IC消失，控制开关的断开。
除了发射极、基极和集电极之外，三极管还有个重要的参数是放大因子（β）。
放大因子是指输出电流IC与输入电流IB之间的倍数关系。
换句话说，它衡量了三极管的放大能力。
β的值取决于三极管的特定材料和制造过程，一般在20-100之间。
在实际应用中，三极管广泛应用于电子电路中，如放大电路、振荡电路、开关电路等。
在集成电路中，三极管作为基本单元，组合成各种逻辑门电路，并且大规模集成电路（LSI）的发展使得数百万甚至数十亿的三极管可以同时制造在一片半导体硅片上，成为现代电子技术的基石之一总结起来，三极管是一种半导体器件，其结构由发射极、基极和集电极组成，通过控制输入信号来操控输出信号。
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它是由三个掺杂不同的半导体材料构成的，具有放大、开关等功能。
本文将详细介绍三极管的工作原理。
一、三极管的结构1.1 发射极：发射极是三极管的输入端，负责输入控制信号。
1.2 基极：基极是三极管的控制端，控制电流的流动。
1.3 集电极：集电极是三极管的输出端，负责输出放大后的信号。
二、三极管的工作原理2.1 漏极电压：当基极与发射极之间的电压大于一定阈值时，三极管处于导通状态。
2.2 饱和区和截止区：三极管在饱和区时，电流最大；在截止区时，电流几乎为零。
2.3 放大作用：三极管能够将输入信号放大，并输出到集电极，实现信号放大的功能。
三、三极管的类型3.1 NPN三极管：发射极和集电极之间是N型材料，基极是P型材料。
3.2 PNP三极管：发射极和集电极之间是P型材料，基极是N型材料。
3.3 不同类型的三极管在电路中的应用略有不同，需要根据具体情况选择合适的类型。
四、三极管的应用4.1 放大器：三极管可以作为放大器，将输入信号放大后输出。
4.2 开关：三极管还可以作为开关，控制电路的通断。
4.3 振荡器：三极管还可以组成振荡器，产生高频信号。
五、三极管的特点5.1 小体积：三极管具有小体积、轻量化的特点，适合在各种电子设备中应用。
5.2 高可靠性：三极管具有高可靠性，使用寿命长。
5.3 稳定性好：三极管在一定工作条件下，稳定性较好，能够满足电路的要求。
总结：通过本文的介绍，我们可以了解到三极管的结构、工作原理、类型、应用和特点。
三极管作为一种重要的半导体器件，在电子领域有着广泛的应用，对于我们理解电子电路原理和设计具有重要意义。
三极管开关控制电路原理
三极管开关控制电路原理三极管是一种常用的电子器件，具有放大和开关功能。
在电路设计中，三极管可以作为开关来控制电流的通断，实现各种电子设备的控制和调节。
本文将详细介绍三极管开关控制电路的原理和应用。
一、三极管的基本结构与工作原理三极管由三个区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
其中，发射极与基极之间是一个PN结，基极与集电极之间也是一个PN结。
三极管的工作原理是通过控制基极电流的大小，来控制集电极电流的通断。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，集电极电流为零。
当基极电流增大到一定程度时，三极管进入饱和状态，集电极电流达到最大值。
通过改变基极电流的大小，可以控制三极管的工作状态，从而实现电流的通断控制。
二、三极管开关电路的原理三极管开关电路是利用三极管的开关特性来控制电流的通断。
其基本原理是通过输入信号来控制三极管的工作状态，从而控制输出电路的通断。
三极管开关电路通常由三个部分组成：输入电阻、输入信号源和输出负载。
其中，输入电阻用于限制输入电流，输入信号源提供控制信号，输出负载则是被控制的电路。
当输入信号为高电平时，输入电流流经基极，使得三极管进入饱和状态，此时输出负载上有电流通过。
当输入信号为低电平时，输入电流无法流经基极，使得三极管处于截止状态，输出负载上无电流通过。
通过改变输入信号的高低电平，可以控制输出负载电流的通断。
三、三极管开关电路的应用三极管开关电路在电子设备和电路中有广泛的应用。
以下是一些常见的应用案例：1. 电子开关：三极管开关电路可以用作电子开关，控制各种电器设备的通断。
例如，在自动照明系统中，可以通过光敏电阻感应周围光照强度，当光照不足时，通过三极管开关控制灯泡的通断。
2. 数字逻辑电路：三极管开关电路可以用于构建数字逻辑电路，实现逻辑门的功能。
例如，使用三极管开关电路可以构建与门、或门、非门等逻辑门电路，用于数字信号的处理和逻辑运算。
三极管的工作原理与应用
三极管的工作原理与应用一、工作原理：三极管是一种半导体器件，由三个掺杂不同材料的半导体层组成。
它的工作原理基于PN结的特性和电场控制。
三极管的结构包括一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
发射极和基极之间形成一个PN结，而基极和集电极之间形成另一个PN结。
当三极管处于正向偏置时，发射极和基极之间的PN结处于正向偏置，而基极和集电极之间的PN结处于反向偏置。
在正向偏置下，发射极注入大量的载流子（电子或者空穴）进入基极区域。
这些载流子会被基区的电场吸引，并通过基极进入集电极区域。
而在反向偏置下，基极和集电极之间的PN结形成一个反向击穿区域，阻挠电流通过。
根据电场控制的原理，当在基极区域注入的载流子数量增加时，会导致集电极区域的电流增加。
因此，三极管可以通过控制基极电流来控制集电极电流的大小。
二、应用：1. 放大器：三极管可以作为放大器使用。
在放大器电路中，三极管的基极电流被调整，从而控制集电极电流的大小。
通过适当的电路设计，可以将输入信号的弱小变化放大为输出信号的较大变化。
2. 开关：三极管也可以作为开关使用。
当三极管的基极电流为零时，三极管处于截止状态，集电极电流为零。
当基极电流增加时，三极管进入饱和状态，集电极电流达到最大值。
因此，可以利用三极管的开关特性控制电路的通断。
3. 振荡器：三极管还可以用于构建振荡器电路。
通过适当的电路连接和反馈，可以使三极管在特定频率下产生连续的振荡信号。
4. 温度传感器：三极管的工作状态和温度密切相关。
通过测量三极管的电流和电压，可以推算出环境的温度变化。
5. 电压调节器：三极管还可以用于构建电压调节器电路。
通过控制三极管的工作状态，可以稳定输出电压，保护后续电路免受过高或者过低的电压影响。
总结：三极管是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。
它的工作原理基于PN结和电场控制的特性，可以作为放大器、开关、振荡器、温度传感器和电压调节器等多种电路中的关键组件。
三极管的结构内容
三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于各个领域。
它由三个不同类型的半导体材料构成，具有复杂的结构和精密的工艺。
本文将介绍三极管的结构内容，并从外观、材料和工作原理等方面进行详细解析。
一、外观结构三极管是一种小型的电子元件，通常呈现出长方形或圆柱形的外形。
其外部通常包括引脚、封装和标识等组成部分。
1. 引脚：三极管通常具有三个引脚，分别称为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
这三个引脚通过金属触点与内部半导体材料相连。
2. 封装：为了保护内部结构并便于安装和连接，三极管通常采用封装材料进行包裹。
常见的封装材料有塑料、金属等，不同封装类型也有不同的命名规则，如TO-92、SOT-23等。
3. 标识：为了方便识别不同型号的三极管，通常在外部封装上刻有相关的标识信息，如型号、制造商标志等。
二、材料构成三极管的内部结构由不同类型的半导体材料构成，主要包括P 型半导体和N型半导体。
这两种材料通过特定的工艺进行堆叠和连接，形成了三极管的特殊结构。
1. P型半导体：P型半导体是一种具有正电荷载流子（空穴）的材料。
它通常由硼（B）或铝（Al）等元素掺杂到硅（Si）或锗（Ge）等材料中形成。
P型半导体的特点是电子浓度较低，空穴浓度较高。
2. N型半导体：N型半导体是一种具有负电荷载流子（自由电子）的材料。
它通常由磷（P）、砷（As）或锑（Sb）等元素掺杂到硅或锗等材料中形成。
N型半导体的特点是电子浓度较高，空穴浓度较低。
三、工作原理三极管的工作原理基于PN结和二极管的特性。
它可以分为放大作用和开关作用两种模式。
1. 放大作用：当三极管处于放大作用模式时，基极与发射极之间的电压（VBE）大于正向阈值电压（通常为0.6-0.7V），将引起基区的P型半导体和N型半导体之间的势垒被透过。
此时，集电极与发射极之间的电压（VCE）处于正向偏置状态，使得电流从集电极流向发射极。
而基极电流（IB）的微小变化可以引起集电极电流（IC）的较大变化，实现对输入信号的放大。
三极管的结构及工作原理
UCC
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电子技术基础
主编 吴利斌
例1: 用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地 电位分别为V1 = +10V，V2= 0V，V3= +0.7V，如图（a）所 示, T2管各电极电位V1 = +0V，V2= -0.3V，V3= -5V，如图 （b）所示，试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子，x、 y、z各是何电极？
(a)
(b)
(c)
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+10V
6 0. 7 5 . 3 IB 1K 1.06mA 1K 5 5 I C I B 30 1.06 31.8mA IC +2V 5K +6V 5K IB IC 10 -2V VCES 5K 临界饱和电流： I CS 10 0.3 9.7 mA IB IB 1 因为I C I CS , 所以饱和
B
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1. 发射区向基区扩散电子的过程
由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散 到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。
2. 电子在基区的扩散和复合只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩 下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。
IB
UCE =0V UBE
RC + 令UCC
为0
+
RB UBB
IE=IB
UCC
0 UBE /V
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令UBB重 新从0开 始增加
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由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过
来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩
下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。
3. 集电区收集电子的过程
集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘
0时
令UBB从0
开始增加
RC
IB
UCE =0V
+
令UCC 为0
IB /A
RB UBE
+
UBB
IE=IB
UCC
0
UCE=0时的输 入特性曲线
UBE /V
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令UBB重 新从0开 始增加
IB
RB UBE
+
UBB
让让UUCCEE==10V.5V
IB /A
IC
RC
UUCCEE==01.5VV +
＋－
IB
＋ IC
发射区向基区发 射的电子数等于
基区复合掉的电 RC 子与集电区收集
的电子数之和，
UCC 即： IE=IB+IC
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1. 发射区向基区扩散电子的过程
由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散
2.1.1 双极型三极管的基本结构类型和符号
双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但 它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极：
发射区 基区 集电区
PN P
发射极e N P N
集电极c
PNP型
发射结
基极b
NPN型
集电结
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RC
IC
+
/mA
IB
UCC
然后调节UCC使UCE从0增
大，观察毫安表中IC的变
化并记录下来。
0
UCE / V
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UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型 两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同 时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与 导电，即为单极型。
大功率低频三极管 中功率低频三极管 c
b
NPN型三极管图符号
b
小功率高频三极管 c
PNP型三极管图符号
注意：e 图中箭头方向为发射极电流的e方向。
(3)集电区体积较大，且为了ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ利 收集边缘载流子，掺杂浓度界于 发射极和基极之间。
可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是 利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管 来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。
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晶体管实现电流放大作用的外部条件
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2.1.2 双极型三极管的电流分配关系及放大作用
bec
基发集 极射电
极极
晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件
(1)发射区掺杂浓度很高，以便有
足够的载流子供“发射”。
发射区N
(2)为减少载流子在基区的复合机
基区P
集电区N
晶体管芯结构剖面图
会，基区做得很薄，一般为几个 微米，且掺杂浓度极低。
(1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩
散
电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形
(2成)集基电极结电必流须ib，“多反数向继偏续置向”集，电以结利边于缘收扩集散扩。散到集电结边缘
的
多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极整电个流过ic程。中，
IE
－
RB
UBB
NP N
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2.1.3 双极型三极管的特性曲线
所谓伏安特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线， 是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看 ，外部特性更为重要。
(1) 输入特性曲线
以常用的共射极放大电路为例说明
（ UCE为常数时，IB和UBE之间的关系UC）E为
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第二章：三极管及其基本放大电路
半导体三极管是最重要的半导体器件，是电 子电路中的核心器件，被广泛应用到了各种电子 线路中，是电子线路的灵魂。
本章主要介绍双极性三极管的特点、基本放大电路、 多级放大电路。
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2.1 双极型半导体三极管
三极管是组成各种电子电路的核心器件。通过一定的制造工艺，将两 个PN结结合在一起，是三极管具有放大作用。三极管的产生使PN结的 应用发生了质的飞跃。
的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。
结论 只要符合三极管发射区高掺杂、基区掺杂浓度很低，集
电区的掺杂浓度介于发射区和基区之间，且基区做得很 薄的内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反 偏的外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。
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三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的 比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小 的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40 μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即：
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(2) 输出特性曲线 当IB不变时，输出回路中的电流IC与管子输出端电压UCE
之间的关系曲线称为输出特性。
先把IB调到 某一固定值 保持不变。
IC mA
A IB
UCE
RB UBE
+
UBB
IE
伏根安据特记性录曲可线给，出此曲IC随线U就CE是变晶化体的 管的输出特性曲线。
IC (4 3.2) 103 80
I B (50 40) 106 显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为 三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三 极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十 至几百的范围。 由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流 IC，故双极型三极管属于电流控制器件。