中科院半导体所委托加工西文书清单
中科院半导体所科技成果——III-V化合物半导体单晶生长和晶片加工技术
中科院半导体所科技成果——III-V化合物半导体磷化铟(InP)、锑化镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术项目成熟阶段成熟期成果简介InP单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如HEMT、HBT）和大功率激光器等的多量子阱材料，主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池等。
InAs单晶片主要作为衬底材料，制造波长2-14µm的红外发光管、激光器等，GaSb单晶片衬底用于制造2-5µm波长的室温连续波激光器。
这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信、红外成像探测技术等领域有良好的应用前景。
GaSb单晶还是制造热光伏器件的理想材料，已应用在工业余热发电、便携发电设备等。
InAs单晶还用于制造霍耳器件、产生太赫兹波等。
2英寸和3英寸直径（100）InP单晶2英寸和3英寸直径（100）GaSb单晶2英寸和3英寸直径（100）InAs单晶照片技术特点InP、GaAs、GaSb和InAs单晶的生长方法为液封直拉法（LEC）。
生长出的单晶需要经过定向切割成为厚度为0.5-0.8毫米左右的标准圆片（直径2英寸、3英寸等），然后进行抛光、腐蚀和清洗后，在超净条件下包装密封，即可作为商品提供给用户使用。
主要生产工艺流程晶体生长→晶锭滚圆→定向切割→晶片研磨→抛光→清洗腐蚀→超净封装→用户。
市场分析目前市场价格为：2英寸片1000-1500元/片，3英寸片2000-3000元/片。
合作方式技术服务产业化所需条件主要生产加工设备：高压单晶炉：主要用于InP和InAs的多晶合成和单晶生长；常压单晶炉（相当于40型或更大的Si单晶炉）：用于GaSb单晶、InAs单晶和InSb单晶的生长；内圆切割机和多线切割机：用于单晶的定向和晶片切割；研磨机：晶片研磨；抛光机：晶片的单面和双面抛光；其它配套条件：超净厂房、晶片的清洗腐蚀设备、表面检测分析和常规电学测试设备等。
中国科学院半导体研究所科研仪器设备档案管理办法
中国科学院半导体研究所科研仪器设备档案管理办法第一章总则为规范我所科研仪器设备档案的管理，根据《中国科学院科研仪器建档规范》，结合我所实际，特制定本管理办法。
第一条科研仪器设备是指科研和科技开发活动中直接用于实验、分析、测试、加工和计算的仪器和设备。
第二条科研仪器设备档案是指科研仪器设备从购置、研制、运行与管理到报废所形成的管理文件和技术资料等所有文件材料的集合。
第三条所设备管理部门负责组织科研仪器设备自调研立项至验收的所有文件和技术资料的收集、整理、初步立卷并将案卷及时向所档案部门移交归档。
第四条所综合档案室负责监督、指导、配合相关部门做好科研设备建档工作，参加科研仪器设备开箱验收等活动，做好设备档案的接收、保管和利用工作。
第五条所科研仪器设备使用部门负责收集仪器设备建档所需的自采购至验收的所有材料，进行初步整理并及时移交给设备管理部门，负责按期将仪器设备运行维护年度报告等文件材料向综合档案室移交归档。
第二章建档原则和归档范围第六条建档原则和标准：直接用于从事科研活动的仪器设备，其中标准设备单台（套）价值在人民币50万元（含50万元）以上的，自行研制的和委托加工研制的非标准设备价值在人民币10万元（含10万元）以上的必须建档。
第七条科研仪器设备材料归档范围见附件。
第三章整理、分类、组卷第八条设备管理部门是科研仪器设备文件材料的收集积累、汇总部门，应设有专（兼）职人员集中管理本单位的设备文件材料。
第九条从设备购置到设备验收（进口设备到索赔期满）过程的管理性文件，设备管理部门收集、积累，经整理、立卷后向综合档案室移交。
第十条设备管理部门负责设备随机文件材料以及设备开箱、调试验收、使用记录等文件材料的收集、整理登记。
第十一条设备使用单位要认真做好设备到货前后、运行的文件材料形成、积累和归档工作，做好设备技术文件整理归档，为今后设备的使用、维修、改造做到动态跟踪管理。
及时提交相关记录补充建档，确保设备文件的完整、系统、准确。
半导体材料生产加工项目申请报告
半导体材料生产加工项目申请报告参考模板半导体材料生产加工项目申请报告半导体材料主要应用于集成电路，我国集成电路应用领域主要为计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等，前三者合计占比达83%。
近年来，随着我国大陆地区集成电路产业持续快速发展，我国大陆地区的半导体材料市场上升最快，2016年及2017年分别增长7.3%和12%。
该半导体材料项目计划总投资20612.88万元，其中：固定资产投资14095.85万元，占项目总投资的68.38%；流动资金6517.03万元，占项目总投资的31.62%。
达产年营业收入47380.00万元，总成本费用37490.32万元，税金及附加353.95万元，利润总额9889.68万元，利税总额11607.72万元，税后净利润7417.26万元，达产年纳税总额4190.46万元；达产年投资利润率47.98%，投资利税率56.31%，投资回报率35.98%，全部投资回收期4.28年，提供就业职位922个。
认真贯彻执行“三高、三少”的原则。
“三高”即：高起点、高水平、高投资回报率；“三少”即：少占地、少能耗、少排放。
......材料和设备是半导体产业的基石，是推动集成电路技术创新的引擎。
一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。
半导体材料生产加工项目申请报告目录第一章申报单位及项目概况一、项目申报单位概况二、项目概况第二章发展规划、产业政策和行业准入分析一、发展规划分析二、产业政策分析三、行业准入分析第三章资源开发及综合利用分析一、资源开发方案。
二、资源利用方案三、资源节约措施第四章节能方案分析一、用能标准和节能规范。
二、能耗状况和能耗指标分析三、节能措施和节能效果分析第五章建设用地、征地拆迁及移民安置分析一、项目选址及用地方案二、土地利用合理性分析三、征地拆迁和移民安置规划方案第六章环境和生态影响分析一、环境和生态现状二、生态环境影响分析三、生态环境保护措施四、地质灾害影响分析五、特殊环境影响第七章经济影响分析一、经济费用效益或费用效果分析二、行业影响分析三、区域经济影响分析四、宏观经济影响分析第八章社会影响分析一、社会影响效果分析二、社会适应性分析三、社会风险及对策分析附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第一章申报单位及项目概况一、项目申报单位概况（一）项目单位名称xxx有限责任公司（二）法定代表人史xx（三）项目单位简介展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。
中国科学院半导体研究所文件
中国科学院半导体研究所文件半发科技字〔2009〕4号2008年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告所属各有关单位：科技开发处对2008年我所科技人员（所属单位为半导体所）在国际学术期刊上发表的论文，科技著作、专利申请和授权情况进行了统计及核实。
并根据〘关于印发<半导体所专利申请、授权及转化的奖励办法>的通知〙（半发科技字〔2007〕7号）、〘半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法〙（半发科技字〔2004〕9号）及〘关于半导体所成果、论文、专利及著作的补充文件〙（半发科技字〔2005〕12号）对以下成果进行奖励。
2008年半导体所科研人员在各自的研究领域做出了可喜的成绩。
2008年半导体所获得省部级奖1项；科技著作、编著及译著共3部；半导体所在国际学术期刊上共奖励论文254篇；专利申请、专利授权及集成电路设计共 272 项，希望全所科技人员在新的一年中作出更多更优秀的科研成果。
附件：1.半导体所2008年各室奖励奖励情况及列表2.2008年国际期刊影响因子附表3.〘关于印发〖半导体所专利申请、授权及转化的奖励办法〗的通知〙（半发科技字〔2007〕7号）4.〘半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法〙（半发科技字〔2004〕9号）5.〘关于半导体所成果、论文、专利及著作的补充文件〙（半发科技字〔2005〕12号）6.〘有关半导体研究所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法〙的补充规定二〇〇九年五月二十五日附件一：半导体所2008年各室奖励奖励情况及列表论文：部门：材料中心（共9750 元）影响因子共：基数：500元专利申请共50500 元专利授权共298000 元附件三：关于印发《半导体所专利申请、授权及转化的奖励办法》的通知（半发科技字〔2007〕7号）所属各有关单位：鼓励发明创造、知识产权保护、发明创造的实施与转化是我所创新发展的一项重要举措。
针对专利战略发展的不同阶段和规律，对工作重点进行调整，有所侧重给予鼓励和引导，是实现专利战略的重要方法。
中国科学院上海微系统所-研发成果
中科院上海微系统与信息技术研究所最新科技成果汇编1.项目名称: 12英寸大硅片研制成功1)成果简介：上海微系统所发起设立的上海新昇半导体科技有限公司采用直拉单晶法成功地拉制出第一根大产率的300 mm硅晶棒,并于11月亮相2016上海工博会，表明300毫米硅片研发线（产能1万片/月）贯通。
2)推广转化：对完善上海的硅材料布局、为我国深亚微米极大规模集成电路产业的发展奠定坚实的衬底基础，未来将有效地形成以硅产业投资公司为旗舰，新傲科技SOI晶圆材料、新昇半导体12英寸大硅片、若干海外控股或参股企业为成员的“航母编队”，在上海建设具有全球影响力的集成电路硅材料产业基地。
3)相关技术或产品/样品图片材料2.项目名称: 窄带物联网技术（NB-IoT）在智慧燃气中的应用研究----智能抄表实践与验证1)成果简介：为解决人工抄表入户难、工作效率低、及时性差等难题，研发了基于NB-IoT的智慧燃气终端模块和第三方检测平台，实现对燃气表具的计量数据实时采集，为建设大数据信息化的智慧燃气奠定了基础。
成果包含两个部分：（1）基于窄带物联网（NB-IoT）的智慧燃气终端模块（2）基于窄带物联网NB-IoT的燃气行业第三方检测平台。
与目前传输技术相比，本终端模块利用商用网络，实现低功耗数据上传，使用寿命可达10年以上（目前其他技术只有5~6年），达到国际先进水平。
3、国内首创，建立了燃气行业第三方检测平台，为上海智慧燃气表具的市场规范准入提供有效的、公平的检测手段。
该平台具有完全的自主知识产权，达到国际先进水平。
2)推广转化：从社会效益看，NB-IoT技术有望成为传统燃气行业智能化产业升级的重要抓手。
降低燃气表日常使用中的用电等成本，降低家庭燃气系统故障带来的风险，将会极大的提高人民群众在智能城市生活中所感受到的幸福感和便利性；而对于燃气企业而言，有助于燃气企业从传统公共事业部门转换角色，成为智能城市信息化时代的引领者，是确保燃气企业紧跟甚至引领智慧城市发展的重要一步。
半导体设备合作协议书模板
半导体设备合作协议书模板甲方：____________________乙方：____________________鉴于甲方为一家专业从事半导体设备研发、生产及销售的企业，乙方为一家在半导体领域具有广泛业务需求的企业，双方本着平等互利、共同发展的原则，就半导体设备合作事宜达成如下协议：第一条合作内容1.1 甲方同意向乙方提供半导体设备及相关技术服务。
1.2 乙方同意按照本协议约定的条件购买甲方提供的半导体设备及相关技术服务。
1.3 双方同意在本协议约定的范围内进行合作，共同推动半导体设备的应用与发展。
第二条设备及服务2.1 甲方应按照乙方的要求提供符合行业标准的半导体设备，并保证设备的正常运行。
2.2 甲方应提供必要的技术支持和售后服务，包括但不限于设备安装、调试、维护和升级。
2.3 乙方应按照甲方提供的技术规范和操作手册正确使用设备。
第三条价格及支付方式3.1 双方同意半导体设备的价格为人民币（大写）___________________元。
3.2 乙方应在本协议签订之日起___________________日内支付定金人民币（大写）___________________元。
3.3 余款应在设备交付并经乙方验收合格后___________________日内一次性支付。
第四条交付与验收4.1 甲方应在本协议签订后___________________日内完成设备的交付。
4.2 乙方应在设备交付后___________________日内完成验收，验收合格后应出具验收合格证明。
4.3 如设备存在质量问题，乙方应在验收后___________________日内向甲方提出，甲方应在接到通知后___________________日内予以解决。
第五条保证与保修5.1 甲方保证所提供的半导体设备为全新未使用的产品，且符合国家及行业的质量标准。
5.2 甲方对所提供的半导体设备提供___________________年的保修期，保修期内因设备本身质量问题导致的损坏，甲方负责免费维修或更换。
中国科学院半导体研究所文件
中国科学院半导体研究所文件半发人教字[2007]18号半导体研究所图书信息中心人员聘用方案所属各有关单位：经研究，所图书信息中心人员聘用按照以下方案进行。
一岗位（职级）设置、职责及任职条件应聘人员均需具备较强的政策观念，坚持原则，遵守职业道德，严守工作纪律，具有良好的敬业精神、服务意识和团队合作意识。
（一）、中心主任：研究所任命（二）、中心常务副主任（副研级）职责：中心日常管理，图书委员会日常工作，图书馆管理，书刊采购，资源和服务拓展，对外协调。
条件：具备学士及以上学位，精通信息管理工作，有领导图书和网络管理方面的工作经历，具备较强的开拓创新精神和协调、沟通能力。
（三）、中心副主任（副研级）职责：半导体与集成技术分会日常工作；《半导体学报》编辑部管理；《半导体学报》网站管理和维护；稿件的初审、编辑加工、校对、核红、制图、发稿、印刷和发行；基金申请和期刊报奖。
条件：具备学士及以上学位，半导体专业背景，熟悉编辑部工作，有良好的文字功底，具备较强的协调和沟通能力。
（四）、网络主管（副研级）职责：网络建设、管理、维护；技术支持ARP系统；所内各网站维护；用户服务。
条件：具备学士及以上学位，熟悉半导体所网络状况，具备较强的网络维护和开发能力，熟悉各种编程语言、操作系统和数据库软件。
（五）、图书馆主管（七级职员）职责：图书馆日常业务管理；图书分类加工、数据制作、文献提供；论文收录与引用检索。
条件：具备学士及以上学历，精通图书馆业务，熟悉图书馆自动化系统，具备扎实的图书馆专业知识，有相关工作经验。
（六）、《半导体学报》英文主管（副研级）职责：探索扩大学报英文稿件比例；英文稿件的审核修改、稿件编辑加工、校对，所网站、学报网站英文维护。
条件：具备硕士及以上学位，半导体及相关专业背景，较高的英语水平和良好的文字功底。
（七）、一般岗位（1）：期刊管理职责：期刊签到、加工及装订；书刊数据制作；联合目录维护；参与馆际互借服务。
半导体项目协议书范本范文
半导体项目协议书范本范文甲方（以下简称“甲方”）：地址：法定代表人：乙方（以下简称“乙方”）：地址：法定代表人：鉴于甲方拥有半导体项目的研发、生产及销售能力，乙方拥有半导体项目投资及市场推广的需求，甲乙双方本着平等互利的原则，经过友好协商，就半导体项目的合作事宜达成如下协议：第一条项目合作内容1.1 甲方负责半导体项目的研发、生产工作，并保证产品的技术先进性、质量可靠性。
1.2 乙方负责提供项目所需的资金支持，并协助甲方进行市场推广和销售工作。
第二条投资与资金2.1 乙方同意向甲方提供总额为人民币____万元（￥_____）的项目投资资金，用于项目的研发、生产和市场推广。
2.2 投资资金的支付方式、时间节点及金额分配由双方另行签订补充协议确定。
第三条知识产权3.1 甲方保证其提供给乙方的半导体产品不侵犯任何第三方的知识产权。
3.2 双方合作期间产生的知识产权，包括但不限于专利权、商标权、著作权等，由甲方享有，乙方享有使用权。
第四条保密条款4.1 双方应对在合作过程中获悉的对方的商业秘密和技术秘密负有保密义务，未经对方书面同意，不得向第三方披露。
4.2 保密期限自本协议签订之日起至项目结束之日起五年内有效。
第五条违约责任5.1 如甲方未能按期完成产品研发或产品质量不符合约定标准，应向乙方支付违约金，违约金的数额为投资总额的____%。
5.2 如乙方未能按期支付投资资金，应向甲方支付违约金，违约金的数额为逾期支付金额的____%。
第六条争议解决6.1 本协议在履行过程中如发生争议，双方应首先通过友好协商解决；协商不成时，任何一方均可向甲方所在地人民法院提起诉讼。
第七条协议的变更和终止7.1 本协议的任何修改和补充均需双方协商一致，并以书面形式确认。
7.2 任何一方均可在提前____天书面通知对方的情况下终止本协议。
第八条其他8.1 本协议自双方授权代表签字盖章之日起生效。
8.2 本协议一式两份，甲乙双方各执一份，具有同等法律效力。
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16 211.1/B324 17 211.1/W426 18 211.2/X7 19 211/B219 20 211/B575 21 211/F399D 22 211/H371(3) 23 211/M424
Wave Mechanics Applied to Semiconductour Heterostructures Quantum Semiconductor Structures Quantum Wires and Quantum Dots Semiconductor Quantum Dots Properties of III-V Quantum Wells and Superlattices Semiconductor Transport
2003-11-5 出版者/时间 Prentice/Hall，c1993 Wiley-VCH，c2002 Springer, c1999. Van Nostrand Reinhold,1990 Cambridge University Press,1999 Springer-Verlag， c1995 Springer, c2002. McGraw-Hil，c1993. World Scientific， c1997.4 World Scientific， c1999. Springer，c2001．6 Kluwer Academic Publishers，c2000．6 c1997 Institute of Physics Pub.，c1999 Oxfod University Press，1995
Quantum theory of the optical and electronic Hartmut Haug, Stephan properties of semiconductors W. Koch. Y. Masumoto, T. Semiconductor quantum dots Takagahara, Quantum Processes in Semiconductors Optical properties of Semiconductor Quantum Dots Semiconductor Cavity Quantum Electrodynamics Etching of crystals Transition metal impurities in semicondutors． Transition metal impurities in semicoductors B. K. Ridley
42 219/S678/v.4656 Quantum dot devices and computing Theoretical foundations of electron spin 43 225.32/H298 resonance 44 227/B972 Tunneling phenomena in solids
24 211/R545/1988
25 211/W845 26 211/Y19Y 27 214.41/S226 28 214.42/O-55 29 215.3/K41
Ulrike Woggon Yamamoto, F.Tassone, H.Cao Keshra Sangwal. E. M. Omel'yanovskii K. A. Kikoin, V. N. Fleurov
Theory of optical processes in semiconductors Optical characterization of epitaxial semiconducor layers Semiconductor Optics Optical properties of semiconductors Optical properties of semiconductor nanostructures Photoelectronic poperties of semiconductors Semiconductor optoelectronics Handbook of semiconductor manufacturing technology Rare earth doped semiconductors Rare earth doped semiconductors II Advances in microcrystalline and nanocrystalline semiconductors, 1996 Gallium nitride and related materials II Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors--1998
著/编者 Adir Bar-Lev. Jan G. Korvink and Andreas Greiner. Peter.Y.Yu, Manuel Cardona Boer.K.W. Kevin F. Brennan B. Sapoval,C.Hermann Karlheinz Seeger. Jasprit Singh. Rolf Enderlein, Norman J.M.Horing Holger T. Grahn.
Springer-Verlag， 1995. Springer，c2001 Kluwer Academic Publishers，19998 John Wiley，c1999 World Scientific,c2002. Springer，1998 Gordon and Breach Science Pub.，1997 Cambridge University Press，1997 Cambridge University Press，1998 Springer,c2002. Cambridge University Press，c2001 Cambridge University Press,1998 SPIE，c2002. Academic，c1978 Plenum Press，1969
Gested Press，1988.
Claude Weisbuch, Borge Academic Press， Vinter c1991 Jian-Bai Xia 1995 World Scientific ， L. Banyai,S. W. Koch. c1993. P. Bhattacharya David K. Ferry. INSPEC，1996. Taylor & Francis， c2000． World Scientific,1994. Springer，2002. Clarendon Press；;Oxford University Press， 1988. Springer，c1997 Springer，c2000． North-Holland : Sole distributors for the USA and19875 Adam Hilger Ltd， c1983 World Scientific， c1994
Rolf Haug, Herbert Schoeller Compound Semiconductors Strained Layers and S. Jain, M. Willander, Device R.Van Overstraeten Semiconductor physics and devices Donald A. A. Miller, M. Semiconductor quantum optoelectronics : from Ebrahimzadeh, D.M. quantum physics to smart devices Finlays Quantum Dot Richard Turton
E. L. Ivchenko, P. E. Pikus; Winfried Monch. Walter Potz and W. Andreas Schroeder. Dieter Bimberg, Marius Grundmann, Nikolai N. Leden E. Borovitskaya, Michael S. Shur. Lucjan Jacak, Pawel Hawrylak M. O. Manasreh David K. Ferry and Stephen M. Goodnick. S. V. Gaponenko D.D. Awschalom, D. Loss, N. Samarth Keith Barnham and Dimitri Vvedensky. John H. Davies James A. Lott John E. Harriman Elias Burstein and Stig Lundqvist.
ID
索书号
中科院半导体所委托加工西文书清单. 题 名 Semiconductors and electronic devices Semiconductors for micro- and nanotechnology Fundamentals of semiconductors Survey of Semiconductor Physics,v.1 physics of semiconductors Physics of Semiconductors Semiconductor physics Physics of semiconductors and their heterostructures Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices Introduction to Semiconductor Physics Interacting electrons in nanostructures
Superlattices and other heterostructures Semiconductor Surfaces and Interfaces． Coherent control in atoms, molecules and semiconductors Quantum dot heterostructures Quantum dots Quantum Dots Strained-layer quantum wells and their applications Transport in nanostructures Optical properties of semiconductor nanocrystals Semiconductor spintronics and quantum computation Low-dimensional semiconductor structures Physics of low-dimensional semiconductors