模块一常用电子元器件及其特性
PLC常用的输入输出元件

PLC常用的输入输出元件输入(Input)模块和(Output)模块简称为I/O模块,它们是PLC系统的眼、耳、手、脚,是联系外部现场设备和CPU模块的桥梁。
CPU模块集成了输入电路和输出电路。
而无论是输入模块采集信号还是输出模块输出信号,都需要一些外部元件设备的帮忙,这次我们来就简单的介绍一下PLC常用的输入输出元件。
➢按钮按钮是主令元件,只能发信号给PLC,当PLC接收到按钮的电压变化,即0到1或者是1到0或通、断信号后,根据PLC中的逻辑控制程,计算控制结果,然后输出到阀,或电机,或继电器,使设备工作。
一般按钮按到PLC的输入点后,电压到时,会通过光藕合管发信号映像到PLC的输入区。
➢选择开关选择开关是把分接选择器和切换开关的功能结合在一起,能承载、通断电流的一种开关装置。
有2段、3段和组合开关。
万能开关及凸轮转换器这些都是选择开关。
常用的就是转换开关。
具体实现什么功能,主要根据程序和电路来决定。
主要就是各种设备的操作功能的转换➢拨码开关拨码开关(也叫DIP开关,拨动开关,超频开关,地址开关,拨拉开关,数码开关,指拨开关)是一款用来操作控制的地址开关,采用的是0/1的二进制编码原理。
通俗的说也就是一款能用手拨动的微型的开关,所以也通常叫指拨开关的也很多。
数字电路通常用 BCD 码表示十进制,用高、低电平表示二进制的 1 、0 ,拨码开关内部的机械触点把对应的十进制数转换成 8421码(BCD 码的一种),用来输入数据。
如定时器的定时时间、信号发生器的频率、计数器的脉冲数量等参数。
➢限位开关限位开关又称行程开关,可以安装在相对静止的物体(如固定架、门框等,简称静物)上或者运动的物体(如行车、门等,简称动物)上。
当动物接近静物时,开关的连杆驱动开关的接点引起闭合的接点分断或者断开的接点闭合。
由开关接点开、合状态的改变去控制电路和电机。
限位开关的应用方面很多,很多电器里面都有它的身影。
它主要是起连锁保护的作用。
元器件符号大全(3篇)

一、前言元器件是电子电路的基本组成单元,广泛应用于各种电子设备中。
元器件符号是表示元器件的图形符号,它具有直观、简洁、易识别等特点。
本文将详细介绍各种元器件的符号,包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管、集成电路等,以供广大电子爱好者参考。
二、电阻1. 电阻(R):表示具有固定阻值的元件,单位为欧姆(Ω)。
符号:圆形,中间有一个“R”字母。
2. 可变电阻(VR):表示阻值可调的元件。
符号:圆形,中间有一个“VR”字母。
3. 保险丝(F):表示过载保护元件。
符号:矩形,中间有一个“F”字母。
4. 滑动变阻器(VR1):表示阻值可调的元件,通常带有滑动触点。
符号:圆形,中间有一个“VR1”字母。
三、电容1. 电解电容(C):表示具有较大电容量、极性的元件。
符号:圆形,中间有一个“C”字母,旁边标注容量和电压。
2. 无极电容(C):表示电容量较大、无极性的元件。
符号:圆形,中间有一个“C”字母,旁边标注容量和电压。
3. 陶瓷电容(C):表示电容量较小、稳定性较好的元件。
符号:圆形,中间有一个“C”字母,旁边标注容量和电压。
4. 片式电容(C):表示小型、薄型的电容元件。
符号:矩形,中间有一个“C”字母,旁边标注容量和电压。
1. 电感(L):表示具有自感作用的元件,单位为亨利(H)。
符号:圆形,中间有一个“L”字母。
2. 可调电感(L):表示电感值可调的元件。
符号:圆形,中间有一个“L”字母。
3. 互感器(L):表示具有互感作用的元件。
符号:圆形,中间有一个“L”字母。
五、二极管1. 晶体二极管(D):表示具有单向导电特性的元件。
符号:三角形,中间有一个“D”字母。
2. 整流二极管(D1):表示用于整流的晶体二极管。
符号:三角形,中间有一个“D1”字母。
3. 稳压二极管(DZ):表示具有稳压作用的元件。
符号:三角形,中间有一个“DZ”字母。
4. 变容二极管(V):表示电容量可变的元件。
符号:三角形,中间有一个“V”字母。
常用电子元件的功能

常用电子元件的功能电子元件(1)<电阻>电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等。
#1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。
换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472 表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100K b、色环标注法使用最多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)#2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/ x0.01 ±10 金色/ x0.1 ±5 黑色0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 红色 2 x100 ±2 橙色 3x1000 / 黄色4 x10000 / 绿色5 x100000 ±0.5 蓝色6 x1000000 ±0.2 紫色7 x10000000 ±0.1 灰色8 x100000000 / 白色9x1000000000 /电子元件(2)<电容>#1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。
电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
#2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
《简单电子线路的装接与维修》课程标准

《简单电子线路的装接与维修》课程标准一、课程性质《简单电子线路的装接与维修》是电气自动化专业的职业技能课。
本课程是传授简单电子线路的装接与维修知识的专业课,通过学习掌握电子专业的基础知识、基本理论和基本技术,掌握电子设备、电子产品中常用元器件的基本知识。
二、参考课时288课时三、课程目标(一)总目标通过任务引领的项目式教学活动,使学生成为具备从事本职业的高素质劳动者,同时培养学生爱岗敬业思想、团结协作精神。
熟练使用相关仪器设备、熟悉常用典型模拟电路、数字电路,具备一定的电路分析能力和故障排除能力。
熟悉国家相关职业标准,会编制电路组装、调试、检测工艺文件。
(二)知识目标通过本课程的学习,学生应达到下列基本要求:1.了解二极管、三极管、晶闸管、集成运算放大器等主要参数及应用。
2.了解组合逻辑电路和时序逻辑电路的工作原理和应用。
3.理解放大电路、整流、滤波、稳压电路的基本组成、工作原理、分析方法。
4.掌握常用器件的识别和简单测试。
5.掌握单级小信号低频电压放大电路的组成、工作原理和分析方法。
6.掌握整流电路的输入输出电压之间的关系。
7.掌握基本门电路的符号及逻辑功能、基本触发器的符号及逻辑功能。
(三)技能目标1.能阅读电路原理图、印制电路板图。
2.会借助手册查阅电子元器件及材料的有关数据。
3.会正确选择使用元器件和材料。
4.能熟练地装接电子电路并使用电子仪器进行调试。
5.能解决电子电路制作过程中出现的一般问题。
(四)相关职业工种及证书熟悉国家相关职业标准,会编制电路组装、调试、检测工艺文件。
达到无线电调试工考核要求。
四、设计思路按照以能力递进为本位,以职业实践需求为主线,以项目课程为主体的模块化课程体系的总体设计要求,以工作任务模块为中心构建的项目课程体系。
彻底打破学科课程的设计思路,紧紧围绕项目任务完成的需要来选择和组织课程内容,突出工作任务与知识的联系,让学生在职实践活动的基础上掌握知识,增强课程内容与职业岗位能力要求的相关性,提高学生的就业能力。
电子产品生产与制作 教学日历

3、绘制基本放大电路和串联稳压电源的pcb图。
1.复习和使用protel99软件
2.基本放大电路和串联稳压电源的原理图和pcb图的绘制
4
7
用热转印印制电路板方法设计与制作四路简易抢答器
1、熟悉和使用protel99软件。
2、绘制四路抢答器的原理图。
3、绘制四路抢答器的pcb图。
周次
教学
单元
任务工单
教学内容
学时
模块一 电子产品设计与制作(54学时)
1
常用电子元器件的使用
1、根据所给常用电子元器件若干,实现仔细观察辨别是什么元器件,读懂元器件上的标识并理解标识的含义,读出所给的色环电阻阻值。
2、用万用表进行简单的好坏判断,测试色环电阻阻值并与目测阻值进行比较。
1.概述
2.常用电阻元件
1
9
科技论文写作
科技论文写作训练
掌握科技论文写作的要点
1
模块二 电子产品校内生产实训(24学时)
1
电子产品安全文明生产和管理.
1、剥出8mm的线头10根。
2、拆开插头并恢复完好。
3、熟悉和知道如何进行触电后的急救以及人工呼吸和人工胸外心脏按压法的操作。
4、描述和操作使用灭火器。
1.安全文明生产常识
2.安全生产的管理
1.文氏电桥振荡电路的工作原理
2. 频率可调的文氏电桥正弦波信号发生器设计
3. 文氏电桥正弦波信号发生器的制作
4
5
EWB仿真教学
1、熟悉和使用EWB软件。
2、用EWB软件仿真基本放大电路。
3、用EWB软件仿真串联稳压电源。
1.EWB仿真软件工具介绍
MF47万用表实训报告

昆明学院—万用表实训报告—学院系别:电气工程学院专业班级:电气3班实训课题:MF47型万用表设计学生刘晓飞201204170319设计时间:2013年6月23日电气工程及其自动化学院实训规划一实训时间2013年6月23日~2013年6月26日二实训地点昆明学院惟实楼 1502三实训目的通过本次万用表的焊接与安装实习,了解万用表的工作原理,在此基础上学会万用表的安装、调试、使用,并学会排除一些万用表的常见故障。
四、实训内容:模块一:电子元器件了解电子元器件的分类与选择方法,掌握常用元器件的测量方法,领会选择、购买和应用元器件。
1.电阻器定义——电阻器就是用较大电阻率材料制成的元件。
作用——在电路中,电阻器主要用来控制电压和电流,即起降压、分压、限流、分流、隔离、阻抗匹配和信号幅度调节等作用。
2.电容器3.电容器是一种储能元件,是电子线路中不可缺少的重要元件。
电容器的结构特点及作用(1).结构特点电容器是由两个相互靠近的金属电极板,中间夹绝缘介质构成的。
在电容器的两个电极上加电压时,电容器就能储存电能。
(2).电容器的作用电容器广泛用于高低频电路和电源电路中,起耦合,滤波,旁路,谐振,降压,定时等作用。
电解电容特性:正向接入时,漏电流小,所测漏电阻大。
反向接入时,漏电流大,所测漏电阻小。
①选R×10K档;②将表笔并接于电容器两端测量其漏电阻值并记下;③对电容器进行放电,调换表笔再测,记下漏电阻值;④将两次漏电阻值进行比较,漏电阻值大的一次测量时黑表笔所接的是电容器的正极,红表笔所接的是电容器的负极。
3.电感器检测绕组通断用万用表的R×1Ω档测量初级和次级直流电阻,初级一般为几十到几百欧姆,次级一般为几欧到几十欧姆。
若电阻为无穷大,说明线圈内部或引脚已断开;若阻值较小,说明变压器内部线圈有严重的短路。
4.半导体器件二极管极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出其阻值后,对调两表笔,再测出其阻值。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件

什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性,可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性,从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种:1. 二极管(Diode):二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性,可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管(Transistor):晶体管是一种电子放大器和开关器件,由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型(BJT)和场效应型(FET)两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管):MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点,被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器(Rectifier):整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成,可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管(LED):发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点,被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管(LD):激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点,广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管(Triode):三极管是晶体管的前身,它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压,被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅(SCR):可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止,广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器(Voltage Regulator):电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
常用电子元件器件系列知识-三极管

电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
(3)PN结的单向导电性 2)PN结外加反向电压 外加反向电压的接法与正向相反,即P区接电源的负极,N区 接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与内电场的方向 相同,从而使空间电荷区变宽,漂移作用大于扩散作用,少数载 流子在电场的作用下,形成漂移电流,它的方向与正向电压的方 向相反,如图1.8所示。因少数载流子浓度很低,反向电流远小于 正向电流。当温度一定时,少数载流子浓度是一定的,反向电流 几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流IS。此时,PN结 呈现的电阻为反向电阻,而且阻值很高,PN结处于截止状态。 PN 结 加 正 向 电 压 时 , 电 阻 值 很 小 , PN 结 导 通 ; 加 反 向 电 压 时,电阻值很大,PN结截止,这就是PN结的单向导电性。
图1.2 硅的晶体结构
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项目1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体
本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇 “复合”时,也成对消失;带负电的自由电子和带正电的空穴都 是载流子。温度越高,载流子产生率越高;载流子的浓度越高, 晶体的导电能力越强,即本征半导体的导电能力随温度的增加而 增加。
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项目2 半导体二极管
1.2.1 基础知识
在出现了空间电荷区以后,由于正负离子之间的相互作用,在 空间电荷区中形成了一个电场,其方向是从带正电的N区指向带负 电的P区。由于这个电场是在PN结内部形成的,而不是外加电压形 成的,故称为内电场。这个内电场的方向是阻止载流子扩散运动 的。
另一方面,这个内电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂 移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与 扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面 上P区失去的空穴,而从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上 N区所失去的电子,这就使空间电荷减少。因此,漂移运动的结果 是使空间电荷区变窄,其作用正好与扩散运动相反。
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
(4)二极管电路的分析方法 我们一般可以将实际电路中的二极管作为理想二极管来处理, 进行近似分析。所谓理想二极管,是正向偏置时视其管压降为 0V,而反向偏置时视其电阻为无穷大、电流为零。 分析二极管电路时,首先断开二极管,看管子两端的电位差, 从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。若是反向电 压,则说明二极管处于截止状态,类似开路;若是正向电压,说 明二极管处于导通状态,类似短路。
模块一常用电子元器件及其特性
【教学聚焦】 一、知识目标: 1、了解常用电子元器件; 2、掌握二极管、三极管、场效应管、晶闸管、电阻器、电容器及电感器的种 类、作用与标识方法; 3、掌握各种二极管、三极管、场效应管及晶闸管的特性和主要参数。 二、技能目标: 1、能用目视法判断识别常用电子元器件的种类,能正确说出元器件的名称; 2、能正确识读元器件上标识的主要参数,并了解元器件的作用和用途; 3、掌握用万用表检测常用电子元器件的方法。
当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键中就留下一 个空位,叫空穴。由于共价键中出现了空位,在外加电场或其他 能源的作用下,邻近价电子可填补到这个空位上,这样使共价键 中出现了一定的电荷迁移,就相当于空穴在移动。空穴是带正电 的,价电子填充空穴的移动相当于正电荷(空穴)的移动。
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项目1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体
本征半导体的导电能力是很弱的,但是在本征半导体中掺入微 量的其他元素就会使半导体的导电性能发生显著变化。
(1)P型半导体 在硅的晶体内掺入少量三价元素杂质,比如硼,它与周围的硅 原子组成共价键时,在晶体中会产生很多空穴。在P型半导体中, 空穴数远大于自由电子数,空穴为多数载流子,自由电子为少数 载流子。P型半导体以空穴导电为主。 (2)N型半导体 在硅的晶体内掺入少量五价元素杂质,比如磷,它与周围硅原 子组成共价键时,在晶体中会产生很多自由电子。在N型半导体 中,自由电子数远大于空穴数,自由电子为多数载流子,空穴为 少数载流子。N型半导体以自由电子导电为主。
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
图1.7 正向偏置的PN结
图1.8 反向偏置的PN结
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
2.二极管 将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。 (1)二极管的结构及类型 二极管的种类有很多,按照使用的半导体材料不同可分为硅管 和锗管。根据用途的不同可分为检波二极管、整流二极管、稳压 二极管、变容二极管、开关二极管、隔离二极管、快速关断二极 管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极 管等。按其结构的不同可分为面接触型、点接触型及平面型二极 管三类。
在外加电场的作用下,半导体中出现两部分电流:自由电子作 定向移动而形成的电子电流和仍被原子核束缚的价电子递补空穴 而形成的空穴电流。因此,自由电子和空穴都称为载流子。两种 载流子同时参与导电是半导体导电方式的最大特点,也是半导体 和金属在导电原理上的本质区别所在。
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项目1 半导体的基础知识 1.1.2 杂质半导体
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
(2)二极管的伏安特性 2)反向特性 二极管加上反向电压时,在一定范围内,反向电流并不随反向 电压的增大而增大,而是基本保持为反向饱和电流IS不变。当反向 电压超过UBR后,反向电流急剧增大,这种现象称为击穿,UBR称 为反向击穿电压。 一般来讲,二极管的电击穿是可以恢复的,只要外加电压减小 即可恢复常态。但普通二极管发生电击穿后,反向电流很大,且 反向电压很高,因而消耗在二极管PN结上的功率很大,致使PN结 温度升高,而结温升高会使反向电流继续增大,形成恶性循环, 最终造成PN结因过热而烧毁(称作热击穿)。二极管热击穿后便 失去单向导电性造成永久性损坏。
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
图1.10ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ半导体二极管的伏安特性
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
3)二极管的伏安特性方程
二极管是一种非线性元件,其中的电流I和两端的电压U间的函 数关系可近似为
I
IS
U
e
UT
1
式中:IS为反向饱和电流;UT为温度的电压当量,常温(T = 300K)时,UT为26mV;U和UT在式中采用同一单位。
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项目1 半导体的基础知识 1.1.2 杂质半导体
图1.3 P型半导体的共价键结构
图1.4 N型半导体的共价键结构
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项目2 半导体二极管
1.2.1 基础知识 1.2.2 二极管的检测 1.2.3 特殊半导体二极管
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
1.PN结的形成 (1)半导体材料中载流子的运动 1)漂移 若有外电场加到晶体上,则其内部载流子将受力做定向移动。 对于空穴而言,其移动方向与电场方向相同,而电子则是逆着电 场的方向移动。这种由于电场作用而导致载流子的运动称为漂 移。 2)扩散 在半导体内,若某一特定的区域内空穴或电子的浓度高于正常 值,则基于浓度差异,载流子由高浓度区域向低浓度的区域扩 散,从而形成扩散电流。
绝缘体是导电能力极弱的物质。如橡胶、塑料、陶瓷、石英等 都是绝缘体。
多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材 料制作而成的。常用的半导体材料有:硅(Si)、锗(Ge)、砷 化镓(GaAs)等,其中硅是目前最常用的一种半导体材料。
3
项目1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体
本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在T = 0K和没有外界激发时,由于共价键的束缚,半导体无导电能力。 在室温(300K)下,被束缚的价电子会获得足够的能量挣脱共价 键的束缚,成为自由电子,这种现象称为本征激发。
当漂移运动和扩散运动相等时,空间电荷区便处于动态平衡状 态,如图1.6所示。
12
项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
图1.5 多数载流子的扩散运动
图1.6 形成空间电荷区
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项目2 半导体二极管 1.2.1 基础知识
(3)PN结的单向导电性 1)PN结外加正向电压 PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的 负极。这时外加电压形成电场的方向与内电场的方向相反,从而 使空间电荷区变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方 区域扩散形成正向电流I,方向是从P区指向N区,如图1.7所示。这 时的PN 结呈现为低电阻状态,称为正向导通。正向导通压降很 小,且随温度的上升而减小。
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例:电路如图所示,已知E1 = 3V、E2 = 4V、uI = 10sintV,二
极管是理想的,试画出uO的波形。
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解: ⅰ取B点做参考点,标注“”符号; ⅱ断开二极管VD1、VD2; ⅲ分析二极管VD1和VD2阳极和阴极的电位关系;
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(2)PN结的形成 在半导体两个不同的区域分别掺入三价和五价杂质元素,便形 成P型区和N型区。这样,在它们的交界处就出现了电子和空穴的 浓度差异,N型区内电子浓度很高,而P型区内空穴浓度很高。电 子 和 空 穴 都 要 从 浓 度 高 的 区 域 向 浓 度 低 的 区 域 扩 散 , 如 图 1.5 所 示。它们扩散的结果就使P区和N区的交界处原来呈现的电中性被 破坏了。P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子;N区一边 失去电子,留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意 移动,因此并不参与导电。这些不能移动的带电粒子集中在P区和 N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是PN结。
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图1.9 (a)常见半导体二极管的外形 图1.9 (b)半导体二极管的符号