系统芯片指标
bms-afe芯片技术指标
bms-afe芯片技术指标BMSAFE（电池管理系统-模拟前端）芯片是用于电池管理系统的关键组件，它负责监测和管理电池的状态、充放电过程以及保护电池免受过充、过放、短路等问题的影响。
BMS-AFE芯片的技术指标通常包括以下几个方面：1. 电压测量精度，这是指芯片对电池电压测量的精度，通常以毫伏为单位。
较高的测量精度可以提高系统对电池状态的监测和管理能力。
2. 电流测量精度，BMS-AFE芯片还需要监测电池的充放电电流，因此其电流测量精度也是一个重要的技术指标。
同样，较高的测量精度可以提高系统对电池状态的监测和管理能力。
3. 温度测量精度，温度对电池的性能和寿命有着重要的影响，因此BMS-AFE芯片通常也需要监测电池的温度。
其温度测量精度同样是一个重要的技术指标。
4. 采样速率，采样速率指的是芯片对电池状态参数进行采样的速度，通常以每秒钟的采样次数来衡量。
较高的采样速率可以提高系统对电池状态变化的响应速度。
5. 通信接口，BMS-AFE芯片通常需要与其他系统组件进行通信，因此其通信接口的类型和性能也是重要的技术指标。
常见的通信接口包括SPI、I2C等。
6. 功耗，作为电池管理系统的一部分，BMS-AFE芯片的功耗也是需要考虑的技术指标。
较低的功耗可以延长系统的电池续航时间。
7. 故障保护功能，BMS-AFE芯片通常还需要具备过压、欠压、过流、短路等故障保护功能，以保障电池的安全运行。
总的来说，BMS-AFE芯片的技术指标涉及到电压、电流、温度测量精度，采样速率，通信接口，功耗以及故障保护功能等多个方面。
这些指标的优劣直接影响着电池管理系统的性能和安全性。
电脑芯片分析中的性能评估方法与指标
电脑芯片分析中的性能评估方法与指标在电脑芯片分析领域，性能评估是一项重要的任务，用于衡量芯片的性能表现和效果。
准确的性能评估方法和指标可以帮助工程师们更好地了解芯片的优缺点，指导设计和改进工作。
本文将介绍电脑芯片性能评估的方法和常用指标。
一、性能评估方法1.1 基准测试法基准测试法是最常用的性能评估方法之一。
它通过运行一组标准化的测试软件或工作负载来评估芯片的性能。
这些测试可以包括处理器性能、内存访问速度、图形处理等各个方面的指标。
通过进行一系列测试并对结果进行分析，可以对芯片的整体性能表现进行评估。
1.2 模拟仿真法模拟仿真法是一种基于数学模型和仿真软件的性能评估方法。
通过建立芯片的数学模型，并使用仿真软件对其进行模拟运行，可以评估芯片在不同工作负载下的性能表现。
这种方法可以提供更加精确的性能评估结果，帮助工程师们更好地了解各种应用场景下芯片的性能。
1.3 实际测试法实际测试法是指通过搭建实验环境，运行真实应用程序来评估芯片的性能。
这种方法可以更加真实地反映芯片在实际使用中的性能表现。
通过进行大量的实际测试，可以收集到更多的数据，从而更准确地评估芯片的性能。
二、性能评估指标2.1 处理器性能指标处理器性能是芯片性能评估中最为关键的指标之一。
常用的处理器性能指标包括主频、运行速度、指令执行效率等。
主频是指处理器每秒钟能够完成的工作周期数，是处理器运行速度的重要指标之一。
指令执行效率则反映了处理器在执行指令时的效率和速度。
2.2 内存访问性能指标内存访问性能是评估芯片性能的另一个重要指标。
常用的内存访问性能指标包括带宽、延迟和吞吐量等。
带宽指的是内存与处理器之间传输数据的能力，是反映芯片数据传输速度的关键指标。
延迟则反映了内存读写操作所需的时间，延迟越低表示内存读写速度越快。
吞吐量则是指芯片单位时间内可以传输的数据量。
2.3 图形处理性能指标对于一些需要进行图形处理的应用，图形处理性能是一个重要的考量指标。
cpu的性能指标有哪些
cpu的性能指标有哪些cpu的性能指标有哪些CPU的性能高低直接关系到整台计算机处理数据的速度。
下面YJBYS店铺将介绍一些CPU的相关性能指标。
1.主频，主频也叫时钟频率，单位是MHz(或GHz)，用来表示CPU的运算、处理数据的速度。
CPU的主频=外频×倍频系数。
很多人认为主频就决定着CPU的运行速度，这不仅是个片面的，而且对于服务器来讲，这个认识也出现了偏差。
至今，没有一条确定的公式能够实现主频和实际的运算速度两者之间的数值关系，即使是两大处理器厂家Intel英特尔和AMD，在这点上也存在着很大的争议，从Intel 的产品的发展趋势，可以看出Intel很注重加强自身主频的发展。
像其他的处理器厂家，有人曾经拿过一块1G的全美达处理器来做比较，运行效率相当于2G的Intel处理器。
所以，CPU的主频与CPU实际的运算能力是没有直接关系的，主频表示在CPU内数字脉冲信号震荡的速度。
在Intel的处理器产品中，也可以看到这样的例子：1GHzItanium芯片能够表现得差不多跟2.66GHz至强(Xeon)/Opteron一样快，或是1.5GHzItanium2大约跟4GHzXeon/Opteron一样快。
CPU的运算速度还要看CPU的流水线、总线等等各方面的性能指标。
主频和实际的运算速度是有关的，只能说主频仅仅是CPU性能表现的一个方面，而不代表CPU的整体性能。
2.外频，外频是CPU的基准频率，单位是MHz。
CPU的外频决定着整块主板的运行速度。
通俗地说，在台式机中，所说的超频，都是超CPU的外频(当然一般情况下，CPU的倍频都是被锁住的)相信这点是很好理解的。
但对于服务器CPU来讲，超频是绝对不允许的。
前面说到CPU决定着主板的运行速度，两者是同步运行的，如果把服务器CPU超频了，改变了外频，会产生异步运行，(台式机很多主板都支持异步运行)这样会造成整个服务器系统的不稳定。
目前的绝大部分电脑系统中外频与主板前端总线不是同步速度的，而外频与前端总线(FSB)频率又很容易被混为一谈，下面的前端总线介绍谈谈两者的区别。
常用芯片的型号性能指标及适用场合
常用芯片的型号性能指标及适用场合1.中央处理器（CPU）性能指标：10核20线程，主频3.7GHz（可超频至5.3GHz），20MB Intel Smart Cache，集成Intel UHD Graphics 630。
适用场合：高性能计算、游戏、设计等需要处理大量计算任务的场景。
2.图形处理器（GPU）型号：NVIDIA GeForce RTX 3080性能指标：8704个CUDA核心，主频1.44GHz（可超频至1.71GHz），显存10GBGDDR6X。
适用场合：游戏、图形渲染、机器学习等需要大规模并行计算的场景。
3.嵌入式处理器（MCU）型号：STMicroelectronics STM32F407性能指标：32位ARM Cortex-M4核心，主频168MHz，1MB Flash存储器，192KB SRAM。
适用场合：嵌入式系统、物联网设备、工业控制等对功耗和成本有限制的场景。
4.数字信号处理器（DSP）性能指标：32位双核SHARC+核心，主频400MHz，2MBRAM，16GB/s传输带宽。
适用场合：音频处理、视频编解码、通信系统等需要高性能信号处理的场景。
5.存储器芯片型号：Samsung PM1733性能指标：PCIe4.0接口，读取速度达到8GB/s，写入速度达到3.8GB/s，容量可达30.72TB。
适用场合：大规模数据存储、高性能计算、云计算等需要高速、大容量存储的场景。
6.网络芯片性能指标：支持千兆以太网，具备TCP/IP卸载引擎、虚拟化支持、高可靠性等特性。
适用场合：服务器、网络设备等需要高速网络传输和大量并发连接的场景。
7.无线通信芯片性能指标：支持5G NR下行速度达到7.5Gbps，上行速度达到3Gbps，支持多SIM卡、多载波聚合等功能。
适用场合：移动通信设备、物联网设备等需要高速稳定无线连接的场景。
8.传感器芯片型号：STMicroelectronics LIS3DH性能指标：三轴加速度传感器，测量范围可达±16g，分辨率可达0.01g。
数字芯片测试 指标
数字芯片测试指标在数字芯片测试中，有一些常见的指标用于评估芯片的性能和质量。
以下是一些常见的数字芯片测试指标：1. 功耗（Power Consumption）：衡量芯片在工作过程中所消耗的电力。
低功耗芯片可以延长电池寿命，并减少设备的发热问题。
2. 时钟频率（Clock Frequency）：指芯片内部的时钟信号频率，用于控制芯片的工作速度。
高时钟频率可以提高芯片的处理能力和运行速度。
3. 时延（Delay）：指芯片在执行特定任务时所需的时间。
较低的时延意味着芯片能够更快地完成任务，提高响应速度和效率。
4. 噪声（Noise）：指芯片在工作过程中产生的电信号干扰。
低噪声水平可以提高芯片的信号质量和稳定性。
5. 错误率（Error Rate）：衡量芯片在数据传输或处理过程中发生错误的频率。
较低的错误率意味着芯片具有更高的可靠性和稳定性。
6. 电源抗干扰能力（Power Supply Rejection Ratio）：指芯片对电源噪声的抵抗能力。
较高的电源抗干扰能力可以减少芯片受到电源波动的影响。
7. 温度范围（Temperature Range）：指芯片可以正常工作的温度范围。
广泛的温度范围可以适应各种环境条件下的应用需求。
8. 故障容忍性（Fault Tolerance）：指芯片在面对故障或异常情况时的稳定性和可靠性。
较高的故障容忍性可以减少系统崩溃和数据丢失的风险。
9. 功能完整性（Functional Completeness）：指芯片是否具备设计要求中所需的所有功能。
完整的功能可以确保芯片满足设计规格和用户需求。
这些指标只是数字芯片测试中的一部分，具体的测试指标还会根据芯片的类型和应用领域而有所不同。
在进行数字芯片测试时，需要根据具体的要求和标准来选择和评估相应的指标。
电脑芯片的性能评估方法与指标
电脑芯片的性能评估方法与指标近年来，随着电子产品的快速发展与普及，对于电脑芯片的性能要求也越来越高。
而为了评估电脑芯片的性能，确定其是否符合预期要求，需要一套科学的评估方法与指标。
本文将详细介绍电脑芯片性能评估的方法与常用的指标。
一、性能评估方法1.功能测试：通过对电脑芯片进行各种功能测试，验证其各项功能是否正常运行。
例如，对于一个处理器芯片，可以进行运算性能测试、流畅度测试等。
2.性能测试：通过针对具体应用场景运行各种测试代码，评估芯片在不同工作负载下的性能表现。
常用的性能测试包括CPU性能测试、图形处理性能测试、内存性能测试等。
3.功耗测试：评估芯片在不同工作负载下的功耗消耗情况，包括静态功耗和动态功耗。
通过功耗测试可以评估芯片的能耗表现，对于延长电池寿命和提高能源利用效率具有重要意义。
4.温度测试：评估芯片在长时间高负载工作下的温度表现。
高温会影响芯片的性能和寿命，因此温度测试对于保证芯片的稳定性与可靠性非常重要。
5.稳定性测试：通过长时间运行各种测试代码，评估芯片在长时间工作下的稳定性表现。
稳定性测试有助于发现潜在的硬件问题，保证芯片的长期可靠运行。
二、常用的性能指标1.时钟频率：指芯片的工作频率，通常以赫兹（Hz）为单位表示。
时钟频率越高，芯片的运行速度越快。
2.核心数：指芯片中的核心数量。
多核心芯片能够同时执行多个任务，提高系统性能。
3.缓存大小：指芯片内部的缓存容量，通常以字节（Byte）为单位表示。
较大的缓存能够提高数据读取速度，提高系统性能。
4.指令集：指芯片所支持的指令集架构，例如x86、ARM等。
指令集的不同会影响芯片的运行效率与兼容性。
5.功耗：指芯片在工作状态下所消耗的功率，通常以瓦特（Watt）为单位表示。
低功耗芯片能够延长电池寿命，提高能源利用效率。
6.性能指标：包括处理器的理论峰值性能、整数运算性能、浮点运算性能等。
常用的性能指标包括FLOPS（每秒浮点运算次数）、IPS（每秒指令执行次数）等。
芯片型号指标参数
芯片型号指标参数1. 芯片尺寸芯片尺寸是指芯片的物理尺寸，通常以长、宽、高来表示。
芯片尺寸的大小直接决定了芯片的集成度和功耗。
较小的芯片尺寸可以实现更高的集成度，但也可能导致散热不良和功耗过高。
2. 主频主频是指芯片工作的时钟频率，通常以赫兹（Hz）为单位。
主频越高，芯片的运行速度越快，处理能力越强。
但高主频也意味着更高的功耗和散热量，因此需要在性能和功耗之间做出权衡。
3. 核心数核心数是指芯片内部的处理器核心数量。
多核芯片可以同时处理多个任务，提高系统的并行计算能力。
核心数越多，芯片处理能力越强，但也需要相应的软件支持才能发挥其优势。
4. 缓存容量缓存是芯片内部用于临时存储数据的高速存储器，用于提高数据访问的效率。
缓存容量越大，可以存储的数据量就越多，提高了数据访问的速度。
但过大的缓存容量也会增加芯片的成本和功耗。
5. 工艺制程工艺制程是指芯片制造过程中使用的制造工艺。
目前常见的工艺制程有28纳米（nm）、14纳米（nm）等。
工艺制程的进步可以提高芯片的集成度和性能，并降低功耗和成本。
6. 供电电压供电电压是芯片正常工作所需的电压。
供电电压的大小直接影响芯片的功耗和稳定性。
较低的供电电压可以降低功耗，但也可能导致芯片的稳定性下降。
7. 温度范围温度范围是指芯片正常工作的温度范围。
芯片在高温环境下工作容易导致故障和性能下降，而在低温环境下工作可能导致芯片无法正常启动。
因此，芯片的温度范围需要根据实际应用环境来选择。
8. 接口类型接口类型是指芯片与外部设备之间的连接接口。
常见的接口类型有USB、HDMI、Ethernet等。
不同的接口类型适用于不同的应用场景，需要根据具体需求进行选择。
9. 功耗功耗是芯片在正常工作状态下消耗的电能。
功耗的大小直接影响芯片的工作时间和散热需求。
低功耗的芯片可以延长电池寿命，提高系统的移动性和续航时间。
10. 耗电量耗电量是芯片在工作过程中所消耗的电能总量。
耗电量的大小与芯片的功耗和工作时间有关。
CPU的性能指标
2. 外频：CPU外频是由主板为CPU提供的基准时钟频率，也称为系统
总线频率。
3. 前端总线（FSB—Front System Bus）指的是CPU和北桥芯片间数
ห้องสมุดไป่ตู้据传输的总线。
4. 倍频系数： CPU内部的时钟信号是由外部输入的，在CPU内部采
用了时钟倍频技术。按一定比例提高输入时钟信号的频率，这个提 高时钟频率的比例称为倍频系数。主频=外频×倍频
五. 超线程技术（Hyper-Threading Technology）
5. 多核心处理器技术 6.新型材料技术的应用 7.变频节能技术 8.硬件病毒防护技术
5. L1/L2 高速缓存
L1是第一层高速缓存 L2是CPU性能表现的关键之一
二、 CPU的扩展指令集
(1) MMX指令集 (2) 3DNOW! 指令集 (3) SSE指令集： (4) SSE2指令集： （5）SSE3指令集: （6）X86—64指令集:
三、CPU的适用类型
嵌入式：用于运行面向特定领域的专用程序，配备轻量级操作系 统 微控制式：用于汽车空调、自动机械等自控设备领域 通用式：追求高性能、主要用于高性能个人计算机系统、服务器 及笔记本
1.2.2 认识CPU
一、 CPU的性能指标
CPU内部结构可以分为控制单元、运算单元、存储单元和时序电 路等几个主要部分。运算单元是计算机对数据进行加工处理的中心， 它主要由算术逻辑部件（ALU：Arithmetic and Logic Unit）、寄 存器组和状态寄存器组成。 控制单元是计算机的控制中心，它不仅要保证指令的正确执行， 而且要能够处理异常事件。控制器一般包括指令控制逻辑、时序控 制逻辑、总线控制逻辑、中断控制逻辑等几个部分。 CPU控制整个系统指令的执行、数学与逻辑的运算、数据的存储 和传送、以及对内对外输入输出的控制，是整个系统的核心。 通常CPU的主要性能指标如下： 1. 主频 CPU主频又称为CPU工作频率，即CPU内核运行时的时钟频率。
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CMOS 射频集成电路设计 课程项目唐长文提交期限: 2009年8月6日，7日课程项目报告1. 项目简介软件无线电(Software Defined Radio, SDR)射频芯片是将射频50MHz ~6000GHz 信道中的带宽0.2~40MHz 的各种标准协议的有用信号直接下变频到零中频(或者低中频)一款射频模拟前端电路。
该项目的最终目标是在保证信道性能的前提下减小片外元件的需求，达到CMOS 工艺全集成。
软件无线电射频芯片系统结构框图如下所示：芯片涉及到的主要核心模块有：宽带可变增益低噪声放大器、上/下变频混频器、第一级宽带频率综合器、第二级窄带频率综合器、抗叠混低通滤波器，可变增益放大器，模数转换器等。
2. 系统芯片指标软件无线电射频芯片的性能指标如下：频率范围 Frequency Range 50MHz~6000MHz 信道带宽 Channel Bandwidth 0.2~40MHz 射频输入信号范围RF Input Signal Range –110dBm~0dBm 最大增益 Maximum Gain 114dB最小增益 Minimum Gain 4dB噪声系数NF @ Max. Gain <4dB三阶交调量IIP3 @ RF LNA Max. Gain –10dBm 二阶交调量IIP2 @ RF LNA Max. Gain +35dBm 中频频率范围IF Frequency Range零中频 Zero IF 0.2~20MHz 中频信道选择性IF Channel Selectivity (40MHz BW)零中频Zero IF, @ 40MHz Offset –60dB中频输出信号IF Output Signal Level, Differential 500mV pp (+4dBm) I/Q匹配性–45dBc 本振相位噪声LO1@10kHz, @1MHz, Quadrature generator LO2@10kHz, @1MHz, Quadrature generator –92dBc/Hz, –125dBc/Hz –97dBc/Hz, –125dBc/Hz功耗 Power consumption <96mW@1.2V芯片面积 Die size <9mm2 @ 90nm CMOS3. 课程项目a) 宽带可变增益低噪声放大器设计b) 宽带正交上变/下变频混频器设计c) 宽带正交输出的电感电容压控振荡器设计d) 窄带正交输出的电感电容压控振荡器设计e) 宽带频率综合器设计f) 窄带频率综合器设计g) 抗叠混低通滤波器与可变增益放大器设计h) 模数转换器设计上述8个设计项目任选一个，独立完成电路级设计和仿真工作，撰写完整设计报告。
设计报告包括：电路图，Testbench电路图，元器件参数，理论和原理分析，手工计算，性能仿真结果等。
文档的整洁、排版格式、图中线条和文字的清晰度等占总分的20%。
1、宽带可变增益低噪声放大器设计性能指标：Input impedanceOutput impedanceBandwidth Minimum input level Maximum input level Voltage GainIIP2IIP3Noise figurePower Consumption 50Ω over 50~6000 MHz bandsSingle-end inputNo requirementDifferential outputApprox. 50~6000 MHz–110 dBm0 dBm30 dB to –15 dB, RF AGC range: 45 dB4bits, AGC Gain Step 3 dB >+35 dBm @ Maximum Gain>–10 dBm @ Maximum Gain>+30 dBm @ Minimum Gain<3 dB<1.2 V*10 mA=12 mW参考文献：[1] V. Giannini et al., “A 2mm2 0.1-to-5GHz SDR receiver in 45nm digital CMOS,” ISSCC Dig.Tech. Papers, pp. 408-409 Feb. 2009.[2] J. Borremans, P. Wambacq, C. Soens, Y. Rolain, and M. Kuijk, “Low-area active-feedbacklow-noise amplifier design in scaled digital CMOS,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.43, pp.2422-2433, Nov. 2008.[3] B. G. Perumana, J.-H. C. Zhan, S. S. Taylor, B. R. Carlton, and J. Laskar, “Resistive-feedbackCMOS low-noise amplifiers for multiband applications,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.56, pp. 1218-1225, May 2008.[4] T. W. Kim, B. Kim, “A 13-dB improved low-power CMOS RF programmable gain amplifierusing differential circuit transconductance linearization for various terrestrial mobile D-TV applications,” IEEE J. Solid-State Circuits, Vol.41, pp. 945-953, Apri. 2006.[5] F.Bruccoleri, E. A. M. Klumperink, and B. Nauta, “Wide-band CMOS low-noise amplifierexploiting thermal noise canceling”, IEEE J. Solid-State Circuits, Vol.39, pp. 275-282, Feb.2004.[6] Kefeng Han, Youchun Liao, Hao Min, and Zhangwen Tang, "A Wideband CMOS Variable GainLow Noise Amplifier Based on Single-to-Differential Stage for TV Tuner Application," IEEE Asia Solid-State Circuits Conference Proceedings, pp. 457-460, Nov. 2008, Fukuoka, Japan.2、宽带正交上变/下变频混频器设计正交下变频混频器(直接变频)的级联性能指标：IF frequencyInput bandwidthMinimum input level Maximum input levelLO mixing signal Conversion gainIIP2IIP3Noise Figure(DSB)Power Consumption Double Balance ArchitectureImage Rejection(Self image) 0 MHzApprox. 2 ~ 4 GHz–80 dBm–12 dBm>0 dBm (273.9 mV)12 dBRF Preamp (6dB), Passive Mixer (6dB) >+40 dBm>+15 dBm<15 dB<1.2V*5mA=6mWDifferential InputDifferential I & Q OutputRF Preamp + Passive Mixer Quadrature mixer, >40dB正交上变频和正交下变频(两次变频)的级联性能指标：IF1 frequencyIF2 frequencyInput bandwidthMinimum input level Maximum input levelLOs mixing signal Conversion gainIIP2IIP3Noise FigurePower Consumption Double Balance ArchitectureImage Reject 2000 MHz (LC loading)0 MHzApprox. 50 M ~ 2 GHz, and 4 ~ 6 GHz–80.0 dBm–12 dBm>0 dBm (273.9 mV)12 dBActive Mixer (6dB), Passive Mixer (6dB)>+40 dBm>+15 dBm<15 dB<1.2V*8mA=9.6mWDifferential InputDifferential I & Q OutputActive Mixer with LC loading + Passive Mixer UpMixer & DnMixer both quadrature mixer >40dB参考文献：[1] E. A. M. Klumperink, S. M. Louwsma, G.J.M. Wienk, and B. Nauta, “A CMOS switchedtransconductor Mixer,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.39, pp.1231-1240, Aug. 2004.[2] T. Terrovitis, and R. G. Meyer “Intermodulation Distortion in Current-Commutating CMOSMixer,” IEEE Journal of Solid State Circuits, vol.35, pp.1461-1473, Oct. 2000.[3] H. Darabi and A. A. Abidi, “Noise in RF-CMOS mixers: A simple physical model,” IEEE J.Solid-State Circuits, vol. 35, pp. 15-25, Jan. 2000.[4] H. Darabi and Janice Chiu, “A Noise cancellation technique in active RF-CMOS mixers,” IEEEJ. Solid-State Circuits, vol. 40, pp. 2628-2632, Dec. 2005.[5] S. Chehrazi, R. Bagherl, and A. A. Abidi “Noise in passive FET mixer,” IEEE 2004 CustomIntegrated Circuits Conference, pp.375-378.[6] D. Manstretta, M. Brandolini, F. Svelto, “Second-order intermodulation mechanisms in CMOSdownconverters,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 38, pp. 394-406, March. 2003.[7] R. Montemayer, “A 410-mW 1.22-GHz Downconverter in a Dual-Conversion Tuner IC forOpenCable Applications,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 39, pp. 714-718, April 2004.[8] T. W. Kim, B. Kim, and K. Lee, “Highly linear receiver front-end adopting MOSFETtransconductance linearization by multiple gated transistors,” IEEE J. Solid-State Circuits, Vol.39, pp. 223-229, Jan. 2004.[9] Y.-W. Lim, I. nam, H.-T, Kim and K. Lee, “A highly linear wideband up-conversion differentialCMOS micromixer using IMD3 cancellation for a digital TV tuner IC,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol.19, pp. 89-91, Feb. 2009.[10] 倪熔华，谈熙，唐长文，闵昊，“一种用于超高频RFID阅读器的正交下变频混频器的分析与设计”，半导体学报，2008年，第六期，第29卷，第1128-1135页。