电子技术基础模拟部分总复习
电子技术基础模拟部分复习题答案全解2
（c）图题5.7解：输出电压波形如图解 5.7所示。
图解5.75.9为了使图题5.9所示的电路实现除法运算: （1 ）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
（2）求出U o的表达式。
图题5.9U o-D(a) (b)5.8电路如图题5.8所示，求U o的表达式。
D解：（1）上面为同相端，下面为反相端对集成运放来说， w= u -= 0 所以：u u Hi i Hi i oR R R5.11电路如图5.11所示，双向稳压二极管为理想的， 画出传输特性, 明电路的功能，图题5.115.11所示，电路为一个带有限幅功能的过零比较器。
图解5.11（2）U o_2巴KU 25.10电路如图题5.10所示，试证明u 01 U i U 2K U 3证明: 化简可以得到u 01 u i1 u i2i3并说解：传输特性如图解 设乘法器5.12所示，U Z = 6V ,求门限电压值，画出传输解：U T 色—-6 2VR 2 15 R 11 5 6 、，U TLU Z 2VR 215传输特性如图解5.12所示。
图解5.12图题5.13图解5.135.14双限比较器可以检测输入电压是否在规定的两个电压之间。
某双限比 较器如图题5.14所示，4E F>4E F2,画出其传输特性。
5.12 一个比较器电路如图题 特性。
图题5.125.13电路如图题 5.13 ( a )所示，输出电压U o 的最大幅值为10V 。
输入波形如图题5.13(b )所示，画出输出电压的波形。
URUo~t _ r~U2 RC ———□—— +(a)解：输出电压的波形如图解5.13所示。
U 1J J 2 V图题5.14解：传输特性如图解 5.14所示。
图解5.145.15 在图题 5.14 中，已知"EFI = 3V,"EF F -3V ，输入信号为 U i = 5si n （3 t ）, 试画出输出波形。
解：如图解5.15所示。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
电子技术基础模拟部分(模电)考试复习总结
CH5场效应管放大电路
• 内容：MOSFET及其放大电路；JFET；各种 放大器件电路性能比较。 • 重点：①了解场效应管的工作原理和场效应管 的输出特性、转移特性和主要参数；②掌握场 效应管放大电路的组成、工作原理和电路特点， 以及分析放大电路静态和动态参数的一般方法。
• 内容：BJT；基本放大电路；以及放大电路的 参数性能指标分析计算。 • 重点：①了解BJT的放大原理及输入、输出特 性曲线；②理解基本放大电路的组成和工作原 理；③掌握放大电路的静态、动态指标的分析 计算；④理解CE、CC、CB三种基本放大电路的 组成及特点；⑤掌握多级放大电路的分析计算； ⑥掌握放大电路频率响应的分析方法。
• 重点：①掌握虚短、虚断的重要概念；②掌握 由集成运算组成的基本运算电路及其分析方法。
CH3二极管及其基本电路
• 内容：半导体的基本知识；PN结的形成及特 性；二极管；二极管的基本电路及其分析方法； 特殊二极管。
• 重点：①二极管与稳压管的伏安特性和主要参 数；②二极管基本电路及其分析方法。
CH4BJT及其放大电路基础
小结（ch1-5）
CH1绪论
• 内容：电子学基本概念、信号的频谱、模拟信 号和数字信号、放大电路类型、放大电路的主 要性能指标。
• 重点：①了解四种类型的放大电路模型；②了 解输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非 线性失真等放大电路的主要性能指标的概念。
CH2信号的运算
• 内容：集成电路运算放大器；理想运算放大器； 基本线性运放电路及其他应用（集成运放均工 作在线性区）。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
解：
Rvi v i 2 R R 2 R R2 R2 R v o 2 v o1 1 v o2 2 R1 R1 R1 R2 R1 4 2 v o1 v A v o2 v B
10Ω 10Ω 1V 6 1V 10 5 V 1MΩ 10Ω 10 Ω
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
2
Vi
Ri 1MΩ Vs 1V 0.5V Rs Ri 1MΩ 1MΩ RL 10Ω AvoVi 1 0.5V 0.25V RL Ro 10Ω 10Ω
扬声器上的电压 Vo
四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可 以测量放大电路的哪些性能指标？ 答：因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再含有任何未知信息。并且任何 信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此，正弦波信号常作 为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响 应和非线性失真。 五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为 10μA 和 25mV，输出端接 4kΩ 电阻负载，测量到正弦电压信号的峰—峰值 1V。试计算该放大电路的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益 Ap，并分别换算成 dB 数表示。 解：
8．设 计 一 反 相 放 大 器 ，电 路 如 图 所 示 ，要 求 电 压 增 益 A v = v o / v i =- 10 ，当 输 入 电 压 v i =- 1V 时 ， 流 过 R 1 和 R 2 的 电 流 小 于 2m A ， 求 R 1 和 R 2 的 最 小 值 。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
输出电阻的计算：
Ro
Vo Vo
RL
RL
Ro
VT IT
Vs 0
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Ro
第二章 运算放大器
重点：集成运放及线性应用电路的分析，能够熟练运用虚断虚短 的概念分析，反相、同相、比例运算电路、加法运算电路，减法 运算电路及积分，微分电路。
集成运放
引入负反馈
运算电路
反相 比例运算
MOSFET 绝缘栅型
JFET 结型
增强型
N沟道 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
N沟道 （耗尽型）
P沟道
能够根据转移特性判别场效应管的类型（P145表4.10.1） ①电流判断 ② 电压判断
增强型MOS管
N型：VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0 P型： VGS＜0 VGS＜0开启电压VT＜0
耗尽型MOS管
半导体二极管的伏安特性曲线
第一象限的是正 向伏安特性曲线， 第三象限的是反向
伏安特性曲线。
VD
I IS (e VT 1)
式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的 电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻 耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。 对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。
模拟电子电路总复习
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为 主线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电 压放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性 应用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、 外部特性及应用、工作电源产生、信号源产生 等展开。
P
vS1 - vN vS2 - vN vN - vO
R1
R2
Rf
- vO
Rf R1
vS1
Rf R2
vS2
输出再接一级反相电路
若 R1 R2 Rf 则有 - vO vS1 vS2
（加法运算）
可得 vO vS1 vS2
R2
Rf
vS2
iI
R
vS1 R1
– N
vO1
–
vO
+ P
R
+
思考：多个输入的求和
运算电路运算关系的求解方法
• 在运算电路中都引入了深度负反馈，可 认为运放的净输入电压为0（即虚短）， 净输入电流也为0（虚断）。以“虚短” 和“虚断”为基础，利用节点电流法和 叠加原理（适于多个输入信号的情况） 即可求得输出与输入的运算关系。
习题2.3.2；2.4.8
第三章 二极管及其基本电路
同相 加减运算
积分运算
在求解运算放大电路中经常用到叠加原理
1.理想运算放大器： 开环电压放大倍数 Aod=∞
差摸输入电阻 Rid=∞
输出电阻
Ro=0
2. 线性区 为了扩大运放的线性区，给运放电路引入负反馈
运放工作在线性区的分析方法：
虚短（v+=v-） 虚断（ii+=ii-=0）
比例运算电路 （1）反相比例运算电路
反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。
输入电压信号， Ri 越大， vi 越大。
输入电流信号， Ri 越小， ii 越大。
iT
外加测试信号v T
R vT i i
T
+ vT
+ vT
–
–
放 大 Ri 电 路
2. 输出电阻
Ro决定放大电路带负载能力。
放
Ro
大+
电
AVOVi
路–
+ Vo RL –
输出电压信号时，Ro 越小（相对 RL），RL对 VO影响越小， 输出电流信号时，Ro 越大（相对 RL），RL对 IO影响越小。
N型 VP＜0 VDS＞0 P型 VP＞0 VDS＜0
VGS可正、可负、可0 p151 作业4.1.1/4.1.2
第五章 双极型三极管及放大电路基础
硅管（VBE=0.7V）、锗管（ VBE= 0.2V）
共发射极接法：发射极作为公共端； 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法：基极作为公共端。
重点：二极管的单向导电性及应用电路的分析
PN结具有单向导电性：若外加电压使电流从P区流 到N区， PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高 阻性，电流小。
如果外加电压使PN结中：
P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压 ，简称正偏；
P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压， 简称反偏。
正偏导通，反偏工作在截止状态
图示
(a)
(b) (c)
(a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路
图 稳压二极管的伏安特性
例1. 二极管构成的电路如图所示，如果二极管是理
想的，分析D1 和D2的导通情况，求电路电压Vab
解：断开D1得
D1
V４ D1
0
(8)
8V
断开D２得
a
D2
VD2 15 (8) 7V
1２V
８V
以上分析得D1导通、D2截止，
反相比例运算电路 电压并联负反馈
（2）同相比例运算电路
例2：试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍数的表达 式。
解：根据虚断 I-= I+ 0
根据虚短 V+ V- Vi
V
V
Vi
R1
R1 Rf
V0
电压增益
AVf
V0 Vi
R1 Rf R1
1 Rf R1
同相比例运算电路 电压串联负反馈
vO
例1：试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍 解： 根据虚断 I-= I+ 数0 的表达式。
根据虚短 V+ V- 0
Ii = (Vi－ V-)/R1 Vi/R1
If = (V-－ Vo )/Rf -Vo/Rf
II+
∵Ii ∴If Vi/R1=-Vo/Rf
电压增益 Avf= Vo /Vi =－Rf /R1
b
Vab =0V
又如书上p70 例3.4.6 图3.4.12
第四章 场效应管放大电路
场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的
半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导 体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为 载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
场效应管的分类：
FET 场效应管
(1
Rf R1
)vI
输出与输入同相
• 运算放大器输入端共模信号较大 • 运算电路输入电阻很大
Rf
R1
vN
-
vP
A +
vO
vI
电压串联负反馈
vN -
vP
A +
vO
vI
vO vI
电压跟随器
加法电路-反相加法求和
R2
Rf
vS2
根 据虚短、虚断 和N点 vS1
的KCL得：
R1
iI
– N
vO
+
vN vP 0
第一章 绪论
重点： 放大电路的模型及主要性能指标
1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的
要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍 数的定义。重点是电压放大电路模型。
1. 输入电阻
Ri
vi ii
+ vs
–
Rs + vi
–
Ro
+
Ri
AVOvi
–
+ vo RL –