hu第讲XPS
XPS谱图分析PPT课件

• 识别所余弱峰。在此步,一般假设这些峰是某些低含量元素的主峰。若 仍有一些小峰仍不能确定,可检验一下它们是否是某些已识别元素的 “鬼峰”
• 确认识别结论。对于p, d, f 等双峰线,其双峰间距及峰高比一般为一 定值。p峰的强度比为1:2;d线为2:3;f线为3:4
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XPS谱图-振激、振离线
振激和振离线:在光发射中,因内层形成空位,原子中心电 位发生突然变化将引起外壳电子跃迁,这时有两种可能: 若外层电子跃迁到更高能级,则称为电子的振激(shake-up) 若外层电子跃过到非束缚的连续区而成为自由电子,则称为 电子的振离(shake-off )。无论是振激还是振离均消耗能量, 使最初的光电子动能下降
除Kα1,2所激发的主谱外,还
有一些小的伴峰
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XPS谱图分析-多重分裂线
当原子的价壳层有未成对的自旋电子(例如d区过渡元素、f 区镧系元素、大多数气体原子以及少数分子NO、O2等)时, 光致电离所形成的内层空位将与之发生耦合,使体系出现不止 一个终态,表现在XPS谱图上即为谱线分裂 在XPS谱图上,通常能够明显出现的是自旋-轨道偶合能级分 裂谱线。这类分裂谱线主要有:p轨道的p3/2 p1/2,d轨道的 d3/2 d5/2和 f 轨道的 f5/2 f7/2,其能量分裂距离依元素不同 而不同。但是并不是所有元素都有明显的自旋-轨道偶合分裂 谱,而且裂分的能量间距还因化学状态而异
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XPS谱图分析-俄歇线
• 俄歇(Auger)线
• Auger有两个特征
1.Auger与X-ray源无关,改变X-ray,Auger不变。 2.Auger是以谱线群的形式出现的
XPS系统软件操作指南

XPS系统软件操作指南──MANUAL OF PERKIN ELMER PHI 5000C ESCA SYTEM戴维林编Edited by Dai Wei-Lin(复旦大学化学系表面化学实验室)(Surf. Chem. Lab., Dept. of Chem., Fudan Univ.)第一部分 数据采集软件—PHI系统§1. 概述:该系统通过PC137数据采集板把XPS数据和图谱存进计算机,支持软件为PHI系统。
PERKIN ELMER公司提供了多种版本的软件,从最初的DOS系统软件到如今的WINDOWS系统软件。
目前最常用的为VERSION2.0A版本。
VERSION1.2B也能使用。
该软件功能较强,可进行宽、窄扫描,多次录谱迭加,并可适应不同的能量分析器,还可在谱图上定出峰位、半峰宽,并且可进行平滑化、微分等操作。
§2. 软件安装及初始化将拷有PHI软件的软盘插入驱动器,键入命令:C:>install_A:_C:\phi SCASCD or CMASCD or SCAMCD↵其中,_代表空格;A: 指源程序盘;C:\phi为安装后的子目录;SCASCD、 CMASCD和SCAMCD分别指不同的能量分析器。
安装后,可通过简单的指令使其窗口化,即可直接在WINDOWS下用鼠标来操作。
下面主要讲一些VERSION2.0A的具体格式化过程:进入PHI后,屏幕上为一排指令,FILE、CONTROL、PARMS、DATA和 WINDOW。
首先键击CONTROL进入CONFIGURE。
选择所需的指令,如本实验室的各项指令为:SCA/SCD、MODEL80-365A、MODEL137 TIMER、EXTENTED(LENS TYPE)。
然后储存这些参数(用SAVE 指令)。
再键击FILE,击OPEN,查看C:\phi下各•PHI文件。
1) 将MODEL 137 COUNTER文件中INPUT SELECT置于ECL IN 1[PC],COUNT UP/DOWN置于UP。
环境材料分析方法课件-XPS

Cu 3p Au 4f7/2 Ag 3d5/2 Cu L3MM Cu 2p3/2 Ag M4NN
75.140.02 83.980.02 368.270.02 567.970.02 932.670.02 1128.790.02
75.130.02 84.000.01 368.290.01 334.950.01 932.670.02 895.760.02
62
8.8 表面元素分布或图形化表征
63
8.8 表面元素分布或图形化表征
64
X射线光电子能谱法的特点:
①是一种无损分析方法(样品不被X射线分解); ②是一种超微量分析技术(分析时所需样品量少); ③是一种痕量分析方法(绝对灵敏度高)。 但X射线光电子能谱分析相对灵敏度不高,只能检测
CoOMoO3 / MgO Al2O3 CO H2O H2 CO2
46
8.3 表面元素化学态测定
47
8.3 表面元素化学态测定
化学态 不仅仅 是价态
48
8.3 表面元素化学态测定
应用于: 催化剂活性成份、组分间相互作用机理、 失效机理; 表面反应,表面改性; 表面工程; 腐蚀与防护。
X射线一般不是单 一的特征X射线,而 是还存在一些能量略 高的小伴线,所以导
致XPS中,除K1,2所
激发的主谱外,还有 一些小峰。
28
6.4.2 鬼峰(ghost peaks)
由于X射源的阳极可能不纯或被污染, 则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线 所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。
29
6.4.3 能量损失峰
C NH
51
8.4 表面修饰和改性 心脏瓣膜用肝磷酯处理
52
xps操作

第4节XPS软件的基本操作BSB XPS9.4.1 XPS的启动XPS有两种启动方式,一种是直接点击“开始”“程序” “Xilinx Platform Studio 9.1i” “Xilinx Platform Studio PACE”即可启动;另一种是在ISE中通过双击Embedded Processor类型的源文件来打开。
前者专门用于设计完备的嵌入式系统,也是本章主要讲述的方式;后者可将嵌入式设计作为ISE设计的一个子模块,在9.5.3节进行介绍。
9.4.2 利用BSB创建新工程在了解了EDK的基本概念以及完成软件安装后,接下来介绍如何利用EDK来开发嵌入式系统。
首先需要利用基本系统创建器(Base System Builder,BSB)向导来快速创建一个设计,然后再对其进行定制。
BSB是帮助用户快速建立系统的软件工具。
当用户希望创建一个新的系统时,XPS会自动调用BSB。
在BSB中,可以创建工程文件、选择开发版、选择和配置处理器以及I/O设备,添加内部外围设备,生成系统报告等。
BSB向导会自动完成以下工作:1.生成顶层工程文件(.xmp文件)Xilinx微处理器工程(Xilinx Microprocessor Project,XMP)文件是所开发嵌入式系统的顶层文件描述。
所有XPS工程信息都在XMP文件中得以保存,此文件包括微处理器硬件规范(Microprocessor Hardware Specification,MHS)和微处理器软件规范(Microprocessor Software Specification,MSS)文件的存储位置等,有关MHS 和MSS文件将在后面内容进行阐述。
XMP文件同时也包括了XPS将进行编译的C源文件和头文件的信息,以及SDK编译的可执行文件的信息。
2.选择/新建电路板这里包括两个选项:指定的目标板和用户自己设计的板。
如果选择前者,则BSB允许用户选择板上的外围设备,且其FPGA端口可以自动地匹配板子,同时也创建一个可以下载到板子上运行的完整平台和测试应用;而对于后者,用户可以基于一些已有的处理器核和外围设备核,按照需要添加处理器和外围设备。
《XPS检测分析方法》PPT课件

( X-ray Photoelectron Spectroscopy )
精选PPT
1
主要内容:
• XPS 的发展 • 基本概念 • XPS 的工作流程及原理 • 利用XPS谱图鉴别物质 • XPS的实验方法 • XPS谱图的解释步骤 • XPS 的特点
精选PPT
2
XPS 的发展:
•
EBF:电子结合能,电子脱离原子核及其它电子作
用所需的能量
•
ФS:逸出功(功函数),电子克服晶格内周边
பைடு நூலகம்
原子作用变成自由电子做需的能量。
•
Ek :自由电子动能。
精选PPT
7
• 俄歇电子(Auger electron):当原子内层电子光致电
离而射出后,内层留下空穴,原子处于激发态,这种 激发态离子要向低能态转化而发生弛豫,其方式可以 通过辐射跃迁释放能量,波长在X射线区称为X射线荧 光;或者通过非辐射跃迁使另一电子激发成自由电子, 这种电子就称为俄歇电子。对其进行分析能得到样品 原子种类方面的信息。
其过程为:
A+hν
(A+)*+e-(光电子)
A++ hν’(X荧光)
A2++e-(俄歇电子)
(原子序数Z<30的元素以发射俄歇电子为主)
精选PPT
两 者 只 能 选 择 其 一
8
俄歇电子产生过程图解:
俄歇电子e-
hv(X-ray荧光)
Energy
处于激发态离子 产生X-ray荧光过程
处于激发态离子 产生俄歇电子的过程
• 自旋-轨道偶合引起的能级分裂,谱线分裂成双 线(强度比),特别对于微量元素:
XPS原理(互联资料)

第18章X射线光电子能谱分析18.1 引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法,特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。
目前常用的表面成分分析方法有:X射线光电子能谱(XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。
AES分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究,而XPS的应用面则广泛得多,更适合于化学领域的研究。
SIMS和ISS由于定量效果较差,在常规表面分析中的应用相对较少。
但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。
本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。
X射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。
该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。
由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献,1981年,Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。
三十多年的来,X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。
XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析,业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。
XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。
目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。
在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。
在X射线源上,已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源;传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源;X射线的束斑直径也实现了微型化,最小的束斑直径已能达到6 m 大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。
图像XPS技术的发展,大大促进了XPS在新材料研究上的应用。
在谱仪的能量分析检测器方面,也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器,使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。
表界面分析(XPS)ppt课件
② 可用电荷势能模型解释。设有两个原子 A和B,当相距很远时,无化学位移可 言。当两者靠近时,设A的一个价电子 向B转移,表示如下:A+B → A+B-
• 式中,A+的价电子层较A失去一个电子 ,XPS测定A+的电子结合能较A升高E ,元素即的化化学学价位态移分正析是向XP移S分动析的E最重;要B的-应的用价之电一。 子层较B得到一个电子,XPS测得的B-
一、XPS概述
• XPS是用一束特征波长(能量hν)的X射线,激 发材料中有关原子轨道的电子,被击出的 电子成为光电子,光电子的动能(Ek)大小与 具体元素及其轨道结合能(Eb)存在对应关系 ,三者满足Einstein光电发射定律:
• E = hν- E
• 对于导电固体,Ek = hν- EB- Ws • 对于非导电固体,Ek = hν- EB- Ws+Ec
通常:取样深度 d = 3 ;
③ XPS电子的结合能:
• 结合能是指在某一元素的原子结构中某 一轨道电子和原子核结合的能量。结合 能与元素种类以及所处的原子轨道有关 ,能量是量子化的。结合能反映了原子 结构中轨道电子的信息。
• 对于气态分子,结合能就等于某个轨道
பைடு நூலகம்
• 结合能的理想解释
1. 光子和原子碰撞产生相互作用 2. 原子轨道上的电子被激发出来 3. 激发出的电子克服仪器功函进
, a) 主量子数小的壳层的峰比主量子数大的峰强,1s>2s谱带强度
; b) 同一壳层,角量子数大者峰强;
(4)固体表面谱线展宽:由于激发态寿 命的不确定性引起谱线展宽,寿命展宽约 为0.05~5eV。来自高结合能的内能级光 电发射的寿命展宽大于低结合能的价带光 发射。
XPS基础知识讲座
1.4 非导电样品的荷电校正
h e
荷电效应示意图
45000
Ba3d
40000 35000
Intensity / cps
30000 25000 20000 15000 10000 5000 0 900
880
860
840
820
800
780
Binding Energy / eV
克服荷电效应的方法
把样品制成尽可能薄的薄片 把非导电样品与导电样品紧密混合 在样品表面蒸镀极薄的导电层 在样品室安装低能电子中和枪
X射线光电子能谱 基础知识讲座
中国科学院化学研究所 刘芬 2005.10.21
地址 10号楼一层 电话 62553516
讲座目的
X射线光电子能谱能解决什么问题?
X射线光电子能谱怎样识别?
X射线光电子能谱要注意那些问题?
内容
1 基本原理及谱的认识 2 定性、定量分析和深度分析
3 实验时应注意的问题
氧化态增加
化学位移增加
例2 BeF2和BeO中 的Be具有相同的氧化 数(+2),
电负性F>O,
所以Be在BeF2中比 在BeO中具有更高的 氧化态.
例3 电负性 FOCH 四个碳原子在分 子中所处的化学 环境不同 所以在谱图上出 现四个位移不同 的C1s峰
2.3 定量分析
物理模型计算法 影响因素多,误差大, 运用不多 标准样品法 正确度较好,标样难制 备,应用有局限性
——表面元素化学成分和元素化学态分析 的分析技术
1.1
概述
第一本论著 1967年 K. Siegbahn等著 1980年K. Siegbahn获诺贝尔物理奖 商品化仪器 七十年代中 是一门比较新的谱学
xps 氟原子结合能
xps 氟原子结合能
(原创实用版)
目录
1.XPS 介绍
2.氟原子结合能的概念
3.XPS 在测量氟原子结合能中的应用
4.氟原子结合能的计算方法
5.结论
正文
1.XPS 介绍
XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 即 X 射线光电子能谱,是一种表征材料表面化学组成和电子状态的分析技术。
XPS 通过照射样品表面,将其电子激发出来,并通过测量电子的动能来确定样品表面元素的种类和化学状态。
2.氟原子结合能的概念
氟原子结合能指的是在标准状态下,将一个氟原子从气态转变为固态时需要的最小能量。
它是衡量氟原子与其他原子结合强度的重要参数,对于研究材料表面氟化物的形成和稳定性具有重要意义。
3.XPS 在测量氟原子结合能中的应用
XPS 可以用于测量氟原子结合能,因为它可以测量样品表面氟原子的化学状态和电子状态。
通过分析 XPS 谱图中的氟原子峰位和强度,可以确定氟原子的化学环境和结合能。
4.氟原子结合能的计算方法
氟原子结合能的计算方法通常有两种:一种是通过对比不同元素的结
合能来推算氟原子的结合能,另一种是通过 XPS 谱图拟合来确定氟原子的结合能。
第一种方法需要已知其他元素的结合能数据,而第二种方法需要进行 XPS 谱图的拟合分析。
5.结论
XPS 是一种重要的表面分析技术,可以用于测量氟原子的化学状态和电子状态,从而推算出氟原子的结合能。
XPS分析价态ppt课件
Al K
Mg K
Cu 3p
Au 4f7/2 Ag 3d5/2 Cu L3MM Cu 2p3/2 Ag M4NN
75.140.02 83.980.02 368.270.02 567.970.02 932.670.02 1128.790.02
75.130.02 84.000.01 368.290.01 334.950.01 932.670.02 895.760.02
X射线光电子谱(XPS)
1
XPS 引言
X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它不仅能探 测表面的化学组成,而且可以确定各元素的化学状态,因 此,在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用。
X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同 事经过近20年的潜心研究而建立的一种分析方法。他们发 现了内层电子结合能的位移现象,解决了电子能量分析等 技术问题,测定了元素周期表中各元素轨道结合能,并成 功地应用于许多实际的化学体系。
能量零点
对于导电的固体样品,其结合能的能量零点是其 Fermi能级。
在实际的工作中,是选择在Fermi能级附近有很高状 态密度的纯金属作为标样。
在高分辨率状态下,采集XPS谱,则在EBF=0处将出
现一个急剧向上弯曲的谱峰拐点,这便是谱仪的坐标 零点。
26
XPS X射线光电子谱仪的能量校准
23
XPS X射线光电子谱基本原理
结合能参照基准
对于气态XPS,测定的结合能与计算的结合能是
一致,因此,可以直接比较对于导电固体样品,
测定的结合能则是以Fermi能级为基准的,因此,
同计算结果对比时,应用公式进行换算。
E
V B
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3S:光谱支项——仅一项(J=1) ,3S1 它又可分裂成3项:MJ=±1,0 简并度:3 (L=0,S=1)
3P:光谱支项3项(J=2,1,0) 3P2 , 3P1 , 3P0 3S2:MJ=±2,±1,0 (5项) 3S1:MJ=±1,0 (3项) 3S0:MJ= 0(1项)
简并度:9 (L=1,S=1)
h Eb Ek
自由分子:
h Eb Ek Ev Er
分子振动能 vibration energy
分子转动能 rotation energy
光电离过程是一个电子跃迁过程,但它有别于一般电子的吸收和发射过程,它不需遵守一定的选择定则,任何轨道上的电子都会被 电离。光子与物质原子分子碰撞后将全部能量传给原子中的电子而自身湮没,它是一个共振吸收过程满足条件h ν=∆E
XPS的主要特点是它能在不太高的真空度下进行表面分析研究,这是其它方法都做不到的。当用电子束激发时,如用AES法,必须使用超 高真空,以防止样品上形成碳的沉积物而掩盖被测表面。X射线比较柔和的特性使我们有可能在中等真空程度下对表面观察若干小时而不 会影响测试结果。此外,化学位移效应也是XPS法不同于其它方法的另一特点,即采用直观的化学认识即可解释XPS中的化学位移,相比 之下,在AES中解释起来就困难的多。
18
非弹性背底
高能量的背底源于靠近表面 非弹性散射的电子,因为它 们数量多,又能量损失小, 所以在能量较高的谱图位置 显示较高的背底。
XPS谱显示出一特征的阶梯状背底,光电发射峰的高结合能端背 底总是比低结合能端的高。这是由于体相深处发生的非弹性散射过程 (外禀损失)造成的。平均来说只有靠近表面的电子才能无能量损失 地逸出,在表面中较深处的电子将损失能量,并以减小的动能或增大 的结合能的面貌出现。在表面下非常深的电子将损失所有能量而不能 逸出。
原子态(光 6S
7S
5S
谱项)是
d各轨道都被 单一电子占 据,总角动量 =0
p添满, 总角动量 =0
s轨道电子的 角动量=0
Mn+离子的3s轨道电离时的两种终态
12
注:如何计算光谱项简并度?
注意光谱项一般表示方法:2S+1L
7S:光谱支项——仅一项(J=3),7S3 它又可分裂成7项:MJ=±3,±2,±1,0 简并度:=(2L+1)(2S+1)=7 (即原子状态7S包含7种微观能态)
8
光电子强度
电离过程中产生的光电子强度与整个过程发生的几率有 关,后者常称为电离截面σ。一个原子亚壳层的总截面 σn,l 与电子的主量子数n 和角量子数l 有关。当 n 一定 时,随 l 值增大,σn,l 也增大;当 l 一定时,随 n值增 大,σn,l 值变小。轨道电子结合能与入射光能量愈接近电 离截面σ愈大,而后随光子能量的不断增加而缓慢下降, 这是因为入射光总是激发尽可能深的能级中的电子;对于 同一壳层,原子序数Z 愈大的元素电离截面σ愈大。
15
化学位移: Ti
如对于Ti和Ti4+的Ti 2p1/2和Ti 2p1/2的化学位移。电荷从Ti→Ti4+减 少,所以2p轨道弛豫到较高结合能位置。
化学位移与原子上的总电荷有关 电荷减少→结合能EB增加
取代物的数目 取代物的电负性 形式氧化态
化学位移信息对官能团化学环境和 氧化态是非常有力工具
16
j= 1/2 (l-1/2), 3/2 (l+1/2)
20
XPS及其伴峰之总结
自旋轨道分裂
多重分裂
自旋-自旋耦合,价壳层有未配
2p3/2能级的微观状
对电子,如Na原子、过渡金属
结
态数比2p1/2多,所
原子或者离子
以峰比较高
合
能
2p
2p3/2
2p3/2
2p1/2
2p1/2
2s
2s
2s
binding energy
L−l≤L′≤L+l, S′=S±1/2, S′≥0
l 表示发生电离轨道的角量子数
10
多重分裂(静电分裂) 示意图
价壳层拥有未配对的电子
3s -
X射线激出电子1或电子2造成的终态是不同的。激出电 子1,终态的两个未配对电子自旋相反,总自旋S=1/2-
1/2=0,原子终态为1S;激出电子2,终态的两个未配
19
俄歇电子谱线/峰 (Auger lines).
由弛豫过程中(芯能级存在空穴后) 原子的剩余能量产生。它总是伴随 着XPS ,具有比光电发射峰更宽和 更为复杂的结构,位置一般在较高 的结合能(低光电子动能)处。其 动能与入射光子的能量h ν无关。 属于多能级多电子过程。
俄歇电子的标识:如KLL 或 KL2L3
能的关系图。
4
X射线光电子能谱——XPS
光电效应
1 光电子发射过程
结合能 binding energy
非弹性 碰撞损 失能量
克服表面势垒的 逸出功/功函数 =EV-EF (EV 真 空能级;EF 费 米能级)
动能 kinetic energy
固体:
h Eb A s Ek
自由原子:
eϕ是表面势垒(固体表面是金属,则为功函数) (1) Siegbahn用X-射线辐射测定特定轨道的电离能:
Ekin (i) hν − I p (i)
3
各种特征谱分析——3. 光电子能谱
X射线光电子能谱——XPS
用X射线激出原子内壳层电子,测量这些电子的动能或者结 合能,得到芯电子强度对芯层电子动能或结合能的关系图。
2p(已添满) 对电子自旋相同,总自旋S=1/2+1/2=1,原子终态为 - - 2s (已添满)3S 。注意结合能等于原子始态和终态的能量差。
--
1 2 1s
注意两峰的面积之比接近简并度(多重性)之比 (3:1),且自旋相同的状态3S,结合能较低。
NaOH
+ 3S
1S
Na
11
多重分裂(静电分裂) 4 示意图
用俄歇过程初态空位所在能级(如K)、向空位
L3
作无辐射跃迁的电子原在能级(如L2)及所发射电
L2
子原在能级的能级符号(如L3)联合表示。
L1
l=0(S),1(P),2(D) 注意电子能级有两种表示:
符号 K L1 L2
L3 M1 M2 M3 M4 M5
K
能级 1S 2S 2P1/2 2P3/2 3S 3P1/2 2P3/2 3D3/2 3D5/2
当原子或自由离子的价壳层拥有未配对的自旋电子,即当体系的总 角动量J不为零时,那么光致电离所形成的内壳层未配对电子将同价轨 道未配对电子发生自旋-自旋耦合,使体系出现不只一个终态,相应于 每个终态,在XPS谱图上将有一条谱线对应,这就是多重分裂。
对于一般具有未填满价壳层电子的体系,如设初始轨道和自旋角动 量为L、 S ,电离后终态离子的轨道和自旋角动量为L’、 S’ ,则电离 前后的角动量间应满足选择定则:
《固体表面物理化学》
第6讲 X射线光电子能谱(XPS)
2011/11/19
1 1
催化剂的活性中心
Au
CO + O2
CO2
Au, Au+, Au3+
Aux+ Aux+ Aux+ Au Particle
XPS: 分析固体表面组成及价态。
2
Einstein的光电效应方程:
Ekin (max) hν − eϕ
俄歇电子能谱——AES
用X射线或者电子束激出原子内壳层电子而出现空位,外层
电子向内层电子跃迁,多余能量或者以特征X射线形式或者以发
射另一个内壳层电子(称为俄歇电子)的形式释放。
紫外线光电子能谱——UPS
X射线荧光光谱
用紫外线激出原子/分子外层(价层/价带)电子,测量这些
电子的动能或者结合能,得到价层电子强度对芯电子动能或结合
这里Eb为内层电子结合能,Vn为核势,Vv为价电子排斥势,为负值。 原子氧化后价轨道留下空穴,排斥势绝对值变小,核势的影响上升,使 内壳层向核紧缩,结合能增加。反之,原子在还原后,价轨道上增加新的价 电子,排斥势能绝对值增加,核对内壳层的作用因价电子的增加而减弱,使 内壳层电子结合能下降,所以氧化与还原对内层电子结合能影响的规律有 氧化作用使内层电子结合能上升,氧化中失电子愈多,上升幅度愈大。 还原作用使内层电子结合能下降,还原中得电子愈多,下降幅度愈大。 对于给定价壳层结构的原子,所有内层电子结合能的位移几乎相同。 化学位移的某些经验规律 a) 同一周期内主族元素原子的内层结合能位移 ∆Eb将随它们的化合价升高成线性增加,而过渡金属元素的化学位移随化合 价的变化出现相反规律。b) 分子中某原子的内层电子结合能位移量∆Eb同和 它相结合的原子电负性之和ΣX有一定的线性关系(Group shift method)。
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多重分裂(静电分裂) 5 示意图 图中两个峰哪个峰对应于5S,哪个峰对应于7S ?两峰的 面积之比 接? 近简并度(多重性)之比(7:5)
5S 7S
MnF2的Mn3s电子的XPS谱
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谱峰的化学位移
原子因所处化学环境不同而引起的内壳层电子结合能变化,在谱图上 表现为谱峰的位移,这种现象即为化学位移。 所谓某原子所处化学环境不同有两方面的含义:一是指与它相结合的 元素种类和数量不同,二是指原子具有不同的化学价态。
化学位移: 例 例 三氟醋酸乙酯中C1s轨道电子结合能位移.
聚合物中碳C 1s 轨道电 子结合能大小顺序 C−C < C−O <C=O < O−C=O < O−(C=O)−O 由于随氧原子与碳原子成 键数目的增加,碳将变得 更加正荷电,导致C1s 结 合能Eb 的增加。
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化学位移: 定性图象