八款可控硅调压器电路图
晶闸管(可控硅)调压电路
晶闸管调压电路2.3.1单相调压电路工作电路如图2.6（a）所示，R-L负载是交流调压器最一般化的负载。
显然，两只晶闸管门极的起始控制点应分别定在电源电压每个半周的起始点，α的最大范围是0<α<π。
正、负半周有相同的α角。
图2.6阻感负载单相交流调压电路[4]在一个晶闸管导电时，它的管压降成为另一晶闸管的反向电压而截止。
于是在一个晶闸管导电时，电路工作情况和单相半波整流时相同，负载电流i o 的表达式即为下述微分方程式之解。
t U Ri dtdi Lo oωsin 21=+ （2.12） 解该方程得：φωαφαφωtg t o e t ZU i ----=)sin()[sin(21（2.13）θαωα+≤≤t式中, 2122])([L R Z ω+=；RLtg ωφ1-=；θ为晶闸管导通角。
另一晶闸管导电时,情况完全相同，只是o i 相位差180度。
与单相半波整流不同的是,现在有两个晶闸管，分别在电源的正、负半周工作，所以每个晶闸管的导通角θ不可能大于180度，而单相半波整流时，视不同的φ，θ可大于180度。
负载电流波形图2.6（a ）所示。
导通角θ可由边界条件求得。
当θαω+=t 时，o i =0，将此条件代入式（2.13），得φθφαφθαtg e--=-+)sin()sin( （2.14）以φ为参变量，θ与α间的关系为单相半波阻感负载时的普 遍关系。
现在，针对交流调压器，应附加o 180≤θ的条件，于是 得以φ为参变量的θ与α的关系，如图3.2所示。
图2.7中各曲线上o 180=θ的点都对应于φα=，换句话说，把φα=代入式（2.14）求得的每个晶闸管的导通角应为o 180=θ。
如将φα=代入式（2.13），得出o i 的表达式只有稳态分量，即)sin(21φω-=t ZU i o （2.15） φπωφ+≤≤t另一半周的工作情况也完全相同，负载电流成为完全的正弦波，负载电路这时获得最大功率，相当于晶闸管此时已被短接。
可控硅控制电路图解及制作13例
可控硅控制电路图解及制作13例可控硅是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN 组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
简易单向可控硅12V触摸开关电路触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。
触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。
如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，活动导入以可控硅实际应用案例的展示，以激发学生的活动兴趣。
可控硅控制电路的制作13例1：可调电压插座电路如图，可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机)，使用时只要把用电器的插头插入插座即可，十分方便。
V1为双向二极管2CTS，V2为3CTSI双向可控硅，调节RP可使插座上的电压发生变化。
2：简易混合调光器根据电学原理可知，电容器接入正弦交流电路中，电压与电流的最大值在相位上相差90°。
可控硅调压器电路图大全（八款模拟电路设计原理图详解）
可控硅调压器电路图大全（八款模拟电路设计原理图详解）可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
可控硅调压器电路图（一）可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系列。
可控硅调压器电路图（二）在很多使用交流电源的负载中，需要完成调光、调温等功能，要求交流电源能平稳地调节电压。
图205所示，是一种筒单交流调压器，可代替普通交流调压器，体积小、重量轻、控制方便。
工作原理电源经电阻R，和电位器W 向电容C充电。
WSM315(可控硅)原理图
0M
-+
M1 AC LS2
A
CN1
CN16
CN13
CN11
CN9
—
LED1
DC
— —
B
A
水水水
R23 470R
CN2
CN1
R21
S7
Title Size A2 Date: File:
基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基基基 基基基基 基基基基 基基基基
有 有 有 有 反无 反无 反 反 反无 反无 反 反
点手手 点手手 点手手 点手手 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点点 点点 点点 点点
C15 0.47u R11 10R
C11 0.15u SCR2
14k 45g 13a
80
21 12
R12 10R
19
19
19 T4 6/22
20
X3
C12 0.15u
CN1
AC 13 DC DC
S1(2/2)
13 1
C
19 100V
35
30R/80W 1 18 2 R7 3 34 30R/30W 4 35
黄 清温 黄 清温 黄 清温 黄 清温
红 异异 红 异异 红 异异 红 异异
电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电电基基 电电基基 电电基基 电电基基
清清清清 清清清清 清清清清 清清清清
）（ ）（ ）（ ）（
FNZ-24-250 D
2 39 1
CN6
4 8
MS1
1 2 3 4
FAN
1
2
3
4
5
6
7
8
24
常用可控硅调速调光电路
常用可控硅调速调光电路(图)
作者：佚名文章来源：不详更新时间：2008年08月08日浏览：1620人次
典型的120V可控硅调光器电路图
另一种120V可控硅调光器电路图
用于230V白炽灯的大功率双向晶闸管调光器电路图
可控硅应用电路举例
用电路_直流可控硅触发电路：如图G2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A点电压也变高，当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通，可控硅D受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ熔断，从
用电路_相位可控硅触发电路：相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图G3，这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。
当R值较少时，RC时间常数较少，触发信号的相移A1较少，因此负大时，RC时间常数较大，触发信号的相移A2较大，因此负载获得较少的电功率。
这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。
用氖灯触发的大功率双向可控硅调光器电路图
简易单向晶闸管调光器电路图
别对电源的正半波及负半波进行整流后对C1或C2充电，RW1用来调节触发时间，由于调节后的移相量不同，就可以达到改变输出电压的目的。
本电路利用了电容器在正弦波交流电路中的电压与电流相位差最大规的RC串联电路更稳定。
基础知识可控硅调压
基础知识可控硅调压
原创作者：晓月池塘
基础知识/可控硅调压
可控硅调压应用广泛，简单可靠，可用于调速调光或电加热。
图一，经典应用
工作原理：R1、RP、R3、C1、C2、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅VT, 使VT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
调节RP 阻值，即可改变VT的导通角，达到调节负载电压的目的。
可用于家庭台灯调光、电熨斗、电热毯的调温及电风扇调速等。
可控硅功率决定使用功率大小。
图二，市售成品模块
图三
图四，光耦隔离可控硅调压
图五，光耦隔离可控硅成品模块
欢迎大神们交流探讨，分享经验，共同提高！
转载请注明出自“头条号/低压电工”。
可控硅调速电路图大全（六款可控硅调速电路设计原理图详解）
可控硅调速电路图大全（六款可控硅调速电路设计原理图详解）可控硅特性1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅工作原理在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成，如下图所示。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制极G端输入正向触发信号，使得BG2管有基极电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。
而ic2沿电路流至BG1的基极，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。
此电流又流回BG2的基极，使得BG2的基极电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。
由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制极G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
可控硅晶闸管调光电路
单向可控硅调压电路
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
八款可控硅调压器电路图
首先可控硅是一种新型的半导体器件，其次它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
可控硅调压器电路图（一）
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1
由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、。