可控硅调压电路图
可控硅控制电路图解及制作13例
可控硅控制电路图解及制作13例可控硅是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN 组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
简易单向可控硅12V触摸开关电路触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。
触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。
如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，活动导入以可控硅实际应用案例的展示，以激发学生的活动兴趣。
可控硅控制电路的制作13例1：可调电压插座电路如图，可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机)，使用时只要把用电器的插头插入插座即可，十分方便。
V1为双向二极管2CTS，V2为3CTSI双向可控硅，调节RP可使插座上的电压发生变化。
2：简易混合调光器根据电学原理可知，电容器接入正弦交流电路中，电压与电流的最大值在相位上相差90°。
三相可控硅触发板说明电路图
三相移相可控硅触发器产品例图产品型号TSCR-B三相可控硅触发器优特点：只要个信号：（多种控制信号输入：DC 4-20mA、DC 1-5V、10k电位器），就能给出最佳线性，任意调温调速调压。
可直接触发800A以下的晶闸管另有3000A以下的触发板。
本控制板由进口高性能单片机作为控制、运算放大器、脉冲变压器等单元组成。
可以与各种自动化仪表配套使用，对仪表无干扰，也可以外接电位器手动控制，额定电压：AC380-440产品系列：TR电流性质：交流额定电流：800A 线圈功率：75mA触点切换电流：1触点切换电压：1防护特征：敞开式触点负载：弱功率应用范围：固态型号：TSCR-B吸合电流：1释放电流：1品牌：月盛触点形式：模拟量控制适应电路三相全控桥式可控整流电路带平衡电抗器的双反星形可控整流电路变压器原边交流调压，副边二极管整流电路三相零式整流电路三相半控桥式可控整流电路三相交流相控调压电路三相五柱式双反星形可控硅整流电路三相可控硅触发板接线图（全控整流）三相可控硅触发板接线图（相位调压）.一、可控硅模块产品概述：1.散热能力最强，同等条件温升最低且长期稳定2.外形长方型，环氧树脂灌封(模块)。
3.使用时需配适当散热器，必要时加强迫风冷。
4.国际标准封装。
5.阻燃工程塑料外壳，黄铜底板6.用途广范:如电气开关柜,自动化控制，大功率设备等二.以下是可控硅模块参数:.型号MTC-100A MTC-150A MTC-200A 额定工作电压1200V，1700V反向重复峰值电压800-1200反向重复峰值电流≤20mA浪涌电流ITMS(A) 2980门极触发电流（ma）≤150门极触发电压（V）≤2.5VDC维持电流IH(mA) ≤150通态压降VTM(V) ≤1.8通态门槛VTO(V) 0.80结壳热阻Rth（j-c）0.20（C/W）内部电路工作温度—35～75 ℃散热条件≥25A配散热器,≥40A再加风扇强冷外形尺寸94.0长×38.0高×35.0宽重量168g三.可控硅模块外形尺寸和安装接线图:(单位:mm).四.月盛可控硅模块型号对照表：如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。
可控硅调压电路原理
可控硅调压电路原理
可控硅调压电路原理是一种常见的电子调节电压的方法。
它通过可控硅器件（又称二极管可控整流器）控制电流的导通时间来调节输出电压的大小。
可控硅器件是一种具有三个电极的半导体元件，包括主电极、控制电极和门极。
当在主电极与控制电极之间加上一定的正向电压，使得主电极与控制电极之间的结反向偏置矩形区域变窄，从而使得可控硅器件产生导通状态。
而若在主电极与控制电极间施加一定的反向电压，或是通过门极施加一个周期性的触发信号，可控硅器件将被迫断开导通状态。
可控硅调压电路主要由可控硅器件、控制电路和功率元件组成。
在控制电路中，通过对可控硅器件主、控制电极之间的脉冲信号的调节，控制器件导通时的时间和导通周期的比例。
在功率元件中，通过将可控硅器件与负载（如电阻、电感或电容）相连，使得输出电压与负载的关系得到控制。
可控硅调压电路的工作原理是将输入电源的交流电转换为直流电。
当输入电压施加到可控硅调压电路时，可控硅器件会在每个正弦周期的起始瞬间导通，从而导致电流在主电极和控制电极之间流通。
然后，可控硅器件会在每个正弦周期的结束瞬间断开导通。
因此，通过控制可控硅器件的导通时间和导通周期的比例，可以调节输出电压的大小。
总的来说，可控硅调压电路通过控制可控硅器件导通时间的长
短，实现对输出电压的调节。
这种电路具有简单、稳定、可靠的特点，在许多电子设备中广泛应用。
可控硅的工作原理(带图)
可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN 结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，惟独使器件中的电流减到低于某个数值或者阴极与阳极之间电压减小到零或者负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30 是可控硅的伏安特性曲线。
)；当有控制极信号时，正图中曲线I 为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就再也不浮现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或者负载电阻增加)，导致阳极电流小于时，可控硅从导通状态即将转为正向阻断状态，回到曲线I 状态。
维持电流IH曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(惟独很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才蓦地增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才干保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
可控硅在单相电机中的调速电路
可控硅在单相电机中的调速电路发布时间:2009-12-09 09:44本文介绍一种简易电机调速电路，不用机械齿轮转化来变速，改善了机械设备使用的效率。
此简易电子调速电路适用于220V市电的单相电动机，电机额定电流在6.5A以内，功率在1kW左右，适用于家庭电风扇、吊扇电机及其它单相电机，若电路加以修改，则可作调光、电磁振动调压、电风扇温度自动变速器等用途。
其电路如图1所示。
硅二极管VD1~VD4构成一个桥式全波整流电路，电桥与电机串联在电路中，电桥对可控硅VS提供全波整流电压。
当VS接通时，电桥呈现本电机串联的低阻电路。
当图1中A点为负半周时，电流经电机、VD1、VS、R1、VD3构成回路，当B 点为正半周时电流经VD2、VS、R1、VD4、电机M构成回路，电机端得到的是交变电流。
电机两端的电压大小主要决定于可控硅VS的导通程度，只要改变可控硅的导通角，就可以改变VS的压降，电机两端的电压也变化，达到调压调速的目的，电机端电压Um=U1-UVD1-Uvs-UR1-UVD3，上式中，UVD1、UVD3的压降均很小，而反馈UR1也不大，故电机端电压就简化为Um=U1-Uvs。
可控硅VS的触发脉冲靠一只简单的单结晶体管VS电路产生，电容器C2通过电阻R4、R5充电到稳压管DW的稳定电压UZ，当C2充电到单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管就触发，输出脉冲而使可控硅导通。
在单结晶体管发射极电压充分衰减后，单结晶体管就断开，VS一经接通，那么a、b两点之间的电压就下降到稳压管DW的稳定电压UZ以下，电容器C2再充电就依赖于点a到b点间的电压，因稳压管的电压已经降低到它的导通区域以外，点a到b点的电压取决于电动机的电流、R1和VS导通时的电压降。
这样，当VS导通时，电容器C2的充电电流取决于电动机的电流，在这种情况下便得到了反馈，这就使得电动机在低速时转矩所受损失的问题得到补救。
反馈电阻R1的数值经过实验得出，因此，VS在导通周期的时间内，电容C2便不能充电到足以再对单结晶体管触发的高压，然而，电容C2会充电到电动机电流所决定的某一数值。
简单可控硅充电机制作四款可控硅充电机电路图详解
简单可控硅充电机制作四款可控硅充电机电路图详解在现代社会中，电器的使用越来越频繁，充电器也成为了我们生活中必不可少的用品之一。
然而，不合格的充电器可能会造成安全事故，使用不当可能会损坏电器，因此对于充电器的制作，我们需要严格遵循相关的规定和标准。
可控硅充电机电路图是充电器制作中常用的一种电路，本文将会介绍四款可控硅充电机电路图的详细制作过程。
一、单管稳压可控硅充电机电路图单管稳压可控硅充电机电路图如下：+---------------------+| |R1 || |+---+ / +------+ /| | \\ | | \\ E1| |_ |/---+ | / MOC3063AC | --/\\/\\/----|VO_____| \\| _|_ |\\---+ | || | | | | | |+---+ C1 | +------+ || |+---------------------+其中，元器件描述如下：•R1：2.2 kΩ 横向，1/4W 金属膜电阻•C1：0.1 μF，250V 陶瓷电容器•MOC3063: 隔离型三端高速可控硅输出光耦，用于隔离控制电路和功率电路。
•VO：触发电压，可根据实际需要进行调整。
在制作单管稳压可控硅充电机电路时，需要注意以下几点：•电阻R1的阻值需根据电源电压和电路电流进行选择，保证可控硅的正向电流灭火电流不小于电路电流（额定载流量）；•需要进行触发电流的选择，尽可能使得触发性能优良，可以选择超过5 mA的稳定电流源。
二、双晶体双向可控硅充电机电路图双晶体双向可控硅充电机电路图如下：+--------------+/ | \\/ *T1 (2N6661) \\/ ,--C1 | C2 --. \\+--|_ / | ,--|+CD---+| | |/ R1 +----|>| (_) | __Load__ +--VAL (AC)--|--+--+-----------<| ( ) +--|______| | | +-------------|<-|+CD---+| \\ || \\ |\\ / / _ \\ R2\\ / --- | /\\/\\/\\/\\----|>| -------+vo DC+\\__________/ |/ |_____ __|______|其中，元器件描述如下：•T1：2N6661 双向隔离型可控硅•R1：2KΩ，1/4W 金属膜电阻•R2：1KΩ，1/2W 碳膜电阻•C1：0.15 μF, 630 版电解电容•C2：0.1 μF, 630 版陶瓷电容在制作双晶体双向可控硅充电机电路时，需要注意以下几点：•确保稳压电源的稳定性，否则会影响充电器的充电效果。
可控硅电机调速电路
本文介绍一种简易电机调速电路，不用机械齿轮转化来变速，改善了机械设备使用的效率。
此简易电子调速电路适用于220V市电的单相电动机，电机额定电流在6.5A 以内，功率在1kW左右，适用于家庭电风扇、吊扇电机及其它单相电机，若电路加以修改，则可作调光、电磁振动调压、电风扇温度自动变速器等用途。
其电路如图1所示。
硅二极管VD1~VD4构成一个桥式全波整流电路，电桥与电机串联在电路中，电桥对可控硅VS提供全波整流电压。
当VS接通时，电桥呈现本电机串联的低阻电路。
当图1中A点为负半周时，电流经电机、VD1、VS、R1、VD3构成回路，当B 点为正半周时电流经VD2、VS、R1、VD4、电机M构成回路，电机端得到的是交变电流。
电机两端的电压大小主要决定于可控硅VS的导通程度，只要改变可控硅的导通角，就可以改变VS的压降，电机两端的电压也变化，达到调压调速的目的，电机端电压Um=U1-UVD1-Uvs-UR1-UVD3，上式中，UVD1、UVD3的压降均很小，而反馈UR1也不大，故电机端电压就简化为Um=U1-Uvs。
可控硅VS的触发脉冲靠一只简单的单结晶体管VS电路产生，电容器C2通过电阻R4、R5充电到稳压管DW的稳定电压UZ，当C2充电到单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管就触发，输出脉冲而使可控硅导通。
在单结晶体管发射极电压充分衰减后，单结晶体管就断开，VS一经接通，那么a、b两点之间的电压就下降到稳压管DW的稳定电压UZ以下，电容器C2再充电就依赖于点a到b点间的电压，因稳压管的电压已经降低到它的导通区域以外，点a到b点的电压取决于电动机的电流、R1和VS导通时的电压降。
这样，当VS 导通时，电容器C2的充电电流取决于电动机的电流，在这种情况下便得到了反馈，这就使得电动机在低速时转矩所受损失的问题得到补救。
反馈电阻R1的数值经过实验得出，因此，VS在导通周期的时间内，电容C2便不能充电到足以再对单结晶体管触发的高压，然而，电容C2会充电到电动机电流所决定的某一数值。
可控硅交流调压器的工作原理及其相关应用
可控硅交流调压器的工作原理及其相关应用基本介绍可控硅交流调压器：是一种以可控硅(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器，简称可控硅调压器，又称可控硅调功器，可控硅调整器，晶闸管调整器，晶闸管调压器，电力调整器，电力调压器，功率控制器。
具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快体积小、重量轻、效率高、寿命长、以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
工作原理可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0、3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
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可控硅调压电路图
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电
压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。