专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案
专升本《集成电路版图设计》一、（共75题,共150分）1. 单词“LAYOUT”的含义是:（）。
（2分）A.版图B.电路C.输出.标准答案：A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。
（2分）A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案：A3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。
对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。
（2分）A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案：B4. 在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案：A5. 电容的标准单位是（）。
（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。
（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。
（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B8. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。
（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。
重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。
（2分）A.最大 B.最小 C.任意.标准答案：A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。
（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。
（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A12. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。
（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A13. MOS晶体管是一种（）控制器件。
专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案
专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性.标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区.标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态.标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻.标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。
（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大.标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动.标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补.标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区.标准答案：A 9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻.标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模.标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分） ( ).标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
模拟集成电路设计期末试卷..
模拟集成电路设计期末试卷..《模拟集成电路设计原理》期末考试⼀．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相⽐，MOS器件的尺⼨很容易按____⽐例____缩⼩，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放⼤应⽤时，通常使MOS管⼯作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表⽰电压转换电流的能⼒。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较⼩___（较⼤、较⼩）。
4、源跟随器主要应⽤是起到___电压缓冲器___的作⽤。
5、共源共栅放⼤器结构的⼀个重要特性就是_输出阻抗_很⾼，因此可以做成___恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输⼊电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流⽽不受⼯艺和温度的影响，实际应⽤中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进⼀步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为⽅便求解，在⼀定条件下可⽤___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使⽤的有源电流镜结构如下图所⽰，电路的输⼊电容C in为__ C F（1－A）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反⽐__（正⽐、反⽐）。
⼆．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS⼯艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同⼀衬底上，其中某⼀类器件要做在⼀个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，⼀个“弱”的反型层仍然存在，并有⼀些源漏电流，甚⾄当V GS3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增⼤时，实际的反型沟道长度逐渐减⼩，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ??为电路的等效跨导，来表⽰输⼊电压转换成输出电流的能⼒ 5、⽶勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。
模拟cmos集成电路设计课后题
模拟CMOS集成电路设计课后题在现代电子科学领域中，模拟CMOS集成电路设计是一门重要的课程，它涉及到电子工程中的基本原理和技术，对从事电子电路设计和集成电路制造的专业人员来说，具有非常重要的意义。
而课后题作为知识的巩固和扩展，对于深入理解和掌握这门课程也至关重要。
接下来，我将针对模拟CMOS集成电路设计课后题进行深度和广度兼具的全面评估，并据此撰写一篇有价值的文章。
一、基本概念解释1. 什么是模拟CMOS集成电路设计？模拟CMOS集成电路设计即使用CMOS工艺制作的模拟电路。
它在数字电路的基础上加入了模拟电路。
2. 课后题的重要性课后题是对课堂所学知识的巩固和拓展，通过解答课后题可以帮助学生更深入地理解和掌握课程内容，提高解决问题的能力。
二、课后题解析1. 请列举一些模拟CMOS集成电路设计的常见应用？模拟CMOS集成电路设计常见的应用包括放大电路、滤波电路、比较器、运算放大器等。
2. 什么是CMOS工艺？CMOS是指互补型金属氧化物半导体技术，它是当今集成电路工艺的主流之一。
CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的抗干扰能力等特点。
3. 请解释CMOS集成电路的工作原理。
CMOS集成电路由N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管组成。
当输入电压改变时，两个晶体管的导通状态都会随之改变，从而实现信号的放大和处理。
4. 请说明模拟CMOS集成电路设计中需要考虑的主要因素？在模拟CMOS集成电路设计中，需要考虑的主要因素包括功耗、速度、噪声、线性度、稳定性等。
5. 如何进行模拟CMOS集成电路的性能指标评估？模拟CMOS集成电路的性能指标评估包括静态指标和动态指标两部分，静态指标包括增益、带宽、输入输出阻抗等；动态指标包括上升时间、下降时间、过冲、欠冲等。
三、个人观点和总结从我个人的观点来看，模拟CMOS集成电路设计是电子工程领域中非常重要的一门课程，通过课后题的解答可以更好地理解和掌握课程中的知识点，培养自己的问题解决能力。
模拟集成电路设计考核试卷
B.乘法器
C.除法器
D.微分器
12.以下哪种放大器配置的输入阻抗最高？（）
A.共源
B.共栅
C.差分
D.电压跟随器
13.在模拟集成电路中，以下哪个参数影响放大器的热噪声？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
14.以下哪个组件在模拟集成电路中用于调节电压？（）
A.运算放大器
B.电压比较器
C.电压基准
D.电流镜
15.关于电流镜的描述，列哪项是正确的？（）
A.提供电流增益
B.用于电压放大
C.用于电流采样
D.仅用于数字电路
16.以下哪种类型的反馈在放大器设计中可以稳定增益？（）
A.电压反馈
B.电流反馈
C.负反馈
D.正反馈
17.在模拟集成电路设计中，以下哪个参数影响放大器的功率消耗？（）
A.增益
B.驱动能力
A.功能测试
B.性能测试
C.热测试
D.安全测试
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.模拟集成电路设计时，以下哪些因素会影响MOSFET的阈值电压？（）
A.栅极长度
B.源漏间距
C.主体区掺杂浓度
D.温度
2.以下哪些是模拟集成电路中常见的噪声来源？（）
A.增益带宽积
B.开环增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
9.在模拟集成电路中，下列哪个部分通常用于实现模拟开关的功能？（）
A. MOSFET
B.二极管
C.晶体管
D.运算放大器
10.以下哪种类型的滤波器在模拟信号处理中用于去除高频噪声？（）
专升本《集成电路工艺技术基础》_试卷_答案
专升本《集成电路工艺技术基础》一、（共34题,共150分）1. 恒定电场条件下，按照微电子工艺下器件的等比例缩小原则，若器件的几何尺寸等比例缩小k倍，则衬底掺杂浓度N应该________k倍，电压Vdd应该________k倍，芯片密度则提高________ 倍。
（6分）.标准答案：1. 提高;2. 缩小;3. k2;2. 拉制单晶的过程包括________、________、________、________、________及________。
（12分）.标准答案：1. 熔硅;2. 引晶;3. 收颈;4. 放肩;5. 等径生长;6. 收晶。
;3. 影响氧化速率的因素有________、________、________、________及________等。
（10分）.标准答案：1. 温度;2. 压强;3. 晶向;4. 掺杂浓度;5. 杂质类型（掺氯）; 4. 掺杂是指在衬底选择区域掺入定量杂质，包括________________和________________两项工艺。
（4分）.标准答案：1. 扩散掺杂;2. 离子注入掺杂;5. 从机理上分析，可以将整个溅射分解为四个过程，分别是________________________________、________________________________、________________________________及________________________________。
（8分）.标准答案：1. 等离子体产生过程;2. 离子轰击靶过程;3. 靶原子气相输入过程;4. 沉积成膜过程;6. 硅单晶氧化速度最快的晶向是____________________。
（2分）.标准答案：1. （111）;7. 半导体工艺中Si3N4一般采用____________进行腐蚀，而SiO2则一般采用____________进行腐蚀，Si则一般采用____________和____________进行腐蚀。
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专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案：C14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。
（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：C15. （）可提高图中放大器的增益。
（2分）A.减小，减小B.增大，增大C.增大，减小D.减小，增大.标准答案：A16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
（2分）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案：C17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。
（2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A 18. 在NMOS 中，若会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案：A19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。
（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2分）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案：D21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。
（2分）A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案：C22. 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。
（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23. 密勒效应最明显的放大器是（）。
（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。
（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。
（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B27. MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的（）效应引起。
（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：B28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：B29. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。
AB C D （2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：D30. 如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
（2分）A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案：A31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。
（2分）A.GSCB.GDCC.DBCD.SBC.标准答案：A32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
（2分）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L.标准答案：D34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。
（2分）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区.标准答案：B35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。
（2分）A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能.标准答案：D36. 下面放大器的小信号增益为（）。
（2分）A. o m rg-B. smomRgrg+-1C.1D.理论上无穷大.标准答案：A37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。
（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。
（2分） A.th OD V V 22+ B.th OD V V +2 C.OD V 2 D.GS OD V V 22+ .标准答案：C39. 下图中，其中电压放大器的增益为-A ，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输出电阻为（）。
（2分）A.A R +1B.A R 11+ C.()A R +1D.()A R 11+ .标准答案：B 40. （）可提高图中放大器的增益。
（2分）A.减小2,1⎪⎭⎫ ⎝⎛LWB.仅增大2,1LC.增大2,1⎪⎭⎫ ⎝⎛LWD.仅减小2,1W.标准答案：C41. MOS 管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。
（2分） A.能 B.不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能 .标准答案：A42. CMOS 工艺里不容易加工的器件为（）。
（2分） A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS 管 .标准答案：C43. MOS 管的特征尺寸通常是指（）。
（2分） A.W B.L C.W/L D.tox .标准答案：B44. MOS 管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。
（2分） A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通 .标准答案：C45. 源极跟随器通常不能用作（）。
（2分）A.缓冲器B.放大器C.电平移动D.驱动器 .标准答案：B46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。
（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：C47. PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。
（2分）A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。
（2分）A.截止B.三极管C.线性D.饱和.标准答案：D49. MOS管中最大的电容是（）。
（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50. MOS 器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案：B53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B54. 工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。
（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
（2分）A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层.标准答案：B57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。
（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。
（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：A60. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
AB C D （2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：C61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。
（2分）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案：A62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（）（2分）A.较大B.较小C.不变D.不定.标准答案：B63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。
（2分）A.低B.一般C.高D.很高.标准答案：D64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。
（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.标准答案：A65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。
（2分）A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置 .标准答案：A66. 小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。
（2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：B67. 差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。
（2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS 管不完全对称C.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区 .标准答案：D68. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。