集成电路制造工艺-金属化与多层互连共42页
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集成电路制造工艺PPT课件
40
净化厂房
精选
41
芯片制造净化区域走廊
精选
42
投 影 式 光 刻 机
Here in the Fab Two Photolithography area we see one of
our 200mm 0.35 micron I-Line Steppers. this stepper can
image and align both 6 & 8精i选nch wafers.
精选
最快速度：2.4GHz
24
集成电路的分类
–器件结构类型 –集成度 –电路的功能 –应用领域
精选
25
按器件结构类型分类
• 双极集成电路：主要由双极型晶体管构成
–NPN型双极集成电路
–PNP型双极集成电路
• 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由 MOS晶体管(单极型晶体管)构成
–NMOS
and SemiTool in 1995. Again these are the world's first 300mm wet
process cassettes (that can be spin rin精s选e dried).
44
12 英 寸 氧 化 扩 散 炉
As we look in this window we see the World's First true 300mm production
精选
18
❖ 集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线
精选
19
精选
20
发展 阶段
主要特征 元件数/芯片
特征线宽(um)
栅氧化层厚度 (nm)
金属化和多层互连
TiSi2 和 CoSi2的自对准工艺：
• 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 • Ti 或 Co 沉积 • 退火形成金属硅化物 • Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接
触处形成 • 去除Ti 或 Co • 选择性再次退火以增强电导率
多晶硅/硅化物复合栅结构
TiSi 2
多晶硅栅极
从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和 低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统的 延迟时间。
铜及低K介质
铜及低K介质的优势：
铜的电阻率低，可以极大降低互连引线电阻；
Cu
1.7 mWcm
Al
2.65 mWcm
铜的抗电迁移能力强，没有应力迁移，可靠性强； 低K介质，减少了分布电容；
所以，采用铜及低K介质可以进一步减小引线宽度和 厚度，提高集成电路的密度。
铜及低K介质
Cu互连工艺中的关键技术： Cu的沉积技术 低K介质材料的选择和沉积 势垒层材料的选择和沉积技术 Cu的CMP平整化技术 大马士革（镶嵌式）结构的互连工艺 可靠性问题
深亚微米技术的发展：
90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆
铜及低K介质
系统集成（SOC）
nn+
ＳiＯ２
nn+
退火产生金属硅化物
nn+
ＳiＯ２
nn+
湿法腐蚀Ｔi薄膜
自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向 效应引起的覆盖电容，提高工作频率。
多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差 减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.21.4V左右。
开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间 缩短，从而也可提高工作频率。
• 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 • Ti 或 Co 沉积 • 退火形成金属硅化物 • Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接
触处形成 • 去除Ti 或 Co • 选择性再次退火以增强电导率
多晶硅/硅化物复合栅结构
TiSi 2
多晶硅栅极
从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和 低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统的 延迟时间。
铜及低K介质
铜及低K介质的优势：
铜的电阻率低，可以极大降低互连引线电阻；
Cu
1.7 mWcm
Al
2.65 mWcm
铜的抗电迁移能力强，没有应力迁移，可靠性强； 低K介质，减少了分布电容；
所以，采用铜及低K介质可以进一步减小引线宽度和 厚度，提高集成电路的密度。
铜及低K介质
Cu互连工艺中的关键技术： Cu的沉积技术 低K介质材料的选择和沉积 势垒层材料的选择和沉积技术 Cu的CMP平整化技术 大马士革（镶嵌式）结构的互连工艺 可靠性问题
深亚微米技术的发展：
90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆
铜及低K介质
系统集成（SOC）
nn+
ＳiＯ２
nn+
退火产生金属硅化物
nn+
ＳiＯ２
nn+
湿法腐蚀Ｔi薄膜
自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向 效应引起的覆盖电容，提高工作频率。
多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差 减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.21.4V左右。
开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间 缩短，从而也可提高工作频率。
《金属化与多层互连》课件
金属化与多层互连的应用领域
半导体制造：用于制造集成电路和芯片
医疗设备制造：用于制造医疗设备，如CT、 MRI等
电子设备制造：用于制造电子设备，如手 机、电脑等
汽车制造：用于制造汽车电子设备，如车 载导航、车载娱乐系统等
航空航天：用于制造航天器和卫星等
通信设备制造：用于制造通信设备，如基 站、路由器等
金属化与多层互连的材料性能要求
导电性：良好 的导电性能， 保证信号传输 的稳定性和速
度
热稳定性：在 机械强度：足 高温环境下保 够的机械强度， 持良好的性能， 保证电路的稳 防止电路损坏 定性和可靠性
化学稳定性： 良好的化学稳 定性，防止电 路受到腐蚀和
氧化
成本：合理的 成本，保证产 品的市场竞争
金属化与多层互连的解决方案
采用先进的金属化工艺，如电镀、溅射等，提高金属化层的质量 优化多层互连的设计，如减小层间距、增加层数等，提高互连的密度和可靠性 采用先进的封装技术，如晶圆级封装、系统级封装等，提高封装的集成度和可靠性 采用先进的测试技术，如X射线、光学显微镜等，提高测试的准确性和效率
金属化与多层互连的发展历程
1960年代：金属化技术开始应用于集成 电路制造
1990年代：金属化技术进一步发展，多 层互连技术成为集成电路制造的主流技术
1970年代：多层互连技术开始出现，提 高了集成电路的密度和性能
2000年代：金属化技术不断创新，多层 互连技术逐渐向高密度、高性能方向发展
1980年代：金属化技术逐渐成熟，多层 互连技术得到广泛应用
沉积：在硅片上沉积金属或 绝缘材料
电镀：在硅片上沉积金属层
热处理：提高金属层的导电 性和稳定性
金属化与多层互连的工艺流程细节
金属化和多层互连
当金属与半导体之间的载流子输运以隧道 穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及 金－半接触的势垒高度qVb 有下面的关系
qVb Rc exp N
qVb在数值上等于金属费米能级上的电子 进入半导体所需的能量。 结论：要获得低接触电阻的金－半接触， 必须减小金－半接触的势垒高度及提高半 导体的掺杂浓度
CoSi2
Ta 或 TaN Cu
W
W
PSG STI n+
+ + n+ p p USG P型井區 N型井區 P型磊晶層 P型晶圓
铜及低K介质
低K介质材料的沉积与刻蚀： 沉积工艺： （1）旋涂工艺：工艺简单，缺陷密度较低，产率高，易于 平整化，不使用危险气体 （2）CVD工艺：与IC工艺兼容性好 刻蚀要求： （1）工艺兼容性好 （2）对刻蚀停止层材料选择性高 （3）能形成垂直图形 （4）对Cu无刻蚀和腐蚀 （5）刻蚀的残留物易于清除
鋁
p+ N型矽
SiO2
鋁
p+
鋁
Al/Si接触的改善
合 金 化 ： 采 用 含 少 量 Si 的 Al-Si 合 金 （ 一 般 为 1% ） , 由于合金中已存在足量的 Si ，可以抑制底 层Si的扩散，防止“尖锲”现象。 在 300oC 以上，硅就以一定比例熔于铝中， 在此温度，恒温足够时间，就可在Al-Si界面形成 一层很薄的 Al-Si 合金。 Al 通过 Al-Si 合金和接触 孔下的重掺杂半导体接触，形成欧姆接触
铜及低K介质
势垒层材料: 包括介质势垒层和导电势垒层 介质势垒层材料：ＳiＮ、ＳiＣ等新材料 主要功能:和介质层形成多层结构，防止介质 在工艺过程或环境中吸潮而影响性能。 导电势垒层：ＷＮ、ＴiＮ、Ｔa、ＴaＮ等 主要功能：防止Ｃu扩散、改善Ｃu的附着性、 作为ＣＭＰ和刻蚀停止层、作为保护层。
集成电路工艺基础金属化及多层互连
❖ 低介电系数介质材料 ▪ 多孔电介质材料极脆，给集成工艺带来很大挑战。
后部工序
❖ 主要流程 ▪ 划片；装片；焊引线；封装；成品测试；打印 包装
❖1. 划片用激光束、金刚刀、金刚砂轮
❖2. 装（粘）片
装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。 常用的方法有树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。
银浆
芯片
❖ 互连系统已经成为限制集成电路技术进一步发展 的重要因素，单层金属互连无法满足需求，必须 使用多层金属互连技术。
多层金属互连技术对VLSI的意义
❖ 可以使VLSI的集成密度大大增加，从而进一步提 高集成度。 ▪ 互连是器件之间的互连
❖ 可以降低互连线导致的延迟时间
RC l 2
t m tox
❖ 可以在更小的芯片面积上实现相同的电路功能 ❖ 互连线每增加一层，需要增加两块掩膜版
❖寻找新的互连金属材料-第4种方法
铜及低K介质
❖互连引线的延迟时间常数
RCl wll2
wt t tt
m
ox
m ox
▪ 低电阻率材料（Cu） Cu2.0cm
▪ 低K介质材料
以Cu作为互连材料的工艺流程
❖ 0.18um以下的工艺所需 ❖ 双大马士革（Dual-Damascence)工艺
▪ 工艺流程 ▪ 互连+通孔同时淀积，CMP时仅需对互连材料
求有一个扩散阻挡层。
集成电路对金属化材料特性的要求
❖ 晶格结构与外延生长的影响 ▪ 薄膜的晶格结构决定其特性
❖ 电学特性 ▪ 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等
❖ 机械特性、热力学特性以及化学特性
铝在集成电路中的应用
❖ Al的优点：
▪ 电阻率低 Al2.7cm
后部工序
❖ 主要流程 ▪ 划片；装片；焊引线；封装；成品测试；打印 包装
❖1. 划片用激光束、金刚刀、金刚砂轮
❖2. 装（粘）片
装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。 常用的方法有树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。
银浆
芯片
❖ 互连系统已经成为限制集成电路技术进一步发展 的重要因素，单层金属互连无法满足需求，必须 使用多层金属互连技术。
多层金属互连技术对VLSI的意义
❖ 可以使VLSI的集成密度大大增加，从而进一步提 高集成度。 ▪ 互连是器件之间的互连
❖ 可以降低互连线导致的延迟时间
RC l 2
t m tox
❖ 可以在更小的芯片面积上实现相同的电路功能 ❖ 互连线每增加一层，需要增加两块掩膜版
❖寻找新的互连金属材料-第4种方法
铜及低K介质
❖互连引线的延迟时间常数
RCl wll2
wt t tt
m
ox
m ox
▪ 低电阻率材料（Cu） Cu2.0cm
▪ 低K介质材料
以Cu作为互连材料的工艺流程
❖ 0.18um以下的工艺所需 ❖ 双大马士革（Dual-Damascence)工艺
▪ 工艺流程 ▪ 互连+通孔同时淀积，CMP时仅需对互连材料
求有一个扩散阻挡层。
集成电路对金属化材料特性的要求
❖ 晶格结构与外延生长的影响 ▪ 薄膜的晶格结构决定其特性
❖ 电学特性 ▪ 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等
❖ 机械特性、热力学特性以及化学特性
铝在集成电路中的应用
❖ Al的优点：
▪ 电阻率低 Al2.7cm
集成电路工艺基础——09_金属化及多层互连
▪ 薄氧(尖楔较浅） ▪ 厚氧(尖楔较深）
❖ 衬底晶向
▪ 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 ▪ 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路
（尖楔现象严重）
Al/Si接触的改进
❖Al/Si接触的改进方法： ▪ 铝-硅合金金属化引线 ▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 ▪ 铝-阻挡层结构
铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案
铝硅互溶
❖Si在Al中的扩散系数
▪ 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原 子的扩散距离为
LSi Dta
其中D为扩散系数
Al与SiO2的反应
❖Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3
▪ 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 ▪ 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性
改进电迁移的方法-第2种方法
❖ 铝-铜合金和铝-硅-铜合金 ▪ Al- Si（ 1%~2%）-Cu（4%） • 杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在 铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数 量级。 ▪ 缺点:
• 增大了电阻率 • 不易刻蚀、易受Cl2腐蚀
改进电迁移的方法-第3种方法
❖ 三层夹心结构 ▪ 可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属 层。这三层金属通过400℃退火1小时后，在两 层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿 越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的 扩散系数，使MTF提高2~3个数量级。
❖ 铝硅互溶 ❖ Al与SiO2的反应
铝硅互溶
❖铝硅相图
▪ 相图表示两种组分与温度的关系
• Al-Si系具有低共熔特性 • Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占
11.3%，Al占88.7% • 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃
❖ 衬底晶向
▪ 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 ▪ 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路
（尖楔现象严重）
Al/Si接触的改进
❖Al/Si接触的改进方法： ▪ 铝-硅合金金属化引线 ▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 ▪ 铝-阻挡层结构
铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案
铝硅互溶
❖Si在Al中的扩散系数
▪ 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原 子的扩散距离为
LSi Dta
其中D为扩散系数
Al与SiO2的反应
❖Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3
▪ 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 ▪ 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性
改进电迁移的方法-第2种方法
❖ 铝-铜合金和铝-硅-铜合金 ▪ Al- Si（ 1%~2%）-Cu（4%） • 杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在 铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数 量级。 ▪ 缺点:
• 增大了电阻率 • 不易刻蚀、易受Cl2腐蚀
改进电迁移的方法-第3种方法
❖ 三层夹心结构 ▪ 可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属 层。这三层金属通过400℃退火1小时后，在两 层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿 越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的 扩散系数，使MTF提高2~3个数量级。
❖ 铝硅互溶 ❖ Al与SiO2的反应
铝硅互溶
❖铝硅相图
▪ 相图表示两种组分与温度的关系
• Al-Si系具有低共熔特性 • Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占
11.3%，Al占88.7% • 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃
硅集成电路工艺——金属化与多层互连
预清洗 刻蚀沟槽或通孔 PVD淀积阻挡层（Ta或者 淀积阻挡层（ 或者 或者TaN） 淀积阻挡层 ） PVD或者 或者CVD淀积铜籽晶层 或者 淀积铜籽晶层 电化学镀制备铜体相层， 电化学镀制备铜体相层，填满通孔或沟槽 热退火提高电导率 CMP去除沟槽或通孔之外的铜 去除沟槽或通孔之外的铜
天津工业大学
天津工业大学
多层互连工艺流程
多层互连的基本结构 多层互连的基本结构: 基本结构 金属层 PMD IMD 接触孔(contacts) 接触孔 通孔(Via) 通备
介质淀积
平坦化 否 是否最后一层
接触及通孔形成
是 生长钝化层
金属化
结束
天津工业大学
多层互连工艺流程
天津工业大学
电迁移现象及其改进方法
电迁移现象的物理机制： 电迁移现象的物理机制： 物理机制 大电流密度通过导体时， 大电流密度通过导体时，导体原子将收到导电电子的 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。结果在 一个方向上形成空洞， 一个方向上形成空洞，而在另一个方向则由于铝原子的 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。
铝作为互连金属材料的缺点： 作为互连金属材料的缺点： 缺点
Al/Si接触的尖楔现象 接触的尖楔现象 在较大的电流密度下的电迁移 现象
天津工业大学
Al/Si接触中的几个物理现象
Al-Si相图： 相图： 相图 Al在 Si中的溶解度非常低，而Si在Al中的溶解度却比较 在 中的溶解度非常低 中的溶解度非常低， 在 中的溶解度却比较 高，因而硅会向铝中迁移 Si在Al中的扩散系数： 在 中的扩散系数 中的扩散系数： Si在Al膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 在 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 扩散距离远， 扩散距离远，单位面积消耗大 Al与SiO2的反应： 与 的反应： 3SiO2+4Al 3Si+2Al2O3 消耗掉表面氧化膜，增加黏附性 消耗掉表面氧化膜，
天津工业大学
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多层互连工艺流程
多层互连的基本结构 多层互连的基本结构: 基本结构 金属层 PMD IMD 接触孔(contacts) 接触孔 通孔(Via) 通备
介质淀积
平坦化 否 是否最后一层
接触及通孔形成
是 生长钝化层
金属化
结束
天津工业大学
多层互连工艺流程
天津工业大学
电迁移现象及其改进方法
电迁移现象的物理机制： 电迁移现象的物理机制： 物理机制 大电流密度通过导体时， 大电流密度通过导体时，导体原子将收到导电电子的 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。结果在 一个方向上形成空洞， 一个方向上形成空洞，而在另一个方向则由于铝原子的 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。
铝作为互连金属材料的缺点： 作为互连金属材料的缺点： 缺点
Al/Si接触的尖楔现象 接触的尖楔现象 在较大的电流密度下的电迁移 现象
天津工业大学
Al/Si接触中的几个物理现象
Al-Si相图： 相图： 相图 Al在 Si中的溶解度非常低，而Si在Al中的溶解度却比较 在 中的溶解度非常低 中的溶解度非常低， 在 中的溶解度却比较 高，因而硅会向铝中迁移 Si在Al中的扩散系数： 在 中的扩散系数 中的扩散系数： Si在Al膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 在 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 扩散距离远， 扩散距离远，单位面积消耗大 Al与SiO2的反应： 与 的反应： 3SiO2+4Al 3Si+2Al2O3 消耗掉表面氧化膜，增加黏附性 消耗掉表面氧化膜，
金属化与多层互连
②Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比 在晶体Al中大40倍。
③Al与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3
好处：降低Al/Si欧姆接触电阻；
改善Al与SiO2的粘附性。
9.2.3 Al/Si接触的尖楔现象
图9.3 Al-Si接触引线工艺
T=500℃，t=30min.， A=16μm2，W=5μm， d=1μm，消耗Si层厚度
①在低K介质层上刻蚀出Cu互连线用的沟槽； ②CVD淀积一层薄的金属势垒层：防止Cu的扩散； ③溅射淀积Cu的籽晶层：电镀或化学镀Cu需要； ④沟槽和通孔淀积Cu：电镀或化学镀； ⑤400℃下退火； ⑥Cu的CMP。
铜金属化（Copper Metallization）
9.4 多晶硅及硅化物
多晶硅：CMOS多晶硅 栅、局域互连线；
RC常数：表征互连线延迟，即 RC l 。
t m t ox ρ-互连线电阻率，l-互连线长度，ε-介质层介电常数
①低ρ的互连线：Cu，ρ=1.72μΩcm； （Al，ρ=2.82μΩcm）
②低K （ε）的介质材料： ε<3.5
Cu互连工艺的关键
①Cu的淀积：不能采用传统的Al互连布线工艺。 （没有适合Cu的传统刻蚀工艺）
Z=0.35μm。 （相当于VLSI的结深） ∵Si非均匀消耗， ∴实际上，A*<<A，即
Z*>>Z，故 Al形成尖楔
尖楔现象
机理：Si在Al中的溶解度及快速 扩散，使Al像尖钉一样楔进Si衬 底；
深度：超过1μm； 特点： <111>衬底：横向扩展 <100> 衬底：纵向扩展 MOS器件突出。 改善：Al中加1wt％-4wt％的过