电子技术基础试题库完整
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
电子技术基础与技能试题库+参考答案
电子技术基础与技能试题库+参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、数码寄存器的输入、输出方式为A、并行输入、并行输出B、串行输入、串行输出C、串行输入、并行输出D、并行输入、串行输出正确答案：A2、在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较慢B、一样C、不确定D、较快正确答案：D3、二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、正偏C、击穿D、反偏正确答案：B4、如果三极管的基极电流是40μA ，集电极电流是2mA ，则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500正确答案：B5、逻辑电路中，低电平应A、低于B、低于C、高于D、高于正确答案：A6、在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、奇校验器B、数据比较器C、编码器D、加法器正确答案：A7、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越A、和放大倍数无关B、小C、大D、以上都不对正确答案：C8、半导体中导电的载流子是A、电子B、离子C、电子和空穴D、空穴正确答案：C9、描述放大器对信号电压的放大能力，通常使用的性能指标是A、功率放大倍数B、电流放大倍数C、电压放大倍数D、电流增益正确答案：C10、当七段共阳数码管当abcdefg分别为0110000，则显示为A、3B、6C、ED、b正确答案：C11、下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案：C12、用不同数制的数字来表示十进制数2007，位数最少的是A、八进制数B、十六进制数C、二进制数D、十进制数正确答案：B13、甲乙类功放电路最大理想效率为A、60%B、75%C、50%D、78.5%正确答案：D14、十进制数5转换为二进制数为A、110B、101C、011D、100正确答案：B15、把射极输出器用作多级放大器的中间级，是利用它的A、有一定的电流和功率放大能力B、输出阻抗低C、电压跟随特性好，使放大性能稳定D、输入阻抗高正确答案：C16、下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。
电子技术基础考试题及答案
电子技术基础考试题及答案一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.下列关于电路中电压方向的描述，错误的是( )A.电压的参考方向可任意设定B.电压的实际方向就是参考方向C.电位降低的方向是电压的实际方向D.Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b2.电路如题2图所示，则以下关于电源功率的描述中，正确的是( )A.电压源吸收功率20W，电流源吸收功率40WB.电压源吸收功率20W，电流源提供功率40WC.电压源提供功率20W，电流源吸收功率40WD.电压源提供功率20W，电流源提供功率40W3.已知加在电容C=2μF两端的电压为U(t)=100cos(2022πt)(mV)，则流过该电容的电流为( )A. B. C. D. 4.下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子5.以下关于差动放大电路的描述中，错误的是( )A.差动放大电路是一个对称电路B.差动放大电路的共模抑制比越大，性能越好C.差动放大电路能抑制零点漂移D.差动放大电路能抑制差模信号6.理想运算放大器的两个基本特点是( )A.虚地与虚断B.虚短与虚地C.虚短与虚断D.断路与短路7.能将矩形波转变成三角波的运算电路为( )A.比例运算电路B.微分运算电路C.积分运算电路D.加法运算电路8.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，输出电流为IO(AV)，则每个整流二极管承受最大反向电压URM和平均电流ID(AV)分别是( )A. B. C. D. 9.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，如其中有一个整流二极管开路，则这时输出电压平均值UO(AV)为( )A.0VB.0.45U2C.0.9U2D.U210.下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( )A. B. C. D. 11.逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是( )12.在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是( )A.全部输入为0B.全部输入为1C.任一输入是0，其它输入为1D.任一输入是1，其它输入为013.逻辑电路如题13图所示，当S1=0、S0=1时，则下列选项中正确的是( )A.P0=某B.P1=某C.P2=某D.P3=某14.主从型JK触发器，当J=K=0时，则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Qn+1为( )A.0B.1C.QnD. 15.在可编程逻辑器件中，FPGA所表示的是( )A.可编程只读存储器B.通用阵列逻辑器件C.复杂可编程逻辑器件D.现场可编程门阵列二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。
电子技术基础考试试题及参考答案
B电子技术基础考试试题及参考答案试题一、填空题 （每空 1 分，共 30 分）1. 硅二极管的死区电压为 V ，锗二极管的死区电压为V 。
2. 常用的滤波电路主要有 、 和 三种。
3. 晶体三极管的三个极限参数为 、 和 。
4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小 ，相位 的信号电压。
5. 互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为 电路，并有 通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为 电路，输出直接连接负载，而不 需 要 。
6.功率放大器主要用作 ，以供给负载 。
7. 集成稳压电源 W7905 的输出电压为 伏。
8. 异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为 0，另一个为 1 时，输出为 ；而两个输入端均为 0 或均为 1 时，输出为 。
9．(1111)2+(1001) 2=( ) 2 (35)10=( ) 2(1010) 2–(111)2=( ) 2 (11010)2=( ) 10(1110)2×(101) 2=( ) 2 10. 逻辑函数可以用 、 、 等形式来表示。
11. 组合逻辑电路包括 、 、 和加法器等。
二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“× 。
全打“√”或全打“×”不给分。
每小题 1 分，共 10 分） ” 1. 放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。
（ ） 2. 小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大 RI 减小， 从而使工作点下降到所需要的位置。
（ ）3. 对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。
（ ）4. 交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。
（ ）5. 同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。
（ ）6. 只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。
（ ）7. 多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。
（ ）8. TTL 集成电路的电源电压一般为 12 伏。
电子技术基础与技能考试题(附答案)
电子技术基础与技能考试题（附答案）一、单选题（共46题，每题1分，共46分）1.温度影响了放大电路中()的参数，从而使静态工作点不稳定。
A、三极管B、电阻C、电容D、电源正确答案：A2.要七段共阳数码管要显示字母b，则abcdefg分别为A、1101111B、0110000C、0010000D、1010000正确答案：B3.常用的74××系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案：A4.十进制数126转换为二进制数为A、1111110B、1111010C、1111101D、1101110正确答案：A5.单相整流电路实现整流是利用二极管的A、稳压特性B、光电特性C、单向导电性D、变容特性正确答案：C6.接成二十九进制计数器需要的同步十进制计数器74160的片数为A、1B、2C、3D、4正确答案：B7.在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、加法器B、数据比较器C、编码器D、奇校验器正确答案：D8.在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较快B、较慢C、一样D、不确定正确答案：A9.下列触发器中，没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案：C10.下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。
正确答案：B11.74LS161是()进制加计数器。
A、异步、十六B、同步、十六C、异步、二D、同步、二正确答案：B12.若使主从JK触发器的输出状态由1变为0，则应使A、1→0时，JK=10B、1→0时，JK=01C、0→1时，JK=10D、0→1时，JK=01正确答案：B13.CT74LS194工作时，应在电源VCC和地之间接入A、电阻B、电感C、电容D、无正确答案：C14.以下关于理想集成运放的各种表述中，错误的是A、开环共模电压放大倍数无穷大B、共模抑制比无穷大C、线性应用时，有“虚短”概念D、线性应用时，有“虚断”概念正确答案：A15.在钟控同步RS触发器中，当RS取值不同时，则Q=A、RB、1C、SD、0正确答案：C16.模拟信号是指A、在数值上和时间上均不连续变化的信号B、在数值上和时间上均连续变化的信号C、在数值上连续、时间上不连续变化的信号D、在数值上不连续、时间上连续变化的信号正确答案：B17.下列不属于组合逻辑电路的有A、数据分配器B、计数器C、编码器D、译码器正确答案：B18.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、正偏B、零偏C、击穿D、反偏正确答案：A19.主从JK触发器的初态为0，JK=11时，经过2n+1个触发脉冲后，输出状态为A、在0、1间翻转，最后为1B、在0、1间翻转，最后为0C、一直为1D、一直为0正确答案：A20.下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路的输出电压C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路正常工作时能驱动同类门的数目正确答案：D21.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、断开的开关C、大电容D、接通的开关正确答案：D22.74LS192是()进制可逆计数器。
电子技术基础》考试试卷(附参考答案)
《电子技术基础》考试试卷（附参考答案）一.填空（40分，每题5分）1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在（1）（2）（3）（4），闭环Auf= 。
2.通常使用来判断正负反馈，共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈，从发射极注入为反馈，当输出端短路后，反馈元件上有电压是反馈，若无电压是反馈。
3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有（1），，（2），，（3），（4）。
射极输出器是属于反馈。
4. OCL,OTL是功率放大电路，消除交越失真的方法是，它们电路上的共同特点是，不同点有，实用电路常工作在状态。
5. 集成运放主要功能是，运算电路有（1）（2）（3）（4）；基本转换电路是（1）（2）。
6.功率放大电路的主要任务是，主要要求有（1）（2）（3）（4）。
7.直流稳压电源的功能是，晶体管串联型稳压电路是由，，和四部分电路组成。
8.放大电路设置偏置的目的是，引入负反馈目的是。
功率放大电路的工作状态分为，，。
二.判断（8分，在括号里打“√”或打“X”）1.放大器负反馈深度越大，放大倍数下降越多。
（）2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。
（）3.负反馈能修正信号源的失真。
（）4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。
（）5.零点漂移是放大器输出不能为零。
（）6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。
（）7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。
（）8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。
（）三.识读电路（24分，写出电路名称，信号传输方式和所采用的偏置）1. 2.3. 4.5. 6.四.简答（18分）1．指出电路运算功能，并写出运算公式。
（1）.（2）(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。
五.计算（10分）1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入，输出电阻，电压放大倍数。
2.如图所示电路已知Rf=120k,U。
=1.5v,Ui=0.5v。
求R1的大小。
参考答案一，1，提高放大电路工作稳定性（降低了电压放大倍数）减小失真展宽通频带改善输入，输出电阻Au/(1+FAu)。
大学电子技术基础考试题及答案
大学电子技术基础考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑与操作的真值表中，当输入为0时，输出为：A. 0B. 1C. 0或1D. 无法确定答案：A2. 以下哪种元件不是构成数字电路的基本元件？A. 逻辑门B. 电阻C. 晶体管D. 电容器答案：D3. 在模拟电路中，放大器的主要功能是：A. 改变信号的频率B. 改变信号的幅度C. 改变信号的相位D. 改变信号的波形答案：B4. 以下哪种波形不属于数字信号？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 脉冲波答案：A5. 在数字电路中，逻辑非操作的真值表中，当输入为1时，输出为：A. 0B. 1C. 0或1D. 无法确定答案：A6. 以下哪种元件不是构成模拟电路的基本元件？A. 运算放大器B. 二极管C. 逻辑门D. 电感器答案：C7. 在模拟电路中，滤波器的主要功能是：A. 改变信号的频率B. 改变信号的幅度C. 改变信号的相位D. 改变信号的波形答案：A8. 以下哪种波形不属于模拟信号？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 脉冲波答案：B9. 在数字电路中，逻辑或操作的真值表中，当输入全为0时，输出为：A. 0B. 1C. 0或1D. 无法确定答案：A10. 以下哪种元件不是构成数字电路的基本元件？A. 逻辑门B. 电阻C. 晶体管D. 电感器答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 数字电路中常用的逻辑门包括：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A, B, C, D2. 模拟电路中常用的放大器类型包括：A. 运算放大器B. 功率放大器C. 音频放大器D. 射频放大器答案：A, B, C, D3. 数字信号的特点包括：A. 离散的B. 连续的C. 有明确的高低电平D. 无明确的高低电平答案：A, C4. 模拟信号的特点包括：A. 离散的B. 连续的C. 有明确的高低电平D. 无明确的高低电平答案：B, D5. 数字电路中的基本逻辑运算包括：A. 逻辑与B. 逻辑或C. 逻辑非D. 逻辑异或答案：A, B, C, D三、填空题（每空1分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑与操作的输出只有在所有输入都为_______时才为1。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门A2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈R-∞＋R4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点U omfm5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（ ）。
(a)f L C C C C o ≈+121212π() (b) f L C C C C o ≈+121212π()(c) f L C C C C o ≈+11212()+U CC6、(本小题2分)整流电路如图所示， 直流电压表V （内阻设为无穷大） 的读数均为90 V ，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（ ）。
～～D ()a7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大， 则正向转折电压 （ ）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~25.5V 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”， 则输出的模拟电压为( )。
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电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）A. UI eS B. T UUI e S C. )1e(S－TUUI D. 1eS－TUUI4.下列符号中表示发光二极管的为（）。
5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈0.5V，反向饱和电流I S≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pAB U th≈0.525V，I S≈0.2pAC U th≈0.475V，I S≈0.05pAD U th≈0.475V，I S≈0.2pA二、判断题1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
四、计算分析题1.电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝4V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)(b)(c)2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。
试求稳压管正常工作时电阻R 的取值围。
+－O5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。
试问：（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值围是多少？+V DD (+5V)R VS6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
Vo(a)V(b)o9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u ou I1u I2+5V（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3tt（b ）10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？U i R 2ΩS11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ）状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBO I I )1(β+=D. βααβ=+11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号B. 低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件二、判断题1.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
2. I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
3.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4.三极管工作在放大区时，若i B为常数，则u CE增大时，i C几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。
6.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。
7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8.双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
11.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
12.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
三、填空题1.双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和2.β反映态时集电极电流与基极电流之比；β反映态时的电流放大特性。