电子封装用SiCp_Al复合材料开发可行性研究报告
Al电子封装材料工艺与性能研究的开题报告
无压浸渗法制备β-SiCp/Al电子封装材料工艺与性能研究的开题报告题目：无压浸渗法制备β-SiCp/Al电子封装材料工艺与性能研究一、研究背景随着电子技术的不断发展，集成电路的封装技术也在不断进步。
而电子封装材料作为集成电路的保护和载体，其性能的优化对于提高集成电路的整体性能和可靠性至关重要。
因此，研究和制备性能优异的电子封装材料已成为当前材料科学研究的热点之一。
β-SiCp/Al复合材料具有良好的导热性能和机械性能，可作为电子封装材料的备选之一。
而无压浸渗法是制备复合材料的有效方法之一，其制备的复合材料具有优异的性能和制备工艺的可控性。
因此，采用无压浸渗法制备β-SiCp/Al电子封装材料具有重要的研究意义。
二、研究目的本研究旨在采用无压浸渗法制备β-SiCp/Al电子封装材料，并探究其制备工艺对材料性能的影响。
具体研究目标如下：1.采用无压浸渗法制备β-SiCp/Al电子封装材料，并优化工艺参数；2.研究β-SiCp/Al材料的微观结构和物理性能，包括压缩强度、硬度和导热性能等；3.探究制备工艺对β-SiCp/Al材料性能的影响，分析制备工艺优化的可能性。
三、研究内容和方法1.β-SiCp/Al材料制备方法：采用无压浸渗法制备β-SiCp/Al材料，包括原料制备、混合、压制和浸渗等步骤。
通过调节工艺参数，优化制备工艺，制备高性能的β-SiCp/Al材料。
2.性能测试方法：采用SEM、XRD等分析方法，分析β-SiCp/Al材料的微观结构和物理性能。
采用压缩实验、硬度测试和导热实验，测试β-SiCp/Al材料的力学性能和导热性能。
3.数据处理和分析：对实验结果进行数据处理和分析，研究制备工艺对β-SiCp/Al材料性能的影响，并进行讨论和总结。
四、预期结果通过对β-SiCp/Al材料的制备和性能测试，预计可以获得以下研究结果：1.成功制备β-SiCp/Al材料，并确定其最佳制备工艺条件；2.分析β-SiCp/Al材料的微观结构和物理性能，明确其力学性能和导热性能；3.研究制备工艺对β-SiCp/Al材料性能的影响，提出优化建议。
2024年新型电子封装材料项目可行性研究报告
新型电子封装材料项目可行性研究报告目录前言 (4)一、新型电子封装材料项目建设背景及必要性分析 (4)(一)、行业背景分析 (4)(二)、产业发展分析 (5)二、技术方案 (6)(一)、企业技术研发分析 (6)(二)、新型电子封装材料项目技术工艺分析 (7)(三)、新型电子封装材料项目技术流程 (9)(四)、设备选型方案 (10)三、土建工程方案 (12)(一)、建筑工程设计原则 (12)(二)、新型电子封装材料项目总平面设计要求 (14)(三)、土建工程设计年限及安全等级 (14)(四)、建筑工程设计总体要求 (16)(五)、土建工程建设指标 (17)四、新型电子封装材料项目可行性研究报告 (19)(一)、产品规划 (19)(二)、建设规模 (20)五、市场分析 (22)(一)、行业基本情况 (22)(二)、市场分析 (23)六、市场营销策略 (24)(一)、目标市场分析 (24)(二)、市场定位 (25)(三)、产品定价策略 (26)(四)、渠道与分销策略 (26)(五)、促销与广告策略 (27)(六)、售后服务策略 (27)七、劳动安全生产分析 (27)(一)、设计依据 (27)(二)、主要防范措施 (29)(三)、劳动安全预期效果评价 (30)八、进度计划 (31)(一)、新型电子封装材料项目进度安排 (31)(二)、新型电子封装材料项目实施保障措施 (33)九、风险评估 (34)(一)、新型电子封装材料项目风险分析 (34)(二)、新型电子封装材料项目风险对策 (35)十、团队建设与领导力发展 (36)(一)、高效团队建设原则 (36)(二)、团队文化与价值观塑造 (37)(三)、领导力发展计划 (39)(四)、团队沟通与协作机制 (40)(五)、领导力在变革中的作用 (41)十一、质量管理与持续改进 (42)(一)、质量管理体系建设 (42)(二)、生产过程控制 (43)(三)、产品质量检验与测试 (44)(四)、用户反馈与质量改进 (45)(五)、质量认证与标准化 (47)十二、新型电子封装材料项目管理与团队协作 (48)(一)、新型电子封装材料项目管理方法论 (48)(二)、新型电子封装材料项目计划与进度管理 (49)(三)、团队组建与角色分工 (49)(四)、沟通与协作机制 (50)(五)、新型电子封装材料项目风险管理与应对 (50)前言本项目投资分析及可行性报告是为了规范新型电子封装材料项目的实施步骤和计划而编写的。
2024年电子材料项目可行性研究报告
电子材料项目可行性研究报告目录前言 (4)一、市场分析 (4)(一)、行业基本情况 (4)(二)、市场分析 (5)二、电子材料项目概论 (6)(一)、电子材料项目承办单位基本情况 (6)(二)、电子材料项目概况 (7)(三)、电子材料项目评价 (7)(四)、主要经济指标 (8)三、技术方案 (8)(一)、企业技术研发分析 (8)(二)、电子材料项目技术工艺分析 (9)(三)、电子材料项目技术流程 (11)(四)、设备选型方案 (12)四、制度建设与员工手册 (14)(一)、公司制度体系规划 (14)(二)、员工手册编制与更新 (15)(三)、制度宣导与培训 (16)(四)、制度执行与监督 (18)(五)、制度评估与改进 (20)五、原辅材料供应 (21)(一)、电子材料项目建设期原辅材料供应情况 (21)(二)、电子材料项目运营期原辅材料供应及质量管理 (22)六、环境影响评估 (23)(一)、环境影响评估目的 (23)(二)、环境影响评估法律法规依据 (23)(三)、电子材料项目对环境的主要影响 (24)(四)、环境保护措施 (24)(五)、环境监测与管理计划 (24)(六)、环境影响评估报告编制要求 (25)七、组织架构分析 (25)(一)、人力资源配置 (25)(二)、员工技能培训 (26)八、社会责任与可持续发展 (28)(一)、企业社会责任理念 (28)(二)、社会责任电子材料项目与计划 (28)(三)、可持续发展战略 (29)(四)、节能减排与环保措施 (29)(五)、社会公益与慈善活动 (30)九、风险评估 (30)(一)、电子材料项目风险分析 (30)(二)、电子材料项目风险对策 (31)十、公司治理与法律合规 (32)(一)、公司治理结构 (32)(二)、董事会运作与决策 (33)(三)、内部控制与审计 (35)(四)、法律法规合规体系 (36)(五)、企业社会责任与道德经营 (38)十一、质量管理与持续改进 (39)(一)、质量管理体系建设 (39)(二)、生产过程控制 (40)(三)、产品质量检验与测试 (41)(四)、用户反馈与质量改进 (42)(五)、质量认证与标准化 (43)十二、人力资源管理 (45)(一)、人力资源战略规划 (45)(二)、人员招聘与选拔 (46)(三)、员工培训与发展 (48)(四)、绩效管理与激励 (48)(五)、职业规划与晋升 (49)(六)、员工关系与团队建设 (50)十三、招聘与人才发展 (53)(一)、人才需求分析 (53)(二)、招聘计划与流程 (54)(三)、员工培训与发展 (55)(四)、绩效考核与激励 (56)(五)、人才流动与留存 (57)前言本项目投资分析及可行性报告是为了规范电子材料项目的实施步骤和计划而编写的。
中高体积分数SiC p /Al复合材料研究进展
预制体［１８２０］
碳化硅粉体 ＋润滑剂
常见的粘结剂为聚乙烯
模压 ＋粘结剂混合→模压
多为
简单
否
低 较短
高 醇、硅溶胶、磷酸铝等，常
成型 成型→烧结→碳化
锭坯
见造孔剂为石墨等［２１２４］
硅预制体
碳化硅粉体 ＋有机物
凝胶 ＋分散剂球混→引发
近净尺
注模 剂和催化剂作用下 复杂
是 较高 长
寸成型
成型 固化凝胶→脱脂→
第 ５期
程思扬，等：中高体积分数 ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料研究进展
１０６５
１ 引 言
先进光学系统的轻型化、一体化可简化光学 系统结构并降低制造成本。随着上述需求的日益 突出，为了保证成像质量，需要一种具有低成本、 轻质、高比刚度、低线膨胀系数、高热导率的材料； 同时随着微电子技术的发展大功率电子元件及热 控系统小型化、高密度化、高可靠性需求的提出， 对电子封装材料的高导热率以及与芯片材料线膨 胀系数匹配性提出了更高的要求，此外，足够的比 刚度使其也可用于芯片的支撑保护及其它对重量 要求极为严格的条件，其具有低成本便于大规模 制造。
产xx电子封装材料项目可行性研究报告参考模板 (一)
产xx电子封装材料项目可行性研究报告参考模板 (一)产xx电子封装材料项目可行性研究报告参考模板一、项目概述该项目旨在开发一种高品质、高可靠性的电子封装材料，为电子行业提供更好的产品解决方案。
该材料具有防潮、防腐、抗老化、高温抗性等优点，可用于电子元器件的封装和保护。
二、市场分析1.市场需求：电子行业的快速发展带动了电子封装材料市场的不断扩大，尤其是随着新能源、智能家居等产业的兴起，对电子材料的要求也越来越高。
2.市场竞争：目前市场上已有不少电子封装材料企业，竞争比较激烈。
但随着市场的不断扩大，产品质量和服务质量将成为企业竞争的关键。
3.市场前景：随着物联网、5G等技术的应用，电子行业市场将持续增长。
同时，环保、能源等问题也在推动电子行业向着高效节能、低碳环保方向发展，对电子封装材料的需求也将不断提高。
三、技术可行性分析1.材料研发：开发高品质、高可靠性的电子封装材料需要多领域的技术支持，如化学、材料科学等。
在实验室中对材料进行生产、测试后，获得了满意的结果。
2.生产流程：通过对市场上各类电子封装材料的生产流程进行分析和比较，结合实验室研发成果，确定了最优化的生产流程。
四、投资回报分析1.投资成本：包括研发、工厂建设、设备购置等。
2.利润分析：根据市场需求和产品价格，预计产品销售利润可达成本的200%以上。
同时，随着市场的不断扩大和技术的不断进步，产品利润还将有所提高。
3.回报期分析：按现阶段投资额度和市场销售状况测算，预计回报期为3-5年。
五、风险分析1.市场风险：市场需求不断变化、竞争加剧等不确定因素可能对市场销售带来一定影响。
2.生产技术风险：材料生产技术的成熟度和稳定性是直接影响产品质量的因素，需要足够的技术积累和高水平的人员支持。
3.政策风险：国家产业政策和环保等相关政策的变化也可能对项目发展带来一定影响。
六、总体评价考虑到市场需求、技术可行性、投资回报和风险等多方面因素，本项目具有较高的可行性和市场前景。
电子封装用低膨胀高导热SiCp／A1复合材料研究进展
第 ｌ 卷 ，第５ ２ 期
ＶＯ１ １２， Ｎ Ｏ． ． ５电子与封
装
总 第 １９ ０ 期 ２１年５ ０２ 月
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩ ＣＳ＆ Ｐ ＡＣＫＡ ＧＩ ＮＧ
＿ 潆 蠢０ １
§ 满
电子封装用低膨胀高导热ＳＣ／ １ ｉｐ 复合材料研究进展 Ａ
孙 晓 晔 ，汪 涛
（ 南京航空航天大学材料科学与技术学院 ，南京 ２ １０ ） １１０
摘
要 ：随着微 电子技 术及半导体技 术 的快速 发展 ，高封 装 密度对材 料提 出 了更高的要 求。ＳＣ ／ ｉ Ａ１
复合材料 具有低 膨胀 系数 、高导热率 、低 密度 等优异 的综合性 能，受到 了广泛 的关注。作 为 电子封 装材料 ，ＳＣ ／ ￣ ６ 材料 已经在航 空航天 、光学、仪表 等现代技 术领 域取得 了实际的应用。文章介 ｉ Ｌ ＂ ＡＩ
ａｕ ｎ ｍ ｅｎ ｏ ｃ ｄ ｗｉ ｉｉｏ ａｂｉｅｐａｔ ｌｓｃ ｍｐ ｓｔｓａ ｄ ｄｓ ｕ ｓ ｄ ｓｖ ｒ ｌｍａ ｕ ａ ｔｒｎ ｔ ｏ ｓ ｌｍｉ ｕ ｒ ｉ ｆ ｒｅ ｔ ｓｌ ｎ ｃ ｒ ｄ ｒｉ ｅ ｏ ｏ ｉ ｎ ｉｃ ｓ ｅ ｅ ｅ ａ ｎ ｆ ｃ ｉ ｇ ｍｅｈ ｄ ， ｈ ｃ ｃ ｅ ｕ
ｐ
Ｓ ＵＮ Ｘｉ ｏ ｙ ， ＡＮ Ｇ Ｔａ ａ －ｅ Ｗ ｏ
（ ｓ ｔ ｅ ｆ ｔ ｉ ｉ ｃ ｄＴｃｎ ｌ ｙ Ｎ ｎｉ ｎｖｒｉ Ａ ｒｎ ｕｉ ｎ Ａ ｔ ｎ ｕｉ ， Ｉ ｔｕ Ｍａｅ ａ Ｓ ｅ ｅ ｎ ｈ ｏｏ ， ａｊｎ Ｕ ｉ ｓｙｏ ｅｏ ａ ｔ ｓ ｄ ｓ ｏ ａ ｔｓ ｎ ｉｔｏ ｒ ｌｃ ｎ ａ ｅ ｇ ｇ ｅ ｔｆ ｃａ ｒ ｃ Ｎ ｎｉ １１０ Ｃ ｉａ ａｊｎ ２ １０ ， ｈｎ ） ｇ
Al电子封装材料的开题报告
无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的开题报告引言：随着电子技术的发展，电子封装材料的性能需求也越来越高。
SiC/Al 复合材料具有良好的机械性能、导热性能和耐高温性能，因此广泛应用于电子封装领域。
目前，制备SiC/Al电子封装材料的方法主要有热压法、注射成型法、粉末冶金法等。
然而，这些制备方法中普遍存在着成本高、工艺复杂、产率低等问题。
因此，寻找一种高效、低成本的制备SiC/Al电子封装材料的方法十分必要。
研究内容：本文旨在探究一种新型的无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的方法，并对制备过程中影响材料性能的主要参数进行优化。
具体包括以下几个方面的研究内容：1. 研究不同粒径SiC颗粒与Al粉混合比对材料性能的影响；2. 探究浸渗温度、时间、压力等工艺参数对材料性能的影响；3. 优化制备工艺，提高SiC/Al电子封装材料的性能；4. 分析制备SiC/Al电子封装材料的成本和效益。
计划实验步骤：1. 制备不同颗粒大小的SiC和Al粉，并按照不同的比例混合；2. 将混合物与熔融的Al-Si合金浸渗；3. 调节浸渗温度、时间和压力等工艺参数，在制备材料的同时测试材料的机械性能、导热性能和耐高温性能；4. 优化工艺参数，改善材料性能；5. 分析制备SiC/Al电子封装材料的成本和效益，比较与其他方法的差异。
预期成果：通过实验设计和数据分析，本文预计可以得到以下成果：1. 确定各种工艺参数对制备材料性能的影响，达到最佳性能状态；2. 得出优化制备工艺的结论，提高SiC/Al电子封装材料的性能；3. 评估无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的成本和效益，并与其他方法进行比较；4. 为电子封装材料研究领域提供新的制备方法和技术支持。
预期意义：本文研究的无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的方法，具有工艺简单、成本低、环保等优点。
在电子封装行业中，有着广泛的应用前景，可以为该领域提供一种新型的材料制备方法。
碳化硅复合材料项目可行性研究报告范文
碳化硅复合材料项目可行性研究报告范文
一、研究背景
随着社会的迅猛发展，唤醒了社会对于交通、住宅、电力等都更加高效和环保的要求。
碳化硅复合材料的应用可以满足这些需求，从而受到了人们的广泛关注。
因此，本项目旨在研究碳化硅复合材料的可行性，以满足社会上对高效、环保等要求。
二、研究目的
本次研究的目的是通过分析碳化硅复合材料的结构、性能以及制造工艺的特点，对其可行性进行研究，以便评估其在实际应用中的潜在机会和挑战，以及相关的发展趋势，探索未来的可能性。
三、研究内容
1.碳化硅复合材料的成分
2.碳化硅复合材料的性能
3.碳化硅复合材料的制造工艺。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电子封装用SiC p//Al复合材料开发与应用可行性报告一.项目的主要内容铝碳化硅（AlSiC）电子封装材料是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能的电子封装材料。
在国际上，铝碳化硅属于微电子封装材料的第三代产品，是当今西方国家芯片封装的最新型材料。
该复合材料的热膨胀系数比无氧铜低一半以上，且在一定范围内精确可控，比重仅为无氧铜的三分之一；与第一代kovar封装合金相比，导热率可提高十倍，减重三分之二；与第二代封装金属W/Cu、Mo/Cu相比，分别减重约83%和71%，且成本低得多。
另外，SiCp/Al电子封装材料具备优异的尺寸稳定性，与其他封装金属相比，机械加工及钎焊引起的畸变最小，具有净成型、加工能力，可焊性也较好。
自国际开发此类技术迄今十年多来，其应用范围从军工领域逐步向民用电子器材领域扩展，目前已占据整个电子封装材料市场近乎50%的使用覆盖面。
由于此项技术产品具有重要的军工价值，被欧美国家视为导弹、火箭和卫星制造等方面的尖端基础材料，始终作为高度机密技术加以封锁，该产品早已是我国急需的军工和民用市场上的空白高技术产品。
项目组在前期研究基础上将进一步优化自创的无压渗透法工艺中温度、摸具、气氛、时间等工艺参数；研究不同基体成分制备工艺参数，增强相颗粒尺寸、形状、比例等对该材料的导热性及膨胀系数影响；研究新材料镀镍及镀金工艺包括镀槽成分、酸洗工艺、退火工艺等，形成一套完整的铝碳化硅（AlSiC）电子封装零件制备工艺，制备出不同性能的电子封装材料和具体零件，为铝碳化硅（AlSiC）电子封装材料的产业化奠定基础。
二.相关技术领域国内外发展现状及趋势以Kovar为代表的第一代封装合金解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基片的匹配问题，但导热率却很低（比Cu低20倍）。
以W/Cu、Mo/Cu为代表的第二代封装合金，可以同时实现高导热与低膨胀，但它们的比重却很大（比纯铜还高），而且制造工艺复杂，成本高，因此大大制约了它们在轻量化要求中当代的使用。
特别是限制了在航空航天电子系统只的大量使用。
近十年来问世的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiCp/Al）就可望替代第一、第二代专用电子封装合金，满足低膨胀，高导热、轻质的要求。
目前国主要电子封装材料性能见下表1：其中Al/SiCp复合材料数据是本课题组所得数据。
表1电子封装应用SiC p/Al复合材料性能材料CTE(ppm/K)热导率(W/mK)密度(g/cm3)W-Cu合金 6.5-7.2150-18016.1-16.4Al/SiCp复合材料8-12120-160 2.0-3.5KOVAR合金 6.2-7.215-228.15-8.19膨胀系数热导率是SiC p/Al复合材料作为电子封装应用的重要热物理性能，SiC p/Al复合材料中增强体颗粒体积分数是对其热物理性能影响最大的因素之一，一般认为随着SiC增强颗粒的体积分数增加，其热膨胀系数及热导率均会逐步下降。
Hyo.S.Lee等人通过实验得出如下数据：当SiC的体积分数在50%时，其平均热膨胀系数为9.50×10-6/K，平均热导率为177W/mK；当SiC的体积分数增加到71%时，其平均热膨胀系数降至6.33×10-6/K，平均热导率也降至125W/mK。
本课题组前期也对此做了一定的探讨，在SiC颗粒体积分数为55%时，在100℃测得复合材的热膨胀系数为9.25×10-6/K。
SiC p/Al复合材料基体成分变化对热物理性能也存在一定的影响，由于铝合金基体本身的热物理性能的不同，而形成的复合材料热物理性能也存在差异。
例如Chihiro Kawai发现相同增强体体积分数的SiC p/Al复合材料，采用不同基体，一个试样采用纯铝基体，另一个试样采用含硅为11%的铝合金基体，最终测得其复合材料的热膨胀系数不同，基体中含11%硅的SiC p/Al复合材料热膨胀系数较小，但同时也发现含硅铝合金基体的SiC p/Al复合材料的热导率较高。
颗粒增强复合材料的制备工艺有粉末冶金法、压铸法或半固态凝固法、喷雾沉积法等，但这些方法中都不能制备高比例增强相复合材料。
即使粉末冶金法，增强相最大比例也只能达40％，且都需要真空、高压、高温复杂设备，还需对增强颗粒进行预处理，即使这样，也难以制备形状复杂零件。
近年来，美国Lanxide公司又开发了一种称为无压渗透的技术，无需特殊设备，不需对增强颗粒预处理，在普通加热炉中加热不超过1000℃，氮气保护下，可生产出高比例的铝基复合材料，可制备各种复杂形状构件。
这是一种低成本生产颗粒增强复合材料方法。
但有关该项技术的具体细节尚未公开报道。
SiCp/Al电子封装复合材料已在美国获得实际应用。
工程应用在二十世纪九十年代中期兴起，最早是美国休斯公司为机载预警雷达的模块封装而开发。
二十世纪九十年代末，又在F-22战斗机、EA-6B“徘徊表”电子战斗机上大量使用。
目前，SiCp/Al电子封装复合材料应用也有大的突破。
本项目申请者从1993年开始在Lanxide公司的无压渗透法的基础上，开发出简便易行的在空气气氛中的无压渗透法，能成功的制备出SiC颗粒体积比例在55％～65％的电子封装用高比例颗粒增强铝基复合材料。
并且对该法制备出SiCp/Al电子封装的复合材料相关膨胀系数热导率进行了相关研究。
三.项目的目的、意义随着信息技术高速的发展，当今电器部件中的芯片集成度越来越高，微电路的组装也越来越高，芯片的尺寸越来越大，功率也越来越大，散热要求也越来越高。
铝、铜等传统封装金属尽管导热性能十分理想，但它们的热膨胀系数与Si\CaAs等芯片不同，因此陶瓷和电容介质材料存在高热错配力，同时芯片向大尺寸化不断发展，陶瓷基片也越来越薄，很容易引起芯片和陶瓷基片的炸裂或某些焊点、焊缝的开裂。
以Kovar为代表的第一代封装合金解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基片的匹配问题，但导热率却很低（比Cu低20倍）。
以W/Cu、Mo/Cu为代表的第二代封装合金，可以同时实现高导热与低膨胀，但它们的比重却很大（比纯铜还高），而且制造工艺复杂，成本高，因此大大制约了它们在轻量化要求中当代的使用。
特别是限制了在航空航天电子系统只的大量使用。
对当今搭载电子元器件数量急剧膨胀的先进预警机、战斗机、大型相控雷达、卫星、弹道导弹等军事装备来说，降低自重就意味着提高了灵活性和生存性，降低了燃料装载量，增加了有效载荷。
因此，军事电子装备尤其是航空航天飞行器上的装备迫切需要一种集低膨胀、高导热、轻质三大特性于一身的新型电子封装材料。
近十年来问世的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiCp/Al）就可望替代第一、第二代专用电子封装合金，满足低膨胀，高导热、轻质的要求。
该复合材料的热膨胀系数比无氧铜低一半以上，且在一定范围内精确可控，比重仅为无氧铜的三分之一；与第一代kovar封装合金相比，导热率可提高十倍，减重三分之二；与第二代封装金属W/Cu、Mo/Cu相比，分别减重约83%和71%，且成本低得多。
另外，SiCp/Al电子封装材料具备优异的尺寸稳定性，与其他封装金属相比，机械加工及钎焊引起的畸变最小，具有净成型、加工能力，可焊性也较好。
随着我国逐渐成为世界信息产品的制造基地，对IC产品的需求将不断增长。
根据有关权威机构研究结果显示，2005年，中国集成电路的需求量将达到500亿元人民币，而属于本技术产品主要进入领域的功率电子、光电子和微波器件的市场将随之扩大，估计不会低于5%的份额，即25亿元人民币的需求量,其中封装材料每年的市场需求总量大约为15～20亿元人民币。
因此，用SiC/Al制成各种平板状的产品，用于各类电路的热沉、基板、封p盖、过渡片等，可替代目前在使用的氧化铍、氮化铝、钼片、钨铜合金及其它金属材料。
用SiC/Al制造的各类封装管壳产品，用于各种电路的外壳、底座、管p件等，可替代目前在使用的可伐合金、钢、钼及其它金属材料外壳。
电子封装SiCp/Al复合材料无论从性能上、技术上取代W/Cu W/Mo等材料是大势所趋四.项目实施方案1．项目开发内容研究内容：1、材料制备工艺优化进一步优化自创的无压渗透法工艺中温度、摸具、气氛、时间等工艺参数；为制备出不同形状尺寸的毛坯件奠定基础。
2、导热性研究研究不同基体成分制备工艺参数，增强相颗粒尺寸、形状、比例等对该材料的导热性影响；为制备不同导热率电子封装材料作准备。
3、膨胀性能研究研究不同基体成分制备工艺参数，增强相颗粒尺寸、形状、比例等对该材料的膨胀系数影响；为制备不同膨胀系数电子封装材料作准备。
4、表面镀金属工艺研究主要研究新材料镀镍及镀金工艺。
包括镀槽成分、酸洗工艺、退火工艺等。
为该材料适应不同的密封及可焊性作准备。
5、选择一个具体的电子元件制作封接用的SiC p/Al复合材料。
2.分年度工作内容项目进展安排20061--2006.12完成制备工艺优化，制备出不同形状\尺寸的封装用零件2007.1---2007.9完成导热性及膨胀系数研究,制备出导热率在190—200w/m.k,热膨胀系数在7.1—9.0*10/k的材料2007.10---2007.12完成表面镀镍或镀金的工艺探索,制备出有良好表面镍层或金层的样品。
2008.1---2008.6完成一个具体电子产品封装用零件制备及应用工作2008.6项目总结五.项目实施技术可行性分析SiCp/Al电子封装复合材料已在美国获得实际应用。
工程应用在二十世纪九十年代中期兴起，最早是美国休斯公司为机载预警雷达的模块封装而开发。
二十世纪九十年代末，又在F-22战斗机、EA-6B“徘徊表”电子战斗机上大量使用。
目前，SiCp/Al电子封装复合材料应用也有大的突破。
本项目申请者从1993年开始在Lanxide公司的无压渗透法的基础上，开发出简便易行的在空气气氛中的无压渗透法，能成功的制备出SiC颗粒体积比例在55％～65％的电子封装用高比例颗粒增强铝基复合材料。
本项目的研究可以利用已研制的空气氛围下无压渗透法制备出各种需要的复合材料试样及简单零件，其工艺简单成本低廉；见下图。
并且对该法制备出SiCp/Al电子封装的复合材料相关膨胀系数热导率进行了相关研究。
也可以利用SiCp/Al颗粒增强铝基复合材料的热微屈服行为、热循环过程累积残余应变的一些实验数据及理论研究成果，其中完成的“碳化硅颗粒铝基复合材料制备工艺”、“高比例SiCp/Al颗粒增强铝基复合材料热循环过程累积残余应变”等一系列论文,这对本项目的顺利完成非常有益；项目具体技术方案：a、增强相体积分数的影响调整预制增强相胚中黏结剂的含量、选择大小不同的增强相尺寸或者通过高比例体积分数复合材料重熔制备出不同增强相体积分数复合材料。