传感器复习提纲(全部)

传感器复习提纲(全部)考试题型1、填空题（20-30分）2、选择题(20分)3、简答题（30-40分）4、计算题（20分）第一章传感与检测技术的理论基础1、名词解释：测量、引用误差、随机误差、系统误差、粗大误差2、关键点：●测量根据测量方法分：直接测量、间接测量和组合测量;●测量根据测量方式分:偏差式测量、零位法测量与微差法测量;●等精度和不等精度测量的区别●变送器将传感器输出的信号变换成便于传输和处理的信号●测量误差是测得值减去被测量的真值●修正值是与绝对误差大小相等、符号相反的值●仪表精度等级是根据最大引用误差来确定的●系统误差分恒值系统误差和变值系统误差●在数据处理时要采用的误差不应该包含粗大误差，即所有的坏值都应当剔除●算术平均值是反映随机误差的分布中心, 而均方根偏差则反映随机误差的分布范围。

●各测量值与算术平均值差值称为残余误差, ●绝对值大于3σ的误差是不可能出现的, 通常把这个误差称为极限误差δlim。

即极限误差δlim=±3σ●3σ准则就是如果一组测量数据中某个测量值的残余误差的绝对值|vi|>3σ时, 则该测量值为可疑值（坏值）, 应剔除。

●最小二乘法原理就是要获得最可信赖的测量结果, 使各测量值的残余误差平方和为最小。

3、简答题：画出测量系统组成结构框图（图1-1）随机误差有哪些性质？如何减小和消除系统误差？5、计算题课后题1-3第二章1、名词解释：传感器、灵敏度、迟滞、漂移2、关键点◆ 写出灵敏度和线性度的公式 S=Δy/Δx ◆ τ值是一阶传感器重要的性能参数。

时间常数τ越小, 响应速度越快◆ 二阶传感器对阶跃信号的响应在很大程度上取决于阻尼比ξ和固有频率ωn 。

◆ 传感器的频率响应特性的好坏主要取决于传感器的固有频率ωn 和阻尼比ξ。

为了减小动态误差和扩大频率响应范围, 一般是提高传感器固有频率ωn 。

3、简答题 课后题2-1、2-2第三章应变式传感器1、名词解释：应变效应：在导体产生机械变形时, 它的电阻值相应发生变化。

压阻效应：半导体材料的电阻率ρ随作用应力的变化而发生变化的现象2、关键点：● 电阻应变片的工作原理是基于应变效应 ● 半导体应变片的工作原理是基于应阻效应%100max ⨯∆±=FS L Y L r●金属应变片由敏感栅、基片、覆盖层和引线等部分组成●金属电阻应变片的敏感栅有丝式、箔式和薄膜式三种。

●康铜是目前应用最为广泛的应变丝材料●目前应变片的电阻值(标称值)也有一个系列，如60、120、350、600、1000Ω等，其中以120Ω最为常用。

●电阻应变片的温度补偿方法通常有线路补偿法和应变片自补偿两大类。

线路补偿法测量应变时, 工作应变片R1粘贴在被测试件表面上, 补偿应变片RB粘贴在与被测试件材料完全相同的补偿块上, 且仅工作应变片承受应变。

●画出图3-10，半桥和全桥，写出电桥输出电压（3-46）（3-47）和灵敏度●欲使直流电桥平衡, 其相邻两臂电阻的比值应相等, 或相对两臂电阻的乘积相等。

●对交流电桥, 除要满足电阻平衡条件外, 还必须满足电容平衡条件3、简答题课后题3-34、计算题课后题3-5 3-6第四章电感式传感器1、名词解释：电感式传感器：利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量、振动等转换成线圈自感量L或互感量M的变化, 再由测量电路转换为电压或电流的变化量输出, 这种装置称为电感式传感器互感式传感器：把被测的非电量变化转换为线圈互感量变化的传感器2、关键点●电感式传感器种类很多, 主要有自感式、互感式和电涡流式三种传感器●自感式电感传感器是利用线圈自感量的变化来测量的，由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。

又称为磁阻传感器●自感式电感传感器又可分为变气隙厚度δ的传感器和变气隙面积Ｓ0的传感器。

使用最广泛的是变气隙厚度式电感传感器。

●变间隙式电感传感器的测量范围与灵敏度及线性度相矛盾, 所以变隙式电感式传感器用于测量微小位移时是比较精确的。

●为了减小非线性误差, 实际测量中广泛采用差动变隙式电感传感器。

●自感式电感传感器的测量电路有交流电桥式、变压器式以及谐振式等几种形式。

对于变压器式由于输入电压是交流电压, 输出指示无法判断位移方向, 必须配合相敏检波电路来解决●零点残余电压主要由基波分量和高次谐波分量组成，零点残余电压的存在造成零点附近的不灵敏区，限制了分辨率的提高。

●差动变压器结构形式较多, 有变隙式、变面积式和螺线管式等，差动变压器输出的是交流电压, 为了达到能辨别移动方向及消除零点残余电压的目的, 实际测量时, 常常采用差动整流电路和相敏检波电路。

●相敏检波电路输出电压u0的值反映位移Δx的大小, 而uL的极性则反映了位移Δx的方向。

●根据电涡流效应制成的传感器称为电涡流式传感器。

3、简答题：课后题 4-1 参考图4-3及其原理说明4、计算题课后题4-8 4-9第五章电容式传感器1、名词解释：电容式传感器是将非电量的变化转换为电容量变化的一种传感器。

2、关键点⏹电容式传感器可分为三种：变极板间距离的变极距型、改变极板面积的变面积型、改变介质介电常数的变介质型⏹图5-1分清各种结构形式的传感器类型⏹变极距型电容传感器，极板间可采用高介电常数的材料（云母、塑料膜等）作介质，有了云母片, 极板间起始距离可大大减小。

⏹一般变极板间距离电容式传感器的起始电容在 20～100pF之间, 极板间距离在25～200μm的范围内, 最大位移应小于间距的1/10, 故在微位移测量中应用最广。

⏹变面积型电容传感器的应用场合：主要应用于测量线位移和角位移。

⏹变介质型电容传感器是利用不同介质的介电常数各不相同，通过介质的改变来实现对被测量的检测，并通过电容式传感器的电容量的变化反映出来⏹ 除变极距型电容传感器外, 其它几种形式传感器的输入量与输出电容量之间的关系均为线性的⏹ 差动脉宽调制电路能适用于变极板距离以及变面积式差动式电容传感器, 并具有线性特性。

3、简答题：1）说明单极式变极距型电容传感器灵敏度和非线性误差间的关系，根据所学知识说明如何提高其提高灵敏度, 减小非线性误差。

（课后题5-2类似，参看其答案）答：对于变极距型电容传感器，灵敏度与非线性误差对d0的要求是矛盾的。

即K 大，非线性误差大；K 小，非线性误差小。

为了提高灵敏度, 减小非线性误差, 大都采用差动式结构，如此一来，灵敏度得到一倍的改善， 由 变为线性度得到改善由 变为2）课后题5-1 002C d C d ∆∆≈20100%d d δ⎛⎫∆=⨯ ⎪⎝⎭001C d C d ∆∆≈0100%d d δ∆=⨯3)课后题 5-34、计算题课后题5-4第六章压电式传感器1、名词解释：1）正压电效应（顺压电效应）：某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。

当作用力方向改变时，电荷极性也随着改变。

2）逆压电效应（电致伸缩效应）：当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。

3）居里点温度：压电材料开始丧失压电特性的温度。

2、关键点：1）压电式传感器基于压电材料的压电效应，是有源传感器。

2）压电材料可以分为两大类：压电晶体和压电陶瓷3）石英晶体的压电系数比压电陶瓷低得多（压电陶瓷的压电灵敏度高）4）锆钛酸铅与钛酸钡相比，压电系数更大，居里点温度高（在300℃以上），各项机电参数受温度影响小，时间稳定性好，因此锆钛酸铅系压电陶瓷（PZT）是目前压电式传感器中应用最广泛的压电材料。

3、简答题1）为什么压电晶体不适合于静态测量？答：由于外力作用在压电元件上产生的电荷只有在无泄漏的情况下才能保存，即需要转换电路具有无限大的输入阻抗，事实上，传感器内部不可能没有泄漏，外电路负载也不可能无穷大，只有外力以较高频率不断地作用，传感器的电荷才能得以补充，因此，压电晶体不适合于静态测量。

2）画出压电元件的两种等效电路P107 图6-7 （课后题6-4）3）课后题6-54）课后题6-6第七章磁电式传感器1、名词解释1）磁电式传感器，是利用磁电作用将被测量（如振动、位移、转速等）转换成电信号的一种传感器。

2）霍尔效应：置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，在垂直于电流和磁场的方向会产生电动势（霍尔电势），这种现象称霍尔效应2、关键点1）磁电式传感器是一种有源传感器，有磁电感应式传感器和霍尔式传感器等2）两种磁电式传感器结构：变磁通式和恒磁通式。

变磁通式又称为磁阻式3）霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器4）霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。

为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。

3、简单题1）课后题7-12）课后题 7-4 什么是霍尔效应，霍尔电势与哪些因素相关？3）答：置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，在垂直于电流和磁场的方向会产生电动势（霍尔电势），这种现象称霍尔效应。

霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。

为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。

4、计算题课后题7-7第八章光电式传感器1、名词解释1）光电式传感器2）外光电效应3）内光电效应4）光电耦合器件是由发光元件（如发光二极管）和光电接收元件合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件5）CCD2、关键点1）光电器件工作的物理基础是光电效应。

光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类2）在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管就属于这类光电器件。

3）受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应，内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应4）光电导效应：在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化，这种效应称为光电导效应。

基于这种效应的器件有光敏电阻等。

5）在光线作用下, 能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应, 如光电池就属于这类光电器件。

6）光敏电阻的亮电流与暗电流之差称为光电流7）由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。

8）光电池是在光线照射下，直接将光能转换为电能的光电器件9）光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态10）光电耦合器件分为用于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关两类，11）电荷耦合器件（Charge Couple Device，简称CCD）是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件。