元器件降额标准(参考)
(整理)元器件降额使用参考
元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。
我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%二、二极管二极管种类繁多，特性不一。
故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃玻璃钝化二极管< 85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃肖特基二极管< 85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值三、功率MOSV GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)V DS<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
元器件降额准则一览表
元器件降额准则一览表
一、电容
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作
温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。
三、电阻
四、二极管
五、晶极管
六、磁性器件：变压器和电感的降额要求：
七、微电路
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
八、保险丝：UL/IEC保险丝降额要求
九、连接器
十、开关
十一、电源。
元器件降额准则一览表
元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
电路设计元器件降额标准
电路设计元器件降额标准1、晶体管/MOSFET：反向电压：0.7 0.8MOSFET栅源电压：0.6 0.7三极管集电极、发射机电压：0.7 0.8三极管集电极电流：0.7 0.8正反向电流：0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压：10%稳定电压（稳压二极管）：反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流：0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度：Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45～0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时，按0.005/oC增加降额5、可控硅，闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压：电源电压80%功率：0.5 0.5温度：TMax-1510、压敏电阻电压：0.75功率：0.6 0.7不靠近发热可燃器件，离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/ 电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6～0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5～0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6～0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器（VA）线圈释放电压0.9最小～1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度：最低+10，最高-1019、光学器件光纤光源：峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤：温度：低温+20，高温-20张力：光纤20%拉力，光缆50%拉升值弯曲半径：最小允许值200%光纤连接器：温度：Tmax-25 Tmax-20。
元器件降额标准(参考)
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤 与光 缆
温度
上限额定值—20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线 与电 缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流（A）
线规Avg
线绕 电位 器
电压
功率
普通型
非密封功率型
—
—
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(C)
Tam-15
Tam-15
Tam-15
电容
器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
Tam-10
Tam-10
直流工作电压
固定云母型
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
输出电流
功率
最高结温（C）
80
95
105
数字电路
双极型电 路
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（C）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（C）
85
100
115
大规模集成电路
元器件降额标准(参考)
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
元器件降额规范
表1集成电路降额表.......................................................................3
表2分立半导体降额表......................................................................4
温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
线绕电阻
电压
0.85
0.85
0.95
功率
精密型
0.8
0.8
0.9
功率型
0.8
0.8
0.9
温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
保险丝
电压
0.85
0.85
0.95
电流
0.55
0.55
0.55
热敏电阻
电压
0.85
0.85
0.95
电流
0.85
0.85
0.95
电压
0.85
0.95
0.95
电流
0.85
0.95
0.95
最高结温，Tj
0.8
0.8
0.9
光电器件
电压
0.85
0.95
0.95
电流
光耦
0.85
0.95
0.95
发光二极管
0.65
0.85
0.85
最高结温Tj
0.8
0.9
0.9
注：Tj为器件最高允许结温
5.3固定电阻器、保险丝、热敏电阻
表3固定电阻降额表
元器件种类
100%(Ref.)
元器件降额标准(参考)
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.15
触点电压
0.40
0.50
0.70
触点功率
0.40
0.50
0.70
连接器
工作电压
0.50
0.70
0.80
工作电流
0.50
0.70
0.80
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
0.30~0.40
0.50
0.50
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
0.60~0.70
0.60~0.70
0.60~0.70
瞬间电压/电流
0.9
0.9
0.9
介质耐压
0.5~0.6
0.5~0.6
0.5~0.6
扼流圈工作电压
0.7
0.7
0.7
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（最大浪涌电流）
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晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
TAM-10
固定陶瓷型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定纸/塑料薄膜
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电解电容器
铝电解
直流工作电压
－
－
最高额定环境温度TAM（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
合成型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电阻网络
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电阻
电压
功率
精密型
功率型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电位器
非线绕电位器
电压
功率
合成、薄膜微调
精密塑料型
不采用
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电位器
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
H-Driver/Vertical
行场驱动
80
80
75
85
80
80
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
90
50
70
90
Zener Diode
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)
50
50
80
ห้องสมุดไป่ตู้90
Damp/ModulationDiode
Vrm (%)
Io (%)
80
不同功率下的峰值电压：1/6 W-200（150）V；1/4 W-250V；1/2 W-350 V；1W-350 V；2W-350V；3W-500 V；5W-500V
器件型号
Isteady (%)
Im (%)
Isteady (%)
Im (%)
NTC-电阻
PTC-电阻
80
80
电容
V DC (%)
V CP (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
80
80
90
85
80
90
PCB ( Solder Temp)
85°C
100°C
Special Parts
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (°C)
Switch Power
MOSFET
85
90
85
100
DC-DC booster
MOSFET
DC- DC booster
rectifier
output
器件型号
Normal Case
Worst Case
Special Parts
80
80
85
60
90
95
90
70
Electrolytic
(105° C, 2000 h)
80
80
90
60
90
95
90
70
Component Typ
Normal Case
Worst Case
Inductors
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
元器件降额准则（参考件）
元器件种类
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
集成电路
模拟电路
放大器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
比较器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
电 压调整器
电源电压
输入电压
输出输入电压差
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
模拟开关
电源电压
输入电压
电压
功率
普通型
非密封功率型
－
－
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度（℃）
TAM-15
TAM-15
TAM-15
电容器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定云母型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
50
50
PCB的标准焊接温度
85° C
50
80
PCB的标准焊接温度
100° C
100 Kohm
1/4 W
1/2 W
50
50
50
80
1 W
40
50
40
80
100 Kohm
1/4 W
80
50
80
80
1/2 W
80
50
80
80
1 W
80
60
80
80
2 W
80
50
80
60
玻璃釉电阻
70
60
压敏电阻
80
50
80
Choke Coil
80
Transformer
Semiconductors
Tj min.=150°C
Note:Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case
Diode
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
电流
功率
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
电压
电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
I fsm (%)
Tcase (°C)
90
50
70
90
Transistors
Vce (%)
Veb (%)
IC (%)
Tcase (°C
Vce (%)
Veb (%)
IC (%)
Tcase (°C
85
85
85
85
85
85
90
MOSFET
Vpss (%)
Ip (%)