电子线路1课后习题答案
《电子线路》参考答案
1考答案第一部分:判断、选择题(40%)第二部分:非选择题(60%)三、填空题（本大题每格1分、共40分）：1、截止、饱和2、4、13、10、14、非、非5、调整管、基准电路、取样电路、比较放大6、A 、B7、饱和、截止、放大8、输入、输出9、逻辑关系、逻辑代数、真值表、逻辑表达式、波形图、开关元件 10、010********* 11、保持、翻转 12、共发射极、共集电极、共基极 13、相位平衡、幅度平衡 14、与、或、非 15、Y=AB 、有0出0全1出1 16、积、和四、计算分析题（本大题2小题、共8分）：（5分）1、(1)静态工作点：（3分）解：VV V V RE IEQ RC ICQ VCC VCEQ uA mA ICQ IBQ mA IEQ ICQ mAKVV IEQ VKK KV Rb Rb Rb VCC VBQ VVBEQ VBEQVBQ IEQ 7.53.331260503331.17.044102010122127.0Re=--=⨯-⨯-=====≈=-==+⨯=+⨯==-=β2CP D Q /Q A 0011B 0101Y 1000(2)输入电阻和输出电阻：（2分） 解：（3分）2、（1）反相比例运算电路（1分） （2） 解 （2分） 五、化简下列逻辑函数式：（本大题2小题、共6分）（3分）1、ABD C AB AB Y ++= （3分） 2、C B AC AB Y ++=六、分析题（本大题2小题、共6分）： （3分）1、（3分）2、（2分）（1） （1分）（2） 或D AB ABDAB +=+=K Rc ro mAmVrbe rbe Rb Rb ri 1742326)1(300‖2‖1==Ω=++=≈=βV VK KViRi RfVo 511050-=⨯-=-=C B AB C B A C B ABC AB C B A ABC C B AB AC C B AB +=+++=+++=++=)()(B A Y +=B A Y •=。
电子线路答案 第五版
(π
/
4)
62.83%
1-31 如图所示为 SW7900 三端式负电压输出的集成稳压器内部原理电路，已知输入电
V V 压
= —19v,输出电压
1
=
O
—12v，各管的导通电压| VBE(on)|均为 0.7v，D 的稳定电压
V =7v。 Z2 （1）试说明比较放大器和输出级的工作原理。
V （2）试求向比较放大器提供的基准电压
功率 P。= 60 W，VCC=12.5v。（1）当C=60%时，试计算管耗 PC 和平均分量 I CO 值；（2）若 保持 P。不变，将C 提高到 80%，试问 PC 减少多少？
当 RL > 50 ，交流负载线以 Q2 为中心逆时针转动，但由于激励不变，输出将出现饱和 失真。
(3)VCC =30 V，交流负载线平移到 EF，静态工作点为 Q3，因为 Ibm 不变，所以 Vcm 不 变，Icm 不变，因此 PL 不变，PL= 2.25 W，但 VCC =30 V，所以
乙类
Pomax
1 4 V(BR)CEOI CM
1 60V 3A 45W 4
Pomax 5PCM 5 30W 150W
所以 Pomax Pomax 45W
1-10 单管甲类变压器耦合和乙类变压器耦合推挽功率放大器采用相同的功率管
3DD303、相同的电源电压 VCC 和负载 RL,且甲类放大器的 RL 等于匹配值.。两放大器中若维
电压的变化，达到稳定输出电压的目的。
V V （2）
= —（
REF
Z 2 + VBE(on)）= —（7v+0.7v）= —7.7v
电子线路(1) (董尚斌 著) 清华大学出版社 课后答案(1-3章)
h 1-4 在 PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ k 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压
全部降落在 PN 结上，而不能作用于 P 区和 N 区将少数载流子吸引过来。漂移大
. 于扩散，由于在 P 区及 N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 w1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
2
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ni＝2.4×1013cm－3，Na＝3×1014cm－3， Nd＝2×1014cm－3 代入上式得[ ] p=1 2⎢⎣⎡−
(2
−
3) ×1014
+
(2 − 3) ×1014
2
+ 4(2.4 ×1013 )2
⎤ ⎥⎦
= 1.055 ×1014 cm−3
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第1章
低频电子线路习题
课 后 答 案 网
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？ 解 ：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差 ， 在温度为 0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由 本征激 发 产 生 自 由 电 子 — 空穴对 ， 并达 到某 一 热平衡 值 ，本 征载流 子浓度
⇒
16V＜VI＜39.3V
5
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1-29 题图 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判 定
这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，
解 ：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘 上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表 的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
高频电子线路第1章习题参考答案PPT教学课件
调制信号的频谱搬移到高频载波附近；另外，由于调制后的
信号是高频信号，所以也提高了信道利用率，实现了信道复
用。
调制方式有模拟调调制和数字调制。在模拟调制中，用调
制信号去控制高频载波的某个参数。在调幅方式中，AM普通
调幅、抑制载波的双边带调幅（DSB）、单边带调幅
（SSB）、残留单边带调幅（VSSB）；在调频方式中，有调
寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接 收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离， 也可获得较高的接收灵敏度。
2020/12/10
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高频电子线路习题参考解答
1－3 无线通信为什么要进行凋制？如何进行调制？
答：
因为基带调制信号都是频率比较低的信号，为了达到较高的
发射效率和接收效率，减小天线的尺寸，可以通过调制，把
频（FM）和调相（PM）。
在数字调制中，一般有频率键控（FSK）、幅度键控
（2A020S/1K2/1）0 、相位键控（PSK）等调制方法。
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高频电子线路习题参考解答
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第1章习题参考答案
1-1
1-2
1-3
1-4
2020/12/10
1
高频电子线路习题参考解答
1－1 画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功 用。 答：
话 筒
音频 放大器
调制器
变频器
激励放大
输出功 率放大
载波 振荡器
天线开关
扬 声 器
音频 放大器
解调器
中频放大 与滤波
混频器
2020/12/10
电子线路第六版参考答案
电子线路第六版参考答案电子线路第六版参考答案电子线路是电子学的基础，掌握电子线路的原理和设计方法对于从事电子工程的人来说至关重要。
而电子线路第六版是电子线路领域的经典教材，被广泛应用于电子工程专业的教学和研究中。
本文将为大家提供电子线路第六版的参考答案，帮助读者更好地理解和掌握电子线路的知识。
第一章：基本概念1. 电子线路是由电子元件组成的物理结构，用于实现电子信号的处理和控制。
2. 电子元件包括有源元件（如晶体管和集成电路）和无源元件（如电阻和电容）。
3. 电子线路的主要特性包括电压、电流、功率和频率等。
第二章：基本电路1. 基本电路包括电源、负载和连接它们的导线。
2. 串联电路是将电子元件依次连接起来，电流在电路中只有一条路径。
3. 并联电路是将电子元件同时连接在一起，电流在电路中有多条路径。
第三章：电路分析方法1. 基尔霍夫定律是电路分析的基本原理之一，它包括节点电流定律和回路电压定律。
2. 罗尔定理是电路分析的另一个重要工具，它可以简化复杂电路的计算过程。
3. 叠加定理可以将复杂电路分解为简单电路进行分析，然后再将结果叠加得到最终的解。
第四章：放大电路1. 放大电路是将输入信号放大到一定幅度的电子线路，常用于信号处理和放大器设计。
2. 放大电路的常用参数包括增益、带宽和失真等。
3. 放大电路的设计需要考虑输入输出阻抗、负载和稳定性等因素。
第五章：振荡电路1. 振荡电路是产生稳定振荡信号的电子线路，常用于时钟和信号发生器等应用。
2. 振荡电路的常用结构包括反馈网络和振荡器。
3. 振荡电路的设计需要考虑振荡频率、稳定性和输出波形等因素。
第六章：滤波电路1. 滤波电路是将特定频率的信号通过，而阻断其他频率的信号的电子线路，常用于信号处理和通信系统等应用。
2. 滤波电路的常用类型包括低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
3. 滤波电路的设计需要考虑滤波特性、频率响应和阻带衰减等因素。
通过以上对电子线路第六版参考答案的论述，我们可以看到电子线路的知识体系是非常庞大和复杂的。
梁明理电子线路课后习题答案
1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当v i <V R 时（V R >0），二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R ，被限幅在V R 值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（a ）所示。
(2)当v i <V R （V R <0）时，二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R 。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（b ）所示。
(3)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 导通，相当于短路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（c ）所示。
(4)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 截止，相当于断路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 导通，相当于短接，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（d ）所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V im =3V R 。
(完整版)电子线路-梁明理第五版全答案
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。
电子线路课后题答案
第一章1-3，1-9，1-10，1-13,D1优先导通，VD=1+0.7V=1.7V D2,D3截止1-14,D3优先导通，VD=4-0.7V=3.3V D1,D2截止1-15，1-17，1-18，1-19，1-21，1-22，1-231),当输入信号大于-V D(on)时，二极管截止，由于R L C即充放电常数很大，充放电速度非常慢，可忽略。
电容C两端电压视作不变。
输出随输入变化。
2),当输入下降到-V D(on)后，二极管导通，电容可通过二极管充放电。
输出端被钳位在- V D(on)3),V I降到负峰值时V C=V m-V D(on)（左—右+）.此后V I上升，二极管截止。
电容通过R L充放电可以忽略。
输出随输入上升。
4),V I=V m,即升到正峰值时，此时V C=V m-V D(on).(看做没有放电)，此时V o=V I+V C=2V m-V D(on).5),V I下降，V o跟着下降。
直到V o下降到- V D(on)，二极管又导通，但此时V I也达到了了最低点，所以二极管导通时间非常短，然后V I上升，二极管又截止。
第二章2-3，2-4，2-5，2-8，2-11，2-12，2-13，2-15，2-18A、B、C中A抢先导通，将晶体管基极电位钳制在4.3V。
故得到：发射极电位为3.6V，I E=1mA, I C=1mA, D点电位为5-1=4V。
实际：管子已经饱和（因为V C<V B）。
这时若用V CE(sat)=0.3V来计算，V D=3.9V。
接近4V（放大区），也就是说管子是处于临界的状态，题目答案为4V也可（本来0.3V的V CE(sat)也是一个工程估计值）。
2-20，2-21，2-23，2-24，第三章3-1,3-3,3-4,3-6,3-7,3-8,3-13,3-14(a):假设工作在放大区，则：I B=[2-V BE(on)]/[R B+(1+β)R E]=0.01mA,I C=βI B=1mA,V CE=V CC-I C(R E+R C)=10-1(10+1)=-1V CE<0.3,假设不成立所以工作在饱和区(b):N够到增强型MOS管V GS=5V>V GS(th)由V DS=V GS得到V DS>V GS- V GS(th)所以工作在饱和区(c):N沟道耗尽型MOSV GS=0>V GS(th)V DS=3VV GS- V GS(th)=3.5VV DS<V GS- V GS(th)非饱和区(d)：设工作在饱和区，则：I D=I DSS（1-V GS/V GS(off)）2=4*(1-2/5)2=1.44mAV DS=V CC-I D*R D=10-5*1.44=2.8V ,V GS-V GS(off)= -2+5=3V,V DS<V GS-V GS(off)所以假设错误，工作在非饱和区（可变电阻区）。
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《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同~解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。
漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。
而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） ）（2） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。
正向电阻很小，而反向电阻很大。
（3） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ⨯10档测出的阻值小，而用R ⨯100档测出的阻值大，为什么解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为，R ×10档时，表头满量程为100μA ，万用表的内阻为SR '＝150Ω，R ×100档时万用表的内阻为Ω='=150010S S R R 。
用万用表测二极管所构成的电路如题图1-6（a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。
由图可得管子两端的电压V 和电流I 之间有下列关系：R ×10档： SR I V '-=5.1 R ×100档： SS R I IR V '-=-=105.15.1这两个方程式在V-I 坐标系中均为直线，如图（b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。
因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定在特性曲线与直流负载线的交点上。
用R ×10档测量时，交于图中A 点，万用表读数为V 1／I 1；用R ×100档测时，交于图中B 点，万用表读数为V 2／I 2。
显然前者的阻值较小，而后者的阻值大。
*1-18 在300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm －3，受主原子数等于3×1014cm －3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。
由此判断它是N 型还是P 型锗它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现［提示］ 若N a ＝受主原子（负离子）浓度，N d ＝施主原子（正离子）浓度，则根据电中性原理，可得 p N n N d a +=+又 2i n np =（300K 下，锗的n i ＝×1013cm －3）由上二式可求出n 、p 之值。
（2）若 N a ＝N d ＝1015cm －3，重做上述内容。
<（3）若 N d ＝1016cm －3，N a ＝1014cm －3，重做上述内容。
解：（1）由2i n np =与n ＋N a ＝P ＋N d 可得0)(22=--+i a d n p N N p解之得⎥⎦⎤⎢⎣⎡+-±--=224)()(21i a d a d n N N N N p 由于p ＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知n i ＝×1013cm －3，N a ＝3×1014cm －3， N d ＝2×1014cm －3代入上式得[]3142132141410055.1)104.2(410)32(10)32(21-⨯=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯+⨯-+⨯--=cm p n ＝p ＋（N d －N a ）＝×1014＋（2－3）×1014＝×1012cm－3 由此可知 n ＜p 因而是P 型锗。
*（2）由于 N a ＝N d ，因而由n ＋N a ＝p ＋N d 得n ＝p ＝n i ＝×1013cm －3这是本征锗。
（3）由于N a ＜＜N d ，因而可得n ＞＞p n ≈N d =1016cm －33101621321076.510)104.2(-⨯=⨯==cm n n p i n ＞＞p ，故为N 型锗。
1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T ＝300K 时自由电子和空穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解： T ＝300K 时，n 0≈N d ＝（×1022／105）cm －3＝×1017cm －3＞＞n i ＝×1010cm －3则 320201053.4-⨯≈=cm n n p i本征半导体电导率 σ本＝（μn ＋μp ）n i q ＝×10－6S/cm杂质半导体电导率 σ杂≈μn n 0q ＝119S/cm;因此 σ杂／σ本＝238×1051-21 在室温（300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA ，问它的正向电流为时应加多大的电压。
设二极管的指数模型为)1(-=T D mV S D eI i υ,其中m ＝1，V T ＝26mV 。
解：将1115.0＞＞ ，，，T D V S D e nA I m mA i υ===代入公式得S D T D S D V I i V I i e T D ln=⇒=υυ V I i V SD T D 34.0ln ≈=υ1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图1-25所示，室温下测得二极管中的电流为20mA ，试确定二极管的静态直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
解：（1-25）从图中可见，I DQ =20mA 、V DQ =，所以静态直流电阻R D 为Ω=⨯==-5.33102067.03DQ DQD I V R 从图中可见，mA I D 201030=-=∆，因而在静态工作点处其交流电阻为】Ω==∆=3.12026D T d I V r 1-26 由理想二极管组成的电路如题图1-26所示，试求图中标注的电压V 和电流I 的大小。
解：在图（a ）电路中D 2管优先导通，输出端电压=＋3V ，D 1截止，通过1k Ω电阻的电流I=8mA ；题图1-26（b ）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D 1截止D 2导通，则输出端的电压()()V 33.310101051010+=-+⨯+--=；由于D 2是理想二极管，则A 点电压也为＋，显然，假定D 1截止是错误的。
若D 1导通，A 点电压为零，则输出端电压也为零V ＝0，则通过D 1的电流为()mA I 110100510=---=1-27二极管电路如题图1-27所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o。
设二极管的导通压降为。
解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。
如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。
在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：①在图题1-27（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。
显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。
如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。
若考虑二极管的正向压降V D(on)＝，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－＝－。
②在图题1-27（b）中，断开二极管V D,有V AB＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。
可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。
`③在图题1-27（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为：V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9VV D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－＝－而V B2A＝－12V－（－）＝－，所以，V D2因反偏处于截止状态。
④在图题1-27（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。
V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15VV D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A点的电位V A＝V B2＋V D2（on）＝－10V＋＝－。
D1因承受电压而截止。
故.V O＝V A＝－1-28 题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V ，稳定电流为10mA ，额定功率为200mW ，试问（1）当电源电压在18V ~ 30V 范围内变化时，输出V o 是多少稳压管是否安全（2）若将电源电压改为5V ，电压V o 是多少（3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条件解：由于稳压管的额定功率为200mW ，而V Z 为6V ，则通过稳压管的最大允许电流为mA I Z 3.336200max == （1）当电源电压在18～30V 范围内变化时，输出电压V o ＝6，而通过稳压管的电流I Z为mA I Z 241016303=⨯-=＜m ax Z I ，所以稳压管是安全的。