模电课后习题答案
模电第三版杨素行课后答案
模电第三版杨素行课后答案【篇一：模电答案(第三版)高教版杨素行主编p1~2】class=txt>习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
解：在20℃时的反向电流约为：2?3?10?a?1.25?a在80℃时的反向电流约为：23?10?a?80?a答：动态电阻rz愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流iz愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
解：20℃时，iceo??1???icbo?31?a50℃时，icbo?8?a???0?1?1%?t?t0?30??1?1%?50?20?30??1?30?1%??39iceo??1???icbo?320?a?0.32ma【篇二：模拟电路第七章课后习题答案】②列出uo1、uo2和uo的表达式；③设ui1=3v，ui2=1v，则输出电压uo＝？解：① r3?r1//r2?(10//10)k??5k?，r4?r5//r6?(10//20)k??6.67k?②uo1??rr21010ui1??ui1??ui1，uo2?(1?5)ui2?(1?)ui2?1.5ui2，r110r620r920(uo1?uo2)??(?ui1?1.5ui2)?2ui1?3ui2 r710uo??③ uo?2ui1?3ui2?(2?3?3?1)v?9v本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆习题 7-2 在图p7-2所示电路中，写出其输出电压uo的表达式。
解：uo?(1?rr2)ui?(?5)uir1r4rr2)ui?5]uir1r4 ?[(1?本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
模电课后(康华光版)习题答案2.docx
11 & II R 2l +5° 51 227.5 H ----- 20 + 7.5 Y6—叫51+扁叫4第二章部分习题解答2.4.6加减运算电路如图题8. 1. 3所求，求输岀电压仏的表达式。
解:方法一：应用虚短概念和叠加原理。
R、 s=_# 叫 1 _2 匕2再令沧二％2二0,则v n = ------- ——+ ------ :--- -- 评 4 卩比+瞌II 心心+心II 心12 ---- v 10 + 12 61将％和％叠加便得到总的输出电压, ” 5 c 51 51%=%+%= _ 才叫1 _ 2 比2 + —叫 3 + —人 4 方法二：用虚断列节点方程叫/ _ J | 叫 2 —V N J N_JR] R2 ~ R f叫3 - J叫4 _ J V p1 = i?3 R4 只5令％二加联立求解上述方程，结果与方法一相同。
2. 4. 2图题8. 1. 7为一增益线性调节运放电路，试推导该电路A厂—比—的电压增益V（勺1一勺2）的表达式。
解：A】、《是电压跟随器，有V ol = V Il^V o2 = V/2图题8. 1. 78利用虚短和虚断概念，有cVol ~ VN3 R\%2 _ 二彷3 _ 仏4尽R 2Vo4 = VN3 = V p3将上述方程组联立求解，得Ay =VI\ _ VI22.4.1 一高输入电阻的桥式放大电路如图题8.1.8所示，试写%^2V ol ~ ^2V o2 ~出^=f(5)的表达式I图题8. 1.8解:A 】、佻为电压跟随器，有VjR1怙=一険—2 ^~V B~2R +6R V I ~2 + 6V]丿。
1、卩。
2为差分式运算电路As 的输入信号电压，即有8. 3. 1用对数、反对数、加法或减法运算电路，设计岀vxV x V VVo\ = V x V r > V o2 =——％3 = ---------"和匚 的原理框图。
Vo\ ~ V X V Y^ 解：对于式，可写成如下关系式： v o] = V X V Y=exp(l/Wx + lw y ) v xv o2 - ---- = exp(biv x - lnvy)叫3 1VyVy = ------ =exp(lnv x + lnv Y - 1/iv.)尹据上述关系式可设计岀电路的原理框图，如图解8. 3. la> b 、 c 所示。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电第四版习题答案
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电第四版习题答案
1 思考与练习答案1.1 填空（1）单向导电性 不可以（2）0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅（3）R×100或R×1K R×10K R×1K（4）变压、整流、滤波、稳压 整流（5）4 100Hz（6）变压器次级线圈 滤波电容（7）+5 -12I C =1mA 时，工作电压的极限值为100V 。
2.7 （a ）放大；（b ）截止；（c ）饱和；（3）e b c PNP 硅管 （2）c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏，集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真；(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 （a ）不能 （b ）能 （c ）不能 （d ）不能3.2 R ＝10k Ω3.3 （1）上“－”下“＋” （2）f 0＝1.94kHz （3）二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形，稳定输出幅度。
（4）R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>（2 R 3－R 1）。
3.5 （a ）能 （b ）不能 （c ）能 （d ）能 （e ）不能 （f ）能3.7 （a ）并联型石英晶体振荡器 （b ）串联型石英晶体振荡器3.8（1）o i u u =-（2）o i u u =3.9（a ）-0.4V ；（b ）0.8 V ；（c ）0.8 V ；（d ）6 V ；（e ）1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响，(612)O u V = ；3.13（a ）124()O i i u u u =-+；（b ）122i i O u u u +=；（c ）2144O i i u u u =-； 3.14 312463O i i i u u u u =--； 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 （c ）二阶无源带阻滤波器 （d ）二阶有源带通滤波器4.4 （a ）二有源带通滤波器 （b ）二阶有源带阻滤波器（c ）二阶有源低通滤波器 （d ）二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制，以达到高保真的音质；或者根据聆听者的爱好，修饰与美化声音。
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模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1uF O111s Ru u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u FO222s R u u R =-3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u45p 3453////s R R u u R R R =+ N PN O3N12F //u u u u uR R R =-∴=FO3N12(1)//R u u R R =+45F312453//(1)////s R R R u R R R R R =++4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u35FO4412354//(1)////s R R R u u R R R R R =++综合： O1O2O3O4 = u u u u u +++题2.4 电路如图所示，设1A 、2A 为理想运放，电容的初始电压(0)0c u =。
（1）写出0u 与1s u 、2s u 和3s u 之间的关系式；（2）写出当电路中电阻123456R R R R R R R ======时，输出电压0u 的表达式。
分析：利用运放工作在线性区满足“虚短”和“虚断”的概念来分析电路功能。
1A 是差分减法器，2A 是两输入的积分电路。
（1）由于1A 是典型的差动减法电路，直接写出01u 与1s u 、2s u 的关系：34401121123(1)s s R R R u u u R R R R =-+++对2A 的分析用叠加原理：3s u 单独作用，输出为'0u '361s u u dtR C =-⎰01u 单独作用，输出为''u''00151u u dt R C =-⎰综合：'''003016511s u u u u dt u dtR C R C =+=-⎰-⎰所以'''0003443101615123511 (1)s s u u u R R R u dt u dt u dtR C R R C R R R R C =+=-⎰+⎰-+⋅⎰+（2）0312******* ()s s s s s s u u dt u dt u dtRC R RC u u u dtRC =-⎰+⎰-⎰=⎰--题2.5 在题图所示电路中，已知u I 1＝4V ，u I 2＝1V 。
回答下列问题：图P 7.19（1）当开关S 闭合时，分别求解A 、B 、C 、D 和u O 的电位； （2）设t ＝0时S 打开，问经过多长时间u O ＝0？ 解：（1）U A ＝7V ，U B ＝4V ，U C ＝1V ，U D ＝－2V ，u O ＝2 U D ＝－4V 。
（2）因为u O ＝2u D －u O 3，2 u D ＝－4V ，所以u O 3＝－4V 时，u O 才为零。
即mS6.28471010501163A 1O3≈-=⨯⨯⨯⨯-=⋅⋅-=-t t t u C R u题 2.6 图示电路中，A1～A5都是理想运放。
试求：1.当开关S 闭合时，分别计算、、、及的值。
2.当t ＝0时，将S 打开，问经多少时间，＝0V ？解：1．，，，，2．，代入数据，求得：t=30ms题2.7 图示电路中，A1～A4都是理想运放，电源电压VCC=14V。
试求：（1）集成运放A1 、A2 、A3 、A4各组成何种基本应用电路（如反向比例，同向比例，差动比例，求和，积分，微分，过零比较，滞回比较等等）？（2）设U11=U12 =U13=1V，试分别求出U01 、U02 、U03和U04（T=5S后）的表达式和值。
第三章题3.1电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V。
锗管的导通压降为0.2～0.3V。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P端）与阴极（N端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。
VD处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零，相当于短路。
所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N12-=，∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
题3.2 电路如题图所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V ，限流电阻Ｒ=Ωk 3，设)(sin 15V t u I ω=，试画出ou 的波形。
解：分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。
其电压值即为稳压管的稳定电压Uz 。
而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。
正偏时导通压降为零，则t u i ωsin 15=(V) Uz=8V当≥i u Uz 时，稳压管击穿而处于稳定状态，u O =Uz ；而0<i u <8V 时，稳压管处于反偏而截止，u O =i u ；当0≤i u 时，稳压管将处于正偏而导通，u O =0。
第四、五章题4.1 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位1U 、2U 、3U 分别为下列各组数值，试判断它们是ＮＰＮ型还是ＰＮＰ型？是硅管还是锗管？并确定e 、b 、c 。
① V U 5.31=，V U 8.22=，V U 123=； ② V U 31=，V U 8.22=，V U 123=； ③ V U 61=，V U 3.112=，V U 123=； ④ V U 61=，V U 8.112=，V U 123=解：分析：工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
且有PN 节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。
硅管的5.0=BE U ～V 0.7，锗管的1.0=BE U ～V 0.3。
所以首先找出电位差在0.1～0.3V 或0.5～0.7V 的两个电极，则其中必定一个为发射极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。
由PN 结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN 型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP 型三极管。
若为NPN 型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP 型三极管，则发射极电位必定为最高电位。
由此即可确定发射极。
电位值处于中间的一个电极必定为基极。
由此可知：(1). ,5.31V U = V U 8.22=, V U 123=，结论：硅NPN 型三极管（V U U U 7.08.25.32112=-=-=）b U →1， e U →2，c U →3(2). ,31V U = V U 8.22=, V U 123=，结论： 锗NPN 型三极管（V U U U 2.08.232112=-=-=）b U →1， e U →2，c U →3(3). ,61V U = V U 3.112=， V U 123=结论：硅PNP 型三极管（V U U U 7.0123.113223-=-=-=）c U →1， b U →2， e U →3(4). ,61V U = V U 8.112=， V U 123=结论：锗PNP 型三极管（V U U U 2.0128.113223-=-=-=）c U →1， b U →2， e U →3题4.2 已知题图(a)—(f)中各三极管的β均为50，V U BE 7.0=，试分别估算各电路中三极管的C I 和CE U ，判断它们各自工作在哪个区(放大区，截止区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在题图 (g)的输出特性曲线上。