晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？一、晶体管测试仪作用可测试仪性能稳定，能自动读出准确数据，使用方便，适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。
它可测各种二极管，三极管，可控硅，MOS场效应管;能判断器件类型，引脚的极性，输出HFE，阀电压，场效应管的结电容，附加条件可测电容和电阻等。
特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。
二、什么是晶体管测量仪器?众所周知，晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN 型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
三、XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
晶体管特性图示仪QT2操作规程MicrosoftWord文档
晶体管特性图示仪态QT2 操作规程一、测试前的开关与调节
二、各类晶体管的操作方法
三、注意事项
1、不要在放有易燃易爆品的地方使用仪器；
2、仪器特别是连接测试件的测试导线应远离强电磁场，以免对测量产生干拢；
3、打开电源前确保接好了保护地线以防电击，且应避免交流电的零线用作保护地线；
4、不要不接保护地线或不接保护地线，否则将造成潜在的电击伤害；
5、无保护地线和保险丝时请勿使用仪器；
6、仪器测试完毕、排除故障需打开仪器或更换保险丝前需切断电源和负载；
7、未经许可严禁取下仪器外壳和拆卸仪器的任何部件；
8、打开电源预热10分钟后仪器才可进入正常工作状态；
9、对被测管的的主要直流参数要熟悉了解，特别要了解该被测管的集电极最大允许耗
散功率P cm,集电极对其它极的最大反向击穿电压，如BV CEO、BV CBO、BV CRR，集电极最大允许电流Ｉcm等主要指标；
10、在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同，即选择PNP或NPN的开关置于
规定位置；
11、将集电极电压输出电压不应超出被测管允许的集电极电压，一般情况下将峰值电压
旋至零，防止被测管损坏；
12、对被测管进行必要的估算，以选择合适的注入阶梯电流或电压，此估算的原则以不
超过被测管的集电极最大允许耗损功率；
13、在进行Ｉcm的测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测管被电流击穿；
14、在进行Io或Ｉcm测试中，应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的
16、注意仪器保养，操作人员离开岗位必须断开仪器电源。
制定部门：制定：审核：核准：。
晶闸管知识
(2) 反向重复峰值电压 URRM
信息来源:
门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区(图 1-10 中曲线④) 反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压 URSM，这个电压是 不能长期重复施加的。取反向不重复峰值电压的 90%定义为反向重复峰值电压 URRM，这个电 压允许重复施加。
(2) 线路采用过流检测装置，由过流信号控制触发器抑制过流，或接入过流继电器。 (3) 安装快速熔断器。快速熔断器的动作时间要求在 10ms 以内，熔断体的额定电流 IKR 可
按以下原则选取： 1.57IT(AV)≥IKR≥IT IT(AV)为元件额定电流，IT 为元件实际工作电流有效值 四. 晶闸管门极触发 参数表中所给晶闸管 IGT、VGT 为能触发元件至通态的最小值，实际使用中，晶闸管门 极触发 IGT、VGT 应远大于此值。 应用中门极触发电流波形对晶闸管开通时间、开通损耗以及 di/dt 承受能力，都有较大 影响。为保证元件工作在最佳状态，并增强抗干扰性能，对仪元公司所有晶闸管，建议 门极触发脉冲电流幅值：IGM=2～5A(<10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升时间： tr≤1μs。即采用极陡前沿的强触发脉冲(见图四)。
流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑，即
IT(AV)=(2-3)I/1.57 假设逆变器直流输入电流为 Id，则所选器件 I 为 T(AV) IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3) 关断时间 tq
并联逆变线路中，KK 元件的关断时间选择要根据触发引前时间 tf 和换流时间 tr 来决定。 一般取：
(4) 通态平均电压 UT(AV)
信息请登陆:输配电设备网
多功能晶体管测试仪使用说明12864LCV2.011资料
多功能晶体管测试仪使用说明V2.01120150301 1、功能介绍1.1、晶体管测试仪可以完全自动识别及测量三极管、场效应管、IGBT、二极管、双二极管、电阻、双电阻、电容、电感等，可测电容ESR(非在线测量)等功能。
1.2、简易信号发生器(方波)：最高4MHz, 频率可调非连续输出，如4M、2M、1M、.... 100K ... 1KHz等。
单键调整输出稍麻烦一点，但可满足一般性使用。
输出信号电压：4.5V 串680欧电阻。
本功能状态下不自动关机，也不能手动关机，1.3、A频率计：0-3.8Mhz，输入信号电压2.5-5V.，分辨率1Hz。
可定制为7.6MHz高分辨率模式，0.1hz-130Khz 分辨率0.001hz, 100hz以下1-10秒，在测频状态下单击，屏幕上显示“Hi”，切换为高分辨率模式，超过130Khz自动切回正常模式。
已校准过B高精度频率计，16Hz-100Mhz.，输入信号电压2.5-5V，分辨率16Hz。
高分辨率模式，2hz-2.1Mhz 分辨率0.02hz, 1.6K以下1-10秒，在100M状态下单击，切换为高分辨率模式，屏幕上显示“Hi”，超过2.1M自动切回正常模式。
已校准过C高精度频率计，1024Hz-2.4Ghz.，输入信号电压30mV，分辨率1024Hz。
可用于对讲机发射频率测试。
高分辨率模式，102hz-137Mhz 分辨率1hz, 100K以下1-10秒，在2.4G状态下单击，切换为高分辨率模式,屏幕上显示“Hi”，超过137M自动切回正常模式。
由于易受干扰500K 以下不能很好测量。
非完全测试,2.4G没条件测试，500MHz测试ok。
已校准过,2.4G 灵敏度高，有时不接输入信号也会有输出，易受到干扰。
信号输入线宜用屏蔽线。
可自己DIY加个双掷开关切换 2.4G和100M 两档输入信号，并且双击切换档位，显示2.4G 或100M ABC为三选一功能1.4、可在线ESR: 测量时接入 1 3 口， 0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。
晶闸管参数应该如何选择
嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。
合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命，保证生产和降低设备检修成本费用。
在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项：即额定电流(A)和额定电压(V)，使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数，在一般情况下也是可以的。
但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。
根据可控硅的静态特性，对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。
1 选择正反向电压可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VBO，可控硅由阻断突然转为导通，这个VBO值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。
所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。
在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。
当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。
而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。
在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。
在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。
因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。
可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。
晶闸管的结构以及工作原理
一、晶闸管的基本结构晶闸管（SemiconductorControlled Rectifier 简称SCR ）是一种四层结构（PNPN ）的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。
它有三个引出电极，即阳极（A ）、阴极（K ）和门极（G ）。
其符号表示法和器件剖面图如图1所示。
图1 符号表示法和器件剖面图普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散P 型杂质（铝或硼），形成211P N P 结构，然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质（磷或锑）形成阴极，同时在2P 上引出门极，在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。
图2、晶闸管载流子分布二、晶闸管的伏安特性晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定的。
通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系，如图3所示。
图3 晶闸管的伏安特性曲线当晶闸管AK V 加正向电压时，1J 和3J 正偏，2J 反偏，外加电压几乎全部降落在2J 结上，2J 结起到阻断电流的作用。
随着AK V 的增大，只要BO AK V V <，通过阳极电流A I 都很小，因而称此区域为正向阻断状态。
当AK V 增大超过BO V 以后，阳极电流突然增大，特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。
晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ，器件压降为1V 左右，特性曲线CD 段对应的状态称为导通状态。
通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。
晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下，器件才能被关断。
当晶闸管处于断态（BO AK V V <）时，如果使得门极相对于阴极为正，给门极通以电流G I ，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。
转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数，G I 越大，BO V 越小。
如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号，器件仍然然导通。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。
以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。
- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。
2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。
这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。
3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。
- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。
- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。
如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。
4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。
- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。
常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。
5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。
如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。
- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。
请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。
在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
三、测试步骤：“电压调节”
1.“电压调节”钮逆时针调节到底。
2.打开“电源”开关。
3.“保护电流设定”开关选择一组需要值。
4.将被测器件接在接线端子上。
上海华晶整流器有限公司
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-004
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
一、试仪是断态电压及电流VDRM、IDRM和反向电压及电流VRRM、IRRM的专用测试设备，适用于检测各种晶闸管、整流管及可控、整流模块。
8.顺时针调节“电压调节”钮，同时从“电流(mA)”显示表和“电压(V)”显示表中读取数值。
9.测试完毕后必须将“电压调节”来自逆时针调节。注：①“电压(V)”显示表显示值不为零时，不能改变“极性”选择键。
②测试电压值达到3000V以上时，其测试持续时间不能大于30秒。
编制：
审核：
批准：
5.“电流”量程键，选择需要位置。为了保证测量精度，优选20mA档。如果测试电流大于20mA，“电源(mA)”显示表显示“1”。
6.“电压”量程键选择需要位置。为了保证测量精度，优选X1档。如果测试电压大于2000V，“电压(V)”显示表显示“1”。
7.按动“复位”键(如保护指示灯灭，可不按此按钮)。
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（含浙江华晶整流器有限公司）
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编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
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项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
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