聚焦离子束加工技术及其应用
聚焦离子束加工技术及其应用

聚焦离子束加工技术及其应用摘要:。
聚焦离子束(FIB)技术是把离子束斑聚焦到亚微米甚至纳米级尺寸,通过偏转系统实现微细束加工的新技术。
文章简述了聚焦离子束工作原理和应用前景等。
关键词:聚焦离子束、刻蚀1.聚焦离子束简介聚焦离子束(focused ion beam,FIB)与聚焦电子束从本质上讲是一样的,都是带电粒子经过电磁场聚焦形成细束。
但聚焦电子束不同于聚焦离子束。
区别在于它们的质量,最轻的离子为氢离子也是电子质量的1 840倍。
离子束不但可以像电子束那样用来曝光,而且重质量的离子也可以直接将固体表面的原子溅射剥离,因此聚焦离子束更广泛地作为一种直接微纳米加工工具。
离子束的应用已经有近百年的历史。
自1910年Thomson建立了气体放电型离子源后,离子束技术主要应用于物质分析、同位素分离与材料改性。
由于早期的等离子体放电式离子源均属于大面积离子源,很难获得微细离子束。
真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现。
1975年美国阿贡国家实验室开发出液态金属离子源(LMIS),1978年美国加州休斯研究所的R.L.Seliger等人建立了第一台装有Ga LMIS的FIB系统,其束斑直径仅为100nm(目前已可获得只有5nm的束斑直径)。
电流密度为1.5A/cm ,亮度达3.3×10。
A/(cm2.sr)。
这给进行亚微米JJnq-器件的研究极大的鼓舞。
聚焦离子束(FIB)技术就是在电场及磁场的作用下,将离子束聚焦列亚微米甚至纳米量级,通过偏转系统和加速系统控制离子束,实现微细图形的检测分析和纳米结构的无掩模加工。
FIB技术经过不断发展,离子束已可以在几个平方微米到近lmm 的区域内进行数字光栅扫描,可以实现:①通过微通道极或通道电子倍增器收集二次带电粒子来采集图像。
②通过高能或化学增强溅射来去除不想要的材料。
③淀积金属、碳或类电介质薄膜的亚微米图形。
FIB技术已在掩膜修复、电路修正、失效分析、透射电子显微镜(TEM)试样制作及三维结构直写等多方面获得应用。
聚焦离子束

聚焦离子束
离子束技术是一种高精度微加工技术,通过将离子加速到高速并聚焦在微米尺度的小区域进行材料加工和表面改性。
聚焦离子束技术在材料科学、电子工程、生物医学等领域有着广泛的应用前景。
在聚焦离子束技术中,离子束源首先产生并加速离子,然后通过磁透镜等聚焦装置将离子束聚焦到微米尺度。
在加工过程中,离子束的能量和大小可以被调控,从而实现对材料的高精度加工。
离子束技术具有许多优势,比如能够实现高分辨率的加工、几乎无热影响区、对光学透明材料有较好加工效果等。
这些优势使得离子束技术在制造微纳米器件、制备光学元件、表面处理等方面有着独特的应用优势。
聚焦离子束技术在微纳加工领域有着广泛的应用。
比如在芯片制造中,离子束技术可以实现对器件的精细加工和调试,提高了芯片的性能和可靠性。
在生物医学领域,离子束技术可以用于制备生物芯片、药物载体等,为生物医学研究提供了新的手段。
未来,随着人类对微纳加工精度和功能性需求的不断提高,离子束技术将会更加广泛地应用于各个领域。
同时,随着离子束技术的不断发展和创新,离子束技术也将不断地提升其加工精度和效率,为人类创造更多的可能性。
总的来说,聚焦离子束技术作为一种高精度微加工技术,在材料加工、表面改性等领域有着广泛的应用前景。
随着技术的不断发展和创新,离子束技术将会为人类带来更多的技术创新和应用可能性。
聚焦离子束技术及其在地球和行星科学中的应用

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聚焦离子束制样

聚焦离子束制样
离子束制样是一种新型的样品制备技术,它可以在纳米尺度下对样品进行刻蚀、抛光和改性。
离子束制样技术的主要原理是利用高能离子束对样品表面进行局部烧蚀,使得样品表面形貌发生改变,进而实现样品的制备和加工。
离子束制样技术的应用范围非常广泛,例如材料科学、纳米技术、生物医学等领域。
在材料制备方面,离子束制样可以用于制备光学薄膜、纳米线阵列、超导薄膜等材料,同时还可以制备一些复杂的微纳结构。
在生物医学方面,离子束制样技术可以用于制备生物芯片、生物传感器等生物医学器械,同时还可以用于细胞培养、细胞分离等应用。
离子束制样技术的优点是可以实现对样品的高精度、高效率加工,同时还可以控制样品的形貌和表面粗糙度。
此外,离子束制样技术还可以实现对样品表面的化学改性,使得样品具有更好的物理和化学性质。
综上所述,离子束制样技术是一种非常有前景的样品制备技术,它有着广泛的应用前景和重要的科学价值。
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聚焦离子束技术

聚焦离子束技术一、简介聚焦离子束技术(Focused Ion Beam,FIB)是一种微电子束技术,它使用液态金属离子源产生离子束,然后通过一组电磁透镜将离子束聚焦到非常小的区域内。
这种技术在材料科学、半导体工程、生命科学和纳米科技等领域有着广泛的应用。
二、聚焦离子束技术的工作原理1. 离子源:聚焦离子束系统的核心是一个离子源,通常使用的是液态金属离子源。
液态金属离子源中的金属被加热到高温,使其蒸发并形成等离子体。
2. 离子提取:从等离子体中提取出金属离子,并将其加速到高速度。
3. 聚焦:通过一组电磁透镜将离子束聚焦到一个非常小的区域内。
电磁透镜可以是静电透镜或磁透镜,也可以是两者的组合。
4. 样品处理:聚焦的离子束可以用于切割、蚀刻、沉积和焊接样品。
离子束与样品的相互作用会产生二次粒子和溅射物质,这些二次粒子和溅射物质可以被用于分析样品的性质。
三、聚焦离子束技术的应用领域1. 半导体工程:聚焦离子束技术可以用于制造和修复半导体设备。
例如,可以使用FIB来切割芯片,或者修复集成电路中的缺陷。
2. 材料科学:聚焦离子束技术可以用于分析和处理各种材料。
例如,可以使用FIB来切割样品并进行元素分析,或者使用FIB来制造纳米结构和纳米器件。
3. 生命科学:聚焦离子束技术可以用于研究和操作生物样本。
例如,可以使用FIB来切割细胞或组织样本,或者使用FIB来制造纳米级的药物输送系统。
4. 纳米科技:聚焦离子束技术是纳米科技的重要工具。
它可以用于制造纳米结构和纳米器件,也可以用于研究纳米材料的性质。
5. 故障分析:FIB可以用于故障分析,通过在器件表面进行切割、刻蚀和显微观察,帮助确定电子器件中的故障位置和原因。
四、聚焦离子束技术的挑战和未来发展尽管聚焦离子束技术在许多领域都有广泛的应用,但它也面临着一些挑战。
例如,离子束与样品的相互作用会产生大量的二次粒子和溅射物质,这些二次粒子和溅射物质可能会污染样品和设备。
聚焦离子束——第四次组会

图二 液态金属离子源典型结构示意 图
离子光学柱
离子源发射离子束进入到离子光学柱,经过整形、质量
分析,最后聚焦到工件表面。离子光学柱中的主要部件
有:静电透镜、消像散器、束对中单元、质量分析器、
静电偏转闸和束偏转器。离子光学柱中还设置一系列限 N 束光阑,用来阻挡离轴较远的离子。
对于合金液态金属离子源系统,必须安装离子质量分析
聚焦离子束加工技术
————杨凯旋
聚焦离子束系统 (FIB)
聚焦离子束系统在本质上与电子束曝光系统没 有什么差别,都是由电子或离子发射源、电子或 离子光柱、工作台、真空与控制系统组成。利用 电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微加工仪 器。通过离子轰击材料表面,实现材料的剥离、 沉积、注入和改性。 (1)在离子柱顶端外加电场于液态金属离子源, 可使液态金属形成 细小尖端,再加上负电场牵 引尖端的金属,从而导出离子束 (2)然后通过静电透镜聚焦经过一连串然后通 过静电透镜聚焦,经过连串 可变化孔径可决定 离子束的大小,而后通过八极偏转装置及物镜将 离子束 聚焦在样品上并扫描。 (3)离子束轰击样品,产生的二次电子和 离子 被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨
反弹注入
离子注入
离子束与材料的相互作用
(2)入射离子引起的反弹注入
入射离子把能量和动量传递给固体表面或表层 原子,使得后者进入表层或表层深处。
(3)入射离子背散射
入射离子通过与固体材料中的原子 发生弹性碰 撞,被反射出来,称作背散射离子。某些离子 也可能经历一定的能量损失
(4)二次离子发射 在入射离子轰击下,固体表面的原子、分子、 分子碎片、分子团以正离子或负离子的形式发 射出来,这些二次离子可直接引入质谱仪,对 被轰击表面成分进行分析。
聚焦离子束切割

聚焦离子束切割介绍离子束切割是一种重要的材料加工技术,具有高精度、高效率和无污染等优点。
它利用高能离子束对材料进行切割、蚀刻和改性,广泛应用于半导体、光电、显示和生物医学等领域。
本文将深入探讨离子束切割的原理、应用及未来发展方向。
原理离子束切割是利用离子束的动能转移到材料上,使其发生物理或化学反应,从而实现材料的切割。
离子束可以改变材料表面或内部结构,产生新的物理和化学性质。
离子束切割主要依靠材料的蚀刻和损伤效应,包括物理蚀刻、化学蚀刻和辐照损伤等过程。
应用离子束切割广泛应用于半导体器件、光电器件和显示器材料的加工制造。
具体应用包括:1. 半导体器件制造离子束切割在半导体器件制造中起关键作用。
它可以实现最小尺寸的芯片和器件的制备,提高器件的性能和可靠性。
离子束切割还可以用于晶体表面的去损伤,提高半导体器件的质量和稳定性。
2. 光电器件制造离子束切割广泛应用于光电器件的制造。
例如,离子束切割可以用于制备光波导器件、光耦合器件和光学镜片等。
离子束切割可以实现高精度和高光学质量的器件加工。
3. 显示器材料的加工离子束切割在显示器材料的加工中也起到重要作用。
它可以实现薄膜沉积、结构刻写和电极加工等过程。
离子束切割可以提高显示器材料的亮度和对比度,减少能源消耗。
4. 生物医学应用离子束切割在生物医学领域有广阔的应用前景。
离子束切割可以用于制备生物传感器、微流控芯片和组织工程材料等。
离子束切割可以实现高精度和高效率的生物材料加工,促进生物医学研究和临床应用的发展。
未来发展方向离子束切割作为一种先进的材料加工技术,仍然具有很大的发展潜力。
未来的发展方向包括:1. 高能离子束的应用高能离子束可以实现更高精度和更高效率的切割效果。
未来可以进一步提高离子束的加速能量和束流密度,实现更深入的切割和更复杂的结构。
2. 离子束切割的多功能化离子束切割可以与其他材料加工技术相结合,实现多功能化的加工。
例如,离子束切割可以与激光加工、电子束曝光和等离子体技术等相结合,实现更复杂、更精细的加工效果。
离子束加工技术的研究及应用

离子束加工技术的研究及应用离子束加工技术是通过加速离子束并将其瞄准到目标物表面,通过离子与物质相互作用,使得目标物表面发生物理或化学反应的一种表面加工技术。
该技术具有精度高、化学反应可控制、组织控制可靠、退火处理少等优点。
因此,离子束加工技术在材料科学、电子信息、光学等领域中获得广泛应用。
本文将从离子束加工技术的原理、研究进展以及应用三个方面来介绍该技术的现状和未来发展。
一、离子束加工技术的原理离子束加工技术是一种表面加工技术,其加工原理与传统的机械切削和化学反应加工有所不同。
其基本过程是通过高能离子束准确地瞄准到目标物表面,离子束与目标物表面相互作用,促进表面发生物理或化学反应,最终实现加工过程。
其中,离子束主要通过瞄准精度和加速能量来控制反应速率和表面结构。
离子束加工技术的主要原理包括以下三个方面:1. 离子束加速技术:离子束加工技术中,离子束的加速是其基本原理。
离子束一般通过加速器进行加速,其加速倍数决定了离子束的加工速率和加工深度。
离子束的加速倍数越高,则离子束的轰击能量,对工件表面的损伤就越大,加工效果也就越好。
2. 离子束瞄准技术:离子束瞄准技术是通过控制离子束的方向和位置,使其准确瞄准到目标物表面进行加工。
通过瞄准角度、扫描方向和覆盖范围等参数的调整,可以实现加工位置的精度控制,并且可以保证加工精度和加工质量。
3. 离子束撞击效应:离子束撞击效应是指离子束与目标物表面相互作用时,离子的动能被转化为等离子体能,并且通过反射、透射和散射等现象,与目标物表面发生相互作用,从而实现表面加工。
二、离子束加工技术的研究进展离子束加工技术具有精度高、化学反应可控制、组织控制可靠、退火处理少等优点,因此,在材料科学、电子信息、光学等领域中获得了广泛应用。
随着物理化学技术的发展和相关领域的需求,离子束加工技术在处理材料方面表现出越来越重要的作用。
离子束加工技术的研究进展主要包括前置处理技术、控制技术、退火处理技术以及晶体控制技术等方面:1. 前置处理技术:前置处理技术主要包括差速泵技术和真空和高温蒸发技术。
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聚焦离子束加工技术及其应用摘要:。
聚焦离子束(FIB)技术是把离子束斑聚焦到亚微米甚至纳米级尺寸,通过偏转系统实现微细束加工的新技术。
文章简述了聚焦离子束工作原理和应用前景等。
关键词:聚焦离子束、刻蚀1.聚焦离子束简介聚焦离子束(focused ion beam,FIB)与聚焦电子束从本质上讲是一样的,都是带电粒子经过电磁场聚焦形成细束。
但聚焦电子束不同于聚焦离子束。
区别在于它们的质量,最轻的离子为氢离子也是电子质量的1 840倍。
离子束不但可以像电子束那样用来曝光,而且重质量的离子也可以直接将固体表面的原子溅射剥离,因此聚焦离子束更广泛地作为一种直接微纳米加工工具。
离子束的应用已经有近百年的历史。
自1910年Thomson建立了气体放电型离子源后,离子束技术主要应用于物质分析、同位素分离与材料改性。
由于早期的等离子体放电式离子源均属于大面积离子源,很难获得微细离子束。
真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现。
1975年美国阿贡国家实验室开发出液态金属离子源(LMIS),1978年美国加州休斯研究所的R.L.Seliger等人建立了第一台装有Ga LMIS的FIB系统,其束斑直径仅为100nm(目前已可获得只有5nm的束斑直径)。
电流密度为1.5A/cm ,亮度达3.3×10。
A/(cm2.sr)。
这给进行亚微米JJnq-器件的研究极大的鼓舞。
聚焦离子束(FIB)技术就是在电场及磁场的作用下,将离子束聚焦列亚微米甚至纳米量级,通过偏转系统和加速系统控制离子束,实现微细图形的检测分析和纳米结构的无掩模加工。
FIB技术经过不断发展,离子束已可以在几个平方微米到近lmm 的区域内进行数字光栅扫描,可以实现:①通过微通道极或通道电子倍增器收集二次带电粒子来采集图像。
②通过高能或化学增强溅射来去除不想要的材料。
③淀积金属、碳或类电介质薄膜的亚微米图形。
FIB技术已在掩膜修复、电路修正、失效分析、透射电子显微镜(TEM)试样制作及三维结构直写等多方面获得应用。
2.聚焦离子束的工作原理离子束系统的“心脏”是离子源。
目前技术较成熟,应用较广泛的离子源是LMIS,其源尺寸小、亮度高、发射稳定,可以进行微纳米加工。
同时其要求工作条件低(气压小于10 Pa,可在常温下工作),能提供A1、As、Au、B、Be、Bi、Cu、Ga、Fe、In、P、Pb、Pd、Si、Sn及Zn等多种离子。
由于Ga(镓)具有低熔点、低蒸气压及良好的抗氧化力,成为目前商用系统采用的离子源。
液态金属离子源(LMIS)结构有多种形式,但大多数由发射尖钨丝、液态金属贮存池组成,典型的LMIS 结构示意图如图所示。
FIB系统由离子束柱、工作腔体、真空系统、气体注入系统及用户界面等组成,图2是聚焦离子束工作原理示意图。
其工作原理为:在离子柱顶端的液态离子源上加上较强的电场,来抽取出带正电荷的离子,通过同样位于柱中的静电透镜,一套可控的上、下偏转装置,将离子束聚焦在样品上扫描,离子束轰击样品后产生的二次电子和二次离子被收集并成像。
典型的聚焦离子束系统的工作电流在lpA到30nA之间。
在最小工作电流时,分辨率均可达5nm。
目前已有多家公司可以提供商品聚焦离子束系统,其中以美国FEI公司的产品占主导地位。
该公司可提供一系列通用或专用聚焦离子束机,包括结构分析系列与掩模缺陷修补系列的电子离子双束系统与集成电路片修正系统。
双束系统的优点是兼有扫描镜高分辨率成像的功能及聚焦离子束加工的功能。
用扫描电镜可以对样品精确定位并能实时观察聚焦离子束的加工过程。
聚焦离子束切割后的样品可以立即通过扫描电镜观察。
工业用机的自动化程度高,可装载硅片的尺寸为(6~8)in。
3.聚焦离子束加工的特点聚焦离子束加工在微细加工和超精密加工中是种最有前途的原子、分子加工单位的加工方法。
其特点有: (1)加工精度和表面质量高离子束加工是靠微观力效应,被加工表面层不产生热量,不引起机械力和损伤。
离子束斑直径可达1 m以内,加工精度可达am级。
(2)加工材料广可对各种材料进行加工。
对脆性、半导体、高分子等材料均可加工。
由于是在真空下进行加工,故适于加工易氧化的金属、合金和半导体材料等。
(3)加工方法多样离子束加工可进行去除、镀膜、注入等加工,利用这些加工原理出现了多种多样的具体方法,如成形、刻蚀、减薄、曝光等,在集成电路制作中占有极其重要的地位。
(4)控制性能好易于实现自动化。
(5)应用范围广泛可以选用不同的离子束的束斑直径和能量密度来达到不同的加工要求。
其应用范围可用图3表示。
4.聚焦离子束加工技术的应用聚焦离子束的主要功能是溅射与沉积,这种溅射与沉积是在极其微小的尺度范围内进行的,这就使它在下述一些领域内具有其他任何加工手段都无法比拟的优势。
(1)审查与修改集成电路芯片高集成度的IC芯片通常包含几百万甚至上亿个晶体管及其连线,设计如此复杂的系统难免会产生疏漏差错。
电路设计一旦变成实际的芯片就无法再改变。
运用聚焦离子束的溅射与沉积功能,则可以将某一处的连线断开,或将某一处原来不连接的部分连接起来。
通过这种改变电路连线走向的方法可以查找诊断电路的错误,并可以直接在芯片上修正这些错误。
现代聚焦离子束系统可以将集成电路设计版图与实际芯片电路图像(扫描电子显微像)直接一一对照,修改的部位可以精确定位,保证了修改的准确性。
除了诊断设计错误外,聚焦离子速还可以帮助诊断制造工艺过程中出现的问题。
例如将电路的某一局部切开,观察其横截面。
通过检查芯片横截面就可以对加工工艺的某一环节出现的问题一目了然。
同时FIB 沉积铂可以形成电路之间的纳米连接,纳米连接的线宽仅为几十纳米,而线长可达几十微米。
同时,还可以将离子铣工艺和沉积工艺结合起来,将埋藏在绝缘层下的两条互不导通金属线在绝缘层上连接起来。
最近研发出的聚焦离子束/电子束双束纳米加工系统(~NFEI公司生产的Dual beam235FIB),可以用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工及扫描电子显微镜实时观察,开辟了从大块材料制造纳米器件、进行纳米加工的新途径。
这种纳米加工中心已用于半导体集成电路生产线,直接修补、加工集成电路,大大提高了生产率。
(2)修复光学掩模缺陷聚焦离子束的另一大应用是修复光学掩模上的缺陷。
这些缺陷是在光学掩模制造过程中产生的。
掩模缺陷主要有两大类:遮光缺陷与透光缺陷。
这些缺陷在集成电路曝光过程中会转移到硅片上变成电路缺陷,最终导致集成电路失效。
早期掩模修复主要采用激光烧灼。
但激光无法修复小尺寸的缺陷(因受束斑尺寸限制),而且修复区域的边界不整齐。
由于聚焦离子束的束斑很小,故在小尺度光学掩模的修复中发挥了重要作用。
聚焦离子束修补遮光缺陷的原理就是离子溅射。
但其最大问题就是镓离子污染,致使石英玻璃的透光率损失。
最简单的去除镓污染的方法就是在离子溅射后,用RIE (反应离子刻蚀)将注入有镓离子的表层玻璃刻蚀去除,能够使透光率恢复~190%以上。
RIE刻蚀设备现在广泛应用于集成电路生产、微型机械(MEMS)制造等领域,是目前应用最多的刻蚀技术,在Si、SiO、SiN以及金属刻蚀方面取得巨大的突破。
透光缺陷的修复比较简单,利用聚焦离子束辅助沉积的方法将不透光材料沉积到缺陷位置即可。
沉积材料一般为碳。
一般透光缺陷表面为绝缘体(石英或玻璃),为此,必须采取措施中和表面的离子电荷积累。
(3)制作透射电子显微镜样品无论是透射电子显微镜(TEM)还是扫描透射电子显微镜(STEM)都需要制作非常薄的样品,以使电子可以穿透样品,形成电子衍射图像。
一般制作TEM样品的方法是对块状样品进行离子束削磨及手工研磨,非常耗时耗力,成功率很低,无法定位。
用这种方法只能分析大面积样品。
FIB技术的出现给TEM样品制作带来了极大的方便。
与切割横截面的方法一样,制作TEM样品是利用聚焦离子束从前后两个方向溅射,最后在中间留下一个薄的区域作为TEM观察的样品。
(4)器件失效分析随着VLSI技术的迅速发展,器件的结构越来越复杂,对器件待定微区的失效分析也越来越重要。
有用FIBril蚀可以打开失效区域的剖面,并对其进行观察分析。
(5)三维微结构及微系统的制作可以想象,聚焦离子束像一把尖端只有数十纳米的手术刀。
离子束在靶表面产生的二次电子成像具有数纳米的显微分辨能力,所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高信显微镜下操作的微加工台,它可以用来在任何一个部位溅射剥离或沉积材料进行微细加工。
这种微细加工操作是任何其他一种微加工手段所无法做到的。
现代计算机硬盘的读写微磁头就是用聚焦离子束加工的。
传统光学曝光方法制作的读写磁头比较大,通过聚焦离子束切割可以将磁头部分缩小到只有100nm左右,大大提高了磁头的分辨率,提高了硬盘的读写密度。
用聚焦离子束对一个磁头改形只需2~4s,整个定位、加工都是自动化。
另外,IBM苏黎世实验室和瑞士苏黎世大学微电子所通过局部表面的FIB离子掺杂和离子铣,并且结合KOH湿法腐蚀,实现了纳米机械结构的制备,为矩形、u形截面悬臂梁和纳米杯的制备。
剑桥大学工程系的D.F.Moore及FEI欧洲公司的J.T.Whitney等人还将FIB离子铣用于MEMS及传感器中,研制出了隧道加速计的结构示意图。
其中倾角为54。
的隧道读出间隙就是由FIB离子铣形成的,利用这个微缝隙的电容变化作为检测信号。
聚焦离子束的局部微细加工能力还可以用来对微机械器件作精细调谐,在微机械系统中大量应用谐振元件。
谐振元件的谐振频率与元件的结构以及本身的质量有关,一旦加工好后就无法改变。
用聚焦离子束可以对已加工好的元件通过沉积或溅射来增减其质量,实现对谐振频率的微调谐。
据报导,用聚焦离子束沉积方法调谐可使谐振频率改变12%。
还有人曾巧妙地利用聚焦离子束沉积技术将制作在腔体中的微谐振元件进行真空密封。
此外,FIB技术已经用于许多光电子器件、超导量子干涉器件以及纳米生物器件的制备中。
5.结论FIB具有离子刻蚀、离子注入和薄膜沉积功能。
FIB加工对材料几乎无选择性,定位准确,分辨率很高(可以达到数个纳米量级),且可实现无掩模加工。
FIB系统在微米/纳米技术中得到广泛应用,特别是在显微分析、精细加工和三维微结构直接精确成型方面最为突出。
但FIB 系统的主要缺点是加工速率低。
随着液态金属离子源亮度和束斑稳定性的不断提高,FIB 系统将是未来微米/纳米加工技术的主流工具,应用将更加广泛。
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