晶闸管 整流二极管主要参数及含义
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
晶闸管的各项参数指标精
如何形象理解晶闸管的各项参数对于大多数从事电力电子整机和器件的技术人员来说，晶闸管的各项参数的真正含义理解起来是很困难的事，如果单从字面去理解需要十几年甚至几十年才能有正确的认识，而且需要大量的实践经验作依托，没有足够的临场经验可能永远也无法理解其真正的含义。
本人从事电力电子整机技术工作十几年，主要接触过的产品有中频电源、整流器、逆变及整流焊机、直流调速电源、变频调速电源、控温装置、开关电源等，之后又从事电力电子器件的技术工作十几年，主要是器件产品测试仪表的制作、维修、管理等工作，通过测试仪表的这些工作（因为制作仪表、维修仪表必须掌握器件各参数的标准，否则无法做出合格的仪器仪表）让我对晶闸管各项参数的标准有了新的认识，并且将整机技术与器件技术融为一体，由此总结出一套适合所有从事电力电子整机和器件技术人员正确、形象理解晶闸管各项参数的方法，稍微有一些电常识的人利用此方法很短时间内就可以从一名普通技术人员上升为高级设计者，本方法形象生动、通俗易懂、老少皆宜、一经理解终身不忘。
我们知道电荷的移动形成电流、水分子的移动形成水流，要想使电荷移动必须有电压差、要想使水分子移动必须有水位差，由此可以看出，电流可以形象地理解为水流；控制水流要有阀门、控制电流也必须要有“阀门”这个“阀门” 我们就用晶闸管。
水路由水流和阀门构成、电路由电流和晶闸管构成，通过阀门控制水流的大小、有无，通过晶闸管控制电流的大小、有无，可见二者的基础理论基本是一样的，因此我们就可以把电路形象地理解为水路，更确切的说就是可以把晶闸管形象的理解为阀门。
阀门的原理很简单，一种是调节阀门，通过调节阀门可以控制水流的大小；一种是通断阀门，通过阀门可以控制水流的有无。
阀门是我们的日常用品，每天都要接触，因此对于大多数人来说理解阀门的工作原理是很容易的事情。
而且阀门作为一种产品自然有其制作标准，也需有各项参数指标，只要理解了这些参数指标的含义，然后把他们“照抄照搬”到理解晶闸管中就可以了，就是说如想了解晶闸管的参数含义直接套用阀门的参数指标的含义就实现。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
整流二极管的参数
整流二极管的参数整流二极管是一种常见的半导体器件，用于将交流电转换为直流电。
它具有许多重要的参数，以确保正常工作和应用。
以下是一份2000字的整流二极管参数的详细解释。
1. 正向导通电压（VF）：正向导通电压是整流二极管的一个重要参数，表示在正向工作时，需要施加在二极管两端才能开始导通的电压。
通常表示为VF，单位为伏特（V）。
2. 正向峰值电流（IFM）：正向峰值电流是整流二极管正向电流的最大允许值。
超过这个数值，整流二极管有可能发生损坏。
通常表示为IFM，单位为安培（A）。
3. 反向击穿电压（VRM）：反向击穿电压是整流二极管在反向电压下发生击穿的最大允许值。
当反向电压超过这个数值，整流二极管将会损坏。
通常表示为VRM，单位为伏特（V）。
4. 最大工作温度（Tj max）：最大工作温度是整流二极管可以安全工作的最高温度。
超过这个温度范围，整流二极管的性能将会下降甚至发生故障。
通常表示为Tj max，单位为摄氏度（℃）。
5. 正向导通电阻（RD）：正向导通电阻表示整流二极管在正向导通状态下的电阻大小。
通常低于几十欧姆。
6. 反向漏电流（IR）：反向漏电流是指在整流二极管反向电压下，从外壳到端子的反向漏电流。
通常表示为IR，单位为安培（A）。
7. 峰值反向重复电压（PRV）：峰值反向重复电压是整流二极管可以承受的最大反向电压峰值。
8. 反向恢复时间（trr）：反向恢复时间是指整流二极管在正向导通至反向封锁状态转换时的时间。
通常表示为trr，单位为纳秒（ns）。
9. 最大导通电流（IF max）：最大导通电流是指整流二极管在正向导通状态下的最大允许电流。
超过这个电流，整流二极管有可能发生过载和损坏。
10. 最大反向电流（IR max）：最大反向电流是指整流二极管在反向电压下的最大允许漏电流。
超过这个电流，整流二极管有可能发生损坏。
以上就是关于整流二极管的一些重要参数的详细描述，这些参数对于选择和应用整流二极管非常重要，希望这些信息可以对你有所帮助。
晶闸管二极管主要参数及其含义
晶闸管二极管主要参数及其含义IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍1、正向平均电流IF(AV)(整流管)通态平均电流IT(AV)(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度Tjm仪元公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS 或管壳温度 TC值用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件2、正向方均根电流IFRMS(整流管)通态方均根电流ITRMS(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大有效电流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值3、浪涌电流IFSM (整流管)ITSM(晶闸管)表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下施加80% VRRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象4、断态不重复峰值电压VDSM反向不重复峰值电压VRSM指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件5、断态重复峰值电压VDRM反向重复峰值电压VRRM是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压6、断态重复峰值漏电流IDRM反向重复峰值漏电流IRRM为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM 和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出7、通态峰值电压VTM(晶闸管)正向峰值电压VFM(整流管)指器件通过规定正向峰值电流IFM (整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册。
晶闸管原理以及参数介绍
晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管， 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路（Single-phase half wave
controllable rectifier），整流变压器二次电压有效值用U2表 示，瞬时值用u2表示，负载上输出电压用uo表示。
（2）维持电流IH（Holding current） 指在室温和门极开路时，逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流，最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流，结温越高，维持电流IH越小，晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
（3）掣住电流IL（Latching current） 指晶闸管触发后，刚从正向阻断状态转入导通状态，在立
（6）通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下，器件正向通过正弦 半波额定电流时，其两端的电压降在一周期内的平均值，又称 管压降，其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
整流二极管的参数
整流二极管的参数整流二极管是一种常用的半导体器件，用于将交流电转换为直流电。
它具有简单的结构和良好的整流特性，广泛应用于电源电路、信号处理、通信设备和各种电子设备中。
下面将对整流二极管的参数进行详细介绍。
参数一：最大额定反向工作电压（VRRM）最大额定反向工作电压是指整流二极管在反向工作状态下所能承受的最大电压。
通常情况下，整流二极管的最大额定反向工作电压越高，其抗击穿能力越强，适用范围也越广。
参数二：最大额定正向工作电流（IFRM）最大额定正向工作电流是指整流二极管在正向导通状态下所能承受的最大电流。
这是整流二极管的重要参数之一，它决定了整流二极管在电路中的功率承受能力。
参数三：正向压降（VF）正向压降是指整流二极管在正向导通状态下的电压损失，也称为正向压降。
正向压降越小，整流二极管的导通能力越好，能量损失越小。
参数四：反向漏电流（IR）反向漏电流是指整流二极管在反向应用电压下的反向电流。
整流二极管的反向漏电流越小，表示其的反向击穿能力越强，适用范围越广。
参数五：最大额定工作温度（Tj）最大额定工作温度是指整流二极管的最大允许工作温度。
超过这个温度范围，整流二极管的性能和可靠性将会受到影响，甚至损坏。
参数六：最大额定反向恢复时间（trr）最大额定反向恢复时间是指整流二极管从正向导通状态切换到反向截止状态所需要的时间。
这个参数影响了整流二极管在高频电路中的使用效果。
参数七：最大额定正向耗散功率（PD）最大额定正向耗散功率是指整流二极管在正向导通状态下所能承受的最大功率。
它决定了整流二极管在电路中的稳定工作。
参数八：封装类型封装类型包括有多种，如DO-41、SMA、SMB、SOD-123等，选择合适的封装类型可以更好地适应电路布局和焊接要求。
参数九：应用领域整流二极管可以根据其参数特性和封装类型适用于不同的应用领域，比如电源电路中的整流、滤波、电压调节、开关和保护等功能。
总结：以上是关于整流二极管的一些参数介绍，包括最大额定反向工作电压、最大额定正向工作电流、正向压降、反向漏电流、最大额定工作温度、最大额定反向恢复时间、最大额定正向耗散功率、封装类型和应用领域。
二极管有哪些主要参数？常用型号有哪些？
二极管有哪些主要参数？常用型号有哪些？二极管相信大家再熟悉不过了，但你能详细说得出二极管有哪几项主要参数吗？今天电路菌跟大家一起细数一下二极管的几项主要参数！二极管的参数主要有以下几点:1．反向饱和漏电流I R指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
2．额定整流电流I F指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的I F值可达1000A。
3. 最大平均整流电流I O在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流I FSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压V RRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压V RRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的V RRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压V R上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，V R是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7．最高工作频率f M由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的f M值较高，在100MHz以上；整流二极管的f M较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间T rr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近I R时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9. 最大功率P二极管中有电流流过，就会发热，而使自身温度升高。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
作者：广州晶泰电子来源： 发布时间：2012年01月28日
一、晶闸管定义：
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅.
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
二、主要参数及含义
1．正向平均电流I F(AV)( 整流管)
通态平均电流I T(AV)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。
此时，器件的结温已达到其最高允许温度T jm。
广州晶泰产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS或管壳温度T C值，用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2．正向方均根电流I F（RMS）( 整流管)
通态方均根电流I T（RMS）( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度 T C时,允许流过器件的最大有效电流值。
用户在使用中，须保证在任何条件下，流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。
3．浪涌电流I FSM(整流管)、I TSM(晶闸管)
表示工作在异常情况下，器件能承受的瞬时最大过载电流值。
用10ms底宽正弦半波峰值表示，晶泰电子在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下，施加80% V RRM条件下的测试值。
器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的，用户在使用中应尽量避免出现过载现象。
4．断态不重复峰值电压V DSM
反向不重复峰值电压V RSM
指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压，一般用单脉冲测试防止器件损坏。
用户在测试或使用中，应禁止给器件施加该电压值，以免损坏器件。
5．断态重复峰值电压V DRM
反向重复峰值电压V RRM
是指器件处于阻断状态时，断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。
一般取器件不重复电压的90%标注（高压器件取不重复电压减100V标注）。
用户在使用中须保证在任何情况下，均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。
6．断态重复峰值（漏）电流I DRM
反向重复峰值（漏）电流I RRM
为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压V DRM和反向重复峰值电压V RRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。
该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7．通态峰值电压V TM(晶闸管)
正向峰值电压V FM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流I FM(整流管)或通态峰值电流I TM(晶闸管)时的峰值电压，
也称峰值压降。
该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。
器件在不同电流值下的的通态（正向）峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示：V TM=V TO+r T*I TM V FM=V FO+r F*I FM
晶泰电子在产品手册中给出了各型号器件的最大通态（正向）峰值电压及门槛电压和斜率电阻，用户需要时，可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。
8．电路换向关断时间t q（晶闸管）
在规定条件下，在晶闸管正向主电流下降过零后，从过零点到元件能承受规定的
重加电压而不至导通的最小时间间隔。
晶闸管的关断时间值决定于测试条件，广州晶泰电子科技有限公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值，在未作特别说明时，其对应的测试条件如下：
通态峰值电流I TM等于器件I TAV；
通态电流下降率di/dt=-20A/μs；
重加电压上升率dv/dt=30A/μs；
反向电压V R=50V；
结温Tj=115°C。
如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值，可以向我们提出要求。
9．通态电流临界上升率di/dt（晶闸管）
是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时，晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值。
器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大，因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。
10．断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下，不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度。
广州晶泰产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值，当用户对dv/dt有特殊要求时，可在订货时提出。
11．门极触发电压 V GT
门极触发电流I GT
在规定条件下，能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流。
晶闸管开通过程中的开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大。
如果在应用中采用较临界的I GT去触发晶闸管，将不能让晶闸管得到良好的开通特性，某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏。
因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。
为了保证器件可靠工作，I G必须远大于I GT。
12．结壳热阻R jc
指器件在规定条件下，器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。
结壳热阻反映了器件的散热能力，该参数也直接影响着器件的通态额定性能。
晶泰电子产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值，对半导体功率模块，给出了单面散热时的热阻值。
用户须注意，平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响，只有按手册中推荐的安装力安装，才能保证器件的结壳热阻值满足要求。