薄膜物理与技术-1 真空技术基础
第1章 真空技术的物理基础

在真空技术中,压强所采用的法定计量单位是帕斯卡 (Pascal),系千克米秒制单位,简称帕(Pa), 是目前国
真空特点
1. 与大气有压差。压强低于一个大气压,故需要一个“真 空”容器,即真空设备。该容器在地球上就需要承受一个 大气压力的作用,压力的大小则看容器内外压差。内部为 真空环境的容器,可以认为压差为1个大气压。所以该容 器必需承受大于1个大气压力的作用。 如需获取真空条件,必须研制设计生产真空设备,需 要进行真空获取、测量、气体成分分析,如何有效设计、 防漏、检漏等。 2.分子数密度低。在“真空”下,由于气体稀薄,即单位 体积内的分子数目较少,故分子之间或分子与其它粒子, 如电子、离子之间的碰撞就不那么频繁,明显减少, 分子主要碰撞表面,如容器表面四壁、内部装置的次 数也相对减少。这是真空的最主要的特点。正是如此,各 种真空设备正是利用它进行工作。
蒸 汽 的 临 界 温 度 气 体 的 临 界 温 度
室温
实用上的室温(15~25°C)为准,凡临 界温度高于室温的气体称为蒸汽;低于室 温的则为“永久气体”或“气体”。 如此,则室温下,蒸汽是随时可液化的, 而气体则不能。氮、氢、氩、氧和空气的 临界温度远低于室温,所以在常温下它们 是“气体”。二氧化碳的临界温度与室温 接近,极易液化。 蒸汽是不能满足理想气体方程的,如将容 器体积缩小,则有一部分蒸汽转化成液态, 其压强未增。 以上关于理想气体的概念,只适用于 “永久气体”,不适用于蒸汽。“永久气 体”与蒸汽的区别,在于其所处温度是在 临界温度以上或以下。 对一定的物质,饱和蒸汽压的大小只取决 于温度。 温度越高,蒸汽压越大.
真空技术的应用
薄膜科学与技术教学大纲

《薄膜科学与技术》教学大纲一、课程简介课程名称:薄膜科学与技术 Science and Technology of Thin Films课程类型:专业课(选修)学时:48学分:3开课学期:7开课对象:材料物理专业先修课程:固体物理导论;材料分析测试技术参考教材:1.郑伟涛《薄膜材料与薄膜技术》化学工业出版社2.田民波《薄膜技术与薄膜材料》清华大学出版社3.杨邦朝《薄膜物理与技术》电子科技大学出版社4.唐伟忠《薄膜材料制备原理,技术及应用》冶金工业出版社二、课程性质、目的与任务《薄膜科学与技术》是“材料物理”专业本科生拓展知识面的选修课程,它也适合材料类其它专业学生选修。
学生在已具备一定的固体物理导论、材料分析测试技术等知识的基础上,通过本课程了解薄膜的基本概念、特殊性和重要性;掌握薄膜材料的制备方法、形成过程、表征方法、性质及应用。
薄膜是材料的一种特殊形态。
薄膜科学是现代材料科学中极其重要和发展最为迅速的一个分支,已成为微电子学、光电子学、磁电子学等新兴交义学科的材料基础,成为了构筑高新技术产业的基本要素。
通过对薄膜科学与技术课程的学习,并通过相关资料查询、阅读、专题报告及综合分析与讨论,逐渐使学生掌握薄膜基本概念、特殊性、制备方法、生长理论和研究方法,为今后从事薄膜材料及相关材料领域的研究和工作打下良好的基础。
三、教学基本要求1. 了解和掌握薄膜的定义、分类、特殊性和重要性。
2. 掌握与薄膜制备和研究相关的真空基础知识。
3. 掌握薄膜材料的制备方法及原理。
4. 掌握薄膜的成核和生长理论;5. 掌握薄膜的厚度、结构、成份、原子化学键合、应力、附着力的表征分析方法。
6. 了解薄膜材料的性质及应用。
本课程介绍薄膜的基础知识和研究进展。
重点要求掌握薄膜材料的制备方法及表征技术。
课程较全面地介绍了薄膜材料的各种制备方法、生长过程和表征方法,具有较好的广度和深度。
使学生基本具备相关资料综合分析和整理能力。
《薄膜物理与技术》课程教学大纲

《薄膜物理与技术》课程教学大纲课程代码:ABCL0527课程中文名称: 薄膜物理与技术课程英文名称:Thin film physics and technology课程性质:选修课程学分数:1.5课程学时数:24授课对象:新能源材料与器件专业本课程的前导课程:《材料表面与界面》、《近代物理概论》、《材料科学基础》、《固体物理》、《材料物理性能》一、课程简介本课程主要论述薄膜的制造技术与薄膜物理的基础内容。
其中系统介绍了各种成膜技术的基本原理与方法,包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀、化学气相沉积、溶液制膜技术以及膜厚的测量与监控等。
同时介绍了薄膜的形成,薄膜的结构与缺陷,薄膜的电学性质、力学性质、半导体特性、磁学性质以及超导性质等。
通过本课程的讲授,使学生在薄膜物理基础部分,懂得薄膜形成物理过程及其特征,薄膜的电磁学、光学、力学、化学等性质。
在薄膜技术部分初步掌握各种成膜技术的基本内容以及薄膜性能的检测。
二、教学基本内容和要求掌握物理、化学气相沉积法制膜技术,了解其它一些成膜技术。
学会对不同需求的薄膜,应选用不同的制膜技术。
了解各种薄膜形成的过程及其物理特性。
理解并能运用热力学界面能理论及原子聚集理论解释薄膜形成过程中的一些现象,了解薄膜结构及分析方法,理解薄膜材料的一些基本特性,为薄膜的应用打下良好的基础。
以下分章节介绍:第一章真空技术基础课程教学内容:真空的基础知识及真空的获得和测量。
课程重点、难点:真空获得的一些手段及常用的测量方法。
课程教学要求:掌握真空、平均自由程的概念,真空各种单位的换算,平均自由程、碰撞频率、碰撞频率的长度分布率的公式,高真空镀膜机的系统结构及抽气的基本过程。
理解蒸汽、理想气体的概念,余弦散射率,真空中气体的来源,机械泵、扩散泵、分子泵以及热偶真空计和电离真空计的工作原理。
了解真空的划分,气体的流动状态的划分,气体分子的速度分布,超高真空泵的工作原理。
第二章真空蒸发镀膜法课程教学内容:真空蒸发原理,蒸发源的蒸发特性及膜厚分布,蒸发源的类型,合金及化合物的蒸发,膜厚和淀积速率的测量与监控。
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铁 (Fe) 甲烷 (CH4)
氯 (Cl2) 一氧化碳 (CO)
-12.4 -118.0 -62.5 14.7 31.0 3700.0 -82.5
144 -140.2
可以看出,氮、氢、氩、氧和空气等物质的临界温度远低于室
温,所以常温下它们是气体;水蒸气、有机物质和气态金属的
平均自由程与分子密度n和分子直径σ的平方成反比关系
kT 22P
平均自由程与压强成反比,与温度成正比
37
稀薄气体的基本性质
若气体种类和温度一定的情况下
P常数
在25℃的空气情况下
P 0 .66 cm 7 Pa
或 0.667cm
P
38
稀薄气体的基本性质
三、碰撞次数与余弦定律
入射频率:单位时间内,在单位面积的器壁上发生碰撞的分子
RNAk (NA:阿伏伽德罗常数) n= 7.2×1022 P/T (个/m3)
在标准状态下,任何气体分子密度为3×1019 个/cm3 当 P = 1.3 ×10-11 Pa 的真空度时 T = 293 K 则 n = 4 ×103个/cm3
目前,即使采用最先进的真空制备手段所能达到的最低压强 下,每立方厘米的体积中仍然有几百个气体分子
18
真空的基本知识
PnkT PVM m RT
P: 压强(Pa) n: 气体分子密度(个/m3) V:体积(m3) m:气体质量(kg) M:气体分子量(kg/mol) T: 绝对温度(K) k: 玻尔兹曼常数(1.3810-23J/K) R:气体普适常数(8.314J/K·mol)
19
真空的基本知识
21
真空的基本知识
压强的表示方法: 国际单位:帕斯卡 (Pascal) 其它单位:托 (Torr) 毫米汞柱(mmHg) 毫巴(bar)
第1章薄膜技术的真空技术基础-文档资料

桂林电子科技大学
材料科学与工程学
1.1 真空的基本知识
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材料科学与工程学
1.1 真空的基本知识
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1.2 真空的表征
1 气体分子的平均自由程
分子平均自由程:气体分子在两次碰撞的间隔时间里走 过的平均距离。假设某种气体分子的有效截面直径为d, 则该气体分子的平均自由程应该等于。
不同流导C1、C2、C3间可相互串联或并联,构成总流导C ——串联流导:1/C= 1/C1+ 1/C2+ 1/C3
——并联流导:C=C1+C2+C3
(就象描述气体流动的欧姆定律)
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材料科学与工程学
1.4 真空泵的抽速
为获得真空环境,需要选用不同的真空泵,而它们的一 个主要指标是其抽速Sp,其定义为 Q Sp p ( L/s ) 式中,p为真空泵入口处的气体压力; Q为单位时间内通过的真空泵 入口的气体流量。 真空泵的抽速Sp与管路的流导 C有着相同的物理量纲,且二 者对维持系统的真空度起着同 样重要的作用
由于气体分子的运动轨迹是一条在不断碰撞的同时不断 改变方向的折线,因此,尽管它的平均运动速度很高, 但是单位时间里,其定向运动的距离却较小。
由于气体分子的平均自由程与单位体积内的气体分子数n 成反比,而压强p与n成正比,因此自由程随气体压力的 下降而增加。在真空度优于0.1Pa时,气体分子间的碰撞 几率已很小,主要是气体分子与容器壁之间的碰撞。分 子平均自由程的概念在真空和薄膜技术中有着非常重要 的作用。在薄膜材料的制备过程中,薄膜的沉积主要是 通过气体分子对衬底的碰撞过程来实现的。
Q S p Q p S p p (1
薄膜物理与技术

1、为什么要真空?真空的概念?真空的用途?答:真空蒸发、溅射镀膜和离子镀膜等常称为物理气相沉积(PVD法)是基本的薄膜制作技术。
他们均要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度。
因此,真空技术是薄膜制作技术的基础,获得并保持所需的真空环境,是镀膜的必要条件。
所谓真空是指低于一个大气压的气体空间。
同正常的大气相比,是比较稀薄的气体状态。
粗真空(105~102Pa):真空浸渍工艺低真空(102~10-1):真空热处理高真空(10-1~10-6):分子按直线飞行超高真空(< 10-6):一得到纯净的气体;二获得纯净的固体表面2、分子的三种速率答:最可几速度:平均速度:均方根速度:3、气体的临界温度:对于每种气体都有一个特定的温度,高于此温度时,气体无论如何压缩都不会液化,这个温度称为该气体的临界温度。
利用临界温度来区分气体与液体。
高于临界温度的气态物质称为气体,低于临界温度称为蒸汽。
极限压强(极限真空):对于任何一个真空系统而言,都不可能得到绝对真空(p=0),而是具有一定的压强Pu,称为极限压强(或极限真空),这是该系统所能达到的最低压强,是真空系统是否满足镀膜需要的重要指标之一。
4、溅射:所谓溅射,是指何能粒子轰击固体表面(靶),使固体原子(或分子)从表面射出的现象。
5、CVD(化学气相沉积):化学气相沉积是一种化学气相生长法,简称CVD技术。
这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片,利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源,借助气相作用或在基片表面的化学反应(热分解或化学合成)生成要求的薄膜。
6、薄膜的组织结构:是指它的结晶形态,分为四种类型:无定型结构、多晶结构、纤维结构和单晶结构。
7、薄膜的缺陷:在薄膜的生长和形成过程中各种缺陷都会进入到薄膜之中。
这些缺陷对薄膜产生重要的影响。
他们与薄膜制作工艺密切相关。
点缺陷:在基体温度低时或蒸发过程中温度的急剧变化会在薄膜中产生许多点缺陷,这些点缺陷对薄膜电阻率产生较大影响。
《薄膜科学与技术》课程讲稿-绪论

六、薄膜科技的新进展
1. 纳米薄膜 2. 单分子膜、单原子膜 3. 特殊要求的新薄膜 如高损伤阈值多色光学膜 宽波段红外薄膜
三、薄膜材料与薄膜技术的发展
2. 薄膜材料进展 * 可以制取在平衡状态下不存在的物质 (如SiXO2-X,AlXGa1-Xas) * 可在更低温度下进行物质的合成 (如溅射镀膜、离子镀膜) * 可制备各种各样的薄膜 (金属膜、合金膜、非金属膜、半导体膜、 陶瓷膜、非晶态化合物膜和塑料膜等) * 基体材料不受限制
1.物理气相沉积: 热激活,溅射 --物质的原子或分子逸出 --沉积在基片上形成薄膜, 防止污染,沉积过程在真空中进行。 真空蒸镀(电阻加热、电子束、激光、 分子外延), 溅射沉积(直流、射频、中频) 离子束 技术 (离子注入、双束技术、离 子束辅助 沉积、离子镀等)。
2. 化学气相沉积: 构成薄膜元素的单质或化合气体 --化学反应 --生成固态物质 --沉积在基片上形成薄膜。 3.溶液镀膜法: 溶液中 --化学反应或电化学反应 --在基 片上沉积薄膜
三、薄膜材料与薄膜技术的发展
3. 应用上的进展
* 产生新物性、新功能 (表面效应、量子效应等) * 电子器件和大规模集成电路 * 磁性膜、磁记录介质 * 绝缘膜、电介质膜 * 压电、铁电、热释电及超导膜、传感器膜等功能薄膜 * 多色光学器件膜、光记录膜、光导膜等光学膜 * 耐磨、抗蚀和自润滑膜 * 装饰膜 应用领域:电子、计算机、磁光记录、信息、传感器、能源、机 械、光学、航空航天和核工业等
四、薄膜的性质
2. 结构与缺陷 2.2 异常结构和化学计量比特性
* 异常结构定义:和相图不符合的结构。 ( 如非晶硅结构,300~400℃以下可制得 稳态结构,表现独特的力, 热, 光, 电磁等 物性,薄膜技术是有力制备手段之一。)
第一章 真空技术基础

几个基本概念:
• 真空:气体分子数量低于大气压状态的空间。但不是完全空 的。 • 真空术语: 本底真空度:全密封真空腔体内抽空时的气压。 工作真空度:实验或工艺过程中所必需的气体压力。 极限真空度:没有漏气和内壁脱气条件下,真空泵所能达 到的最低气压。 真空规:测量真空中气压的仪表或传感器。 真空度单位:气压的单位。 真空度就是真空中的气压。真空度的测量就是气压的测量。
1mba 100 1atm
1.013×105 760
二、真空区域的划分
1105 ~ 1102 Pa
粗真空
低真空 高真空 超高真空
1102 ~ 1101 Pa
粘滞流
1101 ~ 1106 Pa
110 Pa
11010 Pa
6
粘滞流
分子流
极高真空
分子流
三、固体对气体的吸附及气体的脱附
• 缺点:泵内油蒸汽的回流会直接造成真空 系统的污染。 • 应用领域:真空镀膜、真空炉、电子、化 工、航空、航天、冶金、材料、生物医药 、原子能、宇宙探测等领域。
思考:
1. 扩散泵能否单独使用,即从大气开始抽真空?为什么? 2. 如果使用扩散泵时,忘记开冷却水,结果会怎样?
附:钛升华泵
加热钛靶蒸发生成钛膜,并与气体发生反应 工作范围 10-8-10-11 Torr 价格便宜,可靠
油扩散泵的结构如示意图
• 泵的底部—是装有真空泵油的蒸发器,真空泵油经电 炉加热沸腾后,产生一定的油蒸汽,蒸汽沿着蒸汽导 流管传输到上部,经由三级伞形喷口向下喷出。喷口 外面的压强较油蒸汽压低,于是便形成一股向出口方 向运动的高速蒸汽流,使之具有很好的运载气体分子 的能力。油分子与气体分子碰撞,由于油分子的分子 量大,碰撞的结果是油分子把动量交给气体分子自己 慢下来,而气体分子获得向下运动的动量后便迅速往 下飞去.并且,在射流的界面内,气体分子不可能长 期滞留,因而界面内气体分子浓度较小.由于这个浓 度差,使被抽气体分得以源源不断地扩散进入蒸汽流 而被逐级带至出口,并被前级泵抽走.慢下来的蒸汽 流在向下运动的过程中碰到水冷的泵壁,油分子就被 冷凝下来,沿着泵壁流回蒸发器继续循环使用.冷阱 的作用是减少油蒸汽分子进入被抽容器。
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dN 麦克斯韦速度分布函数 m确定,温度确定, f (v )dv N 3 2 m 2 2 m v f (v) 4 exp v 2kT 2kT
(1/1.013×105)
1 PSI
51.7149
6.8948×103
6.8948×10-2
6.8046×10-2
说明:1、mmHg是人类使用最早、最广泛的压强单位; 1958年为纪念托里切利,用托(torr)代替了mmHg:1 torr=1 mmHg 2、早期的真空度计量常以 torr 或 mbar 为单位; 目前随着标准化进程的推进,SI(MKS)制单位应用日渐广泛 真空度用 Pa 作单位
1 真空技术基础
不同真空度单位制间的换算关系:
torr/mmHg 1 torr (1 mmHg) 1 Pa 1 bar 1 atm 7.501×10-3 7.501×102 760.0
(760/1.013×105)
1.1 真空的基本知识
法定计量单位
bar 1.333×10-3
(1.013/760)
va
m
M
1.59
M
3. 均方根速率
计算分子平均动能
vr :va :vm =1.225: 1.128: 1
3kT 3RT RT vr 1.73 m M M
1 真空技术基础
1.2.2 气体分子的速度分布
1.2 稀薄气体的性质
例1. 计算400K温度下氧气的方均根速率、平均速率和最可 几速率。
13.59509 g / cm3 ;
1 atm 760 mm 13.59509 g / cm3 980.665 cm / s 2 1013249 dyn / cm 2 101324.9 Pa 1.013 105 Pa
在此基础上,可以导出压强的非法定单位与帕之间的关系.
1 真空技术基础
1.2 稀薄气体的性质
例1,求0℃,P = 1.3 10-4Pa氧气,
1)气体分子密度;2) 分子平均速度;3)平均自由程;4)碰撞次数;5) 固体表面形成形成单分子层的时间;6)每分钟成膜厚度。
1 真空技术基础
1.1.2 真空度的划分
1.1 真空的基本知识
气态空间近似为大气状态,分子以热运动为主, 分子之间碰撞频繁。低真空,可以获得压力差而不 改变空间的性质。(如吸尘器、抽滤)
中真空,气体分子密度与大气状态有很大差别。气体分子的流动 容器中分子数很少,分子平均自由程大于一般容器的线度,分 气体分子入射固体表面的频率已经很低,可以 从黏滞流状态向分子状态过渡,气体对流现象消失。 气体中带电 气体分子数更少,几乎不存在分子间碰撞,此时气体分子在固体表面上 子流动为分子流,分子与容器壁碰撞为主,在此真空下蒸发材料, 保持表面洁净。适合分子尺寸加工及纳米科学的研 记忆: 3344 离子在电场作用下, 产生气体导电现象。(离子镀、溅射镀膜等 是以吸附停留为主。入射固体表面的分子数达到单分子层需要的时间也较长, 粒子将按直线飞行。(拉制单晶、表面镀膜、电子管生产) 究。 气体放电和低温等离子体相关镀膜技术) 可以获得纯净表面。(薄膜沉积、表面分析 …)
程大约是 6.6米。 0.667
P
(cm Pa)
1.38 1023 298 ( 6.67 103 (m Pa)) 10 2 1.41 3.14 (3.5 10 )
P=10-4Pa时, 6670cm 66.7m P=10-3Pa时, 667cm 6.67m
物理意义是:速率在v附近的单位速率区间的分子数占分子总数的百分比;或者说 一个分子的速率在速率v附近单位速率区间的概率。因此,也叫做分子速率分布的 概率密度。
1 真空技术基础
1.2.2 气体分子的速度分布
1.2 稀薄气体的性质
平衡温度越低,曲线越陡,分 子按速率分布越集中;温度越 高,曲线越平缓,分子按速率 分布越分散。
注意:真空度和气压的意义相反 真空度 意味着 气压 法定计量单位
国际单位制(MKS制,即SI制) 1 Pa=1 N / m 2 1 bar=106 dyne/cm 2 厘米克秒制(CGS 制) 主要单位制 1 PSI =1 lbf / in 2 英制(FPS制) 毫米汞柱制(mmHg 制) 1 torr =1 mmHg =1 / 760 atm
1 真空技术基础
入射频率
1.2 稀薄气体的性质
1.2.4 碰撞次数与余弦散射定律
入射频率ν (入射通量或碰撞次数):单位时间,在单位 面积的器壁上发生碰撞的气体分子数
1 nv a 4
P nkT
赫兹-克努曾公式
描述气体热运动重要公式
va
8kT 8RT m M
P 2m kTຫໍສະໝຸດ 1.1.1 真空的定义及其度量单位
Pa 1.333×102
(1.013×105/760)
atm 1.316×10-3
(1/760)
PSI 1.9337×10-2 1.4504×10-4 1.4504×101 1.4696×101
10-5 105 1.013×105 1.013
9.869×10-6 9.869×10-1
1 真空技术基础
1.2 稀薄气体的性质
1.2.4 碰撞次数与余弦散射定律(气体分子与表面的相互作用)
包括:气体分子跟器壁表面的碰撞,也包括反射或被吸附。 气体吸附: 气体吸附就是固体表面俘获气体分子的现象。 分为物理吸附和化学吸附。 物理吸附靠分子间的相互吸引引起的,任何气体在固体表面均会发 生,吸附后容易脱附。 化学吸附在较高温度下发生,只有当气体与固体表面原子接触生成 化合物时才能产生吸附作用,气体不易脱附。 气体脱附 是气体吸附的逆过程。 影响因素:气体的压强、固体的温度、固体表面吸附气体的密度以及固体 本身的性质如光洁程度、清洁度等
酒精 243 0C ;水 374.2 0C; Fe 3700 0C
1 真空技术基础
1.2 稀薄气体的性质
理想气体状态方程:
1.2 稀薄气体的性质
1.2.1 理想气体定律(一定质量的气体)
P nkT
或
式中:n — 分子密度 (个/m3); P — 气体压强 (Pa); V — 气体体积 (m3); M — 气体分子量 (kg/mol);
1. 最可几速率
2kT 2RT RT vm 1.41 m M M
2. 平均速率
va 8kT m 8RT RT 1.59 M M
3. 均方根速率
vr 3kT m 3RT RT 1.73 M M
1 真空技术基础
1.2 稀薄气体的性质
() 1.2.3 气体分子的自由程
宇宙(自然)真空:宇宙空间内存在的真空 因此,真空可分为 人为真空:利用真空设备获得的容器内真空
现代真空技术的极限:每 cm3空间内仅有数百个气体分子 对应气压 10-12 Pa
1 真空技术基础
1.1 真空的基本知识
1.1.1 真空的定义及其度量单位
真空的实质:一种低压气体物理状态 真空度采用气体压强表征 真空度的单位 = 气体压强的单位
1 真空技术基础
1.2.2 气体分子的速度分布
1.2 稀薄气体的性质
1. 最可几速率(速率极大值?)
2kT 2RT RT vm 1.41 m M M
讨论速度分布
计算分子运动平均距离
物理意义是:若把整个速率范围分成许多相等的小区间,则 利用概率求平均值,对于连续型随机变 2. 平均速率 Vm所在的区间内的分子数占分子总数的百分比最大,又称为 量,若分布函数为P(X),则统计平均值定 x)dx8RT 最概然速率。 义为: x x 8( kT RT
k — 玻尔兹曼常数,1.38×10-23 J/K; T — 气体温度 (K); m — 气体质量 (kg); R — 普适气体常数,R = NA· k = 8.314 J/mol· K; NA — Avogadro常数,6.02×1023 个/mol;
m PV RT M
(1) 波义耳定律 (2) 盖吕萨克定律 (3) 查理定律
每个气体分子在与其它气体分子连续2次碰撞之间运动经历的路程。 平均自由程( ):气体分子自由程的统计平均值。
P const. kT 2 2 (种类和温度一定) 2 n 2 P 薄膜技术中最常用的真空度为10-4Pa,自
1
P nkT
σ-分子直径; n-分子密度 由程大约是 66米。即使再差, 10-3Pa,自由 空气25℃时
P
P=1.3*10-4Pa,T=270C
3.7 104个/(cm2 s)
1 真空技术基础
1.2 稀薄气体的性质
1.2.4 碰撞次数与余弦散射定律 衬底完全被一层分子覆盖所需时间:
N 2 MRT t N AP N
N为表面原子密度 常温常压下,洁净表面被杂质完全覆盖所需时 3.510-9 s, 而在 10-8Pa 的高真空中,这一时间为 10h 。所以在薄膜制备技术中获得和保持适当的 真空度是很重要的。
换算基础:1 N=105 dyne=0.225 lbf 1 atm=760 mmHg(torr)=1.013×105 Pa=1.013 bar 标准大气压定义?
1 真空技术基础
目前标准大气压定义:0
oC,水银密度
1.1 真空的基本知识
标准大气压定义
2
1.1.1 真空的定义及其度量单位
重力加速度 g 980.665 cm / s 时,760 mm水银柱所产生的压强为1标准大气压,用atm表示,则: