材料基础学习PPt5全解
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材料科学基础-第五章1 (1)

=2tc
快速确定具有最大取向因子cosφcosλ的滑 移系方法 映象规则:利用投影图中心部分的八个取向三角形
4. 晶体在滑移时的转动 (rotation)
晶体滑移
滑移面上发生相对位移 晶体转动
在拉伸时使滑移面和滑移方 向逐渐转到与应力轴平行 空间取向发生变化 在压缩时使滑移面和滑移方向 逐渐转到与应力轴垂直
两个阶段
孪生临界切应力比滑移的大得多,只有在滑移很难进 行的条件下才会发生。例如,Mg孪生所需tc4.9~34.3MPa, 而滑移时tc仅为0.49MPa。但孪晶的长大速度极快(与冲 击波的速度相当)有相当数量的能量被释放出来,故常可 听见明显可闻“咔、嚓”声,也称孪生吼叫。
3. 孪生形变的意义
三 扭折 Kink
hcp的Cd压缩时,外力与(0001)面平行, 故在(0001)面的t=0,若此时孪生过程的阻 力也很大,不能进行。为了使晶体的形状与 外力相适应,当外力超过某一临界值时,晶 体将会产生局部弯曲,即出现扭折现象。 扭折区晶体的取向发生了不对称变化。 扭折是为适应外力而发生的不均匀局部塑性变形方式, 对变形起一定的协调作用,使应力得到松弛,使晶体不致发 生断裂。另外由于扭折引起晶体的再取向,即有可能使扭折 带区域中的滑移系处于有利取向,促使晶体形变能力进一步 发挥。 造成扭折的原因是滑移面的位错在局部地区集中,从 而引起的晶格弯曲。
四 塑变的位错机制
1. 滑移的位错机制 根据刚性滑移模型推导出的理论切变强度
tm
G 30
G 2
(G一般为104~105MPa),即使采用修正值
与实测值(约为1~10MPa)之间相差3~4个数量级。
位错概念引入解决这一矛盾。因为位错运动时只要求
其中心附近少数原子移动很小的距离(小于一个原子间距), 因此所需的应力要比晶体作整体刚性滑移时小得多。这样借 助于位错的运动就可实现晶体逐步滑移。
材料科学基础 第5章 相 图剖析

dG i dni i dni
由于 所以
dni dni
dG (i i )dni
在 相和 相处于平衡时,dG=0 ,故:
i i
即两相平衡的条件是两相中同一组元的化学 位相等。此时,在两相之间转移趋于平衡。 若多元系中有C个组元,P个相,则它们的相 平衡条件可以写成:
由热力学原理可知,当组元在不同相间转 移时,将引起体系自由能的变化。对于一个多 元系,这种自由能变化可用下式表示:
dG Vdp SdT
dn
i
i
在等温等压条件下,可简化为:
dG
dn
i
i
如果体系中只有 和 两相,当极少量(d n i)的 i 组元从 相转移到 相中,则B
Pb
10
20
30
40
50
60
70
80
90
500 400 tA 300 327.5℃ 231.9℃ M α +L 183℃ 19 α +β F Pb 10 20 30 40 50 60 70 80 90 G Sn E 61.9 L+β N β 97.5 L
200 α 100
tB
W W1 W2
2的质量 Wx W1 x1 体系中相 W21 x 体系中相 的质量 体系中物质的总质量 2
t1 t2 M R P Q
L1
L2 L E x x2 20 40 K S N B 100
由上两式可得:
体系中 相1 相 中 B2 组元的含量 B 中 组元的含量 B组元的含量
W1 (x x1 ) W2 (x 2 x)
1083
时间
Cu 0
30
由于 所以
dni dni
dG (i i )dni
在 相和 相处于平衡时,dG=0 ,故:
i i
即两相平衡的条件是两相中同一组元的化学 位相等。此时,在两相之间转移趋于平衡。 若多元系中有C个组元,P个相,则它们的相 平衡条件可以写成:
由热力学原理可知,当组元在不同相间转 移时,将引起体系自由能的变化。对于一个多 元系,这种自由能变化可用下式表示:
dG Vdp SdT
dn
i
i
在等温等压条件下,可简化为:
dG
dn
i
i
如果体系中只有 和 两相,当极少量(d n i)的 i 组元从 相转移到 相中,则B
Pb
10
20
30
40
50
60
70
80
90
500 400 tA 300 327.5℃ 231.9℃ M α +L 183℃ 19 α +β F Pb 10 20 30 40 50 60 70 80 90 G Sn E 61.9 L+β N β 97.5 L
200 α 100
tB
W W1 W2
2的质量 Wx W1 x1 体系中相 W21 x 体系中相 的质量 体系中物质的总质量 2
t1 t2 M R P Q
L1
L2 L E x x2 20 40 K S N B 100
由上两式可得:
体系中 相1 相 中 B2 组元的含量 B 中 组元的含量 B组元的含量
W1 (x x1 ) W2 (x 2 x)
1083
时间
Cu 0
30
《材料力学》课件5-6梁内的弯曲应变能

3
结论
深入研究弯曲应变能对于实际工程设计和结构的完善非常重要。我们相信,在学 习本章内容之后,大家会对弯曲应变能的计算和应用有更深入的认识。
总结
重要性和应用
弯曲应变能是研究物体弯曲 变形和内应力分布的重要机 制,对于工程师和设计师来 说至关重要。
计算方法的优缺点
弯曲应变能的计算方法有许 多种,每种方法都有各自的 优缺点,需要灵活运用。
物理意义பைடு நூலகம்
弯曲应变能是物体弯曲变 形的内在机制,对于研究 物体受力后的变形状态和 内应力分布具有重要的意 义。
梁的弯曲
1
基本概念
梁是一种经常被工程师用来支撑重量的结构。梁的形状和尺寸取决于所需的支撑 和跨度。
2
受力分析
在弯曲的情况下,内力主要包括弯矩和剪力。弯曲应变能的计算需要考虑这两个 因素。
3
应用
巩固与拓展
了解弯曲应变能的相关知识 点是设计和工程领域的基础, 我们需要不断学习和探索。
为了提高计算效率和精度,一 些简化的计算公式也可以用于 计算弯曲应变能。
示例分析
1
实际工程中的应用
弯曲应变能在桥梁、车辆和建筑物的设计和构造中起着重要作用。对于这些特殊 结构的设计,精确计算弯曲应变能是非常必要的。
2
桥梁、车辆和建筑物中的案例分析
我们可以通过一些实例来了解弯曲应变能的具体应用。这些案例可以帮助我们深 入了解弯曲应变能对实际结构的影响。
弯曲应变能可用于预测梁的强度和刚度,有助于提高梁的设计效率和经济性。
梁内弯曲应变能的计算
梁的截面和形状
梁的截面和形状对它的弯曲应 变能有较大的影响。对于不同 的截面形状,弯曲应变能的计 算方法也会有所不同。
材料科学基础第5章 材料的相结构与相图 ppt课件[1]
![材料科学基础第5章 材料的相结构与相图 ppt课件[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/534d1746700abb68a882fb0c.png)
一、纯金属特点
1、优良的导电、导热性能; 2、高的化学稳定性; 3、美观的金属光泽; 4、但强度、硬度较低; 5、制取困难;价格高;资源有限
2020/10/28
4
二、合金的基本概念
1、定义
是由两种或两种以上金属元素, 或金属元素与非金属元素,经熔 炼、烧结等方法组合而成并具有 金属特性的物质。
2020/10/28
5
钢:Fe-C合金;
黄铜:Cu-Zn合金; 黄铜 防锈铝:Al-Mg合金。
2、合金的特点 Al-Cu两相合金 强度高、硬度高;性能可大幅 度调节;价格较低、应用广。
2020/10/28
6
3、相
是合金中具有晶体结构相同、 成分相同和性能相同,并以界 面相互分开的组成部分。
2020/10/28
7
纯铁:由α-Fe(铁素体相) 单相构成,为单相合金;
3、作用:为合金的强化相。
2020/10/28
28
(二)金属间化合物
1、定义
合金结晶时,当其溶质浓度大 于溶解度时,将析出结构不同于任 何组元的新相,该相具有一定的金 属特征,称为金属间化合物。
2020/10/28
29
3、分类:
正常价化合物、电子化合物 、 间隙相和间隙化合物 。
1)正常价化合物
P(珠光体)= F + Fe3C Fe3C形状:片状和球状。
2020/10/28
12
❖ 当Fe3C为片状 时,构成P片状
❖ HB≈200 ❖ δ=15% ❖ Ψ=30%
2020/10/28
珠光体
13
当Fe3C为球状 时,构成P球状
HBS≈163 δ=20% Ψ=40%
2020/10/28
大学材料科学基础 第五章铁碳相图(2)

1.2% C过共析钢室温下平衡组织
计算1.2%C 过共析钢中Fe3CII和Fe3C的含量。
亚共析钢和过共析钢的固态相变区别:亚共析钢中先 共析相是F,过共析钢中先共析相是Fe3C。
The evolution of the microstructure of hypoeutectoid and hypereutectoid steels during cooling. In relationship to the Fe-Fe3C phase diagram.
(2)碳在铁中的固溶体 铁素体:碳在α铁中的间隙固溶体,用α 或F (ferrite) 表示。碳在δ铁中的间隙固溶体 也称高温铁素体,用δ表示。 奥氏体:碳在γ铁中 的间隙固溶体,用γ或A (austenite) 表示。
工业纯铁的显微组织
奥氏体的显微组织
(3)渗碳体(Fe3C,cementite) 渗碳体是铁和碳形成 的化合物,具有复杂的晶 体结构,熔点为1227℃。 渗碳体硬度极高,塑性几 乎等于0,是硬脆相。是 钢中的主要强化相。在一 定条件下,渗碳体可以分 解而形成石墨状的自由碳: Fe3C→3Fe + C(石墨)。这 一过程对于铸铁和具有重 要意义。
三、 铁碳合金相图
铁碳相图的历史很悠久了,早在1897年, 英国皇家矿业学院教授Roberts Austen 就绘制了 世界上第一张铁碳相图,1900年,荷兰阿姆斯特 丹大学的物理化学教授Roozeboom根据相律对其 做了修订,与我们目前使用的铁碳相图已基本相 同。 铁碳合金是现代工业使用最广泛的合金,即 碳钢。生产中使用的钢铁材料90%是碳钢,10% 是合金钢。铁碳相图是研究铁碳合金的重要工具, 对于钢铁材料的研究和使用, 特别是热加工工艺 的制订都有重要的指导意义。
高分子智能材料全解PPT课件

将非电量转换为与之有确定关系的电量输出的装 置。
传感器分类
按输入量、输出量、工作原理、能量关系等分类 。
传感器基本原理
利用物理效应、化学效应或生物效应,将被测量 转换为电量。
高分子智能材料在传感器中作用机制
敏感元件
高分子材料作为敏感元件,能够感知被测量的变化并产生响应。
转换元件
将敏感元件产生的响应转换为电量输出。
• 高分子智能材料在高端制造和智能制造中的应用:高分子智能材料在高端制造 和智能制造领域具有广阔的应用前景,如智能传感器、智能执行器、智能机器 人等,将为现代制造业的发展注入新的活力。
THANKS
感谢观看
应用领域及前景展望
应用领域
高分子智能材料在传感器、驱动器、智能纺织品、生物医学、环保等领域具有 广泛的应用前景。
前景展望
随着科技的进步和需求的增长,高分子智能材料的应用领域将不断拓展,同时 对其性能的要求也将不断提高。未来,高分子智能材料将在智能化、多功能化 、环保化等方面取得更大的突破和发展。
02
控的释放行为等。
03
实践举例
列举几个成功应用高分子材料作为药物控释载体的案例,并分析其设计
思路和应用效果。
组织工程支架材料研究进展
组织工程支架材料的作用及要求
阐述组织工程支架材料在组织工程中的作用和所需满足的要求,如良好的生物相容性、适 当的机械性能等。
高分子材料在组织工程支架中的应用
分析高分子材料作为组织工程支架材料的优点和应用现状,如可降解高分子材料、水凝胶 等。
无免疫原性等。
安全性问题及对策
03
探讨高分子材料在生物医学应用中可能存在的安全性
问题,如毒性、致癌性等,并提出相应的解决策略。
传感器分类
按输入量、输出量、工作原理、能量关系等分类 。
传感器基本原理
利用物理效应、化学效应或生物效应,将被测量 转换为电量。
高分子智能材料在传感器中作用机制
敏感元件
高分子材料作为敏感元件,能够感知被测量的变化并产生响应。
转换元件
将敏感元件产生的响应转换为电量输出。
• 高分子智能材料在高端制造和智能制造中的应用:高分子智能材料在高端制造 和智能制造领域具有广阔的应用前景,如智能传感器、智能执行器、智能机器 人等,将为现代制造业的发展注入新的活力。
THANKS
感谢观看
应用领域及前景展望
应用领域
高分子智能材料在传感器、驱动器、智能纺织品、生物医学、环保等领域具有 广泛的应用前景。
前景展望
随着科技的进步和需求的增长,高分子智能材料的应用领域将不断拓展,同时 对其性能的要求也将不断提高。未来,高分子智能材料将在智能化、多功能化 、环保化等方面取得更大的突破和发展。
02
控的释放行为等。
03
实践举例
列举几个成功应用高分子材料作为药物控释载体的案例,并分析其设计
思路和应用效果。
组织工程支架材料研究进展
组织工程支架材料的作用及要求
阐述组织工程支架材料在组织工程中的作用和所需满足的要求,如良好的生物相容性、适 当的机械性能等。
高分子材料在组织工程支架中的应用
分析高分子材料作为组织工程支架材料的优点和应用现状,如可降解高分子材料、水凝胶 等。
无免疫原性等。
安全性问题及对策
03
探讨高分子材料在生物医学应用中可能存在的安全性
问题,如毒性、致癌性等,并提出相应的解决策略。
材料科学基础-第5章

其中ΔGV为单位体积内固液吉布斯自由能之差,V为晶体的体 积,σ为界面能,A为界面的面积。一个细小的晶体出现后, 是否能长大,决定于在晶体的体积增加时,其自由能是否为下
当前你正在浏览到的事第十五页PPTT,共三十七页。
第二节 形核
一、自发形核
2. 临界大小
在一定过冷度下,ΔGV为负值,而σ恒 为正值。可见晶体总是希望有最大的体
五、结晶的一般过程
温度变化规律: 材料的熔体在熔点以上不断
散热,温度不断下降,到理论结 晶温度并不是马上变成固态的晶 体,继续降温而出现过冷。过冷 到某一程度开始结晶,放出结晶 潜热,可能会使其温度回升。到 略低于熔点的温度时,放出的热 量和散热可达到平衡,这时处于 固定温度,在冷却曲线上出现平 台。结晶过程完成,没有潜热的 补充,温度将重新不断下降,直 到室温。
第五章 晶体生长与晶体缺陷
• 概述 • §5.1 液体的性质和结构 • §5.2 凝固的热力学条件 • §5.3 形核过程 • §5.4 晶体的长大 • §5.5 铸锭的组织 • §5.6 单晶体的凝固
当前你正在浏览到的事第一页PPTT,共三十七页。
第五章 晶体生长与晶体缺陷
• §5.7 玻璃态与金属玻璃 • §5.8 点缺陷 • §5.9 线缺陷 • §5.10 面缺陷
示为n为n单i 位n 体=积ex原p(子-数△小G/,knT)i为在n个原于中(含5.有1)i个原子的原子团 数 知目,当,△△GG增为加原时子,团n 与i 减数小目。相△同的G的单来个源原有子两的个自,一由个能与差固。、由液式相(5.1)
的自由能差有关,另一个是把固相与液相分开的界面能:前者在平 衡温度时为零,低于熔点时为负值,高于熔点时为正值;后者永 远为正值。
晶核而长大,所以金属凝固时,晶核必须要求等
当前你正在浏览到的事第十五页PPTT,共三十七页。
第二节 形核
一、自发形核
2. 临界大小
在一定过冷度下,ΔGV为负值,而σ恒 为正值。可见晶体总是希望有最大的体
五、结晶的一般过程
温度变化规律: 材料的熔体在熔点以上不断
散热,温度不断下降,到理论结 晶温度并不是马上变成固态的晶 体,继续降温而出现过冷。过冷 到某一程度开始结晶,放出结晶 潜热,可能会使其温度回升。到 略低于熔点的温度时,放出的热 量和散热可达到平衡,这时处于 固定温度,在冷却曲线上出现平 台。结晶过程完成,没有潜热的 补充,温度将重新不断下降,直 到室温。
第五章 晶体生长与晶体缺陷
• 概述 • §5.1 液体的性质和结构 • §5.2 凝固的热力学条件 • §5.3 形核过程 • §5.4 晶体的长大 • §5.5 铸锭的组织 • §5.6 单晶体的凝固
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第五章 晶体生长与晶体缺陷
• §5.7 玻璃态与金属玻璃 • §5.8 点缺陷 • §5.9 线缺陷 • §5.10 面缺陷
示为n为n单i 位n 体=积ex原p(子-数△小G/,knT)i为在n个原于中(含5.有1)i个原子的原子团 数 知目,当,△△GG增为加原时子,团n 与i 减数小目。相△同的G的单来个源原有子两的个自,一由个能与差固。、由液式相(5.1)
的自由能差有关,另一个是把固相与液相分开的界面能:前者在平 衡温度时为零,低于熔点时为负值,高于熔点时为正值;后者永 远为正值。
晶核而长大,所以金属凝固时,晶核必须要求等
磁性材料基础知识-ppt课件

求其轴线上一点 p 的磁感强度的方向和大小.
Idl
r
dB
B
o
R
p B
x
*
x
I
dB 0
4π
Idl r2
解: 根据对称性分析
毕奥—萨伐尔定律的应用2
Idl
sin R
R
o
r
x
dB
*p x
r2 R
B0I
4π
r 2 x2
sindl
l r2
dB x
dB 0
4π
Idl r2
dB xdsBin4 π 0Isri2 n dl
0I dl
2πR l
I B
dl
oR
l
l 设 l 与 I 成右螺旋
关系
3.3 安培环路定理-应用
求载流螺绕环内的磁场 (已知 n N I)
1) 对称性分析;环内 B 线为同心圆,环外 B 为零.
2 )选 回路(顺时针圆周) .
lB d Bl 2 0π NR I B 0 NI
2π R
d
令L2πRB0NIL
内部交流报告
磁性材料基础知识
提纲
1 磁性材料的发展简史
2 磁学基本常识
磁性来源 磁学基本概念 磁性材料分类
3 电磁学主要定律-恒稳/交变磁场
4 磁性材料性能分析
5 磁性材料应用实例
精品资料
• 你怎么称呼老师? • 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点,你
是否会认为老师的教学方法需要改进? • 你所经历的课堂,是讲座式还是讨论式? • 教师的教鞭 • “不怕太阳晒,也不怕那风雨狂,只怕先生骂我
一、磁性材料发展简史(续)
• 1946年 Bioembergen发现NMR效应 • 1948年 Neel建立亜铁磁理论
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分别算出这两个位错分量的应变能,它们的和就 是混合位错的应变能Eem,即
Eem
Eee
Ees
Gb2 sin 2 4 (1 )
ln
R r0
Gb2 cos2 4
ln
R r0
Gb2
4k
ln
R r0
式中
k
1
(1
)
cos2
,பைடு நூலகம்为混合位错的角度因素,
约为1~0.75
从以上各应变能的公式可以看出:
①位错的应变能与b2成正比,因此柏氏矢量的模 │b│反映了位错的强度。
位错周围弹性应力场的存在增加了晶体的能量, 这部分能量称为位错的应变能。
对于一个静态的位错,根据应力场进行计算时,
其应变能应为两部分之和:E = E0 + Ee
E0:位错中心区域的应变能 Ee:由前述公式计算出来的位错应力场引起的弹
性应变能
7.4.2.1刃型位错的应变能
位移:0~b,随r变化,设为x;
dW=F ds
τdl·ds·|b|=F ds
F=τdl·|b|
f=F/dl=τ·|b| f是作用在单位长度位错上的力,它与外切应力τ
和位错的|b|呈正比,其方向与位错线相垂直并 指向滑移面的未滑移部分。
由于各段位错线上的柏氏矢量都相同,故 只要作用在晶体上的切应力是均匀的,那 么各段位错线所受力的大小也是相同的。
xx yy zz xy yx 0
螺型位错的应力场有以下特点:
①
②切应力分量只与距位错中心的距离r有关。
与位错中心距离相等的各点应力状态相同。
当r→0时,τθz → ∞,这显然与实际情况
不符。这就是制造连续介质模型时挖掉中
心部分的原因。通常把r0取为0.5~1nm。
7.4.1.3 刃型位错的应力场
xx
A
y (3 x 2 (x2
y2) y2 )2
yy
A
y(x2 y2) (x2 y2)2
zz (xx yy )
xy
yx
A
x(x2 y2) (x2 y2)2
刃型位错应力场具有以下特点:
①正应力分量与切应力 分量同时存在。
②各应力分量均与z值
无关,表明与刃型位 错线平行的直线上各 点应力状态相同。
设有切应力τ使一小段位错线dl移动了ds 距离,此段位错线移动的结果使晶体中dA 面积(dA=dl·ds)沿滑移面产生了滑移,其 滑移量等于位错的柏氏矢量b。
故切应力所作的功为:
dW=(τdA)·|b|=τdl·ds·|b|
另一方面,此功也就相当于作用在位错上 的力F使位错线移动ds距离所作的功,即:
代入上述各式,则单位长度位错的应变能公式可
简化为
E Gb2
式中α是与几何因素有关的系数,为0.5~1
7.4.3 位错运动的动力与阻力
7.4.3.1位错滑移的动力与阻力 1、位错滑移的动力
在切应力的作用下,晶体借其内部位错的 移动而发生滑移,由于位错移动的方向总 是与位错线相垂直,故可设想有一个垂直 于位错线的作用力造成了位错的移动
材料科学基础(下)
Fundamentals of Materials Science(Ⅱ)
材料科学与技术学院 南京航空航天大学
7.4 位错的弹性性质
7.4.1位错的应力场 7.4.1.1应力分量
在平衡条件下,
τxy=τyx、τyz =τzy、τzx =τxz (τrθ =τθr、τθz =τzθ、τzr =τrz)
厚壁筒只有z方向的相对位移,因而只有两个切应
变分量,没有正应变分量。 两个切应变分量用圆柱坐标表示为:
z z b 2r
相应的切应力分量则为:
z z Gb 2r
其余七个应力分量均为零
螺型位错应力场
换算成以直角坐标表示的应力分量
yz
zy
Gb
2
x2
x
y2
xz
zx
Gb
2
x2
y
y2
实际只有六个应力分量就可以充分表达一 个点的应力状态。
与这六个应力分量相应的应变分量是
εxx、εyy、εzz(εrr、εθθ、εzz)和γxy、 γyz、γzx(γrθ、γθz、γzr)
螺型位错的连续介质模型
三个弹性力学假设:
①小应变弹性变形, 模型固体材料属于完全弹性体; ②固体材料是连续的; ③固体材料各向同性
刃型位错的连续介质模型
三个弹性力学假设:
①小应变弹性变形, 模型固体材料属于完全弹性体; ②固体材料是连续的; ③固体材料各向同性
刃型位错的应力场
圆柱坐标系
rr A sin
r
zz (rr ) r r A cos
r
rz zr z z 0
式中 A Gb / 2 (1 )
用直角坐标表达 :
z Gb 2r
单位长度螺型位错的应变能Ees:
Ees
Gb2
4
ln
R r0
图中螺型位错 为单位长度
当b相同时,
Eee
1
(1 )
Ees
ν=0.3~0.4
Eee比Ees约大50%
7.4.2.3 混合型位错的应变能
一混合位错:ξˆb为φ角,
可以分解为:一柏氏矢量模为bsinφ的刃型位错 和一个柏氏矢量模为bcosφ的螺型位错。
刃型位错应力场具有以下特点:
③应力场对称于Y轴。
④y=0时,σxx=σyy =σzz=0,说明在 X-Z面上没有正应力,
只有切应力。
刃型位错应力场具有以下特点:
⑤y>0时,σxx<0,y <0时,σxx>0。
即:X-Z面上侧为压应
力,下侧为拉应力。
⑥x=y时,σyy及τxy
7.4.2位错的应变能
滑移面(θ=0)受力亦随r变化,
为:
r Gx cos 2 (1 ) r
图中刃型位错
为单位长度
为克服切应力τθr所作的功为:
W
Rb
r0 0 r dxdr
R b Gx 1
Gb2
R
dxdr
ln
r0 0 2 (1 ) r
4 (1 ) r0
此W即为单位长度刃型位错的应变能Eee
7.4.2.2 螺型位错的应变能
必须指出:f的方向与切应力τ的方向往往 是不同的
如在纯螺型位错时,f的方向与τ的方向相 互垂直
2、位错滑移的阻力(派-纳力)
│b│越小,位错能量越低,在晶体中越稳定。 为使位错具有最低能量,b都趋向于取密排方向。
② 当r0 r→0时,应变能→ ∞, 这正好说明用连
续介质模型导出的公式在位错中心区已不适用。
③r0为位错中心区的半径,可以近似地认为 r0≈b≈2.5×10-8cm;
R是位错应力场最大作用范围的半径,在实际晶体 中受亚晶界的限制,一般可取R≈10-4cm。