p型半导体的多数载流子
模电习题库答案
模电习题库答案⼀、填空题1、P型半导体多数载流⼦为空⽳，⽽N型半导体的多数载流⼦为电⼦。
2、为了使三极管具有放⼤作⽤，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。
3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π，⼄类功放电路管⼦的导通⾓为π。
4、同相⽐例运算电路可实现Au>1的放⼤器；反相⽐例运算电路可实现Au<0的放⼤器。
5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号，⽽抑制共模信号。
6、在具有反馈的放⼤电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。
KH信号通过，应该选7、在某个信号处理系统中，要求让输⼊信号中的10～15ZKH的⼲扰信号，不使其通过可采⽤带通滤波器，如果要抑制20～30Z⽤带阻滤波器。
8、振荡电路的⾃激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。
9、当静态⼯作点Q的位置偏低，⽽输⼊电压u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引i起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置偏⾼，⽽输⼊电压u的幅值⼜i相对较⼤，则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作⽤下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多⼦的扩散运动将增强。
12、当三极管⼯作在放⼤区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce⽆关，⽽主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
15、共模抑制⽐K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值，CMRK值越⼤，表明电路抑制共模信号的能⼒越强。
CMR16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤，⽽电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减⼩。
17、在某个信号处理系统中，为了获得输⼊电压中的低频信号，应该选⽤低通滤波器，为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器，应该选⽤带阻滤波器。
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
怎么判断p型和n型半导体
怎么判断p型和n型半导体
P型半导体和N型半导体可以通过以下两种方式进行区分：
1.根据原理区分：P型半导体中的多数载流子是空穴，而N型
半导体中的多数载流子是自由电子。
由于P型半导体中的空穴浓度大，而N型半导体中的自由电子浓度大，因此P型半导体中的电子很容易被空穴补充，形成电流，而N型半导体中的自由电子很难被空穴补充，形成电流。
2.根据电流关系区分：由于P型半导体中的空穴浓度大，电子很容易被空穴补充而形成电流；而N型半导体中的自由电子浓度大，自由电子很难被空穴补充而形成电流。
因此，通过观察两种半导体之间的电流关系，也可以区分出P型半导体和N型半导体。
请注意，以上两种方法都需要一定的专业知识和实验技能才能准确判断。
如果您对半导体材料不熟悉，建议咨询专业人士或参考相关书籍和资料。
课后习题答案
项目一任务一一．判断题(下列判断正确的话打“√”，错误的打“×”)1．P型半导体中的多数载流子是电子。
（×）2．PN结具有单向导电性，其导通方向为N区指向P区。
（×）3．二极管反向击穿就说明管子已经损坏。
（×）4．小电流硅二极管的死区电压约为0．5V，正向压降约为0．7V。
(√ )5．发光二极管发光时处于正向导通状态，光敏二极管工作时应加上反向电压。
（√）二．填空题1．半导体中的载流子有_____________和___________。
（自由电子、空穴）2．晶体三极管内部的PN结有___________个。
（2）3．晶体管型号2CZ50表示___________。
（50 A的硅整流二极管）4．．PN结的反向漏电流是由___________产生的。
（少数载流子）三．简答题1．常用片状元件有哪些？和普通电气元件相比，有什么优点？答：片状元器件属于无引线或短引线的新型微型电子元件，是表面组装技术SMT（Surface Mounted Technology）的专用元器件。
可分为片状无源器件、片状有源器件和片状组件等三类。
片状无源器件包括片状电阻器、片状网络电阻器、片状热敏电阻器、片状电位器、片状电容器、片状微调电容器和片状电感器等。
片状有源器件包括片状二极管、片状开关二极管、片状快恢复二极管、片状稳压二极管、片状三极管和片状场效应管等。
片状元器件的主要特点是其外形结构不同于传统的插装式产品，其体积小，重量轻，无引线或引线短，可靠性高，耐振动冲击，抗干扰性好，易于实现半自动化和自动化的低成本、高密度组装，其焊点失效率达到百万分之十以下；利用片状元器件贴装可使电子线路的工作频率提高到3000MHz（通孔插装的为500MHz），而且能够有效地降低寄生参数，有利于提高设备的高频特性和工作速度；片状元器件产品的器件形状、尺寸精度和一致性高。
大部分可编带包装，有利于提高生产装配效率，且能够从根本上解决元器件与整机间的共存可靠性问题。
电工复习题(1)
一、选择题1．电位和电压相同之处是( C )。
易A ．定义相同B ．方向一致C ．单位相同D ．都与参考点有关 2．两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( A )中A ．4：1B ．1：4C ．1：2D ．2：1 3．下图中电流I 为( A )。
中A ．1AB ．2AC ．-1AD ．-2A4．有“220V 、100W ”“220V 、25W ”白炽灯两盏，串联后接入220V 交流电源，其亮度情况是（ B ）。
难A ．100W 灯泡最亮B ．25W 灯泡最亮C ．两只灯泡一样亮D ．两只灯泡一样不亮5．将额定值为220V 、100W 的灯泡接在110V 电路中，其实际功率为（ C ）。
难A ．100WB ．50WC ．25WD ．12.5W 6．正弦电压)sin(ϕω+=t U u m 的波形如图所示，则ϕ=（C ）。
中 A ．-30º B. 0º C. 30º D. 150º7．在三相交流电中，有效值为最大值的（D）。
易A．3倍 B．2倍 C．1/3倍 D．1/2倍8．正弦交流电流的频率为50Hz，有效值是1A，初相角90°，其瞬时值表达式为（B）易。
A．i(t)=sin(314t+90°)A B．i(t)=2sin(314t+90°)A C．i(t)=cos(314t+90°)A D．i(t)=2cos(314t+90°)A 9．用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。
难10．PNP管，CBE B．NPN管，ECB C．NPN管，CBE D．PNP 管，EBC11．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为（A）。
难A．U BE>0，U BC<0 B．U BE>0，U BC>0C．U BE<0，U BC<0 D．U BE<0，U BC>01、有“220V、100W”“220V、25W”白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（B）A、100W灯泡最亮B、25W灯泡最亮C、两只灯泡一样亮D、与并联时亮度一样2、在串联电路中，流过每个阻抗的电流（B）A、可能不相等B、相等C、该支路总电流等于流过每个阻抗的电流之和D 、线性电路相等，非线性电路总电流为流过每个阻抗的电流之和3、V t t u )106sin(5)(︒+=π与A t t i )156cos(3)(︒-=π的相位差是（ C ） A 、25º B 、5º C 、-65º D 、- 25º4、正弦交流电路中电容元件上的伏安关系式中，下列正确的是（ C ） A 、I C =XcUc A B 、 CU t i Cc ω=)( A C 、A t C U t i u m C )2sin()(πϕωω++= D 、 CC I Cj U ω1= V5、在交流电的相量法中，不能称为相量的参数是（ D ）A 、 UB 、IC 、ED 、Z6、纯电感电路中无功功率用来反映电路中（ C ） A 、纯电感不消耗电能的情况 B 、消耗功率的多少 C 、能量交换的规模 D 、无用功的多少7、当流过电感线圈的电流瞬时值为最大值时，线圈两端的瞬时电压值为（ A ）A.零B.最大值C.有效值D.不一定8、已知某电路端电压V t u )30sin(2220︒+=ω，通过电路的电流A t i )40sin(5︒+=ω，u 、i 为关联参考方向，该电路负载是（ A ）A.容性B.感性C.电阻性D.无法确定9、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）A 、较大；B 、较小；C 、为零；D 、无法判断。
《模拟电子技术》自测题(A)[2]
![《模拟电子技术》自测题(A)[2]](https://img.taocdn.com/s3/m/7087e40f581b6bd97f19ea76.png)
一．填空题（每小题2分，共30分）1．对 PN 结二极管，当（ p ）区外接高电位，而（ n ）区外接低电位，则PN结为正偏。
2． P型半导体中多数载流子是（空穴） ,少数载流子是( 自由电子 ) ；N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是（空穴）。
位 3 ．二极管的正向电流是由（多数）载流子的（扩散）运动形成的；反向电流是由（少数）载流子的（漂移）运动形成的。
4．三极管的输出特性有三个工作区，分别是（饱和区）、（截至区）、（放大区）。
5．为了提高β值，晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度（大），基区杂质密度和基区（小）的特点。
6．场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT的(CE）组态、（CC）组态和（CB）组态相似。
7， FET 的（沟导宽度）效应与 BJT 的基区宽度效应相似，基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响，而FET的效应使（栅源）电压的变化对íd生影响。
8．稳压管是利用二极管（反向击穿）特性工作的。
9，差动放大器依靠电路的（对称）和（共模输人）负反馈来抑制零点漂移。
10．晶体管工作受温度影响是由于温度升高（R Eβ）增加所致。
11．如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（多）。
12，负反馈以损失（增益）为代价，可以提高（电路）的稳定性；减少（非线性）失真。
13，放大器无反馈时的输出电阻为 RO，对电压取样负反馈的输出电阻为（R O／（1＋A F）），而电流取样负反馈的输出电阻为（R0（1＋A F））。
14， BTJ 放大器电路中，由于（耦合电容）的影响，使低频段增益是频率的函数，且，由于（极间电容）的影响，使高频段增益也是频率的函数。
15， FET的小型号跨导定义为 gm＝(dīD／d u Q s) ，且，耗尽型管与增强型管 gm 不同，是因为其平方律公式（不同）。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
p型半导体的多数载流子
P型半导体是一种半导体材料，具有特殊的电子特性，可用于多种电子装置的制造。
当P型材料接触到电场作用时，其电性能发生变化。
这种变化可以导致P型半导体中多数载流子的产生，使其成为一种重要的电子元件。
P型半导体由N型材料（摩尔含量较高的材料）和P型材料（摩尔含量较低的材料）组成，并以一种称为载流子抑制的方式进行控制。
由于P型材料具有比N型材料更高的电荷激发能，因此在电场作用下，P型材料中的电子会被激发到对称轨道，形成多数载流子。
多数载流子是P型半导体中最重要的电子特性，它增加了半导体装置的灵敏度，可用于多种电子技术，包括可控硅器件、传感器、模拟电路、内存储器等。
多数载流子的形成有助于提高半导体装置的集成度、灵敏度和稳定性，并可以有效地提高电子芯片的功效。
此外，多数载流子还能有效地抑制电子元件中的辐射，从而提高电路和系统的可靠性。
多数载流子可以抑制大量非理想激励，阻止电压脉冲和瞬变现象，从而缩小电路板和系统中可能出现的电磁干扰。
此外，多数载流子还可以提高P型半导体的特性，如动态范围、噪声抑制、低电压、高电流和低损耗等。
多数载流子的优化可以提高芯片的性能，并有助于减少功耗损失。
因此，多数载流子可以说是P型半导体的一个重要组成部分，它们在芯片设计中具有重要意义。
多数载流子的形成不仅可以提高半导体装置的性能，而且还可以有效抑制辐射，这对于保护电子芯片免受
破坏具有重要意义。
多数载流子的应用可以为各种电子设备提供更高的性能和稳定性。
因此，多数载流子是P型半导体的重要组成部分，它可以为电子设备的发展和性能的提高做出重要贡献。