电力电子技术试题库-答案
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术试题与参考答案
电力电子技术试题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D2.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为()。
A、300～350B、400～450C、100～150D、200～250正确答案：A3.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案：A4.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A5.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、120°B、180°C、90°D、150°正确答案：A7.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与阳极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、阳极电压与门极电流的关系D、门极电压与门极电流的关系正确答案：B8.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案：C9.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、120度，B、0度C、60度D、30度正确答案：D10.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号B、触发电流信号C、触发电压信号D、干扰信号和触发信号正确答案：A12.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、180°C、150°D、120°正确答案：A13.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
电力电子技术试题
第1章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
电力电子技术测试题与答案
电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。
A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术试题库答案
电力电子技术试题库一、题填空。
1、变流技术也称为电力电子器件的应用技术。
2、电力电子技术诞生于1957 年，是以美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
3、通常所用的电力有直流和交流两种。
4、1947 年，美国著名的贝尔实验室发明了晶体管。
5、迄今为止，用于制造电力电子器件的半导体材料仍然是硅。
6、在电化学工业中，电解铝、电解实验室等都需要大容量的整流电源。
7、经多年研究，能够制造电力电子器件的新材料，有碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石等。
8、在磁悬浮列车中，技术是一项关键技术。
9、相位控制方式和斩波控制方式分别简称为相控和斩控。
10、目前，碳化硅二极管以其优越的性能已经获得了广泛的应用。
11、在电气机车中，直流机车采用装置，交流机车采用装置。
12、通常把交流电变成直流电称为整流，而把直流电变成交流电称为逆变。
13、有源逆变和无源逆变的区别仅仅在于变流电路的交流侧是否与电网连接。
14、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来变频调速已成为主流。
15、电力电子电路的换流方式可分为以下四种：换流、换流、换流、换流。
16、逆变电路根据直流侧电源的性质分类，可以分为电压型逆变电路和电流型逆变电路。
17、变频空调器是家用电器中应用电力电子技术的典型例子。
18、软开关技术解决了电力电子电路中开关损耗和开关噪声问题。
19、电力电子器件按照被控制的程度可分为三类：不可控器件，半控型器件，全控型器件。
20、超导储能是未来的一种储能方式，它需要你强大的直流电源供电。
21、电力电子装置的发展趋势是小型化、轻量化。
22、在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为。
23、在电力电子电路中，器件的开关损耗和开关频率之间呈现线性关系。
24、PWM控制技术在逆变电路中的应用最为广泛。
25、器件换流只适用于全控型器件，其余三种方式重要是针对晶闸管而言的。
26、晶闸管电路的主要控制方式是相控方式，而全控型器件电路的主要控制方式是斩控方式。
电力电子技术试题库答案
二、判断题（每题1分，共10分）
1、 晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。（ 错 ）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。（错 ）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。（ 对 ）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。（错 ）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。（ 对 ）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。（ 对 ）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。 ( 错 )8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。 （ 对 ）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。 （ 错 ）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。（ 对 ）
三相全控桥整流电路带大电感负载时，输出电压平均值为（2.34U2cosα），晶闸管承受的最大电压为（61/2U2）。38、单结晶体管从截止区转变为负阻区的转折点为（峰点），该点的电压为（Up=ηUbb+UD）。
在升降压变换电路中，当0.5<D<1时为（降压）变换电路，当0<D<0.5时为（升压）变换电路。40、库克变换电路的输出电压为（Uo=-DUd/(1-D)），输出电流为（Io=-(1-D)Id/D）。41、根据输入直流电源特点，逆变电路分为（电压型）和（电流型）逆变电路。42、根据换流方式，逆变电路分为负载换流型、（脉冲换流型）和（自换流型）逆变电路。43、常用的均流措施有（电阻均流）和（电抗均流）两种。44、单结晶体管的负阻特性是指（峰点）和（谷点）之间的特性。45、PWM逆变电路有（异步调制）和（同步调制）两种控制方式。46、有源逆变主要用于（直流电机的可逆调速）、（绕线型异步电动机的串级调速）和高压直流输电以及太阳能发电等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电力电子技术作业题一、选择题（每题20分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。
A. 1～2倍B. 2～3倍C. 3～4倍D. 4～5倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（ A ）。
A. 1.5～2倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（ B ）。
A. 维持电流IHB. 擎住电流ILC. 浪涌电流ITSMD. 最小工作电流IMIN4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。
A. 1～2倍B. 2～4倍C. 3～5倍D. 6～8倍5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( D )标定。
A. 平均值B. 最大值C. 最小值D. 有效值6.( C )晶闸管属于A. 全控型器件B.场效应器件C.半控型器件D.不可控器件7.( )晶闸管可通过门极( C )。
A. 既可控制开通，又可控制关断B.不能控制开通，只能控制关断C.只能控制开通，不能控制关断D.开通和关断都不能控制8.（）使导通的晶闸管关断只能是( C )。
A. 外加反向电压B.撤除触发电流C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零D. 在门极加反向触发9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。
A. 阴极KB. 阳极AC. 门极KD. 发射极E10. （）晶闸管导通的条件是（ A ）。
A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲11. ( )可关断晶闸管（GTO）是一种（ A ）结构的半导体器件。
A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端12 . （）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）。
A.减小至维持电流I H以下B.减小至擎住电流I L以下C.减小至门极触发电流I G以下D.减小至5A以下14. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（ B ）。
A．0～90° B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180°15. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D ）时，U d = 0。
A．90° B. 120°C. 150°D. 180°16. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D ）时，U d=0.45 U2。
A．0° B. 90°C. 150°D. 180°17.( )单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（ C ）。
A．U2 B. 2 C. 2 D. 2U218.（）单相半波可控整流电路，带电阻性负载R，设变压器二次侧相电压有效值为U2，则直流输出电流平均值为（ C ）。
A. 0.45 2U R (12COSa +) B. 0.225 2U R(1+COSa) C. 0.9 2U R (1+COSa) D. 0.45 2U R (12COSa -) 19. ( )单相半波可控整流电路，带电阻性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电压平均值为（ B ）。
A. 0.45 U 2 (12COSa -) B. 0.9U 2 (1+COSa) C. 0.9 U 2 (12COSa +) D. 0.45 U 2 (12COSa +) 20. ( )单相半波可控整流电路，阻感性负载时，在负载两端并联续流二极管的作用是（ B ）。
A ．使α的移相范围加大。
B. 使Ud 不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 减小可控硅承受的最大反向电压。
21. （ ）在整流电路的负载两端并联一个二极管，称为（ D ）。
A. 稳压二极管B. 电力二极管C. 整流二极管D. 续流二极管22. ( )在分析整流电路工作时，认为晶闸管（开关器件）为（ C ）。
A. 半导体器件B. 可控硅器件C. 理想器件D. 放大器件23. ( )α称为触发延迟角，θ称为导通角，α和θ的关系为（ A ）。
A. θ-α=πB. θ+α=πC. θ-α=π/2D. θ+α=π/224. ( )单相桥式全控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（ A ）。
A ．0～90° B. 0～120° C. 0～150° D. 0～180°25. ( )单相桥式全控整流电路，阻感性负载，控制角α的最大移相范围是（ B ）。
A ．0～90° B. 0～120° C. 0～150° D. 0～180°26. （ ）单相桥式半控整流电路阻感性负载电路，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ B ）。
A ．使α的移相范围加大。
B. 使Ud 不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 防止可能发生的失控现象。
27. ( )单相桥式全控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别为（ B ）。
A ．U2U 2 B. U 2U 2 C. U 2 U 2 D. U 2U 228. ( )单相桥式全控整流电路，阻感性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别为（ C ）。
A ．U2U 2 B. U 2U 2 C. U 2 2 D. U 2U 229.（ ）单相桥式全控整流电路，带电阻性负载R ，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电流平均值为（ A ）。
A. 0.45 2U R (12COSa +) B. 0.9 2U R(1+COSa) C. 0.9 2U R (12COSa +) D. 0.45 2U R (12COSa -) 30.（ ）单相桥式全控整流电路，带阻感性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电压平均值为（ A ）。
A. 0.45 U 2 (12COSa +)B. 0.9 U 2 COSaC. 0.9 U 2 (12COSa +) D. 0.45 U 2 COSa 31.（ ）单相桥式全控整流电路，带阻感性负载，变压器二次侧相电流有效值为（ B ）。
A. I 2I d B. I 2= I d C. I 2= I d D. I 2 =12I d 32．( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角（ B ）时，整流输出电压与电流波形断续。
A ．α≤30 oB ．α＞30 oC ．α＞60 oD ．α＞90 o33. ( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角α≤ 30 °，每个周期内输出电压的平均值为 （ C ）。
A. U d =0.45U 2COS αB. U d =0.9 Ｕ 2 COS αC. U d =1.17 Ｕ 2 COS αD. U d =2.34 Ｕ 2 COS α34．( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，α角的移相范围为（ A ）。
A ．0 o ～90 oB ．0 o ～120 oC ．0 o ～150 oD ．0 o ～180 o35．( )三相半波可控整流电路，阻感性负载，α角的移相范围为（ B ）。
A ．0 o ～90 oB ．0 o ～120 oC ．0 o ～150 oD ．0 o ～180 o36. ( )三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ D ）。
A. 60 °B. 90 °C. 120 °D. 180 °37.( ) 三相半波可控整流电路,电阻性负载，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ B ）。
A U 2 B. U 2 C. U 2 D. 2U 2 38.( ) 三相半波可控整流电路,电阻性负载，整流电压的平均值U d 最大为（ C ）。
A ．0.9 U 2 B. 0.45U 2 C. 1.17U 2 D. 2.45U 239．( )三相半波可控整流电路，阻感性负载，当移相角α=（ C ）时， u d 的波形正负面积相等。
A ．30 oB ．60 oC ．90 oD ．120 o40.（ ）三相全控桥式整流电路中，共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差（ B ）A. 60oB. 90 oC. 120 oD.150 o41. ( )三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（ C ）度。
A.60B.90C.120D.18042. ( )三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（ B ）次。
A. 2B. 3C. 4D. 643．( )三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（ D ）时整流平均电压U d = 0。
A ．30 oB ．60 oC ．90 oD ． 120 o44．( )三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，触发角α的移相范围为（ D ）度。
A.0～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o45．( )三相桥式全控整流电路，阻感性负载时，触发角α的移相范围为（ C ）度。
A.0～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o46．( )三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，当触发角（ C ）时，整流输出电压平均值U d =2.34U 2 COS α。
A ．α≤30 oB ．α≤60 oC ．α≤90 oD ．α= 90 o47．( )当正弦波同步触发电路采用NPN 晶体管时，要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电压滞后（ B ）。
A．90 o B．120 o C．150 o D．180 o48．( )为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（A ）。
A.10 o～15 oB.20 o～25 oC.30 o～35 oD.40 o～45 o49. ( )三相全控桥式整流电路，控制角α为（ D ）时，整流输出电压为最大值。
A.0°B.90°C.120 °D.18050.（）三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压为（ C ）。
A U2 B. U2 C. U2 D. 2U251. （）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态时，触发角α的变化范围应在（D ）之间。
A. 30 o～90 oB.60 o～90oC.90 o～120 oD.90 o～180o52. （）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d的表达式是（A）。