湖南大学2016电力电子试卷答案
电力电子试题及答案及电力电子器件及其驱动电路实验报告
一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
ton=1.8us，ts=1.8us，tf=1.2us
（2）电阻、电感性负载时的开关特性测试
除了将主回器部分由电阻负载改为电阻、电感性负载以外（即将“1”与“22”断开而将“2”与“22”相连)，其余接线与测试方法同上。
ton=2.1us，ts=10.0us，tf=2.5us
2．不同基极电流时的开关特性测试
2．不同基极电流时的开关特性测试。
3．有与没有基极反压时的开关过程比较。
4．并联冲电路性能测试。
5．串联冲电路性能测试。
6．二极管的反向恢复特性测试。
三．实验线路
四．实验设备和仪器
1．MCL-07电力电子实验箱中的GTR与PWM波形发生器部分
2．双踪示波器
3．万用表
4．教学实验台主控制屏
五．实验方法
GTR ：1
PWM：1
GTR：6
PWM：2
GTR：3
GTR：5
GTR：9
GTR：7
GTR：8
GTR：11
GTR：18
主回路：4
GTR：15
GTR：16
GTR：19
GTR：29
GTR：21
GTR：22
主回路：1
用示波器观察，基极驱动信号ib（“19”与“18”之间）及集电极电流ic（“21”与“18”之间）波形，记录开通时间ton，存贮时间ts、下降时间tf。
电力电子技术测试题与答案
电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。
A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子考试题库(含答案)教材
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
2016电力电子参考答案
2 1 ) 0.5434 Im 2
2Im 2
3 1 0.6741 Im 4 2
I2 = c) Id3=
1 2 π
(I
4
1
m
sin t ) 2 d (t )
=
2 0
I m d (t ) =
1 Im 4
1 2
I3 =
2 0
I m d (t )
2
= 1 Im
2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极 施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0 且 uGK>0。 3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变 为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导 通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用
i1 u1 T VT1 u2 u2 VT2 ud ud O )
b)
图 3-10 单相全波可控整流电路及波形
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有 直流磁化的问题。 因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内 上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流 为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情 况。 ① 以晶闸管 VT2 为例。当 VT1 导通时，晶闸管 VT2 通过 VT1 与 2 个变压器二次绕组并联，所以 VT2 承受的最大电压为 2 2U 2 。 ② 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相 同时，对于电阻负载： （0~α ）期间无晶闸管导通，输出电压为 0； （α ~π ） 期间， 单相全波电路中 VT1 导通， 单相全控桥电路中 VT1、 VT4 导通，输出电压均与电源电压 u2 相等；(π ~π ＋α )期间，均无 晶闸管导通，输出电压为 0；(π ＋α ~ 2π )期间，单相全波电路中 VT2 导通，单相全控桥电路中 VT2、VT3 导通，输出电压等于u2。
电力电子考试题库（附含答案解析）
电⼒电⼦考试题库（附含答案解析）⼀、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下⾯元件的简称：电⼒晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有⾜够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要⾼和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的⽅法是串专⽤均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为⽅波。
5、型号为KS100-8的元件表⽰双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同⼀桥臂上的上、下⼆个元件之间进⾏；⽽120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进⾏的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升⾼时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥⽽不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减⼩环流⼀般采控⽤控制⾓α⼤于β的⼯作⽅式。
9、常⽤的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接⼊直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发⽅式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发⽅式有：I+ 触发：第⼀阳极T1接正电压，第⼆阳极T 2接负电压；门极G 接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第⼀阳极T1接正电压，第⼆阳极T2接负电压；门极G 接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第⼀阳极T1接负电压，第⼆阳极T2接正电压；门极G 接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第⼀阳极T1接负电压，第⼆阳极T2接正电压；门极G 接负电压，T2接正电压。
电力电子技术试题20套答案
20套答案第一套题答案！一、填空题〔共8小题，每空1分，共20分〕1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空27、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD1二、选择题〔共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分〕1、〔B〕2、〔D〕3、〔C〕4、〔C〕5、〔D〕6、〔A〕7、〔C〕8、〔B〕9、〔A〕10、〔B〕三、简答题〔共3 小题，共22分〕1、〔7分〕晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流到达维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
〔3分〕使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：〔1〕减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；〔2分〕〔2〕增加负载回路中的电阻。
〔2分〕2、〔8分〕(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；〔2分〕(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；〔3分〕(3) 阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
〔3分〕3、〔7分〕〔1〕外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；〔2分〕〔2〕内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
〔2分〕当出现触发脉冲丧失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败。
湖南大学2016春季微电子电路期中考试参考答案
湖南大学2016春季微电子电路期中考试参考答案一、 填空题（每空1分，共20分）1. 饱和，截止，放大2. 电压，单，多数载流子3. 图形转换（光刻、刻蚀），制膜（氧化、淀积），掺杂（扩散、离子注入）4. 截止区，线性区（线性电阻区），饱和区（恒流区），饱和区5. 静态，动态，开关6. PUN(上拉网络)，PDN （下拉网络），PDN ，PUN二、 简答题（每题6分，共30分）1. BJT 原理图如图所示，E 区掺杂浓度高，B 区很薄，C 区区域大。
以NPN 管为例，工作于放大状态时，E 结正偏，以多数载流子扩散运动为主，C 结反偏，以少数载流子漂移运动为主。
E 区高浓度电子扩散到B 区，由于扩散到B 区电子浓度高，部分电子被B 区空穴复合产生复合电流Ib ，大部分扩散来B 区又未被复合的电子是少数载流子，在C 结反偏电压形成的电场作用下，被拉到C 区，即漂移到C 区形成电流Ic ，Ic 与Ib 呈比例关系，也即Ic /Ib ≈β。
BJT 是双极型晶体管，是电流控制元件。
E 结零偏或反偏时，没有Ib 电流形成，晶体管不导通，工作于截止状态。
E 结正偏、C 结正偏时，Vce ≈0.3V 左右，不随Ic 变化而变化，晶体管工作于饱和导通状态。
2. 反相器的NMOS 、PMOS 管状态与真值表列表略。
3. 画电路结构如图所示（电容可以抛弃）。
工作原理：高通、低通、高阻情况说明清楚。
4. 略5. 由2n+1个非门闭环构成测试电路如图所示，使用环形振荡器测量电路的工作频率及延迟时间。
V 2312316pHL pLH pHL pLH pHL pLH p T t t t t t t t =+++++=116p f T t ==12p t nf=BJT 原理图三、 分析应用题（每题10分，共50分）1. 由图1可知其为时序电路，可以画出其clk 、D 、QM 、Q 的时序波形图（或功能表），由时序波形图可知图1位D 型边沿触发器，上升沿触发有效，D_N 信号输入。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
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2016电力电子技术基础期末考试答案
一、简答题：
1、
2、
3、
逆变失败的原因：
（1）触发电路工作不可靠，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相
（2）晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通
（3）交流电源缺相或突然消失.
（4）换相的裕量角不足
4、答：
吸收电路作用：抑制内因过电压、电压变化率或过电流和电流变化率，减小器件的开关损耗；R的作用：使L、C形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。
5、答
换流：电流从一个支路向另一个支路转移的过程。
换流方式：（列出方式即可）
二、填空题
1、0-120度，0-90度
2、（MOSFET 、IGBT ），（GTO 、GTR ）
3、22
4、脉宽调制方式，频率调制方式，混合调制方式
5、20kHz
三、计算题 1、(1)波形图：
(2)
()20.9cos 0.9200cos 6155.88()d U U V απ==⨯⨯=
155.88
31.18()5
d d U I A R =
== 231.18()d I I A ==
2、（1）波形图
（2）
3、（1）电路图
L
o +
_
（2）15020s T s k μ=
=，300.650
D == ()1150125110.6
o U E V D =
=⨯=-- ()12512.510
o o U I A R =
== ()1
2.512.531.251i o I I A D
=
=⨯=- (3)波形图 电流连续
t
i L
t
u L
电流断续
四、分析题 1、（1.1）单相桥式
x θ
A 、在u 2正半周过零点wt 1开始到wt 2，u 2<u d ，二极管均不导通，电容C 向R 放电，提供负载所需电流。
B 、至wt 2之后，u 2将要超过u d ，VD 1和VD 4开通，u d =u 2，交流电源向电容充电，同时向负载R 供电。
C 、至wt 3之后，u 2又小于u d ，V
D 1和VD 4截止，电容C 向R 放电，继续提供电流。
或者（1.2单相半波）
A、在u2正半周过零点wt1开始到wt2，u2<u d，二极管不导通，电容C向R放电，提供负载所需电流。
B、至wt2之后，u2将要超过u d，VD1开通，u d=u2，交流电源向电容充电，同时向负载R供电。
C、至wt3之后，u2又小于u d，VD1截止，电容C向R放电，继续提供电流。
2、
（1）电动机正向运行时，可能工作在正转电动或再生制动状态。
A、电动状态：
V4保持导通，V1和VD1构成降压斩波电路，V1和VD1交替导通，电流按图示正方向流动；
B、再生制动状态：
V4保持导通，V2和VD2构成升压斩波电路，V2和VD2交替导通，电流按图示反方向流动；（或）将IGBT与各自反并联二极管看作整体：V4保持导通，V1和V2交替导通；V1-V4组与V2-V3组交替导通，V1-V4组占空比大于V2-V3组。
（2）电动机反向运行时，也可能工作在正转电动或再生制动状态。
A、电动状态：
V2保持导通，V3和VD3构成降压斩波电路，V3和VD3交替导通，电流按图示反方向流动；
B、再生制动状态：
V2保持导通，V4和VD4构成升压斩波电路，V4和VD4交替导通，电流按图示正方向流动；（或）将IGBT与各自反并联二极管看作整体：V2保持导通，V3和V4交替导通；V1-V4组与V2-V3组交替导通，V1-V4组占空比小于于V2-V3组。