电子材料期末练习题及部分作业答案
电子基础期末试题及答案
电子基础期末试题及答案为满足您的需求，本文将按照电子基础期末试题及答案的格式进行撰写，篇幅2000字。
请注意阅读并理解以下内容。
一、选择题（每题5分，共30分）1. 题目：下列哪个属于二极管？A. NPNB. MOSFETC. FETD. PNP答案：D2. 题目：下列元器件中不属于半导体元器件的是？A. 电阻B. 二极管C. 可控硅D. 晶体管答案：A3. 题目：下列哪个是直流电压值？A. 220VC. 24VD. 50KΩ答案：C4. 题目：下列哪个是电流单位？A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特答案：C5. 题目：下列哪个代表电阻值最大？A. 100ΩB. 1kΩC. 100kΩD. 1MΩ答案：D6. 题目：下列仪器中用于测量电流的是？A. 万用表C. 频谱分析仪D. 频率计答案：A二、填空题（每题10分，共20分）1. 题目：电阻的单位是______________。
答案：欧姆2. 题目：电路的三要素包括电源、______________和负载。
答案：导线三、简答题（每题20分，共40分）1. 题目：请简述电流和电压的定义，并说明它们之间的关系。
答案：电流是电荷在单位时间内通过导体横截面的数量，用安培(A)表示。
电压是单位电荷在电场中具有的电位差，用伏特(V)表示。
二者之间的关系由欧姆定律描述，即电压等于电流乘以电阻。
公式为V =I × R。
2. 题目：请简述半导体器件的特点及其在电子电路中的应用。
答案：半导体器件具有导电性介于导体和绝缘体之间的特点。
它们的导电性能受温度、光照等因素的影响较大。
半导体器件在电子电路中广泛应用于开关、放大、调节、保护等方面。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管和可控硅等。
四、计算题（每题20分，共10分）1. 题目：已知电路中的电压为12V，电阻为4Ω，请计算通过该电路的电流值。
答案：根据欧姆定律，电流I等于电压V除以电阻R。
计算得到：I = 12V / 4Ω = 3A。
材料1209,1210 2013-2014 学年 第二学期 《电子技术》期末试(A卷)参考答案
第 1 页 共 2 页电 机 学 院 试 卷2013 — 2014 学年第二学期期末考试答案《电子技术 》（A 卷）一、填空题（10题，每题2分，共20分）二、选择题（10题，每题2分，共20分）三、计算题（3题每题15分，共45分）21．逻 辑 电 路 如 图 所 示，写 出 逻 辑 式 ，画 出 逻 辑 图。
（15分）B≥1A FB(5分)F AB BC A B AB B C A B =+++=++++ (5分)A B C A B ABC A B A BC B A B =++++=++=++=+ (5分)--------------------------------------------------------------------------------------装 订 线------------------------------------------------------------------------------------22.已知主从J K触发器的C脉冲和J、K的波形如图所示。
试画出其输出Q 的波形（设Q的初始状态为“0”）。
（15分）CJKQ（15分）23. 电路如图所示，已知晶体管的β=60，rbek=1Ω，UBE=0.7 V，试求:（15分）(1) 静态工作点IB，IC，UCE；(2) 电压放大倍数；(3) 若输入电压u t miV=102s inω，则输出电压uo的有效值为多少?(1)IU URBCC BEBmA A=−=−=1207270419..µI IC BmA mA==×=β600041925..U U I RCE CC C CV V=−=−×=(.).1225345(2)A R ru=−=−=−βC be//6031180(3)U A Uuo imV V==×=1801018.第 2 页共2 页。
电子电路理论基础期末考试试卷及答案
电子电路理论基础期末考试试卷及答案一、选择题（每题2分，共40分）1. 导体的电阻率指的是（）。
A. 电阻的倒数B. 导体的电阻大小C. 导体的电阻和导体的长度、面积、材质有关D. 导体的电阻和导体的长度、面积、电阻率有关2. 电势能是电荷由（）增加或减少的能量。
A. 高电势点向低电势点B. 低电势点向高电势点C. 电荷排斥区域向电荷吸引区域D. 电荷吸引区域向电荷排斥区域3. 对于串联电路，电流（）。
A. 在各个电阻中的值相等B. 取决于电阻的大小C. 取决于电压的大小D. 在各个电阻中的值不相等4. 根据欧姆定律，电阻的电流与电阻的（）成正比。
A. 长度B. 面积C. 电阻率D. 阻抗5. 以下哪一项是描述电阻的物理量？A. 电机B. 电势差C. 电D. 热量……二、问答题（每题15分，共60分）1. 什么是电路的串联和并联？答：串联电路是指电阻、电容或电感等元件以线性方式依次连接的电路。
并联电路是指电阻、电容或电感等元件以分叉方式连接在一起的电路。
2. 什么是电阻？答：电阻是指材料对电流的阻碍能力。
电阻的大小决定了电流的大小。
3. 欧姆定律的公式是什么？答：欧姆定律的公式是V=IR，其中V是电压，I是电流，R是电阻。
……三、计算题（共20分）1. 在电路中，一个电源电压为12V，电阻为3Ω，请计算通过该电路的电流大小。
答：根据欧姆定律，电流为I=V/R=12V/3Ω=4A。
2. 串联电路中有两个电阻分别为4Ω和6Ω，请计算总电阻。
答：串联电路中总电阻为两个电阻之和，所以总电阻为4Ω+6Ω=10Ω。
……四、简答题（每题10分，共40分）1. 什么是电流？答：电流是电荷单位时间内通过导体的数量。
它是电荷运动产生的现象，以安培（A）为单位。
2. 什么是电势？答：电势是指电荷在电场中具有的能量状态。
它是电荷在电场中移动时所经过的势能变化量，以伏特（V）为单位。
3. 什么是功率？答：功率是指单位时间内消耗或产生的能量。
电子材料期末考试题库10套
电子材料期末考试题库10套第一套试题1. 请简述电子材料的定义和分类。
2. 举例说明半导体材料的应用领域。
3. 什么是材料的能带结构？它对材料性能有什么影响？4. 解释电子材料的光学性质，并提供一个实际应用的例子。
5. 分析金属材料的导电机制。
第二套试题1. 请列举几种典型的电子材料。
2. 什么是材料的晶格结构？它如何影响材料的性质？3. 解释压电材料的原理和应用。
4. 分析陶瓷材料的热性质。
5. 举例说明半导体材料在电子器件中的应用。
第三套试题1. 请解释电子材料的导电性和绝缘性之间的区别。
2. 举例说明聚合物材料的应用领域。
3. 解释超导材料的特性和应用。
4. 分析压敏材料的原理和应用。
5. 请简述液晶材料的特性和应用。
第四套试题1. 电子材料的光电性质包括哪些方面的内容？2. 解释半导体材料的禁带宽度和载流子浓度之间的关系。
3. 分析高分子材料的热性质。
4. 请列举几种常见的光电器件。
5. 举例说明金属材料在电子器件中的应用。
第五套试题1. 请简述电子材料的磁性质。
2. 什么是材料的导电性质？它如何与材料的能带结构相关联？3. 解释复合材料的特性和应用。
4. 分析玻璃材料的光学性质。
5. 请简述半导体材料的载流子浓度控制方法。
第六套试题1. 请列举几种典型的电子材料及其应用。
2. 什么是材料的热性质？它对材料在高温环境下的应用有什么影响？3. 解释磁性材料的原理和应用。
4. 举例说明陶瓷材料在电子器件中的应用。
5. 分析半导体材料的光电特性。
第七套试题1. 请解释金属材料的导电机制。
2. 举例说明聚合物材料在电子器件中的应用。
3. 解释光电材料的特性和应用。
4. 分析高分子材料的导电性质。
5. 请简述半导体材料的晶格结构和性质。
第八套试题1. 电子材料的热性质包括哪些方面的内容？2. 什么是半导体材料的载流子控制机制？3. 解释陶瓷材料的原理和应用。
4. 分析复合材料的特性。
5. 举例说明高分子材料的应用领域。
电工材料期末考试题及答案
电工材料期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 绝缘材料的主要作用是（）。
A. 导电B. 绝缘C. 散热D. 增强机械强度答案：B2. 导体的电阻大小与下列哪个因素无关？（）A. 导体的长度B. 导体的截面积C. 导体的材料D. 导体的温度答案：D3. 以下哪种材料不是半导体材料？（）A. 硅B. 锗C. 铜D. 镓答案：C4. 磁铁的磁性强弱与下列哪个因素无关？（）A. 温度B. 形状C. 磁化程度D. 材料种类答案：B5. 以下哪种金属导体的导电性能最好？（）A. 铜B. 铁C. 铝D. 铅答案：A6. 绝缘体的电阻率通常在（）范围内。
A. 10^-8 Ω·mB. 10^-4 Ω·mC. 10^4 Ω·mD. 10^16 Ω·m答案：D7. 导体的电阻与温度的关系是（）。
A. 正比B. 反比C. 无关D. 非线性关系答案：D8. 磁路中磁阻的大小与下列哪个因素无关？（）A. 磁路的长度B. 磁路的截面积C. 磁路的材料D. 磁路的电流答案：D9. 以下哪种材料是超导材料？（）A. 铁B. 铜C. 铝D. 铅答案：D10. 以下哪种材料具有铁磁性？（）A. 塑料B. 橡胶C. 不锈钢D. 玻璃答案：C二、填空题（每空2分，共20分）1. 绝缘材料的电阻率通常在Ω·m 范围内。
答案：10^162. 导体的电阻 R 与导体的长度 L 成正比，与导体的截面积 A 成反比，与导体的材料的电阻率ρ 成正比，其关系可表示为 R =________。
答案：ρL/A3. 半导体材料的导电性能介于与之间。
答案：绝缘体和导体4. 磁铁的磁性强弱可以用来表示。
答案：磁通量5. 导体的电阻率与温度的关系通常是。
答案：正比6. 磁路中的磁阻 Rm 与磁路的长度 L 成正比，与磁路的截面积 A 成反比，与磁路的材料的磁阻率μ 成正比，其关系可表示为 Rm =________。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
电子材料期末练习题及部分作业答案
.填空练习：1、信息、和是现代人类社会赖以生存和发展的三大支柱。
2、晶体的宏观特性除了自范性、均一性、稳定性外，还具有和，晶体的这些宏观特性是由晶体内部结构的周期性决定的。
3、如果晶体由完全相同的一种粒子组成，而粒子可被看作小圆球，则这些全同的小圆球最紧密的堆积称为，其配位数最大，为。
4、常见的点缺陷除了空位，还包括和。
5、实际晶体中存在各式各样的缺陷，其微观缺陷包括点缺陷、和。
6、晶体中粒子的扩散可归纳为两种典型的形式，即扩散和扩散。
7、在半导体电子器件的制作中所使用的扩散方式主要有两种类型，即恒定表面源扩散和。
8、线缺陷主要指位错，位错有两种基本类型，即和。
9、任何物质，只要存在载流子，就可以在电场作用下产生导电电流。
按导电载流子的种类，电子材料的电导可分为和。
10、电介质在电场的作用下产生感应电荷的现象，称之为。
11、克劳修斯-莫索蒂方程建立了可测物理量εr（宏观量）与质点极化率α（微观量）之间的关系，其方程表达式为。
12、复介电常数的表达式为，复介电常数的虚部表示。
13、介质的特性都是指在一定的电场强度范围内的材料特性，当电场强度超过某一临界时，介质由介电状态变为导电状态，这种现象称为，相应的临界电场强度称为。
14、在较强的交变电场作用下，铁电体的极化强度P随外电场呈非线性变化，而且在一定的温度范围内，极化强度P呈现出滞后现象，这个P—E回线就称为。
15、温度变化引起材料中自发极化改变、表面产生净电荷的现象称为。
16、铁磁体在很弱的外加磁场作用下能显示出强磁性，这是由于铁磁体内部存在着自发磁化的小区域的缘故。
17、在较强的交变磁场作用下，铁磁体的磁感应强度B随外磁场呈非线性变化,而且磁感应强度B呈现出滞后现象，这个B—H回线就称为。
18、增益系数g的物理意义是。
19、吸收系数α的物理意义是。
20、根据半导体材料的禁带宽度可算出相应的本征吸收长波限。
如硅材料的禁带宽度为1.12eV，则吸收波长限等于，GaAs的禁带宽度为1.43eV，则吸收波长限等于。
固体电子器件原理期末考试题A卷及答案
固体电子器件原理期末考试题A 卷及答案一、能带图 (27分)1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出有关能量。
(9 分)2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 )φm > φs ,φm < φs ,3. 画出p 型硅衬底上理想MOS 结构（理想MOS 结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导体表面处于反型状态时的能带图。
(5分)4. 重掺杂的n +多晶硅栅极-二氧化硅-n 型半导体衬底形成的MOS 结构，假定氧化层电荷为零。
画出MOS 结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。
（5分）二、器件工作机理和概念(35 分)1. 简述突变空间电荷区近似的概念。
(5分)现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。
我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。
p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。
电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。
于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。
我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。
空间电荷的出现，在pn 结两侧产生了由正电荷指向负电荷的电场E bi ， 即由n 区指向p 区的电场。
这一电场称为自建电场或内建电场。
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.填空练习：
1、信息、和是现代人类社会赖以生存和发展的三大支柱。
2、晶体的宏观特性除了自范性、均一性、稳定性外，还具有和，
晶体的这些宏观特性是由晶体内部结构的周期性决定的。
3、如果晶体由完全相同的一种粒子组成，而粒子可被看作小圆球，则这些全同的小圆球最紧密的堆积称为，其配位数最大，为。
4、常见的点缺陷除了空位，还包括和。
5、实际晶体中存在各式各样的缺陷，其微观缺陷包括点缺陷、
和。
6、晶体中粒子的扩散可归纳为两种典型的形式，即扩散和扩散。
7、在半导体电子器件的制作中所使用的扩散方式主要有两种类型，即恒定表面源扩散和。
8、线缺陷主要指位错，位错有两种基本类型，即和。
9、任何物质，只要存在载流子，就可以在电场作用下产生导电电流。
按导电载流子的种类，电子材料的电导可分为和。
10、电介质在电场的作用下产生感应电荷的现象，称之为。
11、克劳修斯-莫索蒂方程建立了可测物理量e r（宏观量）与质点极化率a（微观量）之间的关系，其方程表达式为。
12、复介电常数的表达式为，复介电常数的虚部表示。
13、介质的特性都是指在一定的电场强度范围内的材料特性，当电场强度超过某一临界时，介质由介电状态变为导电状态，这种现象称为，相应的临界电场强度称为。
14、在较强的交变电场作用下，铁电体的极化强度P随外电场呈非线性变化，而且在一定的温度范围内，极化强度P呈现出滞后现象，这个P—E回线就称为。
15、温度变化引起材料中自发极化改变、表面产生净电荷的现象称为。
16、铁磁体在很弱的外加磁场作用下能显示出强磁性，这是由于铁磁体内部存在着自发磁化的小区域的缘故。
17、在较强的交变磁场作用下，铁磁体的磁感应强度B随外磁场呈非线性变化,而且磁感应强度B呈现出滞后现象，这个B—H回线就称为。
18、增益系数g的物理意义是。
19、吸收系数α的物理意义是。
20、根据半导体材料的禁带宽度可算出相应的本征吸收长波限。
如硅材料的禁带宽度为1.12eV，则吸收波长限等于，GaAs的禁带宽度为1.43eV，则吸收波长限等
于。
简答题练习：（课本里如果答案不清晰的可参考PPT上的描述！）
1、常见的液晶材料有哪几种类型并简要说明它们的主要特点。
2、什么是软磁和硬磁材料？比较它们磁滞回线的特点。
3、什么是材料的压电性，压电效应包括哪两种并说明。
4、什么是半导体的光电导效应，什么是本征光电导。
5、什么是磁光效应、法拉第效应和克尔效应。
6、什么是辐射复合和无辐射复合，什么是内量子效率和外量子效率。
计算题练习：
1、金属钙具有面心立方晶格，钙的原子半径为 180 pm。
(1)计算晶胞的边长；(2)1cm3钙晶体中有多少个晶胞；(3)计算金属钙的密度。
(金属钙的摩尔质量为40.08g/mol)
2、分别求出简单立方、体心立方、面心立方的密堆度。
部分作业的答案：
第三章作业：画图说明什么是霍尔效应，并简要说明霍尔效应的应用。
电子电导的特征是具有霍尔效应。
如图所示，在沿试样y轴方向通入电流，同时在x 轴方向施加一磁场B，那么在z轴方向将产生一电势差U H，这一现象称为霍尔效应。
利用霍尔效应可检验材料是否具有电子电导以及利用霍尔电压的正负判断半导体的导电类型。
第四章作业：什么是电介质？比较位移式极化和松弛式极化的特点。
在电场作用下，能建立极化的一切物质叫电介质。
通常是指电阻率大于1010W·cm的一类在电场中以感应而并非传导的方式呈现其电学性能的物质。
电介质极化的基本形式分为两种，第一种是位移式极化。
这是一种弹性的、瞬时完成的极化，不消耗能量。
第二种属于松弛极化，这种极化与热运动有关，完成这种极化需要一定的时间，并且是非弹性的，因而消耗一定的能量。
第五章作业：何为抗磁体、顺磁体和铁磁体？
抗磁体物质的原子磁矩为零，即不存在永久磁矩。
当放入外磁场中时，外磁场使电子轨道改变，感生一个磁矩，且其方向与外磁场方向相反，表现为抗磁性。
顺磁体物质的原子内部存在永久磁矩，但在无外加磁场时，由于顺磁物质的原子做无规则热振动，宏观看来，没有磁性；在外加磁场作用下，每个原子磁矩比较规则地取向，物质显示极弱的磁性。
铁磁体物质即使在较弱的磁场内，也可得到极高的磁化强度，而且当外磁场移去后，仍可保留极强的磁性。
铁磁体在很弱的外加磁场作用下能显示出强磁性，这有由于铁磁体内部存在着自发磁化的小区域磁畴的缘故。
抗磁体和顺磁体的磁化率较小，两者属于弱磁质。
铁磁体的磁化率很大，属于强磁质。
第五章作业：为什么含有未满电子壳层的原子组成的物质中只有一部分具有铁磁性？
物质的磁性与原子、电子结构有着密切的关系。
原子中如果有未被填满的电子壳层，其电子的自旋磁矩未被取消（方向相反的电子自旋磁矩互相抵消），则原子具有永久磁矩，这是物质具有磁性的必要条件。
但并不是所有未填满电子的原子都具有磁性，处于不同原子之间，未被填满壳层上的电子所发生的特殊相互作用，是物质具有磁性的根本原因。
这一特殊作用叫交换作用。
电子的“交换作用”是物质具有磁性的重要条件。
第六章作业：何为直接跃迁和间接跃迁？请画图说明。
在光照下，电子吸收光子能量后的跃迁过程，除了能量必须守恒外，还必须满足动量守恒。
如图所示，对于直接带隙半导体，导带极小值和价带极大值对应于相同的波矢，其本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁。
对于间接带隙半导体，导带极小值和价带极大值对应于不同的波矢，其本征吸收过程中，产生电子的间接跃迁。
在间接跃迁过程中，是电子、光子和声子三者同时参与的过程。
第三章作业的部分答案：
1、已知硅的密度为 2.33g/cm 3，其原子量为28g/mol ，硅在室温时本征载流子浓度
310103.1-⨯=cm n i ，电子和空穴迁移率分别为1121350--⋅⋅=s V cm e μ和112500--⋅⋅=s V cm h μ，当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，试计算其电导率比
本征硅的电导率增大了多少倍。
解：每cm 3
中Si 原子的数=32323
/105.0281002.633.2cm ⨯=⨯⨯ 则硅的本征电导率为
161910)(1085.310
6.1)5001350(103.1)(---⋅Ω⨯=⨯⨯+⨯⨯=⨯+⨯=cm e n h e i i μμσ 掺杂后，砷的浓度为317623/105.01010
5.0cm n ⨯=⨯=
所以n 型硅的电导率为 11917)(8.10106.11350105.0--⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=⨯⨯≈cm e n e n μσ 所以，掺杂砷的电导率与本征硅的电导率比为6108.2⨯=i n σσ倍。
2、已知某半导体材料的禁带宽度eV E g 67.0=，在只考虑本征热激发的情况下，计算该材料在室温20℃及300℃温度下由热激发所产生的电子数及20℃和300℃下材料的电导率。
（设电子状态密度N=1023cm -3，k=8.6*10-5
eV/K ，载流子迁移率1121128600,250----⋅⋅=⋅⋅=s V cm s V cm e h μμ，且迁移率不随温度变化）。
解：在室温20℃由热激发产生的电子数为
3172352311067.1)3.13exp(10)
293106.8267.0exp(10)2exp(--⨯=-⨯=⨯⨯⨯-⨯=-=cm kT E N n g
在室温300℃由热激发产生的电子数为
320235232101.1)8.6exp(10)
573106.8267.0exp(10)2exp(--⨯=-⨯=⨯⨯⨯-⨯=-=cm kT E N n g
根据本征电导率公式，)(h e ne μμσ+=，则室温20℃下材料的电导率为
12191711)(103.2106.1)2508600(1067.1)(--⋅Ω⨯=⨯⨯+⨯⨯=⨯+⨯=cm e n h e μμσ 300℃下材料的电导率为
15192022)(1056.1106.1)2508600(101.1)(--⋅Ω⨯=⨯⨯+⨯⨯=⨯+⨯=cm e n h e μμσ。