瞬态抑制二极管的参数

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瞬态抑制二极管参数

瞬态抑制二极管参数

1.5KE-瞬态抑制二极管型号
瞬态电压抑制二极管参数(TVS)资料Microsemi公司资料封装:DO-201
瞬态抑制二极管的选型
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。

若选用的VWM太低,器件可
能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。

串行连接分电压,并行连接分电流。

3、TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉
冲功率。

在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。

交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵
列更为有利。

7、温度考虑。

瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。

如果需要TVS在一个变化的温度工作,
由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。

因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。

P6KE TVS瞬态抑制二极管型号
工作温度范围-55-175℃功率消耗- 最低600W
TVS瞬态电压抑制二极管原理
TVS瞬态抑制二极管封装。

瞬态抑制二极管

瞬态抑制二极管

瞬态抑制二极管瞬态二极管瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。

当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。

目录瞬态抑制二极管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。

目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

瞬态抑制二极管主要的型号瞬态抑制二极管主要的型号有;XESD12VT23-3,IC网络超市自主品牌。

性价比很强。

XESD12VT23-3是抑制瞬变电压双向阵列,旨在保护的组分,被连接到数据和传输线路,防静电放电(简称ESD)、电气快瞬变(EFT),和闪电。

所有销子分为能够承受20kv采用IEC 61000-4-2防静电脉冲接触排放的方法。

特点;1、 500瓦峰脉冲电源的60% 8/20μs),2、低夹紧电压3、保护一个双向或两个单向线4、工作电压伏,8V:3V,,12伏,15伏特5、 ESD保护> 40千伏下6、符合;61000-4-2(简称ESD):Air-15kV Contact-8kV,40A-5/50ns 61000-4-4(EFT):61000-4-5(浪涌):24A 8/20⎧s编辑本段三大特点1、将TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。

瞬态抑制二极管tvs结电容大小

瞬态抑制二极管tvs结电容大小

瞬态抑制二极管tvs结电容大小瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode,简称TVS)是一种常用于电子设备电路中的保护元件。

它主要通过快速响应和瞬间吸收过电压的能力来保护电路免受过电压的损害。

在TVS 结构中,电容大小是一个重要的参数,它决定了TVS的响应速度和抑制效果。

本文将从电容大小的角度,对TVS的瞬态抑制原理及应用进行探讨。

我们来了解一下TVS的基本结构。

TVS是一种双极性半导体器件,其结构与普通二极管相似,但在PN结两侧添加了特殊的掺杂剂,使得TVS具有更高的击穿电压和更好的响应速度。

TVS的工作原理是在正常工作电压下,处于反向击穿状态,当电路中出现过电压时,TVS会迅速变为导通状态,将过电压吸收和分散,保护电路免受损害。

TVS的瞬态抑制效果与其电容大小有关。

电容是电子元件的一个重要参数,它衡量了元件在电场作用下储存和释放电荷的能力。

在TVS中,电容的大小决定了元件对瞬态过电压的响应速度和抑制能力。

通常情况下,电容越大,TVS的响应速度越快,抑制效果越好。

TVS的电容大小与其结构和材料有关。

常见的TVS结构有两种,一种是结型结构,另一种是沟道结构。

结型结构的TVS电容主要是由PN结两侧的扩散区域形成的。

沟道结构的TVS电容主要是由沟道区域的载流子浓度和沟道宽度决定的。

此外,电容大小还与TVS的材料特性有关,主要包括材料的载流子迁移率、材料的禁带宽度等。

在实际应用中,选择适合的TVS电容大小是十分重要的。

如果电容过小,TVS的响应速度会变慢,无法迅速吸收过电压,从而导致电路受损。

而如果电容过大,TVS的响应速度较快,但会增加电路的负载和功耗。

因此,需要根据具体的应用场景和电路特性来选择合适的TVS电容大小。

需要注意的是,TVS只能对瞬态过电压进行抑制,对于持续时间较长的过电压,TVS的保护效果有限。

因此,在设计电路时,还需要结合其他保护元件如保险丝、熔断器等来综合保护电路。

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,它的外型与普通二极管相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率,它的主要特点是在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。

瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA=250C,T=10ms条件下,可达50~200A。

双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压钳制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。

可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。

耐受能力用瓦特(W)表示。

瞬态电压抑制二极管的主要电参数(1)击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。

(2)最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

瞬态电压抑制二极管的分类瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。

如:各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。

若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。

瞬态电压抑制二极管的应用目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、M P3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

tvs瞬态抑制二极管参数

tvs瞬态抑制二极管参数

TVS瞬态抑制二极管参数1. 介绍瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS二极管)是一种用于保护电子电路免受瞬态电压干扰的器件。

它可以有效地抑制过电压和过电流,保护电路中的其他元件不受损坏。

本文将重点介绍TVS瞬态抑制二极管的参数,包括其电气参数、封装参数和可靠性参数。

2. 电气参数2.1 额定电压(Vr)额定电压是指TVS二极管能够正常工作的最大电压。

当电压超过额定电压时,TVS二极管将开始导通,以保护电路免受过电压的影响。

2.2 尖峰脉冲功率(Ppp)尖峰脉冲功率是指TVS二极管能够吸收的瞬态脉冲能量。

它表示了TVS二极管在瞬态电压出现时能够承受的最大功率。

通常情况下,尖峰脉冲功率越大,TVS二极管的抑制能力越强。

2.3 最大反向峰值电流(Ipp)最大反向峰值电流是指TVS二极管能够承受的最大反向电流。

当电路中的电压超过额定电压时,TVS二极管将导通,使电流通过,以保护电路。

最大反向峰值电流越大,TVS二极管的抑制能力越强。

2.4 动态电阻(Rd)动态电阻是指TVS二极管在导通状态下的电阻。

动态电阻越小,TVS二极管的抑制能力越强。

因此,低动态电阻是衡量TVS二极管性能好坏的重要指标之一。

3. 封装参数3.1 封装类型TVS瞬态抑制二极管有多种封装类型可供选择,常见的封装类型有DO-214、SMA、SMB等。

不同的封装类型适用于不同的应用场景。

选择合适的封装类型可以提高电路的可靠性和稳定性。

3.2 封装尺寸封装尺寸是指TVS二极管的外部尺寸。

在进行电路设计时,需要考虑TVS二极管的封装尺寸是否符合电路板的布局要求,以确保TVS二极管能够正确安装在电路板上。

3.3 焊接温度焊接温度是指TVS二极管在焊接过程中所能承受的最高温度。

在进行电路组装时,需要控制焊接温度,避免超过TVS二极管的最大焊接温度,以免影响其性能和可靠性。

4. 可靠性参数4.1 工作温度范围工作温度范围是指TVS二极管能够正常工作的温度范围。

瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数

瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数

瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态(瞬变)电压抑制二级管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。

TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间仅为1ps(10-12S)。

TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。

双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。

二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。

从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明,当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上。

2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正) /V(BR)(反) ≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。

三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。

2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS

瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS

瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS随着半导体技术和电子技术的发展,瞬态抑制二极管的体积越来越小、质量越来越轻、效率越来越高、可靠性也越来越优良,被广泛地运用到了生活中的各个方面。

SMAJ 系列是单向瞬态抑制二极管采用表面安装是一种二极管形式的高效能保护器件,具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点:特别适用于提供电子电路浪涌保护。

1:瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS现货参数:工作电压:14V击穿电压:15.6--17.2V钳制电压:23.2V峰值电流:17.2A工作温度:-55 °C至+150 °C测试电流:1mA塑料材料:UL 94V-0 认证快速响应少于 5.0 ns2:瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS现货常规特征:浪涌额定功率:400Watt封装形式:标准SMA(DO-214AC)封装环保要求:符合RoHS、Reach等环保要求;产品优点:响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小包装方式:盘装 2000PCS/盘3:瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS现货应用领域:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及 CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交、直流电源;电机、继电器噪声的抑制等各个领域.4:瞬态抑制二极管SMAJ14A丝印BK单向TVS现货尺寸图:5:公司常规现货情况:1:P6KE300CA;P6KE350CA;P6KE400CA;P6KE440CA;1.5KE10CA;SMAJ15CA;SMBJ18CA; 2:NTC5D-15;NTC5D-13;NTC10D-7;NTC5D-7;NTC10D-5;NTC20D-15;NTC47D-153:FESD5Z12V;FESD5B5VL;FESD0524P;ULC0524P;RCLAMP0524P;SERV05-4;SLVU2.8 4:MVR0402-180E0R8;SESD0402E050M24;SESD0603E050M24;SESD0402E100M055:RF60-005;RF60-010;RF60-017;RF60-020;RF60-030;RF60-040;RF60-050;RF60-065;6:14D471K;14D201K;14D221K;14D391K;14D330K;10D561K;10D361K;20D201K;7:10A10;6A10;SF56;SF58;1N4004;1N4001;1N4007;M7;US1G;S2K;KBPC3510;8:2RM230L-8;2RM600L-8;4532-231-LF;4532-601-LF;SMD1812-201;UN1812-200CSMD; 6:关于我们深圳市尧丰发科技有限公司成立2010年,是一家专业生产及销售的高新技术企业:拥有自己独立的品牌“YF”;公司主要产品有:NTC热敏电阻,压敏电阻,TVS二极管,ESD静电二极管,陶瓷放电管,半导体放电管,玻璃放电管,ESD静电抑制器;自恢复保险丝公司已通过了ISO9002国际质量标准体系、ISO9001:2008质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证。

瞬态抑制二极管参数

瞬态抑制二极管参数

瞬态抑制二极管参数
TSD的电流限制指的是它的最大允许电流,它刻画了TSD在输入电流
超过它的限制时会发生的参数变化情况,通常情况下,该参数越大,TSD
的瞬态电压衰减越小,但也容易出现热失控现象。

此外,TSD的电压限制可以是正向电压限制或负向电压限制,它定义
了在输入电压超过了它的限制大小时TSD会发生的参数变化情况,通常情
况下,该参数越大,TSD的瞬态电流衰减越小,但也容易出现热失控现象。

最后,TSD还有一个极性的参数,它限定了TSD的正向极性和负向极性,在此,TSD的正向极性用于压降,负向极性用于导通。

总之,瞬态抑制二极管参数有电流限制、电压限制和极性。

TSD的参
数的大小越大,瞬态抑制功能越强,但也容易出现热失控现象。

因此,在
使用TSD之前,应当了解并根据自己的要求进行调整,以达到最佳性能。

综上所述,瞬态抑制二极管参数主要包括电流限制、电压限制和极性
三个方面,其大小决定了瞬态抑制功能的强弱,在使用时,应当根据自身
的要求。

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瞬态抑制二极管的参数
瞬态抑制二极管是一种常用的电子元件,用于抑制电路中的瞬态
峰值,保护其他电子元件免受过电压的损害。

它在许多电子设备中被
广泛应用,如通信设备、电源、汽车电子等。

本文将介绍瞬态抑制二
极管的参数,以帮助读者更好地理解和应用该元件。

首先,瞬态抑制二极管有几个重要的参数需要关注。

第一个参数
是峰值反向耐受电压(VBR),它表示二极管可以承受的最大反向电压。

当电路中出现瞬态峰值时,瞬态抑制二极管会开始导通,以确保电路
中其他部分不受到过高的电压影响。

因此,VBR应大于电路中可能出现的最大瞬态峰值电压,以保证可靠的抑制效果。

第二个参数是峰值脉冲电流(IPP),它表示瞬态抑制二极管可以
承受的最大脉冲电流。

在电路中发生瞬态峰值时,二极管会短时间内
承受较高的电流。

因此,为了保护瞬态抑制二极管不被烧坏,IPP应大于电路中可能出现的最大瞬态峰值电流。

第三个参数是响应时间,它表示瞬态抑制二极管从正常工作状态
到完全反应的时间。

对于某些应用领域,如通信设备,快速的响应时
间至关重要。

因此,选择具有较短响应时间的瞬态抑制二极管可以更
好地保护电路中的其他元件。

除了这些关键参数,还有一些其他参数也需要考虑。

其中一个是
电流保持能力,它表示瞬态抑制二极管可以持续传导的最大电流。


电路中发生瞬态峰值时,瞬态抑制二极管会导通,以保护其他元件,
但它也需要能够持续传导电流,以确保电路正常运行。

此外,还有一些次要参数需要关注,如反向漏电流和漏电击穿电压。

反向漏电流表示在瞬态抑制二极管正常工作时的少量反向电流,
它应尽可能小以减少功耗。

漏电击穿电压表示在极端情况下瞬态抑制
二极管可以承受的最高反向电压,它应大于设备可能遇到的最高电压,以确保元件的可靠性。

综上所述,了解瞬态抑制二极管的参数对于正确选择和应用该元
件非常重要。

通过考虑峰值反向耐受电压、峰值脉冲电流、响应时间、电流保持能力、反向漏电流和漏电击穿电压等参数,可以确保瞬态抑
制二极管在电路中可靠地工作,提供有效的瞬态抑制保护。

同时,这
些参数也为电子工程师们提供了指导,使他们能够选择适合特定应用
需求的瞬态抑制二极管。

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