微机电系统(MEMS)制造工艺史(整理版)
微机电系统
微机电系统制造工艺史微机电系统（Micro Electro-Me-chanical Systems，MEMS）是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。
MEMS是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的。
微机电系统是微米大小的机械系统，其中也包括不同形状的三维平板印刷产生的系统。
这些系统的大小一般在微米到毫米之间。
在这个大小范围中日常的物理经验往往不适用。
比如由于微机电系统的面积对体积比比一般日常生活中的机械系统要大得多，其表面现象如静电、润湿等比体积现象如惯性或热容量等要重要。
它们一般是由类似于生产半导体的技术如表面微加工、体型微加工等技术制造的。
其中包括更改的硅加工方法如压延、电镀、湿蚀刻、干蚀刻、电火花加工等等。
①微机电系统制造发展历程：19世纪照相制版;1951年显像管遮蔽屏(美国RCA公司)(光学应用);1952年表面微加工专利2749598(美);1954年压阻效应;1962年晶体的异向腐蚀;1963年半导体压力计(日本丰田中央研究所);1967年振动门晶体管(美国Westinghouse公司)(牺牲层腐蚀);1968年阳极键合(美国Mallory公司);1969年基于掺杂浓度的腐蚀;1970年硅微电极(斯坦福大学);1973年内窥镜用硅压力传感器(斯坦福大学);1974年集成气相质谱仪(斯坦福大学);1979年集成压力传感器(密西根大学);1982年LIGA工艺(德国原子力研究所);1986年硅反馈式加速度计(瑞士CSEM);1986年集成流量控制器(日本东北大学);1987年微齿轮等(美国加州大学伯克利分校，贝尔研究所);1987年微静电微马达(加州大学伯克利分校，Yu-Chong Tai，Long-Sheng Fan)。
发展阶段：硅微传感器阶段：1963年日本丰田研究中心制作出硅微压力传感器。
微机电系统(mems)工程技术 半导体制造工艺技术
微机电系统(mems)工程技术半导体制造工艺技术微机电系统（MEMS）是一种融合微电子技术、机械工艺和微纳米加工技术的新型技术，具有微小体积、高性能和低功耗等优点，被广泛应用于传感器、执行器、微机械系统等领域。
MEMS制造工艺技术作为其核心技术之一，在MEMS设备的设计、生产和测试过程中起着至关重要的作用。
一、MEMS制造工艺技术的基本原理MEMS制造工艺技术是利用微纳米加工技术对微电子元件进行加工，实现微小尺寸的器件。
其基本原理包括光刻、薄膜沉积、刻蚀、清洗和包装等步骤。
在制造过程中，需要考虑到器件的性能、成本和效率等因素，并采用不同的工艺流程进行处理。
二、MEMS制造工艺技术的工艺流程1.设计阶段：确定MEMS器件的功能和结构，并进行软件仿真和电路设计，制定完整的器件设计方案。
2.掩膜光刻：利用掩膜和紫外光曝光的技术，将器件的图形准确转移到光敏材料上，形成所需的图形。
3.薄膜沉积：采用物理气相沉积、化学气相沉积等技术，在衬底表面沉积一层或多层薄膜，用于制备MEMS器件的功能部件。
4.刻蚀工艺：采用干法或湿法刻蚀技术，将多余的材料去除，形成所需的器件结构。
5.清洗和检测：在制造过程中，需要对器件进行清洗和检测，确保器件的质量和性能。
6.包装封装：将制备好的器件封装在封装体中，保护器件免受外部环境的影响。
三、MEMS制造工艺技术的发展趋势1.纳米加工技术：随着纳米加工技术的发展，MEMS器件的尺寸将进一步减小，性能将得到显著提升。
2.多功能集成：未来的MEMS器件将具有多功能集成的特点，可以同时实现多种功能，提高器件的综合性能。
3.自组装技术：自组装技术的应用将使MEMS制造工艺更加灵活和高效，降低成本，提高生产效率。
4.高可靠性设计：随着MEMS器件在汽车、医疗等领域的广泛应用，高可靠性设计将成为MEMS制造工艺技术的重要发展方向。
四、结语MEMS制造工艺技术是一项复杂而重要的工艺技术，对MEMS器件的性能和质量起着决定性的作用。
微机电系统制造工艺综述
微机电系统制造工艺综述微机电系统（Microelectromechanical Systems，MEMS）是一种集成了微小机械、电子、光学和磁性等元件的微型系统。
它的制造工艺是一个复杂且多样化的过程，涉及到多个步骤和技术。
本文将综述微机电系统的制造工艺。
一、工艺流程微机电系统的制造工艺流程通常包括以下几个主要步骤：基片准备、薄膜沉积、光刻、腐蚀、封装和测试。
1. 基片准备：基片是微机电系统的主要载体，常用的材料包括硅、玻璃和塑料等。
在基片制备过程中，需要进行清洗、平整化和涂覆等处理，以保证后续工艺步骤的顺利进行。
2. 薄膜沉积：薄膜沉积是微机电系统制造中的关键步骤之一。
常用的薄膜沉积方法有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和溅射等。
通过这些方法可以在基片上沉积出具有特定功能的薄膜层，如金属、氧化物和聚合物等。
3. 光刻：光刻是微机电系统制造中的关键技术之一。
它通过光敏胶的光化学反应将图案转移到基片上，形成所需的结构和形状。
常用的光刻技术包括接触式光刻和投影光刻。
4. 腐蚀：腐蚀是微机电系统制造中的重要步骤之一。
通过化学腐蚀或物理腐蚀的方式，可以去除不需要的材料，形成所需的结构和形状。
常用的腐蚀方法有湿腐蚀、干腐蚀和等离子体腐蚀等。
5. 封装：封装是将微机电系统芯片封装在外部保护壳中的过程。
封装可以提供保护、连接和传感等功能。
常用的封装方法包括焊接、粘接和翻转芯片封装等。
6. 测试：测试是微机电系统制造中的最后一步，用于验证芯片的性能和可靠性。
常用的测试方法包括电学测试、力学测试和光学测试等。
二、工艺技术微机电系统制造中常用的工艺技术包括：纳米制造技术、表面微结构技术、微流控技术和微传感技术等。
1. 纳米制造技术：纳米制造技术是微机电系统制造中的前沿技术之一。
它利用纳米尺度的工具和材料进行加工和制造，实现微米和纳米级别的结构和器件。
常用的纳米制造技术包括扫描探针显微镜（SPM）、电子束曝光和离子束刻蚀等。
mems制造工艺及技术
MEMS制造工艺及技术的深度解析一、引言微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，简称MEMS）是一种将微型机械结构与电子元件集成在同一芯片上的技术。
由于其体积小、功耗低、性能高等特点，MEMS技术已被广泛应用于各种领域，如汽车、医疗、消费电子、通信等。
本文将详细介绍MEMS的制造工艺及技术，以帮助读者更深入地了解这一领域。
二、MEMS制造工艺1. 硅片准备MEMS制造通常开始于一片硅片。
根据所需的设备特性，可以选择不同晶向、电阻率和厚度的硅片。
硅片的质量对最终设备的性能有着至关重要的影响。
2. 沉积沉积是制造MEMS设备的一个关键步骤。
它涉及到在硅片上添加各种材料，如多晶硅、氮化硅、氧化铝等。
这些材料可以用于形成机械结构、电路元件或牺牲层。
沉积方法有多种，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和电镀等。
3. 光刻光刻是一种利用光敏材料和模板来转移图案到硅片上的技术。
通过光刻，我们可以在硅片上形成复杂的机械结构和电路图案。
光刻的精度和分辨率对最终设备的性能有着重要影响。
4. 刻蚀刻蚀是一种通过化学或物理方法来去除硅片上未被光刻胶保护的部分的技术。
它可以用来形成机械结构、电路元件或通孔。
刻蚀方法有湿法刻蚀和干法刻蚀两种。
湿法刻蚀使用化学溶液来去除材料，而干法刻蚀则使用等离子体或反应离子刻蚀（RIE）来去除材料。
5. 键合与封装键合是将两个或多个硅片通过化学键连接在一起的过程。
它可以用于制造多层MEMS设备或将MEMS设备与电路芯片集成在一起。
封装是将MEMS设备封装在一个保护壳内以防止环境对其造成损害的过程。
封装材料可以是陶瓷、塑料或金属。
三、MEMS制造技术挑战与发展趋势1. 尺寸效应与可靠性问题随着MEMS设备的尺寸不断减小，尺寸效应和可靠性问题日益突出。
例如，微小的机械结构可能因热膨胀系数不匹配或残余应力而导致失效。
为了解决这些问题，研究人员正在开发新型材料和制造工艺以提高MEMS设备的可靠性。
微机电系统(MEMS)制造工艺史(整理版)
微机电系统（MEMS）制造工艺史微机电系统（MEMS）利用集成电路（IC）制造技术和微加工技术把微结构、微传感器、微执行器等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统。
具有微型化、集成化、智能化、成本低、性能高、可以大批量生产等优点。
应用领域极为广泛，目前已成功地应用于汽车、电子和军事等行业。
本文主要探讨MEMS的制造工艺史。
MEMS工艺的特点包括：硅为基本（衬底）材料；准平面加工；便于机电集成；便于批量生产；对设备和环境要求高（依靠设备和工具）。
影响MEMS发展的三个关键因素主要是：产品设计和定位，材料制备以及加工工艺和设备。
MEMS的制作材料分为结构材料和功能材料，在结构材料里，使用得最多的有：①基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料。
②薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅。
③金属材料：金、铝、其他金属。
而功能材料，有：①高分子材料：聚酰亚胺、PMMA。
②敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其他。
③致动材料：压电、形状记忆合金、磁性材料等。
MEMS的制造工艺是基本半导体工艺的，主要包括以下6个步骤：1.掺杂与退火；2.氧化, 表面薄膜技术；3.光刻；4.金属化：溅射与蒸发；5.腐蚀；6.净化与清洗。
接下来将详细介绍各个工艺流程：1.掺杂：IC掺杂用于改变其物理性质，MEMS掺杂用于改变其化学性质，而掺杂的主要形式包括注入和扩散。
扩散指在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。
包括液态源扩散和固态源扩散。
而离子注入是杂质原子经高能粒子轰击离子化后经电场加速轰击硅片表面，形成注入层。
退火的作用主要是将掺杂层纵向推进，结构释放后消除残余应力，包括热退火，激光退火以及电子退火。
2. 表面薄膜技术：氧化是硅与氧化剂反应生成二氧化硅的过程。
化学气相淀积则是使用加热、等离子体和紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成），形成固态物质淀积在衬底上。
相对的蒸发和溅射为物理气相淀积。
mems制作流程
MEMS制作流程1. 概述微机电系统（MEMS）是一种集成了微小机械结构、传感器、执行器和电子电路等功能的微型系统。
MEMS制作流程是将设计好的MEMS器件从初始材料开始，通过一系列工艺步骤逐步加工形成最终的器件。
本文将详细介绍MEMS制作的主要步骤和流程。
2. 设计在开始MEMS制作之前，首先需要进行器件的设计。
设计过程包括确定器件的功能、尺寸、材料选择等。
常见的MEMS器件包括压力传感器、加速度计、陀螺仪等。
3. 基础材料准备在进行MEMS制作之前，需要准备一些基础材料，包括硅片（通常为单晶硅或多晶硅）、玻璃基板、金属薄膜等。
这些材料将用于制作MEMS器件的基底和结构。
4. 硅片清洗由于硅片表面容易被污染，因此在进行后续工艺之前需要对硅片进行清洗处理。
清洗过程通常包括去除有机物和无机盐等污染物。
5. 硅片表面涂覆为了实现特定的功能，需要在硅片表面涂覆一层薄膜。
常见的涂覆方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等。
涂覆的薄膜可以是金属、绝缘体或半导体材料。
6. 光刻光刻是MEMS制作中非常重要的步骤，用于定义器件结构的形状和尺寸。
光刻过程包括以下几个步骤： - 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
- 预烘烤：将硅片放入烘箱中进行预烘烤，使光刻胶变得更加坚固。
- 掩膜对位：将掩模与硅片对位，并使用紫外线曝光机将掩模上的图案转移到光刻胶上。
- 显影：使用显影剂去除未曝光区域的光刻胶。
- 后烘烤：将硅片放入烘箱中进行后烘烤，使已曝光区域的光刻胶更加坚固。
7. 干法刻蚀干法刻蚀是用于将硅片上的材料去除或改变形状的工艺步骤。
常见的干法刻蚀方法包括反应离子刻蚀（RIE）、高密度等离子体刻蚀（DRIE）等。
通过控制刻蚀时间和条件，可以实现不同形状和尺寸的结构。
8. 软件控制在MEMS制作过程中，软件控制起着重要的作用。
通过软件控制，可以精确地控制各个工艺步骤的参数，如温度、时间、气体流量等。
mems详细制造工艺
mems详细制造工艺英文回答：MEMS Fabrication Process.Microelectromechanical systems (MEMS) are miniaturized devices that combine electrical and mechanical componentson a single chip. They are fabricated using a variety of techniques, including photolithography, etching, deposition, and bonding.Photolithography is used to create patterns in a thin layer of photoresist on the surface of a substrate. The photoresist is exposed to ultraviolet light through a mask, which blocks the light in areas that will be etched away. The exposed photoresist is then developed, leaving behind a pattern of exposed substrate.Etching is used to remove the exposed substrate material. This can be done using a variety of etchants,including wet etchants, dry etchants, and plasma etchants. Wet etchants are typically acids or bases that dissolve the substrate material. Dry etchants are gases that react with the substrate material to form volatile products. Plasma etchants are gases that are ionized and then accelerated towards the substrate, where they react with the substrate material.Deposition is used to add material to the substrate. This can be done using a variety of techniques, including physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and electrochemical deposition (ECD). PVD involves vaporizing a source material and then depositing it on the substrate. CVD involves reacting a gas with a precursor gas on the substrate surface to form a solid film. ECD involves reducing a metal ion in solution to form a metal film onthe substrate.Bonding is used to join two or more substrates together. This can be done using a variety of techniques, including adhesive bonding, thermal bonding, and anodic bonding. Adhesive bonding involves using an adhesive to join thesubstrates together. Thermal bonding involves heating the substrates to a temperature at which they will bond together. Anodic bonding involves applying a voltage to the substrates, which causes the formation of an oxide layerthat bonds the substrates together.MEMS devices are used in a wide variety of applications, including:Automotive.Biomedical.Consumer electronics.Industrial.Military.中文回答：MEMS 详细制造工艺。
微纳米机电系统的设计与制造技术
微纳米机电系统的设计与制造技术微纳米机电系统（Microelectromechanical Systems，MEMS）是指一种利用微纳米级别工艺制造的微型机电系统。
它由微型电路技术、微机电技术和微纳米制造技术等融合而成，具有体积小、重量轻、易于集成和制造成本低等优点。
MEMS技术已经广泛应用于电子信息、生物医学、能源环保、航空航天等领域，成为新一代的技术革命。
一、微纳米机电系统的设计原则微纳米机电系统的设计原则包括以下几点：1. 功能多样性：微纳米机电系统应该具有多种功能，可应用于不同的场景和需求。
2. 高性能：微纳米机电系统应该具有高性能特点，例如高灵敏度、高稳定性和高精度等。
3. 低功耗：微纳米机电系统应该具有低功耗特点，以延长产品的使用寿命和提高性能。
4. 集成度高：微纳米机电系统应该具有高集成度，可以实现多种功能的集成。
5. 可靠性好：微纳米机电系统应该具有良好的可靠性和稳定性，以保障产品的正常使用。
6. 制造成本低：微纳米机电系统应该具有低制造成本特点，以提高产品的市场竞争力。
二、微纳米机电系统的制造工艺微纳米机电系统的制造工艺包括以下几个方面：1. 制造材料：微纳米机电系统的制造需要用到高纯度的材料，如硅、氧化硅、氮化硅、聚合物等。
2. 制造技术：微纳米机电系统的制造涉及到微纳米加工技术、光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、化学气相沉积技术等。
3. 制造工艺流程：微纳米机电系统的制造工艺流程包括大面积晶圆清洗、材料生长、图形化处理、刻蚀、离子注入、衬底去除等步骤。
4. 检测和测试：微纳米机电系统的制造需要经过严格的检测和测试，包括结构形状、机械性能、电学性能等方面。
5. 包装和封装：微纳米机电系统的包装和封装需要采用特殊的方法，以确保产品的性能和可靠性。
三、微纳米机电系统的应用领域微纳米机电系统的应用领域非常广泛，包括以下几个方面：1. 生物医学：微纳米机电系统可以用于生物医学领域，如人体细胞和组织的刺激、诊断和治疗，体内药物释放和监测等。
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微机电系统（MEMS）制造工艺史
微机电系统（MEMS）利用集成电路（IC）制造技术和微加工技术把微结构、微传感器、微执行器等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统。
具有微型化、集成化、智能化、成本低、性能高、可以大批量生产等优点。
应用领域极为广泛，目前已成功地应用于汽车、电子和军事等行业。
本文主要探讨MEMS的制造工艺史。
MEMS工艺的特点包括：硅为基本（衬底）材料；准平面加工；便于机电集成；便于批量生产；对设备和环境要求高（依靠设备和工具）。
影响MEMS发展的三个关键因素主要是：产品设计和定位，材料制备以及加工工艺和设备。
MEMS的制作材料分为结构材料和功能材料，在结构材料里，使用得最多的有：①基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料。
②薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅。
③金属材料：金、铝、其他金属。
而功能材料，有：①高分子材料：聚酰亚胺、PMMA。
②敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其他。
③致动材料：压电、形状记忆合金、磁性材料等。
MEMS的制造工艺是基本半导体工艺的，主要包括以下6个步骤：
1.掺杂与退火；
2.氧化, 表面薄膜技术；
3.光刻；
4.金属化：溅射与蒸发；
5.腐蚀；
6.净化与清洗。
接下来将详细介绍各个工艺流程：
1.掺杂：IC掺杂用于改变其物理性质，MEMS掺杂用于改变其化学性质，而掺杂的主要形式包括注入和扩散。
扩散指在一定温度下杂质原子具有一定能量，
能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。
包括液态源扩散和固态源扩散。
而离子注入是杂质原子经高能粒子轰击离子化后经电场加速轰击硅片表面，形成注入层。
退火的作用主要是将掺杂层纵向推进，结构释放后消除残余应力，包括热退火，激光退火以及电子退火。
2. 表面薄膜技术：氧化是硅与氧化剂反应生成二氧化硅的过程。
化学气相淀积则是使用加热、等离子体和紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成），形成固态物质淀积在衬底上。
相对的蒸发和溅射为物理气相淀积。
3. 光刻：是用辐照方式形成图形的方法。
是唯一不可缺少的工艺步骤，是一个复杂的工艺流程。
工艺过程：备片⇒清洗⇒烘干⇒甩胶⇒前烘⇒对准⇒曝光⇒显影⇒坚膜⇒腐蚀工艺等⇒去胶。
光刻三要素包括：光刻胶、掩膜版和光刻机。
4.金属化：蒸发和溅射是制备金属结构层和电极的主要方法。
是物理气相淀积的方法。
蒸发工艺利用经过高压加速并聚焦的电子束，在真空中直接打到源表面，将源蒸发并淀积到衬底表面形成薄膜。
溅射主要是惰性气体（Ar）在真空室中高电场作用下电离，产生的正离子被强电场加速形成高能离子流轰击溅射靶，靶（源）原子和分子离开固体表面，以高速溅射到阳极（硅片）上淀积形成薄膜。
5.腐蚀：选用适当的腐蚀剂，将掩膜层或衬底刻穿或减薄，以获得完整、清晰、准确的光刻图形或结构的技术。
分为：干法等离子体腐蚀和湿法腐蚀湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。
优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低，但缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差。
6.清洗：除去器件制造过程中偶然引入的“表面玷污”杂质（来自加工过程或清洗），如颗粒、杂质膜、物理吸附或化学吸附等。
清洗是一个必需的复杂的工艺过程。
当单独硅片上的工艺完成后，还有一些为最终实现具备设计功能的器件所做的后续工艺。
主要是：键合、装配和封装。
封装步骤一般是：释放⇒划片⇒分离⇒分选⇒粘片⇒检验⇒键合引
线⇒检验⇒多芯片装配⇒检验⇒封装⇒终测。
它的作用在于形成最终结构，实现最终功能；对器件进行保护，防止冲击和腐蚀；便于安装和器件散热等。
经过以上的总结和概括，我大体了解了MEMS工艺的全套制造工艺史，受益匪浅。
参考文献：《微系统设计与制造》，王喆垚，清华大学出版社，2008
《微型机械导论》，中国科学技术大学出版社，王琪民编著，2003年
《微机电系统设计与制造》，刘晓明，朱钟淦，国防工业出版社，2006。