光电探测器概述分析
光电探测器简介、现状及分析
光电探测器的发展现状及分析摘要概述了光电探测器的分类和基本原理，并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状，预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景关键词光电探测器分类原理发展现状一光电探测器原理光子型探测器（photon detector）利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器，也称光电型探测器。
探测器中的电子直接吸收光子的能量，使运动状态发生变化而产生电信号，常用于探测红外辐射和可见光。
用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件，如光电管、光电倍增管和红外变像管等。
这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极，当光子投射到光电阴极上时，光子可能被光电阴极中的电子吸收，获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。
在光电管中，光电子在带正电的阳极的作用下运动，构成光电流。
光电倍增管与光电管的差别在于，在光电倍增管的光电阴极与阳极之间设置了多个电位逐级上升并能产生二次电子的电极（称为打拿极）。
从光电阴极逸出的光电子在打拿极电压的加速下与打拿极碰撞，发生倍增效应，最后形成较大的光电流信号。
因此，光电倍增管具有比光电管高得多的灵敏度。
红外变像管是一种红外-可见图像转换器,它由光电阴极、阳极和一个简单的电子光学系统组成。
光电子在受到阳极加速的同时又受到电子光学系统的聚焦，当它们撞击在与阳极相连的磷光屏上时，便发出绿色的光像信号特点：入射光子和材料中的电子发生各种直接相互作用即光电子效应所用的材料：大多数为半导体。
根据效应发生的部位和性质分为1. 外光电效应：发生在物质表面上的光电转化现象，主要包括光阴极直接向外部发射电子的现象。
典型的例子是物质表面的光电发射。
这种效应多发生于金属和金属物。
2. 内光电效应：指发生在物质内部的光电转化现象，特别是半导体内部载流子发生效应，这种效应多发生于半导体内。
二光电探测器分类2.1 外光电效应探测器外光电效应：当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大，它和物质中的电子相互作用，致使电子逸出物质表面，这就是外光电效应，逸出物质表面的电子叫做光电子2.11 光电管光电管（phototube）基于外光电效应的基本光电转换器件。
光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应，从而将光信号转换为电信号。
具体来说，当光子照射到光电探测器的敏感区域时，光子能量被吸收并产生电子 -空穴对，这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流，从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展，如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域，为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件，广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展，光电 探测器的性能不断提高，应用范围不断扩大。
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04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛，包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加，全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈，各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入，以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
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中国光电探测器市场发展迅速，成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等；按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等；按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等；按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
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•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号，使得信息的传输和处理成为可能。
光电探测器在通信系统中的应用技术分析
光电探测器在通信系统中的应用技术分析一、光电探测器概述光电探测器是一种能将光信号转换成电信号的器件。
其主要作用是将通过光纤传输的光信号转换为电信号，使其在通信电路中得以传输。
目前光电探测器已经成为了通信电路中的重要组成部分，其应用领域覆盖到了光通信、无线通信、光纤传感等多个领域。
二、光电探测器的分类根据不同的工作方式，光电探测器可分为两类：基于内光电效应的光电探测器和基于外光电效应的光电探测器。
其中基于内光电效应的光电探测器主要有光电二极管、APD和PD等三类。
而基于外光电效应的光电探测器主要有光电导和光致伸缩器等两类。
1. 光电二极管光电二极管是一种具有直接内光电效应的器件，主要是利用光子能量来产生管内电荷的效应。
其工作原理是将光线照射到半导体材料上，光线的能量被转化为电子能量，从而在导体上形成电磁场。
在电子和空穴的作用下，光电二极管上的电荷可以发生反向电流，从而将光信号转变为电信号输出。
2. APDAPD是一种分析内光电效应的器件，其原理与光电二极管类似，但是其内部的电场比光电二极管要强。
当光子进入APD器件的时候，它会产生电子-空穴对，然后这些电子将加速，形成在吸收区内的离子对电流，相对于光电二极管，APD的增量因子接近子级负反馈，因此其灵敏度比光电二极管要高得多。
3. PDPD是一种利用光吸收特性来检测光的器件，主要是通过光子与半导体材料之间的作用产生电流来完成对光信号的检测。
当光子通过PD的半导体介质时，组成介质的电子会被激发，这些电子随后会被电场推动，形成电荷。
然后，这个电荷会产生电流，从而将光信号转换成电信号输出。
4. 光电导光电导是一种利用外光电效应的器件，其工作原理是将光照在导体上，产生电磁场，然后通过电磁场的作用来使光电导的电阻发生变化。
这种变化可以通过电流检测器来检测，从而将光信号转化为电信号输出。
5. 光致伸缩器光致伸缩器是一种利用外光电效应的器件，其工作原理是利用光致伸缩材料的导电性差异来实现光电信号的转换。
光电探测器技术及其应用
光电探测器技术及其应用在现代科技高速发展的今天，探测器技术作为其中重要的一员，被广泛应用于各个领域。
其中，光电探测器技术不仅在军事、通信、医疗等领域有着广泛应用，还在制药、化工、环保等领域具有不可替代的作用。
本文将围绕光电探测器技术进行探讨，分析其应用前景以及在各个领域中的具体应用情况。
一、光电探测器技术的概述光电探测器技术是指利用光电转换效应将光辐射转化为电信号的一种技术。
其主要由光探头、前置放大器、信号处理器以及输出界面等组成。
光探头主要负责将光辐射转化为电信号，前置放大器则对电信号进行放大处理，信号处理器负责对处理后的信号进行数字化处理，并将其传送至输出界面。
光电探测器技术的发展历程可追溯至20世纪初期。
随着电子技术、信息技术以及光学技术的快速发展，光电探测器技术得到了迅猛的发展。
经历了多年的改进和完善，目前的光电探测器技术已经趋于成熟，具有高速、高精度、高可靠性等优良特性，已经成为现代科技中不可或缺的一部分。
二、光电探测器技术的应用前景随着技术的发展和需求的增长，光电探测器技术在未来的发展前景非常广阔。
以通信领域为例，光纤通信已经成为现代通信的主流方式，光电探测器作为核心光电部件在光纤通信中扮演着极其重要的角色。
随着宽带光网络的兴起，光电探测器技术需求将进一步得到增长。
除此之外，光电探测器技术还具有广泛的应用前景。
例如，在医疗领域中，它可以用于光动力治疗等方面，帮助医生更加精准地完成治疗工作；在军事领域中，它可以用于导航、侦查、预警以及无人机等领域；在环保方面，光电探测器技术可以帮助监测环境中的污染物，从而保护环境。
可见，光电探测器技术具有广泛的应用前景和市场需求，预计其在未来的发展中将持续保持高速的增长态势。
三、光电探测器技术在通信领域中的应用在通信领域中，光电探测器技术的应用相对较多。
其主要是利用光电探测器的高速、高精度等特性，完成光信号转化为电信号的工作。
以光纤通信为例，光电探测器的作用是将经过光纤传输的光信号转化为可用的电信号。
光电探测器探测性能多参数分析
光电探测器探测性能多参数分析光电探测器是一种能够将光信号转化为电信号的设备，广泛应用于光通信、光电子学、生物医学等领域。
光电探测器的探测性能对于其应用效果具有重要影响，因此准确分析和评估光电探测器的性能参数是必不可少的。
1. 灵敏度光电探测器的灵敏度是指能够探测到的最小光功率。
通常用单位面积功率密度来表示。
灵敏度越高，意味着该探测器在较弱的光信号条件下仍能正常工作。
灵敏度的高低取决于光电探测器的设计及其所采用的材料。
一种常见的评估指标是光电探测器的响应度。
2. 噪声等效功率噪声等效功率指的是在光电探测器工作状态下，由于设备本身所产生的噪声引入到输出信号中的功率。
噪声等效功率是光电探测器性能的重要参数之一，能够影响到信号与噪声的比值，从而影响信号的清晰度和精确度。
3. 响应时间响应时间是光电探测器从光信号到电信号的转换所需的时间。
这个时间对于对时间精度要求比较高的应用非常重要，如高速通信和光纤通信。
较快的响应时间有助于光电探测器更快地对光信号进行处理和传输。
4. 波长响应特性波长响应特性是指光电探测器对不同波长的光源的响应能力。
由于不同波长的光源具有不同的能量和频率特性，因此光电探测器在不同波长下的响应特性可能有所差异。
光电探测器的波长响应特性需要与具体应用需求匹配。
5. 饱和光功率饱和光功率是指使光电探测器输出信号达到最大值所需输入光功率。
饱和光功率与灵敏度相关，可以用来评估光电探测器的动态范围。
较高的饱和光功率可以使光电探测器在高强度光信号条件下工作稳定。
6. 线性范围光电探测器的线性范围指的是输入光功率的变化范围，使得其输出信号与输入信号之间呈现线性关系。
较宽的线性范围意味着光电探测器能够适应更大范围的输入光功率变化，从而提高测量的精确性和可靠性。
以上介绍的参数只是光电探测器性能分析中的一小部分，还有一些其他的性能指标也是需要考虑的，如扩散响应、非线性特性等。
在实际应用中，根据具体的需求选取相应的参数进行分析和评估是非常重要的。
光电探测器工作原理与性能分析
光电探测器工作原理与性能分析光电探测器是一种能够将光电信号转换为电信号的器件，广泛应用于光电通讯、光学测量、光学成像等领域。
在本文中，将对光电探测器的工作原理与性能进行分析。
一、光电探测器的工作原理光电探测器工作的基本原理是利用光电效应将光能转换为电子能，再经过电子放大及处理，将光信号转换为电信号输出。
光电探测器主要包括光敏元件、前置放大电路、信号处理电路等部分。
常见的光敏元件主要包括光电二极管、光电倍增管、光电导、光电导二极管、PIN光电二极管等。
其中，光电二极管是最常用的一种，它基于外光在PN结上产生电压的原理，将光能转换为电能。
PIN光电二极管又是一种与之类似的器件，但它的灵敏度更高，特别适用于高速、低噪音、低光水平的应用。
前置放大电路则是提高探测器灵敏度的重要部分。
它通常包括高阻抗输入级、宽带放大电路、低噪声电路等。
这些器件通常采用集成电路技术实现，具有高增益、高带宽、低噪声等优点。
信号处理电路主要包括滤波电路、放大电路、比较器、微处理器等部分。
滤波电路可以去除噪声干扰，放大电路可以放大信号的幅度，比较器可以将信号转换为数字信号，微处理器则可以对数字信号进行处理及控制。
二、光电探测器的性能分析光电探测器的性能参数包括灵敏度、响应时间、线性度、噪声等。
下面将对这些性能进行分析。
1. 灵敏度灵敏度是指探测器对光的灵敏程度，它通常通过量子效率来评估。
量子效率是指进入探测器的光子转化为电的比例。
由于光电探测器的灵敏度会受到光强度、工作温度、探测器结构等多种因素的影响，因此在实际应用中需要合理设计光路及保持探测器稳定性。
2. 响应时间响应时间是指光电探测器从接收光信号到输出电信号的时间。
响应时间由前置放大电路和光敏元件上升时间之和决定，因此我们可以通过优化这些器件来提高响应时间。
在高速应用中，响应时间非常关键，因此需要选用响应时间较短的光学元件及前置放大电路。
3. 线性度线性度是指光电探测器输出与输入之间的线性关系。
光电探测器的性能测试与分析
光电探测器的性能测试与分析光电探测器是一种广泛应用于光学、光电子学、光电通信、生物医学等领域的基础元器件，具有灵敏度高、响应速度快、稳定性好、成本低等优点。
然而，光电探测器的性能测试与分析是确保其正常工作和优化设计的必要步骤。
本文将介绍光电探测器的性能测试与分析方法。
一、光电探测器的基本结构和工作原理光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件，其基本结构包括光敏元件、前置放大电路和输出电路。
光敏元件通常采用半导体材料，如硅、锗、InGaAs等，具有光电转换和放大作用。
前置放大电路主要起放大和滤波功能，能够放大光电信号，并去除其中的杂音和干扰。
输出电路则将放大的信号输出到外部测量仪器或其他电子设备中。
在工作原理上，光电探测器一般采用光电效应或击穿效应。
光电效应是指光子通过光敏元件后形成电子-空穴对，进而产生电流。
击穿效应则是指当光信号足够强时，光敏元件内的电荷载流子得以大量产生，从而使电流产生剧烈变化。
二、光电探测器的性能指标光电探测器的性能指标通常包括以下几个方面：1. 灵敏度：指单位光功率下探测器输出信号的大小，单位一般为安培/瓦特（A/W）。
2. 相应速度：指探测器对光信号的响应速度，单位一般为赫兹（Hz）或皮秒（ps）。
3. 噪音等效功率：指在没有光信号的情况下，探测器输出的随机噪声功率密度，单位一般为瓦特（W）或分贝（dBm）。
4. 动态范围：指探测器能够处理的最大信号与最小信号之间的比值，单位一般为分贝（dB）。
5. 波长响应范围：指探测器对光信号的波长响应区间，单位一般为纳米（nm）。
以上性能指标是评估光电探测器性能好坏的重要标准。
三、光电探测器的性能测试步骤对光电探测器进行性能测试是确保其正常工作和优化设计的必要步骤。
下面介绍典型光电探测器的性能测试步骤：1. 灵敏度测试：将探测器置于恒强光源下，通过测量输出电流和光功率计算灵敏度。
2. 噪音等效功率测试：将探测器置于黑暗环境下，测量输出电流，通过绘制功率谱密度曲线来计算噪声等效功率。
光电探测器在光通信中的应用分析
光电探测器在光通信中的应用分析光通信是指通过光波来传输信息的一种通讯方式。
它具有高速传输、大容量、抗干扰等优点，成为了现代通信领域的热门技术。
在光通信系统中，光电探测器是起到关键作用的设备之一。
它能够将光信号转换为电信号，实现光和电之间的转换，并成为光通信技术发展的重要基础。
一、光电探测器的功能和类型光电探测器是一种将光信号转换为电信号的设备。
其主要功能是通过光电效应产生电子，将光信号电气化。
根据采用的材料和工作原理不同，光电探测器分为四种类型：光电二极管（Photodiode）、光电倍增管（Photomultiplier Tube）、光阴极管（Photocathode Tube）、光电晶体管（Phototransistor）。
其中，光电二极管是最常用的光电探测器之一，它根据光的进入，由p-n结区域的载流子的光电产生，将光信号电气化输出。
而光电倍增管则是通过一系列的电子倍增过程，放大电子的数目，从而提高灵敏度。
光阴极管则利用光阴极材料的光电子发射特性，加速和聚焦光电子，产生电子的输出。
光电晶体管则是一种结合晶体管和光电二极管的器件，能够在充分利用二极管灵敏度的同时，也具有放大特性。
二、光电探测器在光通信中的应用由于光电探测器能够将光信号转换为电信号，因此在光通信系统中具有重要作用。
光电探测器广泛应用于许多光通信场景，如光纤通信、无线光通信等。
1. 光纤通信在光纤通信系统中，光电探测器通常被用作光接收端。
光信号经过光纤传输后，到达接收端，光电探测器将信号转换为电信号，再进行解调和放大。
由于光纤通信具有高速传输、大容量等优点，因此需要高灵敏度、高速响应速度的光电探测器。
近年来，一些新型光电探测器的问世，如单光子探测器、超快速晶体管等，大大提高了光电探测器的性能水平，也使得光纤通信技术更加成熟和稳定。
2. 无线光通信除了光纤通信场景，光电探测器在无线光通信中也有广泛应用。
由于无线光通信需要进行大范围的无线传输，光电探测器需要具有更高的灵敏度和更好的抗干扰性能。
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光辐射
光子能量
材料ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ束缚能级的
足够大
金属氧化物或 半导体表面
电子逸出表面
电子—空穴对
光生电动势
光电池、光电二极管、雪崩光电二极管、PIN管及光电晶体管
光电磁探测器（光电磁效应或内光电效应）
光辐射
光子能量
本征吸收产生
足够大
垂直磁场中的 半导体材料
电子空穴对
载流子 浓度梯度
光磁电动势
光电探测器特点
♥ 选择性探测器，即光子波长有长波限。波长长
光电探测器（1）
♠ 光电子发射探测器（光电子发射效应或外光电效应）
光辐射
光子能量大于
材料内束缚能级的
逸出功
金属氧化物或
电子逸出表面
自由电子
半导体表面
♠ 光电导探测器（光电导效应或内光电效应）
光辐射
光子能量大于
材料内不导电束缚
禁带宽度
状态的电子空穴
半导体材料
自由电子空穴
电导率变化
光电探测器（2）
光伏探测器（光生伏特效应或内光电效应）
光电二极管
♫ 外加反偏电压于结内电场方向一致，没有光照时，反向电流很小（一般小 于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能 量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴 对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，电子被拉向n区， 空穴被拉向p区而形成光电流，使反向电流明显变大。同时势垒区一侧一个扩 散长度内的光生载流子先向势垒区扩散，然后在势垒区电场的作用下也参与导 电。光的强度越大，反向电流也越大。光电二极管在一般照度的光线照射下， 所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号， 而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
多子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓 度，称为多数载流子，简称多子。
少子：空穴为少数载流子，简称少子。 施主原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。
结论：
N型半导体的导电特性：是靠自由电子导电，掺入
的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电 性能也就越强。
P型半导体
♠ P型半导体：在纯净的4价本征半导体（如硅晶体）中混
(CCD) Charged coupled device
2.1.2 光辐射探测器分类
光辐射探测器件是利用各种光电效应，或光热效应使
入射光辐射强度转换成电学信息或电能的仪器。
♣ 按用途分：成像、非成像探测器； ♣ 按光谱响应分：紫外光、可见光、近红外、
中红外、远红外探测器；
♣ 按结构分：单元、多元、阵列光探测器；
入了3价原子，譬如极小量（一千万之一）的硼合成晶体， 使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
空穴的产生：由于杂质原子的
最外层有3个价电子，当它们与周 围的硅原子形成共价键时，就产生 了一个“空位”（空位电中性）， 当硅原子外层电子由于热运动填补 此空位时，杂质原子成为不可移动 的负离子，同时，在硅原子的共价 键中产生一个空穴 ，由于少一电 子，所以带正电。P型取“Positve （正）”一词的第一个字母。
1. 响应率（度）RV 、RI
单位入射光功率作用下探测器的输出电压（流）， 即灵敏度。 ——器件对全色入射辐射的响应能力，
定义为器件的输出信号与输入辐射功率之比，用 R来表示。
输出信号用电压表示：
RV
Vs P
VW1
输出信号用电流表示：
RI
Is P
AW1
2. 单色灵敏度（光谱响应度）
光电探测器在单位单色辐射通量（光通量）照射 下得到输出电压（流）；即探测器的输出电压（流） 与入射到探测器上单色辐射通量（光通量）之比。 ——器件对单色入射辐射的响应能力。
杂质半导体的形成：通过扩散工艺，在本征半导体 中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体
♠ N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），
使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
♠ N型半导体：由于杂质原子的最
外层有5个价电子，所以除了与周 围硅原子形成共价键外，还多出一 个电子。在常温下，由于热激发， 就可使它们成为自由电子，显负电 性。这N是从“Negative（负）” 中取的第一个字母。
➢ 近年来的发展方向：
阵列光电探测器、
光电探测器集成化 电荷耦合器件（CCD, charged coupled device）
热电偶温度计
热释电探测器
光电二极管、三极管
光电池
光电二极管阵列 Si /PIN光电二极管
热电阻、热电偶
热敏电阻
热释电探测器
耦合式GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器结构
➢有些物质受到光照射时，其内部原子释放电子，但
电子光仍留电在探物测体器内件部的，工使物作体原的理导是电基性于增光加，电这效种应现，
象称而为热内探光测电效器应需。要经过加热物体的中间过程， 因此，前者反应速度快。
半导体的能带结构
♠ 半导体的特点：由于原子间的相互作用而使能级分
裂♣，离纯散净的（能本级征形）成半能导带体。在分绝为对零价带度、的理导想带状和态禁下带有。
RV
光电探测器概述分析
♣ 光辐射探测系统由信息源、传输介质和接收
系统组成。接收光学系统把信息源光辐射和背景 及其它杂散光经传输介质一起会聚在光探测器上。
♣ 光辐射所携带的信息，如：光谱能量分布、辐
射通量、光强分布、温度分布等由光探测器转变成 电信号测量出来，经电子线路处理后，可供分析、 记录、存储或直接显示，从而识别被测目标。
♣ 因此，光探测器是实现光电转换的关键部件，它
的性能好坏对整个光辐射探测的质量起着至关重要 的作用。
§2-1 发展简况与分类
2.1.1 发展简况
➢ 1826----热电偶探测器 1880----金属薄膜测辐射计 1946----热敏电阻
➢ 五十年代----热释电探测器 六十年代----三元合金光探测器（HgCdTe） 七十年代----光子牵引探测器 八十年代----量子阱探测器
➢ 多子：P型半导体中，多子为空穴。 ➢ 少子：为电子。 ➢ 受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
结论：
1、多子的浓度决定于杂质浓度。原因：掺入的杂质 使多子的数目大大增加，使多子与少子复合的机会大 大增多。因此，对于杂质半导体，多子的浓度愈高， 少子的浓度就愈低。
2、少子的浓度决定于温度。原因：少子是本征激发 形成的，与温度有关。
因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少 子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄， 内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。
在一定条件下（例如温度一定），多数载流子的扩散运动逐 渐减弱，而少数载流子的漂移运动则逐渐增强，最后扩散运动 和漂移运动达到动态平衡，交界面形成稳定的空间电荷区，即 PN结处于动态平衡。
§2-2 光电探测器的响应性能参数
光电探测器的定义
定义：光子探测器是指入射在光探测器上的光辐射 能，它以光子的形式与光子探测器材料内受束缚的 电子相互作用（光电子效应），从而逸出表面或释 放出自由电子和自由空穴来参与导电的器件。
光电子 发射效应
光电导 效应
外光电效应
光生伏特 效应
光电磁 效应
内光电效应
而制定的特性参数。
♠ 它是在不断总结各种光电探测器的共同基础上而给
以科学定义的，所以这一套性能参数科学地反映了 各种探测器的共同因素。
♠ 依据这套参数，可以评价探测器性能的优劣，比较
不同探测器之间的差异，从而达到根据需要合理选 择和正确使用光电探测器的目的。
♠ 显然，了解各种性能参数的物理意义十分重要。
2.2.1 光电探测器的工作条件
1. 辐射源的光谱分布 （如单色、黑体、调制） 2. 电路的通频带和带宽 （噪声的影响） 3. 工作温度：
295K、195K、77K、20.4K 、 4.2K 4. 光敏面尺寸：1cm2 5. 偏置情况
2.2.2 响应性能参数
♠ 光电探测器和其它器件一样，有一套根据实际需要
Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷 区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩 散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。它对多 数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。
内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带 来两种影响：一是内电场将阻碍多子的扩散，二是P区和N区的 少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）一旦靠近PN结，便 在内电场的作用下漂移到对方，这种少数载流子在内电场作用 下有规则的运动称为漂移运动，结果使空间电荷区变窄。
一个被电子完全充满的价带和一个完全没有电子的
价导带带：，晶二体者中之原间子是的禁内 带。这是半导体是一个不导电
层 电电子的子所绝能填缘级满体相，对这。应种的能能 带带称被为
导带
价带♣；但是本征半导体的禁带宽度Eg较小，在热运动活
子 导填带导其带满；带它，或：外这者价界时是带空激导以的发带上能的有未带作了被称用电电为下子，，价价E带带g 的有电了子空激穴发，费跃使米迁本能级至征E禁导半F带
ＰＮ结的单向导电性
（1） 外加正向电压 （正偏）
发光二极管
PN结上加正向电压，外电场与 内电场方向相反，扩散与漂移运动 平衡被破坏。外电场驱使P区空穴 进入空间电荷区抵消一部分负电荷， 同时N区自由电子进入空间电荷区 抵消一部分正电荷，则空间电荷区 变窄，内电场被削弱，多子的扩散 运动增强，形成较大的扩散电流 （由P区流向N区的正向电流）。在 一定范围内，外电场愈强，正向电 流愈大，这时PN结呈现的电阻很低， 即PN结处于导通状态。
（2） 外加反向电压 （反偏）