GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

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恒定应力加速寿命试验中无失效数据的处理

恒定应力加速寿命试验中无失效数据的处理
茆诗松;陆淑兰
【期刊名称】《应用概率统计》
【年(卷),期】1993(009)002
【摘要】1.问题的提出:一种KP500A/1600 V平板型普通晶闸管的寿命服从Weibull分布,为获得此种产品在正常温度s_0=85℃下的各种可靠性指标。

特选温度作为加速应力,在三个不同温度下按排一次恒定温度加速寿命试验(简称恒加试验)。

试验情况和试验结果如表1所示。

值得注意的是,该恒加试验在低温度s_1=125℃下出现无失效现象。

这给数据处理带来了困难。

本文试图用定时截尾寿命试验的方法[2]去处理s_2和s_3下的有失效数据,而用Bayes方法去处理s_1下的无失效数据。

最后用恒加试验方法[1]进行综合,获得初步结果。

【总页数】3页(P216-218)
【作者】茆诗松;陆淑兰
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】O213.2
【相关文献】
1.恒定及步进应力加速寿命试验在电容器中的应用 [J], 王锡清;张皓;杨广斌
2.恒应力加速寿命试验中无失效数据的处理 [J], 严拴航;师义民
3.双应力下恒定应力加速寿命试验的最优线性不变估计 [J], 孙利民;夏爱生;周学清
4.灰色预测在恒定应力加速寿命试验中的应用 [J], 傅志中
5.瑞利分布恒定应力加速寿命试验的贝叶斯估计 [J], 武东;李琼
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一种高线性度的单片集成电调衰减器

2020年6月一种高线性度的单片集成电调衰减器白银超，刘方罡，王磊（中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051）【摘要】本文设计了一款GaAs PHEMT 微波单片集成电调衰减器，该电路设计采用T 型衰减器的拓扑结构，对电调衰减器的线性度进行了专门设计。

针对电调衰减器的线性度进行分析，提出了一种有着更小的电阻变化率的FET 管，提高了输入三阶交调截取点。

采用中国电科第十三研究所0.25μm GaAs PHEMT 工艺进行了仿真和流片，测试结果表明，在频率0.05~3GHz 内，衰减动态范围大于25dB ，输入三阶交调截取点大于30dBm 。

该款微波单片集成电调衰减器设计达到了预期性能，并实现了高线性度的目标。

【关键词】砷化镓（GaAs ）；微波单片集成电路（MMIC ）；电调衰减器；输入三阶交调截取点（IIP3）【中图分类号】TN715【文献标识码】A 【文章编号】1006-4222（2020）06-0203-020引言衰减器是一种重要的无源控制电路,用于在微波系统中实现对信号幅度的控制。

在现代通信系统中,对信号幅度的控制也可以用电压可变放大器(variable voltage amplifier ,VGA )实现,但是改变VGA 的增益需要改变偏置电压或电流,就会改变放大器的线性偏置点,从而影响系统的线性。

因此,衰减器就成为在大功率输入下实现增益调节的同时保持良好线性度的选择。

目前已经有相关学者设计了高线性度的电调衰减器,Marcus Granger-Jones 等人使用SOI CMOS 工艺设计了工作频率在0.05~4GHz ,IIP3达到47dBm 的电调衰减器[1]。

A.Bessemoulin 等人使用GaAs 工艺设计了工作频率在5~45GHz ,IIP3达到27dBm 的电调衰减器[2]。

但是,SOI CMOS 工艺的抗辐照能力较弱,使得该工艺设计的电路难以在空间中使用,而GaAs 工艺尚未有设计在低频下工作的电调衰减器。

GaAs PHEMT器件的可靠性评估方法研究

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邓文基许燕华南理工大学物理科学与技术学院重点实验室电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级
前言
由于P H E M T ( 赝配结构高电子迁移率晶体管
，
可按照其它方式归类
，
已发现的器件失效机理可能
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。
是以上
一
种因素或是多种因素共同导致的
，
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因此
PH E M T 已成
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为当今
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。
，
微电子领域中最前沿和最活跃的研究领域之
是与传统的M E S F
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，
但
离率来评估此种机理引起的器件失效
一
最后介绍的
器件相比较
，
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的许多参
种是由2 D
。
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结构引起P H E
一
采取

0.25μm GaAs基MHEMT器件

0.25μm GaAs基MHEMT器件石华芬;刘训春;张海英;石瑞英;王润梅;汪宁;罗明雄【期刊名称】《半导体学报：英文版》【年(卷),期】2004(25)3【摘要】采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的 Ga As基 In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为 5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达 4 90 m A/ mm,截止频率为 75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基 In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高 .对该器件工艺及结果进行了分析 ,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数 ,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法 .【总页数】4页(P325-328)【关键词】铟铝砷/铟镓砷;变组分高电子迁移率晶体管;赝配高电子迁移率晶体管【作者】石华芬;刘训春;张海英;石瑞英;王润梅;汪宁;罗明雄【作者单位】中国科学院微电子中心【正文语种】中文【中图分类】TN386【相关文献】1.电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件 [J], 曾建平;安宁;李志强;李倩;唐海林;刘海涛;梁毅;;;;;;;;2.电子束实现210nm栅长115GHz GaAs基mHEMT器件 [J], 曾建平;安宁;李志强;李倩;唐海林;刘海涛;梁毅3.电子束实现210nm栅长115GHz GaAs基mHEMT器件 [J], 曾建平;安宁;李志强;李倩;唐海林;刘海涛;梁毅;;;;;;;;;;;;;;4.GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化 [J], 吴旭;陈效建;李拂晓5.1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC(英文) [J], 徐静波;黎明;张海英;王文新;尹军舰;刘亮;李潇;张健;叶甜春因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

高温加速寿命试验在激光器管芯可靠性分析中的应用

高温加速寿命试验在激光器管芯可靠性分析中的应用作者：杨绸绸戴智丽王连进来源：《科技创新导报》 2014年第1期杨绸绸戴智丽王连进(1，2燕山大学信息科学与工程学院河北秦皇岛 066004，3燕山大学车辆与能源学院)摘要:该文研究了高温加速寿命试验在激光器管芯可靠性分析中的应用，给出了加速老化试验的试验方法、基本概念和流程，并结合试验数据研究了高温加速寿命试验对激光器管芯的可靠性影响以及对激光器管芯寿命的预测，为在实际应用中使用高温加速寿命试验节省时间，为提高管芯可靠性提供技术支持。

关键词:激光器管芯高温加速寿命试验可靠性寿命中图分类号:TN248 文献标识码：A 文章编号：1674-098X(2014)01（a）-0077-011 可靠性分析基本理论随着市场经济和科学技术的发展，设计和制造水平的不断提高，各个领域的设备和产品不断朝着高性能和高可靠性方向发展，人们不仅要求产品物美价廉，而且十分重视产品的可靠性和安全性。

产品的可靠性越高，寿命越长，在相对短期内几乎不可能失效，因此很难获得失效数据。

这些情况的出现给可靠性分析带来了一些问题，由于无法得到足够的失效数据，这使得基于失效数据分析的传统可靠性分析方法很难使用或分析结果与实际应用偏差较大。

产品的高温加速寿命试验数据包括很多的可靠性信息，通过产品的加速寿命试验进行可靠性分析可以在很大程度上节省时间和费用。

也可以解决可靠性高、寿命比较长的产品可靠性评估问题。

本文以激光器管芯高温加速寿命为例，对高温加速寿命试验的一般概念和激光器管芯的可靠性进行了探讨，并对激光器管芯的可靠性进行了分析预测。

2 可靠性指标产品的可靠性有好几种标准衡量，有定量的，也有定性，有时要用好几种指标去衡量一种产品的可靠性，但最主要的指标有：可靠度、失效率、平均无故障工作时间(MTBF)等。

对电子产品而言，产品失效一般符合浴盆曲线分布，即产品失效分为早期失效阶段、中期稳定失效阶段和后期失效阶段。

真空封装MEMS陀螺高温老化失效机理研究

真空封装MEMS陀螺高温老化失效机理研究谷专元;何春华;陈俊光;赵前程;张大成;闫桂珍【摘要】为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理，陀螺进行125℃高温加速实验，并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。

分析结果表明，由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放，从而改变品质因子和初始检测电容，最终导致陀螺的零偏、角随机游走系数、零偏稳定性、标度因子等关键性能的严重退化。

在工程实际中有一定的参考价值。

%In order to learning the aging failure mechanism of vacuum packaging MEMS gyroscopes,here we start an accelerating experiment on gyroscopes in high temperature 125℃,and extracting the key performance parame⁃ters of gyroscope in different period. The analysis shows that high temperature brings about leakage,fatigue and stress relief of MEMS gyroscopes’inside materials,changes the quality factor and beginning detecting capacitance, finally leads to the serious degradation of gyroscopes’key performance,such as bias,angle random walk,bias sta⁃bility,scale factor,which provides theoretical basis for improving the performance and reliability of gyroscopes. In engineering practice,this paper has a certain practical reference.【期刊名称】《传感技术学报》【年(卷),期】2016(029)011【总页数】6页(P1637-1642)【关键词】微机械陀螺;老化;真空封装;失效机理【作者】谷专元;何春华;陈俊光;赵前程;张大成;闫桂珍【作者单位】华南理工大学电子与信息学院，广州510640; 工业和信息化部电子第五研究所，电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室，广州510610;工业和信息化部电子第五研究所，电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室，广州510610; 北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室，北京100871;工业和信息化部电子第五研究所，电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室，广州510610;北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室，北京100871;北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室，北京100871;北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室，北京100871【正文语种】中文【中图分类】TP393MEMS陀螺是基于柯氏效应原理，在输入角速度的作用下，使能量在驱动模态和检测模态间转移的惯性器件［1］。

Si基GaN HEMT器件高温可靠性研究

Si基GaN HEMT器件高温可靠性研究Si基GaN HEMT器件高温可靠性研究摘要：随着集成电路工作温度的不断提高，高温环境下器件的可靠性成为亟待解决的问题。

本文研究了Si基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件在高温环境下的可靠性，并分析了其失效机理以及可能的解决方案。

一、引言近年来，随着高功率、高速度、高频率电子设备的发展，对功率放大器和射频应用的需求也不断增加。

Si基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）凭借其优异的电特性被广泛应用于射频功率放大器、通信系统和雷达技术等领域。

然而，高温环境下的工作可靠性成为制约其广泛应用的一个重要因素。

二、高温环境下器件失效机理1. 热失效高温环境下，器件内部发生的热失效是主要的失效机制之一。

当温度升高时，晶体管的导电层与绝缘层之间的激发电子和空穴的数目增加，导致局部热点，进而引发热失效。

2. 电热失效高温下电热失效也是影响器件可靠性的重要因素之一。

电子与其他粒子的碰撞频率加快，其能量转化为热能的速率也相应增加，导致电热失效。

3. 氧化层失效高温下，氧化层的腐蚀速度增加，导致其失效，从而引起漏电、导通等问题。

三、高温环境下Si基GaN HEMT器件可靠性研究1. 温度加速寿命测试通过对一批Si基GaN HEMT器件进行不同温度下的加速寿命测试，观察器件的性能变化情况，从而评估其在高温环境下的可靠性。

2. 失效分析通过对失效的Si基GaN HEMT器件进行分析研究，确定所用失效机制以及关键成因。

3. 解决方案（1）热管理策略：采用更好的散热结构和材料，提高热导率，降低局部温度，减少热失效的发生。

（2）材料选择：优化材料选择，选用高温稳定性好的材料，减少氧化层失效的可能性。

（3）工艺优化：改进制程工艺，提高器件的可靠性。

四、结论通过对Si基GaN HEMT器件在高温环境下的可靠性研究，我们发现热失效、电热失效和氧化层失效是主要的失效机制。

针对这些失效机制，我们可以采取热管理策略、优化材料选择和改进工艺等方案来提高器件的高温可靠性。

GaAsPHEMT器件的失效模式及机理

路可靠性。
ＤＮＩＨＮＩＫＫＯＩＵＵＮＩＩＮＩｚＣＡＰＥＡＸＧＹＨＡＪＧＳＹＡＮＮＮＨＡ１９
维普资讯
电子产品可靠性与环境试验
２０年ｏ７
可归结为不同失效机理的表现形式。ＧＡｓＨＭＴａＥＰ
ＡｂｔａｔｈａｉａｌｒｄｓｏＡｓＰＭＴｒｕｓｒｃ：ＴｅｂｓｃｆｉｅｍｏｅｆｕＧａＨＥｓａｅｓｍｍａｉｅ．ｉａｌｒｃａｉｍｓａｅｒｚｄＳｘｆｉｅｍｅｈｎｓｒｕ
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效，属向体内扩散并在金属条上形成空洞。金
关键词：ａｓＨＭ；ＧＡＥＴ栅接触；接触；Ｐ欧姆高温加速应力试验；寿命预计
中图分类号：Ｎ８Ｔ３６
文献标识码：Ａ
文章编号：０５—９９（００００２０１０４０２１）１— ０２— ５
Ｍｏｅｖｒｒｏｅ，ＡｕＮｉｈｃｃｎａｔｃｕｓｅｅｔｍｉｒｔｎａｈｇｅｅｅａｕｅ２５ ℃ ，ｎｅｍｅａｄｆｓｓｉｔＧｅｍｉｏｔｃｃｒｌｃｒｇａｉｔｉｈｒｔｍｐｒｔｒ２ｏｏｏｏａｄｔｔｌｉｕｅｎｏｈｆ
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ＥＥＡＣＣ：２６５０Ｓ：２０Ｄ５３
ＧＡＨＭＴ器件高温加速寿命试验及物理分析术ａｓＰＥ
崔晓英，许燕，黄云
（业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，州５０１）工广１６０
第３３卷第１期
２１００年２月
电子器件
ＣｉｅｅＪｕｎｌｏｌｃｒｎＤｖｃｓｈｎｓｏｒａｆｅｔｅｉｅＥｏ
Ｖｏ．３Ｎｏ．１３１Ｆｂ．２０ｅ０１
பைடு நூலகம்
ＩｉｅｅａｕｅＡｃｌｒｎｉｅｔｎｈｓａｎｌｓｆＧａｓＰＭＴＤｅｉｅｌｈＴｍｐｒｔｒｃｅａｔｆＴｓｄＰｙｉｌａｙｉｏＡＨＥｇｅＬｅａｃＡｓｖｃ
摘要：ａｓＧＡ微波器件的退化与金属化稳定性密切相关，实现ＰＥＴＨＭ器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化
和信号传输线金属化。本文针对定制的ＧＡＨＭａｓＰＥＴ器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验，并对器件金属化失效单机理进行寿命预计，同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在１０℃ ８下就发生失效，接触孔链表面的金属化层形变，金属化发生了迁移；ＡＧＮ欧姆接触在２５℃高温下更易发生电迁移失而ｕｅｉ２
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