微传感器原理与技术
微压力传感器的原理
微压力传感器的原理
微压力传感器的原理是利用压阻效应来测量微小压力。
当压力传感器受到外力作用时，其薄膜弯曲或变形，从而改变电阻器的电阻值。
通过测量电阻值的变化，可以间接得知外力的大小。
具体原理如下：
1. 压阻薄膜：压力传感器通常由一层薄膜制成，该薄膜具有良好的弹性和可薄膜弯曲的性能。
2. 电阻器：在压力传感器的薄膜上涂有一个电阻器。
当薄膜发生弯曲变形时，电阻器的电阻值会发生相应的变化。
3. 电桥电路：通过将电阻器与其他电阻器连接成电桥电路，可以将电阻值的变化转化为电压信号变化。
4. 放大器：将电压信号放大后，传送给数据采集设备或显示设备，从而实现对微压力的测量。
当外部压力作用于传感器上时，薄膜会发生弯曲变形，导致电阻值的变化。
这种变化可以通过电桥电路来检测和转换为电压信号，进而测量出外部压力。
微电流传感器的工作原理
微电流传感器的工作原理微电流传感器是一种高精度、高灵敏度的电子传感器，可以用来检测和测量微弱电流信号。
其基本原理是将微弱电流信号放大，从而达到可以被检测和测量的程度。
下面，我们将从工作原理、结构和应用三个方面来介绍微电流传感器。
一、工作原理微电流传感器的工作原理基于霍尔效应，即在磁场中通过导体产生的电场电势差。
它包含了一个线圈和一个磁场，以及一个被测量电流的传感元件。
这个传感元件常常采用霍尔元件，其内部有一个小电流通过导电层，使之处于感应磁场的影响下。
磁场的变化将导致导电层内的电荷分布产生变化，从而产生一个电势差，其大小正比于导电层内的电流和感应磁场的产生的磁通量。
这个电势差被放大，并测量其幅度，从而得到微弱电流信号的大小。
二、结构微电流传感器的结构包含传感器芯片、线圈和磁场等组成部分。
传感器芯片通常采用压敏陶瓷或半导体材料，具有很高的电阻率和电阻温度系数，能够实现高精度检测和测量微弱电流信号。
线圈负责产生磁场，通常采用磁铁或电磁线圈，使被测电流通过线圈后产生的磁感应强度达到可检测和测量的程度。
而磁场产生器通常采用稳定的磁体和电源，提供稳定的磁场和电流。
三、应用微电流传感器广泛应用于电子测量、通信、工业自动化、医疗设备、环境监测等领域。
其中，医疗设备领域中，微电流传感器可用于心电图数据采集和监测，具有高精度、高稳定性、安全可靠等特点。
而在环境监测领域中，微电流传感器则可用于水质监测、空气污染监测等方面，实现对细微的环境变化进行高精度测量和监测。
总结通过上述的介绍，我们了解了微电流传感器的工作原理、结构和应用。
微电流传感器的主要优点是高精度、高灵敏度、安全可靠、结构简单等，其缺点则包括较高的价格和易受外界干扰等。
在今后的发展中，微电流传感器将逐渐取代传统电流测量方法，成为电子测量和监测的主流技术。
mems传感器原理
mems传感器原理MEMS传感器原理一、引言MEMS（Micro Electro-Mechanical Systems）传感器是一种微型传感器技术，通过将微机电系统与传感器技术相结合，实现了在微尺度上感知和测量各种物理量的能力。
本文将介绍MEMS传感器的原理和工作方式。
二、MEMS传感器的构成MEMS传感器通常由微机电系统（MEMS）和传感器元件两部分组成。
MEMS部分由微小的机械结构组成，通过微加工工艺制造而成，包括微加速度计、微陀螺仪、微压力传感器等；传感器元件则是通过MEMS部分感知和转换物理量，如加速度、角速度、温度、压力等。
三、MEMS传感器的工作原理1. 加速度传感器原理加速度传感器是MEMS传感器中最常见的一种类型。
它利用微机电系统中的微小质量块和微弹簧构造，通过测量微小弹簧的位移来感知加速度。
当受到外力作用时，微小质量块将发生位移，通过测量位移的变化来计算加速度的大小。
2. 陀螺仪原理陀螺仪是一种用于测量角速度的MEMS传感器。
它利用了旋转物体的角动量守恒原理。
陀螺仪中的微机电系统结构包括一个微小的旋转质量块和微弹簧。
当陀螺仪受到角速度作用时，旋转质量块会产生角动量，通过测量角动量的变化来计算角速度的大小。
3. 压力传感器原理压力传感器利用微机电系统中的微小薄膜结构来感知压力变化。
微小薄膜受到外部压力作用后，会发生微小位移，通过测量位移的变化来计算压力的大小。
薄膜的材料和结构设计对传感器的灵敏度和精度有重要影响。
4. 温度传感器原理温度传感器是一种基于热敏效应的MEMS传感器。
它利用了温度变化对材料电阻或电容的影响。
传感器中的热敏元件受到温度变化的影响，导致电阻或电容发生变化。
通过测量电阻或电容的变化来计算温度的大小。
四、MEMS传感器的应用MEMS传感器在各个领域有广泛的应用。
在汽车行业中，MEMS传感器被用于车辆稳定性控制、空气袋系统和安全气囊等。
在智能手机和可穿戴设备中，MEMS传感器被用于加速度计、陀螺仪和磁力计等。
mems传感器原理
mems传感器原理MEMS传感器原理MEMS传感器是一种微型传感器，全称为Micro-Electro-Mechanical Systems传感器，是利用微机电技术制造的传感器。
它的工作原理是通过微小的机械运动或电学信号的变化来测量和检测物理量。
MEMS传感器广泛应用于手机、汽车、医疗设备等各个领域，成为现代科技的重要组成部分。
1. MEMS传感器的结构MEMS传感器的核心部分是微机电系统。
它由微小的机械结构和电学部分组成。
微小的机械结构通常由硅片制成，具有非常高的精度和稳定性。
电学部分则包括传感器的电路和信号处理单元。
这些部分通过微纳加工技术相互结合，形成一个完整的MEMS传感器。
2. MEMS传感器的原理MEMS传感器的工作原理主要分为机械型和电容型两种。
机械型MEMS传感器利用微小的机械结构的运动来感知物理量。
例如，加速度计就是一种机械型MEMS传感器。
它通过测量微小结构的运动变化来检测物体的加速度。
当物体加速或减速时，微小结构会受到力的作用，从而产生微小的位移。
通过测量这个位移，可以确定物体的加速度。
机械型MEMS传感器还可以用于测量压力、温度等物理量。
电容型MEMS传感器则利用电学信号的变化来感知物理量。
其中最常见的是电容式加速度计。
电容式加速度计由两个电极组成，当传感器受到加速度时，电极之间的电容会发生变化。
通过测量电容的变化，可以确定物体的加速度。
电容型MEMS传感器还可以用于测量角度、磁场等物理量。
3. MEMS传感器的优势MEMS传感器相比传统的传感器具有许多优势。
MEMS传感器体积小、重量轻。
由于采用了微纳加工技术，MEMS 传感器可以制造出非常微小的结构，从而大大减小了传感器的尺寸和重量。
这使得MEMS传感器可以方便地集成到各种设备中，如手机、智能手表等。
MEMS传感器功耗低。
由于体积小，MEMS传感器所需的电力也较低。
这不仅延长了电池寿命，还降低了能源消耗。
MEMS传感器响应速度快。
微型传感器技术的原理与应用
微型传感器技术的原理与应用随着物联网、智能家居等领域的迅速发展，传感器技术正在扮演着越来越重要的角色。
而微型传感器，则是传感器技术中的一种重要分支，它不仅具有传统传感器的测量功能，而且尺寸更小、能耗更低。
本文将从微型传感器技术的原理与应用两个方面进行论述。
一、微型传感器技术的原理微型传感器是一种尺寸非常小的传感器，它可以通过微电子技术将传感元件集成在芯片上，具有体积小、功耗低、响应速度快、成本低等优点。
微型传感器主要包括微压力传感器、微温度传感器、微湿度传感器、微流量传感器等。
下面以微压力传感器为例，介绍微型传感器的原理。
微压力传感器的工作原理是基于微电子机械系统（MEMS）技术，它主要由四部分组成：压力传感器芯片、信号处理电路、信号输出电路以及连接线路。
其中，压力传感器芯片是关键组成部分，它是由导电形变材料等微机电构件制成的。
当受到外界压力刺激时，压力传感器芯片会产生形变。
通过将这种形变转化为电信号进行测量，我们就可以得到外界压力的大小。
这种变化的量程通常经过校准，以确保输出的信号精度达到一定的标准。
二、微型传感器技术的应用微型传感器它可以应用于多个领域，如自动化、智能家居、医疗健康、环境监测等。
以下是其中的几个应用案例。
1. 智能家居随着机器学习、人工智能等技术的应用，智能家居已经成为了一个越来越流行的概念。
微型传感器可以与这些技术结合，为用户提供更加智能的家居体验。
比如，我们可以安装微湿度传感器来监测房间内的湿度，如果湿度过高，就会自动打开加湿器，让环境更加舒适。
2. 医疗健康微型传感器可以帮助医生们进行更加精准的诊断与治疗。
比如，在糖尿病患者中，可以使用微压力传感器来测量血糖水平，以及跟踪患者的血糖变化。
这可以使医生更加准确地诊断病情与制定治疗方案。
3. 环境监测微型传感器可以安装在有害气体的检测中，可以在企业的生产过程中，进行二氧化碳、氨气、氮氧化物等气体的监测，并通过信号处理电路将数据传输到管理人员的手机App中监测到内部空气质量的相关情况，为企业员工创造舒适、健康的工作环境。
传感器原理与技术
传感器原理与技术
传感器是一种能够将物理量转化为电信号的设备或装置，它通过感知和测量外部环境中的物理量来实现对环境变化的监测和控制。
传感器的原理和技术主要包括以下几个方面：
1. 效应原理：传感器工作的基础是利用物理效应来感知环境中的物理量。
常见的效应原理有电阻效应、电磁感应效应、热敏效应、压阻效应等。
不同的物理效应适用于不同的传感器类型。
2. 传感器结构：传感器的结构设计是根据传感器的工作原理和测量要求来确定的。
常见的结构包括电阻式传感器、电容式传感器、电感式传感器等。
不同的结构对于不同的物理量有不同的灵敏度和测量范围。
3. 传感器信号处理：传感器输出的是模拟信号，为了能够更好地应用于各种控制系统中，一般需要对信号进行放大、滤波和线性化等处理。
常见的信号处理技术包括运算放大器、滤波器、模数转换器等。
4. 传感器应用：传感器的应用领域非常广泛，例如温度传感器、湿度传感器、压力传感器、光学传感器、位移传感器等。
不同的应用领域对于传感器的要求也不同，需要根据具体需求选择适合的传感器。
总之，传感器原理和技术是实现传感器功能和性能的基础，通过对物理效应的利用、传感器结构的设计、信号处理的方法以及应用的选择，可以实现高精度、高灵敏度的环境监测和控制。
微传感器原理和应用
微传感器原理和应用微传感器指的是尺寸微小的传感器，通常尺寸在微米或毫米级别。
它们可以用于感知和测量各种物理和化学量，并将检测到的信息转化为相应的电信号输出。
微传感器通过利用微纳加工技术，具有体积小、灵敏度高、快速响应、可扩展性好等特点，广泛应用于自动化、环境监测、医学诊断、生物学研究等领域。
微传感器的基本原理可以分为力传感、压力传感、光电传感、热敏传感、化学传感等。
力传感原理是通过传感器的弹性变形来测量物体所受的力。
例如，微型压力传感器常用于测量压力的变化，其结构通常包括细管和弹性薄膜。
当外部压力作用在细管上时，细管发生弯曲变形，弹性薄膜上的应变电阻发生变化，从而实现压力的测量。
压力传感原理是通过测量介质受压时的变形来感知压力。
微型电容式或电阻式压力传感器常用于测量液体或气体的压力变化。
传感器内部的薄膜或弹性体受到外部压力作用，导致电容或电阻值发生变化，从而测量压力。
光电传感原理是通过测量光的特性来感知物体的相关信息，如光的强度、波长、方向等。
微型光电传感器常用于测量光的强度和位置。
例如，微型光电传感器可以应用于光电触发装置，用于物体的位置检测、速度测量等。
热敏传感原理是通过测量材料的温度变化来感知环境的温度特征。
微型热敏传感器常用于测量温度的变化和分布。
例如，微型温度传感器可以应用于智能手机、电子设备等产品中，用于测量温度，实现温度控制和保护。
化学传感原理是通过感知介质中存在的化学物质，来测量其浓度、成分等特征。
微型化学传感器常用于环境监测、生物传感、食品检测等领域。
例如，微型pH传感器可以测量液体中的酸碱度，微型气体传感器可以测量气体中的浓度等。
微传感器具有广泛的应用前景。
在自动化领域中，微传感器可以用于测量和控制各种物理量，如压力、流量、温度等，实现自动化过程的监测与控制。
在环境监测领域中，微传感器可以用于检测大气中的污染物、水体中的水质、土壤中的营养元素等，为环境保护提供数据支持。
在医学诊断领域中，微传感器可以应用于血糖测量、血压监测、心电图检测等，实现对人体健康状态的实时监测和分析。
mems传感器原理
mems传感器原理MEMS传感器原理。
MEMS传感器（Micro-Electro-Mechanical Systems Sensor）是一种微型化的传感器，它利用微机电系统技术，将微型机械结构、微电子器件和微加工技术相结合，实现了对微小物理量的检测和测量。
MEMS传感器在许多领域都有着广泛的应用，比如汽车行业、医疗设备、智能手机等。
本文将介绍MEMS传感器的原理及其工作机制。
1. MEMS传感器的原理。
MEMS传感器的原理基于微机电系统技术，其核心是微型机械结构和微电子器件。
在MEMS传感器中，微机械结构起着感应作用，而微电子器件则负责信号的处理和输出。
微机械结构通常由微米级的机械零件组成，比如微型弹簧、振动结构等，这些微机械结构对外界的物理量变化非常敏感。
当外界物理量作用于微机械结构时，微机械结构会产生微小的位移或变形，这种微小的位移或变形会引起微电子器件中的信号变化，最终输出检测到的物理量。
2. MEMS传感器的工作机制。
MEMS传感器的工作机制可以简单分为三个步骤，感应、转换和输出。
首先是感应阶段，当外界物理量作用于MEMS传感器时，微机械结构会产生微小的位移或变形。
这个过程类似于传统传感器中的敏感元件受到刺激后的变化，只不过在MEMS传感器中，这种变化是微米级甚至纳米级的微小变化。
接着是转换阶段，微机械结构的微小位移或变形会引起微电子器件中的信号变化。
这些微电子器件可以是微型电容、微型电阻、微型压电器件等，它们会将微小的位移或变形转换为电信号或其他形式的信号。
最后是输出阶段，经过信号转换后，MEMS传感器会输出检测到的物理量。
输出的信号可以是电压信号、电流信号、数字信号等，这取决于MEMS传感器的类型和应用场景。
3. MEMS传感器的特点。
MEMS传感器具有许多独特的特点，使其在众多传感器中脱颖而出。
首先，MEMS传感器具有微型化和集成化的特点。
由于采用了微机电系统技术，MEMS传感器的尺寸非常小，可以轻松集成到各种微型设备中，比如智能手机、可穿戴设备等。
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一、名词解释：MEMS：其英文全称为Micro-Electro-Mechanical System，是用微电子，即microelectronic 的技术手段制备的微型机械系统。
第一个M也代表器件的特征尺寸为微米量级，如果是纳米量级，相应的M这个词头就有nano来替代，变为NEMS，纳机电。
MEMS及NEMS是在微电子技术的基础上发展起来的，融合了硅微加工、LIGA技术等的多种精密机械微加工方法，用于制作微型的梁、隔膜、凹槽、孔、反射镜、密封洞、锥、针尖、弹簧及所构成的复杂机械结构。
（点击）它继承了微电子技术中的光刻、掺杂、薄膜沉积等加工工艺，进而发展出刻蚀、牺牲层技术、键合、LIGA、纳米压印、甚至包括最新的3D打印技术SOI: SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。
通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。
SOC:SOC-System on Chip，高级的MEMS是集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统，这样的系统也称为SOC，即在一个芯片上实现传感、信号处理、直至运动反馈的整个过程。
LIGA:LIGA是德文光刻、电镀和模铸三个词的缩写。
它是在一个导电的基板上旋涂厚的光刻胶，然后利用x射线曝光，显影后形成光刻胶的模具，再用电镀的方法在模具的空腔中生长金属，脱模后形成金属的微结构。
特点：该工艺最显著的特点是高深宽比，若用于加工一个细长杆，杆的直径只有1微米，而高度可达500微米，深宽比大于500，这是其他技术无法比拟的。
其次，它还具有材料广泛的特点，可加工金属、陶瓷、聚合物和玻璃。
但传统的LIGA采用的x射线曝光工艺极其昂贵，近年来采用SU-8光刻胶替代PMMA光刻胶，紫外曝光代替x射线曝光的准LIGA技术获得了更广泛的发展和应用。
DRIE:反应离子深刻蚀（Deep RIE）。
干法刻蚀的典型工艺是DRIE深槽刻蚀。
刻蚀分为两步，第一步，通入SF6刻蚀气体进行反应离子刻蚀，刻蚀是各向同性的，即槽底不仅要被刻蚀，槽壁也会被刻蚀。
如果就一直这样刻下去，刻蚀的图形和掩模定义的图形将完全不一样，很难控制微结构的尺寸。
解决此问题的方法是分步刻蚀，逐次推进。
在刻蚀进行10多秒钟转入第二步，快速地将刻蚀气体切换成保护气体C4F8，C4F8在等离子的作用下进行聚合，生成类似于特氟龙这种不粘锅材料，沉积在槽底和槽壁上。
10多秒钟后，又切换成SF6刻蚀气体，等离子体中的正离子在电场加速作用下只轰击槽底，而不怎么轰击槽壁，优先将槽底的聚合物保护膜打掉，暴露出硅片表面，从而使得化学刻蚀反应能够再次进行。
刻蚀时，由于槽壁上仍然保留有保护膜，而不会被刻蚀。
重复这样的刻蚀-保护过程，就能在硅片上刻蚀出垂直的深槽。
深槽在宏观上的垂直度能达到88-92°，但微观上其侧壁是有多段小弧形连接而成。
干法刻蚀不再象湿法腐蚀那样需要晶向的对准，因此可以制备出齿轮、弹簧等复杂的图形。
二、多项选择题第一章、1、MEMS器件的尺寸范围是：（1）（1）从1um到1mm （2）从1nm到1um （3）从1mm到1cm3、微系统部件的“深宽比”被定义为（1）之比（1）高度方向尺寸和表面方向尺寸（2）表面方向尺寸和高度方向尺寸（3）宽度方向尺寸和长度方向尺寸4、目前为止，商品化最好的MEMS器件是（2）（1）压力传感器 (2)喷墨打印头（3）加速度传感器第二章、1、在曝光后被溶解的光刻胶是（1）（1）正胶（2）负胶（3）正胶或负胶2、光刻中用正胶将导致的效果（3）（1）更好（2）更劣（3）与应用负胶相同3、常用光刻中光源的波长范围是：（2）（1）100-300nm （2）300-500nm （3）500-700nm4、MEMS光刻与IC光刻的主要区别在于：（1）（1）MEMS光刻需要在更为不平整的表面上进行（2）MEMS光刻的线条更细（3）MEMS光刻都需要双面进行5、光刻技术中的曝光方式有（1）（2）（3）（1）接近式曝光（2）接触式曝光（3）投影式曝光6、曝光方式中，图形尺寸和掩膜尺寸一致（1）（2）（1）接近式曝光（2）接触式曝光（3）投影式曝光7、影像光刻线宽的最主要因素是（1）（1）光的衍射（2）光的干涉（3）光的反射8、剥离法制备图形的薄膜的基本步骤（2）（1）（3）（1）沉积薄膜（2）光刻胶图形化（3）去除光刻胶9、在传统的投影曝光机中，一般实现的最小线宽为（2）（1）0.5λ（2）1λ（3）2λ第三章、1、体硅制造主要涉及部分材料从基底上的（2）（1）增加（2）减除（3）既有增加也有减除2、体硅制造中主要采用的微加工工艺为（1）（1）腐蚀（2）沉积（3）扩散3、各向同性腐蚀在微制造中几乎是不理想的，原因是（3）（1）腐蚀速度太慢（2）成本太高（3）难于控制腐蚀方向4、硅的（1）晶向之间的腐蚀速率比时400:1（1）[100]和[111] （2）[110]和[111] （3）[110]和[100]5、硅晶体中（111）晶面和（100）晶面的夹角（2）（1）50.74 （2）54.74 （3）57.476、各向异性腐蚀和各向同性腐蚀的速率相比（3）（1）更快（2）更慢（3）差不多相同7、KOH腐蚀剂对sio2的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率慢（1）（1）100倍（2）1000倍（3）20000倍8、氮化硅的抗腐蚀性要比sio2（1）（1）更强（2）更弱（3）几乎相同9、材料的选择比越高，作为腐蚀掩膜的能力越（1）（1）越好（2）越坏（3）不好也不坏10、在HNA腐蚀液中，掺杂的硅片的腐蚀速度会（1）（1）更快（2）更慢（3）没有影响11、在湿法腐蚀时，（1）处会和掩膜的图形不一样（1）凸角（2）凹角（3）两者都会12、湿法腐蚀时保留下来的时腐蚀速度（2）的晶面（1）快（2）慢（3）与速度无关13、湿法腐蚀的腐蚀深度控制技术有（1）（2）（3）（1）p-n结停止腐蚀技术（2）浓硼腐蚀停止技术（3）中间层停止技术14、p-n结腐蚀停止技术又叫做（1）（2）（1）偏压腐蚀（2）电化学腐蚀（3）p+腐蚀15、在（100）硅片的湿法腐蚀中，腐蚀出来的线条会沿（2）晶向族（1）[100] （2）[110] （3）[111]16、在（110）硅片的湿法腐蚀中，掩膜上的线条必须沿晶向族（3）（1）[100] （2）[110] （3）[111]17、采用湿法腐蚀，下述硅片能实现高深宽比的有（2）（1）[100] （2）[110] （3）[111]18、硅的过分掺杂会导致--------残余应力19、湿法腐蚀可以在（P-N掺杂硅）边界停止20、如图所示，制备在（100）硅片上的U形氮化硅掩膜对硅片进行KOH湿法腐蚀，最终获得的微结构是（氮化硅的悬臂梁）21、在（100）硅片上制备圆形的掩膜（硅片被遮住的部分为图形），利用碱液进行湿法腐蚀会获得（2）微结构。
（1）硅的圆柱（2）硅的四愣锥（3）硅的三楞锥第四章干法1、反映离子刻蚀的机理包括（1）（2）（1）等离子体增强化学气相反应（2）溅射轰击（3）侧壁保护2、DRIE代表（3）（1）干法腐蚀（2）干法反映离子刻蚀（3）深层反应离子刻蚀3、DRIE的主要工艺方法有（1）（2）（1）刻蚀和侧壁保护顺序进行的方法（2）刻蚀和侧壁保护同时进行的方法（3）不需要侧壁保护的方法4、在BOSCH和低温两种DRIE刻蚀工艺中，侧壁更为光滑的是（2）（1）BOSCH （2）低温工艺（3）两者区别不大5、在RIE刻蚀中，深宽比越大，刻蚀速率越（2）（1）快（2）慢（3）一样6、在干法刻蚀中，掩模板的线条与硅片晶向的关系为（3）（1）必须沿[110]方向（2）必须沿[111]方向（3）与方向无关7、干刻中刻蚀硅的气体有：（1）（2）（1）四氟化碳（2）四氟化硫（3）C4F88、氟基气体干法刻蚀硅片在本质上是：（1）（1）各向同性的（2）各向异性的（3）与温度有关9、表面硅制造中主要采用的微加工工艺为（2）（1）腐蚀（2）薄膜沉积（3）扩散第五章表面加工方法1、PSG代表（2）（1）多晶硅玻璃（2）磷硅酸盐玻璃（3）磷硅玻璃2、表面微加工中的牺牲层被用于（2）（1）强化微结构（2）在微结构中产生必要的几何空间（3）作为结构的部分3、表面微加工中最常用的结构材料是：（2）（1）PSG （2）多晶硅（3）二氧化硅4、在表面微加工中，牺牲层的腐蚀速率与其他层的腐蚀速率相比必须（3）（1）慢得多（2）几乎相同（3）快得多5、粘连存在于：（2）（1）体硅微制造（2）表面微加工（3）激光微加工6、在由表面微加工制作完成的微结构中，粘连会造成：（3）（1）不匹配材料层（2）薄膜（3）层间原子力7、可用于减少粘连的方法主要有：（1）（2）（3）（1）表面厌水处理（2）干法释放（3）在粘连面上设计凸点8、设计的平面微结构经表面加工后向上弯曲，说明薄膜中存在（2）（1）压应力（2）拉应力（3）中心是压应力，边缘是拉应力9、薄膜应力的主要类型是：（1）（3）（1）热应力（2）界面应力（3）生长应力10、薄膜的制备温度越高，热应力越：（1）（1）大（2）小（3）与温度无关11、减少应力的方法主要有：（1）（2）（3）（1）优化薄膜制备工艺（2）退火处理（3）多层薄膜，应力补偿。
12、多晶硅被普遍应用的原因是它被制成：（1）（3）（1）半导体（2）绝缘体（3）电导体13、硅的湿氧化常被采用，由于（1）（1）二氧化硅质量好（2）快的氧化速度（3）低成本14、硅石理想的MEMS材料的主要原因是：（1）（2）（3）（1）在很大温度范围内的尺寸稳定（2）轻和结实（3）容易得到15、PECVD是：（3）（1）低压化学气象沉积（2）常压化学气相沉积（3）等离子体增强化学气相沉积第六章其他方法1、LIGA工艺制造MEMS，常用材料：（3）注：几乎没有限制（1）限于硅（2）限于陶瓷（3）可以是单晶材料2、同步X射线在LIGA工艺中用于光刻的原因是：（3）（1）它对光刻更有效（2）它是更便宜的光源（3）它能深入光刻胶材料3、LIGA工艺的主要优势是它能够产生：（1）（1）高深宽比的微材料（2）低成本的微结构（3）尺寸精确的微结构4、LIGA工艺中必须使用导电基板的原因是需要：（2）（1）信号···（2）金属的电镀（3）···电加热5、LIGA工艺中最好的光刻胶是：（3）（1）PCM （2）PMI （3）PMMA6、UV-LIGA是在LIGA工艺的改造，其特点是：（1）（2）（1）能制备高深宽比的微结构（2）成本比LIGA大大降低（3）能制备悬臂梁、空中的腔等7、成本最低的微制造技术是：（1）（1）体硅制造法（2）表面微加工（3）LIGA工艺8、最灵活的微制造技术：（2）（1）体硅制造法（2）表面微加工（3）LIGA工艺9、一个硅玻璃的阳极键合发生于：（2）（1）高温下（2）高温高电压下（3）高温和高压下10、硅熔融键合需要的工艺条件有：（1）（2）（1）高温（2）平整的硅片（3）高温和高压下11、SOI代表：（2）绝缘体（隔离层）上的硅（1）离子分层（2）隔离物上的硅（3）隔离物下的基质12、SCI是为了阻止：（1）漏电（1）电的泄露（2）热效应的泄露（3）硅基上腐蚀的扩散13、SOI工艺通常发生在：（1）（1）1000℃左右的高温上（2）5000左右的中温（3）低200左右的低温14、微系统中的封装费用：（2）很贵。