MOSFET工作原理
mosfet 与 jfet 的工作原理及应用场合
MOSFET 与 JFET 的工作原理及应用场合一、引言在现代电子领域中，场效应晶体管（F ET）是一种重要的半导体器件，具有优越的性能和广泛的应用。
其中，金属氧化物半导体场效应管（M OS FE T）和结型场效应管（J FE T）是两种常见的FE T。
本文将介绍M O SF ET和J FE T的工作原理及其在不同应用场合的应用。
二、M O S F E T（金属氧化物半导体场效应管）M O SF ET是由一层金属氧化物绝缘层隔离门极和半导体基片的晶体管。
其工作原理如下：1.栅极电压变化：当栅极电压变化时，M O SF ET内部的电场分布发生变化，进而改变了通道中的载流子浓度。
2.载流子控制：当正向偏置栅极，使得栅极与源极之间形成正向偏压时，可以控制通道中的正负载流子的浓度。
M O SF ET在数字电路、模拟电路和功率放大器等方面有着广泛的应用：-逻辑门电路：M OS FE T可用于构建与门、或门、非门等逻辑门电路。
-放大器电路：M OS FE T可以实现低噪声、高增益的放大器电路，常用于音频放大器等领域。
-电源开关：由于MOS F ET具有低导通电阻和高关断电阻的特点，适用于电源开关电路，如开关稳压器。
三、J F E T（结型场效应管）J F ET是由P型或N型半导体材料形成的通道，两侧有控制端和漏源端的晶体管。
其工作原理如下：1.控制电压：当控制端电压变化时，通过改变通道中的空间电荷区宽度，从而改变了导电性能。
2.漏源电压：调整漏源间的电压，使其达到最大或最小值，以控制导电。
J F ET在放大器、开关和稳流源等方面具有广泛的应用：-放大器电路：J FE T具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，适用于低频放大器、微弱信号放大器等。
-开关电路：JF ET由于其控制电压变化范围大，可用于开关电路中的信号开关。
-稳流源：通过合理选择JF ET工作状态和参数，可以将其应用于稳流源电路，如电流源。
四、M O S F E T与J F E T的优缺点对比-M OS FE T的优点：1.噪声低：MO SF ET具有较低的输入噪声。
功率mosfet工作原理
功率mosfet工作原理
MOSFET是一种金属-氧化物-半导体场效应管。
它由源极、漏极和栅极组成。
栅极可以通过控制栅极电压来改变MOSFET 的导通状态。
MOSFET工作原理基于栅极电压的变化。
当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET将保持关闭状态，不会导通。
而当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET进入导通状态，电流可以从源极流向漏极。
在导通状态下，MOSFET的电阻非常小，可以实现高功率传输。
此时，栅极电压的变化可以显著影响MOSFET的导通能力。
通过调节栅极电压的大小，可以实现对MOSFET的功率控制。
具体来说，当栅极电压高时，MOSFET的导通能力强。
而当栅极电压低时，MOSFET的导通能力弱。
因此，通过调整栅极电压的大小，可以调节MOSFET的导通状态和功率传输能力。
功率MOSFET通常用于电源开关、功率放大器和电力转换等应用中。
它们具有快速开关速度和低开关损耗的优势，适用于高效能耗的电路设计。
同时，功率MOSFET还具有较低的驱动电流要求和较小的控制电压范围，使得它们易于集成到电路中，且易于控制。
这些特性使功率MOSFET成为现代电子设备中广泛应用的关键组件之一。
mosfet的工作频率
mosfet的工作频率MOSFET是一种常用于开关电路和放大器电路的半导体器件。
它具有速度快、功耗低、可靠性高等优点，因此被广泛应用于各种电子设备中。
本文将从工作频率角度介绍MOSFET的工作原理和影响工作频率的因素。
一、MOSFET的工作原理MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。
它由源极、漏极和栅极三个电极组成，具有以下的特点：1.导通电压低：通过调整栅极电压可以控制MOSFET的导通情况，其导通电压较低。
2.电阻小：MOSFET内部的电阻很小，电流能够快速地通过MOSFET。
3.功耗低：由于MOSFET的导通电阻非常小，因此在工作状态下不会产生过多的热量，功耗较低。
基本的MOSFET工作原理如下：当栅极施加一定电压时，会产生一个电场，作用于MOSFET管芯内半导体中，导致一定的电流从源极流向漏极。
栅极和漏极之间就形成了一个独立的场效应管，并且MOSFET的导通电流可以被根据栅极电压控制，从而实现开关和放大的功能。
二、影响MOSFET工作频率的因素MOSFET的工作频率受多方面因素的影响，其中主要包括：1.晶体管流经的电流：在一个固定的场效应管中，流经的电流越大，管芯内的电场就越强，导致MOSFET的反应速度变慢，从而影响工作频率。
2.晶体管缓存速度：当有一个输入信号被放入场效应管中时，管芯内的电子需要一定时间来缓存并形成输出信号。
如果MOSFET的缓存速度较慢，则容易降低工作频率。
3.MOSFET的负载能力：MOSFET在工作过程中会承担一定的负载能力，如果出现电磁干扰等不良影响，则可能导致MOSFET的工作频率变慢。
因此，在设计MOSFET电路时，必须优化晶体管的电路参数，避免因为电路参数或电子器件的特性而导致MOSFET的工作频率降低。
三、总结本文针对MOSFET的工作频率进行了详细地阐述，介绍了MOSFET 的基本工作原理和影响工作频率的因素。
通过了解MOSFET的工作原理和相关特性，可以更好的利用MOSFET在电路中的优势，达到更高的性能和更好的应用效果。
MOSFET工作原理
MOSFET工作原理MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代电子电路中最常用的一种晶体管。
它具有体积小、功耗低、开关速度快等优点，广泛应用于数码电子、计算机设备、通讯设备以及电源管理等领域。
下面我将详细介绍MOSFET的工作原理。
当栅极施加正电压时，绝缘栅层中的电场使得位于绝缘栅层下方的N 型衬底或P型衬底上形成与栅极电压相同极性的电荷。
当栅极电压越高，导电通道打开的程度越大，形成由源极到漏极的导电通道。
当栅极施加负电压时，由于绝缘栅层下方的电场减小，衬底上的电荷减少。
当栅极电压达到临界值时，导电通道被关闭。
在截止区模式下，当栅极电压低于临界值时，导电通道完全关闭，源极和漏极之间没有电流流动。
在增强模式下，当栅极电压高于临界值时，导电通道打开，源极和漏极之间有电流流动。
而且，栅极电压越高，导电通道打开的程度越大，电流也越大。
在耗尽模式下，当栅极电压低于临界值时，导电通道完全关闭，且当栅极电压低于临界值时，源极和漏极之间有一个小的漏极电流。
此时的MOSFET被称为耗尽型MOSFET。
MOSFET的特点决定了它在电子电路中的重要性。
首先，MOSFET的输入阻抗很高，可以使输入电路和输出电路之间的阻抗匹配，保持电路的稳定性。
其次，由于MOSFET具有体积小、功耗低、开关速度快等特点，它可以在集成电路中广泛应用，实现高密度、高性能的电子产品。
此外，因为MOSFET的栅电极是绝缘层，使得栅电极和源漏电极之间具有很好的电隔离性能，可以提高电路的可靠性。
总结起来，MOSFET是一种通过控制栅极电压来控制源漏电流的晶体管。
它具有截止区、增强区和耗尽区三种工作模式。
通过控制栅极电压，可以实现对MOSFET的导电通道的开关，从而控制电路的电流流动。
MOSFET的特点包括高输入阻抗、体积小、功耗低、开关速度快等，适用于集成电路和高性能电子产品中。
mosfet基本工作原理
mosfet基本工作原理
场效应晶体管（MOSFET）是一种常用的电力器件，其基本工作原理是利用电场控制电流流动。
MOSFET由三个电极构成：源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。
当电压施加在源极和漏极之间时，漏极和源极之间形成了一个电流通道。
这个通道是由两个特别掺杂的半导体材料——N型半导体（漏极和源极之间的区域）和P型半导体（通道区域）组成的。
当没有电压应用到栅极时，通道处于关闭状态，电流无法从源极流向漏极。
这是因为P型半导体的空穴和N型半导体的电
子互相结合形成一个正负电荷的屏障，阻止电流通过。
然而，一旦栅极施加了一个正电压，栅极下面的绝缘层上的电荷会产生一个电场。
这个电场会吸引P型半导体中的正空穴
或N型半导体中的负电子来到通道区域，从而消除了原本的
正负电荷屏障。
通道打开，允许电流从源极流向漏极。
通道的导电性与栅极电压有关，电压越高，通道电阻越小，电流流动越畅通。
因此，通过调整栅极电压，可以精确控制MOSFET的导通和截止状态，从而实现对电流的精确控制。
总结来说，MOSFET的基本工作原理是通过电场效应控制电
流的流动。
通过施加不同的电压到栅极，可以调整通道的电阻，进而控制电流的大小和流动方向。
mosfet工作原理
mosfet工作原理1. MOSFET的工作原理MOSFET的初衷是：MOS（金属氧化物半导体），FET（场效应晶体管），即金属层（M）的栅极被氧化物层（O）隔开，以通过以下效应控制半导体电场（S）场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型的MOS型（金属氧化物半导体FET），称为功率MOSFET（功率MOSFET）。
结型功率场效应晶体管通常称为静态感应晶体管（StaTIc InductionTIon Transistor-SIT）。
其特点是利用栅极电压控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但是电流容量小，耐压低。
适用于功率不超过10kW的电力电子设备。
2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的类型：根据导通通道，它可以分为P通道和N通道。
根据栅极电压幅值，可分为：耗尽型；耗尽型。
当栅极电压为零时，漏极与源极之间存在导电通道，为增强型。
对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）在零时存在一个导电沟道，而功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1。
功率MOSFET结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示。
当导通时，只有一个极性的载流子（多个载流子）参与导电，并且它是一个单极晶体管。
传导机制与低功率MOS晶体管的传导机制相同，但结构上存在很大差异。
低功率MOS晶体管是横向导电器件。
大多数功率MOSFET使用垂直导电结构，也称为VMOSFET （VerTIcal MOSFET），可大大提高MOSFET器件的电阻。
电压和电流承受能力。
根据垂直导通结构的不同，分为采用V型槽的垂直导通的VVMOSFET和具有垂直导通的双扩散MOS结构的VDMOSFET（垂直双扩散MOSFET）。
本文主要以VDMOS器件为例。
功率MOSFET是多个集成结构。
例如，国际整流器公司的HEXFET使用六边形电池。
西门子的SIP MOSFET使用方形单元。
mosfet工作原理
MOS晶体管也称为场效应晶体管（FET），它是集成电路中的绝缘FET。
MOS的全名是金属氧化物半导体。
具体地，该名称描述了集成电路中的MOS晶体管的结构，即，将二氧化硅和金属添加到某个半导体器件中以形成栅极。
可以切换MOS晶体管的源极和漏极，这两个都是在p型背栅中形成的n型区域。
1. MOS晶体管的工作原理MOS晶体管也称为场效应晶体管（FET），它是集成电路中的绝缘FET。
MOS的全名是金属氧化物半导体。
具体地，该名称描述了集成电路中的MOS晶体管的结构，即，将二氧化硅和金属添加到某个半导体器件中以形成栅极。
可以切换MOS晶体管的源极和漏极，这两个都是在p型背栅中形成的n型区域。
在大多数情况下，两个区域是相同的。
即使两端进行了切换，设备的性能也不会受到影响。
MOS晶体管2. MOS晶体管的工作原理-MOS晶体管的结构特性MOS晶体管的内部结构如下图所示；导通时，只有一个极性载流子（多载流子）参与导通，这是一个单极晶体管。
传导机制与低功率MOSFET的传导机制相同，但结构差异很大。
低功率MOSFET是横向导电器件。
大多数功率MOSFET采用垂直导电结构，也称为VMOSFET，可大大提高MOSFET的耐压和电流电阻。
它的主要特点是在金属栅与通道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。
当管打开时，在两个高浓度n扩散区域中形成n型导电通道。
n沟道增强型MOS晶体管必须在栅极上施加正向偏置电压，只有当栅极源极电压大于阈值电压时，才能通过导通沟道来生成n沟道MOS晶体管。
N沟道耗尽型MOSFET是指具有导通沟道而无栅极电压（栅极源极电压为零）的n沟道MOS晶体管。
3. MOS晶体管的工作原理-MOS晶体管的特性3.1mos晶体管的输入输出特性对于具有公共源极连接的电路，源极和基板通过二氧化硅绝缘层隔离，因此栅极电流为0。
当VGSMOS晶体管的特性关于3.2mos晶体管的特性作为开关元件，MOS晶体管还处于截止或导通两种状态。
mosfet工作原理
mosfet工作原理
参考内容：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种半导体器件，它的工作原理基于半导体中的PN结和氧化层的场效应。
以下
是MOSFET的详细工作原理：
1. MOSFET结构：MOSFET由P型或N型半导体构成的基片
上分别沉积一层绝缘层和金属层，形成门极。
而它的源极和漏极就由基片本身或者通过不同的掺杂形成。
2. MOSFET工作原理：在MOSFET中，如果外加电压VGS
（门级源级电压）为正，门电场就会向下针对底部N型区的
电子运动，使它们从底部流向漏极。
这样就在N型区和P型
区之间形成了一个导通的沟道。
此时，因为底部电子数目不足，所以就导致了漏极电流的变化。
3. MOSFET的值：根据MOSFET的工作原理，它能够控制大
量的漏电流，而漏电流的大小取决于门电场的强弱。
因此，它的特性良好，可以用来控制不同的电路，如放大器、反馈电路、倍频器等等。
4. MOSFET的类型：MOSFET有两种类型，一种是增强型（Enhanced mode）MOSFET，另一种是消耗型（Depletion mode）MOSFET。
增强型MOSFET需要一定的门电压VGS
才能开始导电，因此被称为“增强型”，而消耗型则相反，不需要外加电压就能导电。
总之，MOSFET是一种在半导体领域应用广泛的器件，其工作原理是在PN结和氧化层的相互作用下实现场效应，从而实现不同电路的控制和放大。
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MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。
结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor--SIT）。
其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1.功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。
导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET,（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。
功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。
2.2.功率MOSFET的工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压U GS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。
但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引到栅极下面的P区表面当U GS大于U T（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
2.3.功率MOSFET的基本特性2.3.1静态特性MOSFET的转移特性和输出特性如图2所示。
漏极电流I D和栅源间电压U GS的关系称为MOSFET的转移特性，I D较大时，I D与U GS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导G fsMOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR 的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。
电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
2.3.2动态特性MOSFET其测试电路和开关过程波形如图3所示。
开通过程；开通延迟时间t d(on)-U p前沿时刻到U GS=U T并开始出现i D的时刻间的时间段；上升时间t r- U GS从U T上升到MOSFET进入非饱和区的栅压U GSP 的时间段；i D稳态值由漏极电源电压U E和漏极负载电阻决定。
U GSP的大小和i D的稳态值有关，U GS达到U GSP后，在u p作用下继续升高直至达到稳态，但i D已不变。
开通时间t on-开通延迟时间与上升时间之和。
关断延迟时间t d(off)-U p下降到零起，C in通过R S和R G放电，U GS 按指数曲线下降到U GSP时，i D开始减小为零的时间段。
下降时间t f- U GS从U GSP继续下降起，i D减小，到U GS< U T时沟道消失，i D下降到零为止的时间段。
关断时间t off-关断延迟时间和下降时间之和。
2.3.3MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和C in充放电有很大关系，使用者无法降低C in，但可降低驱动电路内阻R s减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10～100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。
场控器件静态时几乎不需输入电流。
但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。
开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
4.动态性能的改进在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。
又加上因大面积带来的大电容，所以其du/dt能力是较为脆弱的。
对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。
功率MOSFET的情况有很大的不同。
它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。
但尽管如此，它也存在动态性能的限制。
这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。
图4是功率MOSFET的等效电路，在应用中除了要考虑功率MOSFET每一部分都存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。
同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。
（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。
这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。
首先MOSFET 结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。
通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。
当反向di/dt 很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。
作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。
它们和我们一般理解PN 结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。
当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。
PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。
在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。
功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。
在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB 尽量小。
因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。
然而在严峻的动态条件下，因du/dt 通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。
此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。
所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都必须予以注意。
瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。
对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。
4.功率MOSFET驱动电路功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。
但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为：功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。
由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。
假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS(T)上升较慢，随着VDS （T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。
根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止时应提供负的栅源电压；④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。
4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析4.1.1 不隔离的互补驱动电路。
图7a）为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。
适用于不要求隔离的小功率开关设备。
图7（b）所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。
这两种电路特点是结构简单。
MOSFET栅极的关断速度变慢。
（2）有隔离变压器的互补驱动电路。
如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为（1-D）U i、关断时为D U i，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/（1-D）/ U i。
为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。
该电路具有以下优点：①电路结构简单可靠，具有电气隔离作用。
当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。
②该电路只需一个电源，即为单电源工作。
隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。
但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。
当D 较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。
当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。
所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。
（3）集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路电路构成如图11 所示。
其中UC3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容CT和电阻RT决定。
一般载波频率小于600kHz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号，UC3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。