各种长晶方法概要
晶体生长方法
晶体生长方法一、提拉法晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的论文发表于1918年。
提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。
近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体（如管状宝石和带状硅单晶等）。
所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段，生长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。
这种方法的主要优点是：(a)在生长过程中，可以方便地观察晶体的生长情况；(b)晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；(c)可以方便地使用定向籽晶与“缩颈”工艺，得到完整的籽晶和所需取向的晶体。
提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。
提拉法中通常采用高温难熔氧化物，如氧化锆、氧化铝等作保温材料，使炉体内呈弱氧化气氛，对坩埚有氧化作用，并容易对熔体造成污杂，在晶体中形成包裹物等缺陷；对于那些反应性较强或熔点极高的材料，难以找到合适的坩埚来盛装它们，就不得不改用其它生长方法。
二、热交换法热交换法是由D. Viechnicki和F. Schmid于1974年发明的一种长晶方法。
其原理是：定向凝固结晶法，晶体生长驱动力来自固液界面上的温度梯度。
特点：(1) 热交换法晶体生长中，采用钼坩埚，石墨加热体，氩气为保护气体，熔体中的温度梯度和晶体中的温度梯度分别由发热体和热交换器（靠He作为热交换介质）来控制，因此可独立地控制固体和熔体中的温度梯度；(2) 固液界面浸没于熔体表面，整个晶体生长过程中，坩埚、晶体、热交换器都处于静止状态，处于稳定温度场中，而且熔体中的温度梯度与重力场方向相反，熔体既不产生自然对流也没有强迫对流；(3) HEM法最大优点是在晶体生长结束后，通过调节氦气流量与炉子加热功率，实现原位退火，避免了因冷却速度而产生的热应力；(4) HEM可用于生长具有特定形状要求的晶体。
晶体生长方法
晶体生长方法单晶体原则上可以由固态、液态（熔体或溶液）或气态生长而得。
实际上人工晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得。
晶体生长是用一定的方法和技术，使单晶体由液态或气态结晶成长。
由液态结晶又可以分成熔体生长或溶液生长两大类。
熔体生长法这类方法是最常用的，主要有提拉法（又称丘克拉斯基法）、坩埚下降法、区熔法、焰熔法（又称维尔纳叶法）等。
提拉法此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法，被加热的坩埚中盛着熔融的料，籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体，由于固液界面附近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶，并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状单晶。
坩埚可以由高频感应或电阻加热。
半导体锗、硅、氧化物单晶如钇铝石榴石、钆镓石榴石、铌酸锂等均用此方法生长而得。
应用此方法时控制晶体品质的主要因素是固液界面的温度梯度、生长速率、晶转速率以及熔体的流体效应等。
坩埚下降法将盛满材料的坩埚置放在竖直的炉内,炉分上下两部分，中间以挡板隔开，上部温度较高，能使坩埚内的材料维持熔融状态，下部则温度较低，当坩埚在炉内由上缓缓下降到炉内下部位置时，材料熔体就开始结晶。
坩埚的底部形状多半是尖锥形，或带有细颈,便于优选籽晶,也有半球形状的以便于籽晶生长。
晶体的形状与坩埚的形状是一致的，大的碱卤化合物及氟化物等光学晶体是用这种方法生长的。
区熔法将一个多晶材料棒，通过一个狭窄的高温区，使材料形成一个狭窄的熔区，移动材料棒或加热体，使熔区移动而结晶，最后材料棒就形成了单晶棒。
这方法可以使单晶材料在结晶过程中纯度提得很高，并且也能使掺质掺得很均匀。
图3为区熔法的原理图。
区熔技术有水平法和依靠表面张力的浮区熔炼两种。
焰熔法这个方法的原理是利用氢和氧燃烧的火焰产生高温，使材料粉末通过火焰撒下熔融，并落在一个结晶杆或籽晶的头部。
由于火焰在炉内形成一定的温度梯度，粉料熔体落在一个结晶杆上就能结晶。
小锤敲击料筒震动粉料，经筛网及料斗而落下，氧氢各自经入口在喷口处，混合燃烧，结晶杆上端插有籽晶，通过结晶杆下降，使落下的粉料熔体能保持同一高温水平而结晶。
最全的材料晶体生长工艺汇总
最全的材料晶体生长工艺汇总材料晶体生长是一种重要的制备材料的方法，它可以获得具有优良性能的晶体材料，广泛应用于各个领域。
下面是一个最全的材料晶体生长工艺汇总，详细介绍了各种常用的生长方法和工艺步骤。
1.物质熔融法物质熔融法是最常用的晶体生长方法之一、它适用于高熔点物质的晶体生长，通过将材料加热到熔融状态，然后缓慢冷却，使晶体从熔融液中生长出来。
这种方法包括Czochralski法、Bridgman法等，它们的主要过程是将熔融物质加热至适当温度，然后撇去熔融液表面的杂质，然后用适当的速度慢慢降低温度，使晶体在逐渐凝固过程中从熔融液中生长出来。
2.溶液法溶液法是一种常用的低温晶体生长方法。
它适用于低熔点材料的晶体生长，通过将溶解了材料的溶液缓慢蒸发或者用化学反应生成晶体。
溶液法包括坩埚法、溶液蛹法、溶液冷温法等。
其中，坩埚法是将溶解到溶剂中的物质加热至溶解温度，然后慢慢冷却，使晶体从溶液中生长出来。
3.气相法气相法是一种高温高真空条件下进行晶体生长的方法。
它适用于高熔点、不易溶解或化学反应性强的材料的晶体生长。
气相法包括化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD）等。
这些方法通过将气体或蒸汽中的原料转化成固态晶体，然后在衬底上生长出晶体。
4.熔盐法熔盐法是一种利用熔盐作为溶剂和晶体生长培养物质的方法。
它适用于高温高熔点材料的生长和掺杂晶体的制备。
熔盐法包括坩埚熔盐法和区域熔盐法等，其中坩埚熔盐法是将晶体原料和熔盐混合，加热至溶解温度，然后通过缓慢冷却使晶体从熔盐中生长出来。
5.拉伸法拉伸法是一种通过拉伸单晶将其变成纤维或片状晶体的方法。
这种方法适用于一些难以获得大尺寸单晶的材料，通过拉伸使晶体在拉应力下断裂，形成纤维或片状晶体。
总结：以上是最全的材料晶体生长工艺汇总，介绍了物质熔融法、溶液法、气相法、熔盐法和拉伸法等常用的生长方法和工艺步骤。
不同方法适用于不同的材料和应用领域，科学家可以根据具体情况选择最适合的生长方法，以获得优质晶体材料。
长晶体的方法
长晶体的方法长晶体是指在某个方向上具有较大尺寸的晶体。
其生长方法主要有几种：单晶生长、多晶生长和晶体生长。
单晶生长是指在特定条件下，使晶体在单一晶核的基础上生长，从而得到具有高度有序排列的晶体结构。
单晶生长的方法有许多种，常见的有液相法、气相法和固相法。
液相法是指利用溶液中的溶质经过适当的操作，使溶质在溶液中重新结晶，从而生长出单晶。
液相法的优点是操作简单，适用范围广，但也存在一些问题，比如晶体生长速度较慢，晶体质量难以控制等。
气相法是指利用气体中的溶质通过气相扩散、气相反应等途径，在适当的温度和压力条件下进行晶体生长。
气相法的优点是可以获得高纯度的晶体，但其操作条件较为苛刻，且晶体生长速度较慢。
固相法是指利用固相反应或固相扩散等方式，在固体物质中进行晶体生长。
固相法的优点是可以通过控制反应条件和固相的组成来调控晶体生长速度和质量，但也存在一些问题，比如反应条件较为复杂，晶体生长速度较慢等。
多晶生长是指在特定条件下，使多个晶核同时生长，从而得到具有多个晶体结构的晶体材料。
多晶生长通常采用的方法有凝固法、凝胶法和溶胀法。
凝固法是指将溶液或熔体冷却至一定温度，使其凝固成固体晶体。
凝固法的优点是操作简单，可以大规模生产，但晶体质量较差。
凝胶法是指利用溶胶在溶胶-凝胶转变过程中产生的凝胶网络结构，来控制晶体生长。
凝胶法的优点是可以得到高纯度的晶体，但晶体生长速度较慢。
溶胀法是指在溶胶中加入溶剂，使溶剂浸润溶胶，通过溶剂的蒸发或混合，使溶胶凝胶并生长成晶体。
溶胀法的优点是操作简单，可以得到高质量的晶体，但也存在一些问题，比如晶体生长速度较慢，晶体尺寸难以控制等。
晶体生长是一门复杂而精细的科学，不同的生长方法适用于不同的晶体材料。
通过选择合适的生长方法，可以获得具有良好性能的晶体材料，进而推动相关领域的发展。
单晶生长方法介绍
3）影响石英晶体生长的因素
• 单晶生长速率的影响因素： 温度、温差、溶液过饱和度 • 在一定温差条件下，晶体的生长速率(mm／d为单位)的对 数与生长区的温度的倒数呈线性关系。 • 在一定的生长温度下，溶解区与生长区的温差越大，晶体 生长得越快，基本呈线性关系。但在实际晶体生长过程中， 晶体生长不能太快，否则晶体 质量会明显下降。 • 压强是高压釜内的原始填充度、温度和温差的函数。提高 压强会提高生长速率，这实际上是通过其它参数（溶解度和 质量交换等情况）来体现的。在温度较低时，填充度与生长 速率呈线性关系，在温度较高时线性关系被破坏。 • 在高温下，相应地提高填充度和溶液碱浓度可以提高晶体 的完整性。
许多工业上重要的单晶都可通过水热法生长。
材料 Al2O3 Al2O3 ZrO2 TiO2 GeO2 CdS 温度/℃ 450 500 600~650 600 500 500 压强/GPa 0.2 0.4 0.17 0.2 0.4 0.13 矿化剂 Na2CO3 K2CO3 KF NH4F
水热法生长晶体示意图
缓慢蒸发法制备MgAl2O4
(助熔剂法－缓慢蒸发法)
原料： MgO 80.6 g (15.7 mol%) Al2O3 204.0 g (15.7 mol%) 助熔剂：PbF2 2100 g (67.4 mol%) B2O3 10.0 g (1.0 mol%) 条件：铂坩埚，盖上开一个小孔 8h内缓慢加热到1250 C 10 – 15 d内缓慢蒸发完 用稀HNO3 洗去助熔剂 结果：晶体直径为10mm
比 较
方 法 优 点 缺 点 熔体生长法 定向凝固法 溶 液 生 长 水溶液中 结晶 助溶剂法 水热法 生长速率快 晶体颗粒大 设备简单 生长缺陷浓度 小的高质量晶 体 晶体的均匀性差 缺陷浓度大 晶体生长慢， 容器或助溶剂带 来的污染问题
几种典型的晶体生长方法.
按照组分解离手段的不同，人工晶体的制 备大致可进行如下分类:
气相
液相 晶体生长
结晶固相
过冷或过饱和 结晶固相
非晶固相
一种结晶固相
结晶固相
可自发进行 温度或压力 发生变化
另一种结晶固相
总的趋势是使体系的自由能降低
提拉法 坩埚下降法 熔体法生长
焰熔法
区熔法
单 晶 生 长 方 法
冷坩埚熔壳法
低温（水）溶液法 溶液法生长 高温溶液法 水热与溶剂热法
⑷
蒸发法
基本原理：
将溶剂不断蒸发，通过控制蒸发量来控 制溶液过饱和度，使溶液始终保持在一定过 饱和状态，从而使晶体不断生长。
特点：
比较适合于溶解度较大而溶解度温度系 数很小或者是具有负温度系数的物质。与流 动法一样也是在恒温条件下进行的，适用于 高温（＞60 ℃ ）晶体生长。
蒸发法育晶装臵示意图
细小的颈部难以承受太大的拉力； 大直径导致晶体内外温差增大；
晶体中心与外周电阻率与氧浓度的不均
一性； 对石英坩埚的品质有更高要求（更高强 度、更高纯度和低的制造成本）； 其他。
生长大直径晶体的机械手
红宝石晶体
Y3 Al5O12 : Nd 晶体
硅酸镓镧(LGS)晶体
KDP 晶体
提拉法的特点：
不同颜色的绿柱石
⑺ 循环流动法
循环流动法将溶液配臵、过热处理及 单晶生长等操作过程分别在整个装臵的 不同部位进行，而构成了一个连续的流 程，过程往返重复保证晶体的持续生长。 由于生长温度和过饱和度固定不变，故 对其控制和要求均十分严格。
优点：
始终处在最有利的温度和最合适的过饱和度下 生长，避免了因生长温度和过饱和度变化而产 生的溶质分凝不均匀和生长带等缺陷。 溶解度和溶液体积的影响，只受生长容器大小 的限制。
单晶生长方法介绍
按晶体走向和提拉方法的不同，又可分
自动提拉法－－生产单晶、YAG等氧化物单晶
液封提拉法－－生产GaAs单晶 导模提拉法－－生产宝石、LiNBO3单晶 磁场提拉法－－生产硅单晶 微重力法 双坩埚法
主要设备 加热源 温控设备（有梯度）
盛放熔体设备
旋转和提拉设备
气氛控制设备
或者 单晶炉及其配件
丘克拉斯基法生长单晶用设备
应用范围： 用于各种固体激光系统，特别是Nd :
YAG 激光器的倍频和光参量振荡，集成
光学的波导器件。
从冷却工艺上又可分 缓冷法(缓慢冷却法) 溶剂蒸发法（缓慢蒸发法）
温差法
助熔剂反应法
叫法也改变了，如助熔剂－缓冷法、助熔 剂－蒸发法等。
例：助熔剂法生长MgAl2O4单晶
缓慢蒸发法制备MgAl2O4
石英滤波器具有比一般电感电容做的滤波器体 积小，成本低，质量好等特点。在有线电通讯中 用石英滤波器安装各种载波装置，在载波多路通 讯装置（载波电话、载波电视等）的一根导线上 可以同时使用几对、几百对、甚至几千对电话而 互不干扰。使用石英的可透过红外线、紫外线和 具有旋光性等特点，在化学仪器上可做各种光学 镜头，光谱仪透镜等。
原理： 用高温高压的溶液将溶质溶解，降温，溶液 过饱和后使溶 质析出，长成单晶。 水的作用：转递压力，提高原料溶解度 1928年，德国的科学家理查德· 纳肯（Richard Nacken） 创立。主要用来生产水晶和大多数矿物。 特点： 1、高温和高压可使通常难溶或不溶的固体溶解和重结晶。 2、晶体在非受限条件下生长，晶体形态各异、大小不受限制、 结晶完好。 3、适合制备高温高压下不稳定的物相 4、水处在密闭体系中，并处于高于沸点的温度，体系处在高 压状态。
半导体制造工艺之晶体的生长概述
半导体制造工艺之晶体的生长概述半导体制造工艺中，晶体的生长是一个至关重要的环节。
晶体的质量和结构特征直接影响到半导体材料的性能和器件的性能。
本文将概述晶体的生长过程以及各种常用的晶体生长方法。
晶体的生长是将溶液中的原子、离子或分子有序排列形成完全晶体的过程。
晶体的生长大致分为以下几个步骤：核形成、生长、附着和重新结晶。
在晶体生长的过程中，各种参数的控制对最终晶体质量的影响至关重要，如溶液的浓度、温度、流速、搅拌速度等。
在半导体制造中，常用的晶体生长方法有几种，其中最常见的是气相传输法（CZ法）和液相传输法（FZ法）。
CZ法在高温下将半导体原料以气体形式转化为固体晶体，通过控制温度梯度、拉扯速度和气氛组成，实现晶体的生长。
CZ法的优点是生长速度快，晶体质量高，但由于困难控制，只能用于一些杂质浓度不太高的半导体材料。
FZ法通过在熔融区域内以特定条件下的电流通量和温度梯度来生长晶体，该方法能够更好地控制杂质的浓度和分布。
但是FZ法生长速度较慢，适用于单晶材料的生长。
为了改善半导体材料的质量和性能，还有一些其他的晶体生长方法，如熔体蒸发法、悬浮液法和分子束外延法等。
熔体蒸发法通过将原料加热到高温，使其蒸发后在低温表面上凝结形成晶体；悬浮液法是将融化的半导体材料悬浮在溶液中，并通过调节温度和浓度来控制晶体的生长；分子束外延法则是通过在表面上束缚脉冲电流产生原子、离子束来生长单晶膜。
在晶体生长过程中，温度、压力、化学组成等参数的精确控制是至关重要的。
此外，还需注意确保生长环境的纯净度，防止杂质的残留。
总结起来，晶体的生长是半导体制造过程中至关重要的环节。
各种晶体生长方法都有各自的优缺点，在具体应用中要根据具体要求来选择合适的方法。
随着技术的不断发展，晶体生长方法也在不断改进和创新，以满足日益提高的半导体材料性能需求。
晶体的生长是半导体制造工艺中的关键环节之一，其质量和结构特征直接影响到半导体材料的性能和器件的性能。
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坩埚下降法
该方法的创始人是P.W.Bridgman，论文发表于1925年。 D.C.Stockbarger曾对这种方法的发展作出了重要的推 动，因此这种方法也可以叫做布里奇曼－斯托克巴杰 方法,简称B-S方法。
该方法的特点是使熔体在坩埚中冷却而凝固。坩埚可 以垂直放置，也可以水平放置(使用“舟”形坩埚)， 如下图所示。生长时，将原料放入具有特殊形状的坩 埚里，加热使之熔化。通过下降装置使坩埚在具有一 定温度梯度的结晶炉内缓缓下降，经过温度梯度最大 的区域时，熔体便会在坩埚内自下由上地结晶为整块 晶体。
1) 由于可以把原料密封在坩埚里，减少了挥发造成的 泄漏和污染，使晶体的成分容易控制 2) 操作简单，可以生长大尺寸的晶体。可生长的晶体 品种也很多，且易实现程序化生长
坩埚下降法的缺点
1) 不适宜生长在冷却时体积增大的晶体 2) 由于晶体在整个生长过程中直接与坩埚接触，往往会在 晶体中引入较大的内应力和较多的杂质 3) 在晶体生长过程中难于直接观察，生长周期也比较长 4) 若在下降法中采用籽晶法生长，如何使籽晶在高温区既 不完全熔融，又必须使它有部分熔融以进行完全生长，是 一个比较难控制的技术问题 总之，B－S法的最大优点是能够制造大直径的晶体(直径达 200mm)，其主要缺点是晶体和坩埚壁接触容易产生应力或 寄生成核。它主要用于生长碱金属和碱土金属的卤族化合 物(例如CaF2、LiF、NaI等)以及一些半导体化合物 (例如 AgGaSe2、AgGaS2、CdZnTe等)晶体
罩里，以保证生长环境有所需要的气体和 压力。
坩埚
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
炉内保温系统剖面图
有关工艺参数控制
1) 加热方式 提拉法生长晶体的加热方法一般采用 电阻加热和高频感应加热，在无坩埚生长时可采用激 光加热、电子束加热、等离子体加热和弧光成像加热 等加热方式 电阻加热的优点是成本低，可使用大电流、低电压的 电源，并可以制成各种形状的加热器；高频加热可以 提供较干净的环境，时间响应快，但成本高
提拉法生长方式示意图
坩埚上方有一根可以旋转和升降的 提拉杆，杆的下端有一个夹头，其上装有 一根籽晶。降低提拉杆，使籽晶插入熔体
中，只要熔体的温度适中，籽晶既不熔解，
也不长大，然后缓慢向上提拉和转动籽晶
杆，同时缓慢降低加热功率，籽晶逐渐长
射频线圈
粗。小心地调节加热功率，就能得到所需
熔体
直径的晶体。整个生长装置安放在一个外
各种蓝宝石长晶方法介绍
内部文件V1.0
为何使用蓝宝石当 LED衬底材料
可用于LED衬底的材料主要有硅、碳化硅、蓝宝石、氮 化镓等。由于硅单晶和氮化镓晶格匹配太差无无法商业 化应用；碳化硅单晶成本价格较高，目前市价约是蓝宝 石晶体的5倍以上，且只有美国科瑞公司掌握成熟技术， 目前占市场应用不到10%；氮化镓单晶制备更是困难， 虽然同质外延质量最好，但价格是蓝宝石晶体的数百倍。 综上所述，预计在未来10到30年范围，蓝宝石单晶是 LED衬底材料的理想选择
单晶蓝宝石长晶方法
蓝宝石单晶的制备工艺路线较多，其中比较典 型有以下几种 提拉法(CZ) 坩埚下降法 热交换法(HEM) 泡生法(KY) 除了以上几项主流的方法外，还有温度梯度法 (TGT)、焰熔法、导模法(EFG)、水平结晶法 (HDC)…等
提拉法(CZ)
柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ法.先将原 料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触 到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形 成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相 同晶体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升， 并伴随以一定的转速旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤 逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成一轴对称的单 晶晶锭.
2) 晶体直径的控制 提拉法生长的晶体直径的控制 方法很多，有人工直接用眼睛观察进行控制，也有自 动控制。自动控制的方法目前一般有利用弯月面的光 反射、晶体外形成像法、称重等法
提拉法生长晶体的优点
1) 在生长过程中，可以直接观察晶体的生长状况，这 为控制晶体外形提供了有利条件 2) 晶体在熔体的自内表面处生长，而不与坩埚相接触， 能够显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核 3) 可以方便地使用定向籽晶的和“缩颈”工艺，得到 不同取向的单晶体，降低晶体中的位错密度，减少镶 嵌结构，提高晶体的完整性 提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质 量的晶体。例如，提拉法生长的红宝石与焰熔法生长 的红宝石相比，具有效低的位错密度，较高的光学均 匀性，也没有镶嵌结构。
提拉法生长晶体的缺点
1) 一般要用坩埚作容器，导致熔体有不同程度的污染 2) 当熔体中含有易挥发物时，则存在控制组分的困难 3) 适用范围有一定的限制。例如，它不适于生长冷却 过程中存在固态相变的材料，也不适用于生长反应性 较强或熔点极高的材料，因为难以找到合适的坩埚来 盛装它们 总之，提拉法生长的晶体完整性很高，面其生长速率 和晶体尺寸也是令人满意的。设计合理的生长系统、 精确面稳定的温度控制、熟练的操作技术是获得高质 量晶体的重要前提条件
为了充分利用几何淘汰规律，提高成 品率，人们设计了各种各样的坩埚。 如左图所示。其目的是让坩埚底部通 过温度梯度最大的区域时，在底部形 成尽可能少的几个晶核，而这几个晶 核再经过几何淘汰，剩下只有取向优 异的单核发展成晶体。经验表明，坩 埚底部的形状也因晶体类型不同而有 所差异。
坩埚下降法的优点
坩埚下降法示意图
坩埚下降法原理
下降法一般采用自发成核生长晶体，其获得单晶体的 依据就是晶体生长中的几何淘汰规律，原理如下图所 示。在一根管状容器底部有三个方位不同的晶核A、B、 C，其生长速度因方位不同而不同。假设晶核B的最大 生长速度方向与管壁平行，晶核A和C则与管壁斜交。 由图中可以看到，在生长过程中，A核和C核的成长空 间因受到B核的排挤而不断缩小，在成长一段时间以后 终于完全被B核所湮没，最终只剩下取向良好的B核占 据整个熔体而发展成单晶体，这一现象即为几何淘汰 规律