场效应晶体管放大电路
场效应管原理及放大电路

图6-47 分压式偏置电路
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场效应管原理及放大电路
图6-47为分压式偏置电路,RG1和RG2为分压电阻。 栅-源电压为(电阻RG中并无电流通过) (6-24) 式中,UG为栅极电位。对N沟道耗尽型场效应管,UGS为负值,所以RSID>UG;对N沟道增强型场效应管,UGS为正值,所以RSID<UG。 当有信号输入时,我们对放大电路进行动态分析,主要是分析它的电压放大倍数及输入电阻与输出电阻。图6-48是图6-47所示分压式偏置放大电路的交流通 路,设输入信号为正弦量。 在图6-47的分压式偏置电路中,假如RG= 0,则放大电路的输入电阻为
故其输出电阻是很高的。在共源极放大电路中,漏极电阻RD和场效应管的输出电阻rDS是并联的,所以当rDS ro≈RD (6-26)
RD时,放大电路的输出电阻
这点和晶体管共发射极放大电路是类似的。 输出电压为 (6-27) 式中 ,由式(6-23)得出 。
电压放大倍数为
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场效应管原理及放大电路
图6-43 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线
图6-44 N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线 以上介绍了N沟道绝缘栅场效应增强型和耗尽型管,实际上P沟道也有增强型和耗尽型,其符号如图6-45所示。
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场效应管原理及放大电路
(6-28) 式中的负号表示输出电压和输入电压反相。 【例6-7】 在图6-47所示的放大电路中,已知UDD=20 V,RD=10 kΩ,RS=10 kΩ,RG1=100 kΩ,RG2=51 kΩ,RG=1 MΩ,输出电阻为RL=10 kΩ。场效应管的 参数为IDSS=0.9 mA,UP= 4 V,gm=1.5 mA。试求:(1)静态值;(2)电压放大倍数。 解:(1) 由电路图可知
场效应晶体管放大电路的分析方法

VDD
R g1
Rd
VT + C2
C1 +
U i Rg2
R
RL
+
Uo
CS
VDD
Rd
VT
+ C2
C1 +
U i RG2
R
RL
+
Uo
CS
图02.05.02 分压偏置
图02.05.03 自给偏压
HIT基础电子技术电子教案----场效应晶体管放大电路的分析方法
2006.06
图02.05.04是N沟道FET的转移特性曲线,对于图(a)耗尽
对图02.05.07的放大电路可根据下列方程式进行图解
iD f (uGS)
uGS iDR
ID
Q
UGS (off)
O
UGSQ
I DSS
IDQ
UGS
直线方程 uGS =- iDR 与输入特性曲线的交点即 是工作点Q。
由工作点Q,即可确 定UGSQ 和IDQ。
图02.05.07 在输入特性曲线上图解
HIT基础电子技术电子教案----场效应晶体管放大电路的分析方法
型FET应偏置在负栅区,对于图(b)增强型FET应偏置在正栅
区。N沟道耗尽型FET放大电路,可采用分压偏置外,也可采
用自给偏压。采用自给偏压时,Rg2中无电流,所以UG=0。在 负栅区因IDSS>0,故US>0,于是UGS=UG-US = - ID R,可满 足负偏压的要求。对于增强型管,因UGS=0时,ID=0 ,故不能 采用自给偏压。
Rs Us
U i
如果放大电路采用增强型场效应管,则栅源电压
VDD
R g1
Rd
场效应晶体管及其放大电路

场 效 应 管 放 大
➢结型场效应管为
反极性偏置
电 路
C1 vI RG
TRL vO
➢耗尽型MOS场效
应管两者均可 自给偏压适用于结 型或耗尽型管
自给偏压式偏置(二)
VDD
C1
RD RCD 2 DT
vI RG RGS vs VGSO
B SCS
RL
VDD 在本集级成放大电电路RD中路的,VDD
截止区:vGS VGS (off )
第 一
可变电阻区:
节 :
vGS VGS (off )
场
0 vDS (vGS VGS (off ) )
饱和(恒流)区:
效 应 管
vGS VGS (off ) vDS (vGS VGS (off ) )
iD
kp 2
W L
(vGS
VGS (off ) )2
饱和漏极电流
iD / mA
节 :
结
变 I DSS 电
vGS 0V
恒 1 击
I DSS
型
场
效
阻 区
流 区
2 3
穿 夹断电压 区
应 管
4 vDS /V
VGS (off )
vGS /V 0
场效应管的微变信号模型
源极 栅极 漏极
SGD
g
SiO2
耗尽层
Vgs
N
N
P型衬底 B
g
Vgs
Cgb
s
gmVgs
sb
输入端直流偏置
vO vo
通的必电常要输平CGR由时出移1 G提 动前 加DS供 单级 入B 电 直元,路 流vo v称i 这R种2 偏置RS方式
mosfet差分放大电路 跨导

篇首1. 概述MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)差分放大电路是一种常用的电子器件,在各种电路中广泛应用。
其跨导是衡量MOSFET差分放大电路性能的重要参数之一。
本文将对MOSFET差分放大电路和跨导进行详细讨论。
2. MOSFET差分放大电路的基本原理MOSFET差分放大电路是由MOSFET管构成的,其基本原理是利用MOSFET的场效应实现放大作用。
该电路包含两个输入端和一个输出端,输入信号通过两个输入端分别输入到两个MOSFET管中,经过放大处理后输出到输出端。
具体的放大原理将在下文详细阐述。
3. MOSFET差分放大电路的结构MOSFET差分放大电路的结构包括两个MOSFET管和若干电阻、电容等元件构成。
其中,两个MOSFET管分别作为放大器的输入端,承担信号的放大工作。
各种元器件之间通过电路连接在一起,构成完整的差分放大电路。
下文将对具体的结构进行详细介绍。
4. MOSFET差分放大电路的工作原理MOSFET差分放大电路的工作原理是利用MOSFET管的场效应特性进行信号放大。
当输入信号作用在MOSFET管上时,根据场效应的不同,MOSFET管的导通特性发生相应的改变,导致输出信号的放大。
具体的工作原理将在下文中解释。
5. 跨导的概念及其在MOSFET差分放大电路中的应用跨导是指输出电流与输入电压之间的增益关系。
在MOSFET差分放大电路中,跨导是衡量其放大性能的重要参数。
通过对跨导的计算和分析,可以评估MOSFET差分放大电路的放大能力和稳定性。
下文将对跨导的概念和在MOSFET差分放大电路中的应用进行详细介绍和分析。
6. MOSFET差分放大电路的性能分析MOSFET差分放大电路的性能分析是对其跨导、增益、输入阻抗等性能指标进行评估和测试。
通过对性能的分析,可以了解MOSFET 差分放大电路的优缺点,为其在实际应用中的选择和优化提供参考。
下文将对MOSFET差分放大电路的性能分析进行详细阐述。
场效应晶体管及其放大电路PPT

(3) 在N沟道JFET中,uGS和UGS(off)均为负值。
在P沟道JFET中,uGS和UGS(off)均为正值。
3.1.3
结型场效应管的伏安特性
+ + – –
在正常情况下,iG =0,管子无输入特性。
1.输出特性(漏极特性)
+ +
6
4
2
可 变 电 阻 区
–
–
放大区
特性曲线
0
10
20
截止区
6
(2)当管子工作于恒流区时,转移特性曲线基本重合。
I DSS
当管子工作于恒流区时
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
I DSS iD uGS 0 V
uDS U GS(off)
称为零偏漏极电流
3.1.4
结型场效应管的主要电参数
1.直流参数
(1) 夹断电压UGS(off)
=0
G D
+ + P P
UGS(off)——
栅源截止电压 或夹断电压
N型导电沟
N
道
P+
当uDS=0时,uGS对沟道的控制作用动画演示
2.当uGS =0时,uDS对沟道的控制作用 – S =0 G + D
P+
N型导电沟
N
道
P+
a.0<uDS<|UGS(off)|
(a) 漏极电流iD≠0 uDS增大,iD增大。 (b) 沿沟道有电位梯度 (c)沿沟道PN结 反偏电压不同
– S =0 G
+ D
P+
N型导电沟
uDS 道
N
晶体管及其小信号放大-场效应管放大电路

传感器信号的特点
传感器输出的信号通常比较微弱,容易受到噪声干扰的影响 。为了准确获取传感器数据,需要使用晶体管和场效应管放 大电路对信号进行放大和噪声抑制。
放大电路的作用
通过适当的信号放大,可以增强传感器信号的强度,降低噪 声干扰的影响,提高信号的信噪比,从而获得更准确、可靠 的传感器数据。
THANKS
3
图解分析法
通过图形直观地分析晶体管的工作状态和性能指 标。
03
场效应管放大电路
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
ERA
场效应管放大原理
场效应管通过改变输入电压来控 制输出电流,从而实现放大功能。
场效应管具有输入阻抗高、噪声 低、热稳定性好等优点,适用于
小信号放大。
无线通信系统中的信号放大
无线通信系统
在无线通信系统中,信号传输距离较 远,信号强度会逐渐减弱。为了确保 信号的稳定传输,需要使用晶体管和 场效应管放大电路对信号进行放大。
信号质量与可靠性
通过适当的信号放大,可以增强无线 信号的强度,提高信号传输的可靠性 和稳定性,确保通信系统的正常运行 。
传感器信号的放大处理
输出级
负责将放大的信号进行功率放 大,提供足够的输出功率。
电压放大级
位于输入级和输出级之间,对 信号进行进一步放大。
偏置电路
为晶体管提供合适的静态工作 点,确保放大器正常工作。
晶体管放大电路的分析方法
1 2
直流通路分析法
在静态工作点下分析电路的直流工作状态和性能 指标。
交流通路分析法
在动态工作状态下分析电路的交流工作状态和性 能指标。
场效应管放大电路的放大倍数由 场效应管的跨导和电阻决定。
MOS管放大电路

同相放大器的特点是输入阻抗低、输出阻抗高,因此具有良好的驱动能力。它通 常由一个运算放大器和两个电阻构成,其输出电压与输入电压成比例,且放大倍 数由两个电阻的比值决定。
差分放大器
总结词
差分放大器是一种用于放大差分信号的电路,其输出信号与两个输入信号之差成正比。
详细描述
差分放大器的特点是抑制共模信号、放大差分信号,因此具有较高的抗干扰性能。它通 常由两个对称的放大电路组成,分别对两个输入信号进行放大,然后通过减法器得到差
易于集成
由于MOSFET是平面结构,易 于集成到集成电路中,有利于 减小放大电路的体积和重量。
MOS管放大电路的应用场景
音频放大
用于放大音频信号,如扬声器、 耳机等。
电源管理
用于调整和放大电源电压,如直流 /直流转换器等。
信号放大
用于放大各种传感器输出的微弱信 号,如压力、温度、光等传感器。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
输出阻抗匹配的目的是使放大电路的输出信号能够有效地传输到负载,同时避免信号的损失或失真。通过选择适 当的输出阻抗元件,可以使得放大电路的输出阻抗与负载阻抗相匹配。
带宽与增益的权衡
带宽
带宽是指放大电路能够处理的信号频 率范围。在设计和优化MOS管放大电 路时,需要考虑所需的带宽,并选择 适当的元件和电路拓扑以实现所需的 频率响应。
的调节。
电容器
01
电容器是一种储能元件, 由两个平行板中间填充 绝缘介质构成。
02
它具有隔直流通交流的 特性,常用于滤波、耦 合、旁路等电路中。
03
根据介质类型和结构, 电容器可分为固定电容 器和可变电容器两大类。
04
在MOS管放大电路中, 主要使用固定电容器, 用于实现信号耦合和滤 波等功能。
场效应晶体管放大电路

• 类似的电路也可用于机床的安全保护,如果人手伸入了危险部位, 挡断了光源,控制电路就马上动作,切断电源,保护操作人员。形形 色色的半导体敏感器件配合晶体管的放大作用,构成了电工设备中各 种各样的控制电路。
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第一节 放大器的基本概念
• 图7一2所示的电路接有12V电源,放大器接电源才能工作。电路中 的硅光电池只提供了微小的晶体管基极电流,使继电器动作所需的较 大电流即晶体管集电极电流不是硅光电池提供的,而是从电源供给发 射极,从发射极流到集电极再流过继电器的。使继电器动作的输出功 率比硅光电池输入的功率大得多,它是从电源所提供的电能中转化来 的。由于基极电流对集电极电流有控制作用,所以硅光电池能以微小 的功率变化来控制由电源提供给继电器的较大功率变化。
• 放大电路的核心是晶体管,晶体管的三个电极可分别作为输入信号 和输出信号的公共端,所以就有共发射极、共集电极和共基极三种接 法,如图7一3所示。本章主要讨论共发射极和共集电极两种放大电路。
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第一节 放大器的基本概念
• 二、放大电路的要求 • 1.有一定的输出功率 • 在路灯自动开关的实例中,当光照很弱时,电路的输出功率不足以
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第一节 放大器的基本概念
• 3.失真要Biblioteka • 凡包含放大器的仪器设备,如示波器、扩音机等,都要求输出信号
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2.7.2 共漏极放大电路
• 晶体管放大电路不能放大十分微弱且内阻又较大的信号, 这是因为晶体管本身的输入电阻很小。 • 场效应晶体管的输入电阻极高(最高可以1015Ω),几乎 不吸取信号源电流,而且也具有放大作用。所以,场效应 晶体管组成放大电路能很好的解决上述问题。 场效应晶体管特点: 输入电阻极高, 功耗低,温度稳定性好、噪声低、 抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成。 场效应晶体管放大电路三种组态:
漏极负载电阻 RD 的作用:
把 iD 的变化变为 uDS 的变化
相当于晶体管放大电路中的RC 。
栅极电阻 RG 的作用:
提供负的栅极偏置电压。
源极电阻 RS 的作用:
提供负栅偏压。
(2)电路分析
1)静态分析
U GQ 0V
U SQ I DQ RS
U GSQ U GQ U SQ 0 I DQ RS I DQ RS
模拟电子技术
吴晓燕
项目描述
助听器是针对耳聋患者或上了年纪的老人设计的 一种提高声音强度的装置,它可以帮助听力障碍患者
充分利用残余听力,进而补偿听力损失。助听器主要
由三个部分组成:传声器、放大器和耳机。
任务2-7 场效应管放大电路的设计
任务引入
• 简易助听器能对输入信号进行放大,用三极管可以 构成基本放大电路,场效应管能代替电路中的三极 管吗?它是怎样工作的?
1 gm
1 Ro RS // gm
特别强调
场效应晶体管的放大能力比晶体管差,共源放大电 路的电压放大倍数的数值只有几到十几,而共射放大电 路电压放大倍数的数值可达百倍以上。另外,由于场效 应晶体管栅源之间的等效电容只有几皮法到几十皮法, 而栅源电阻又很大,若有感应电荷则不易释放,从而形 成高电压,以至于将栅源间的绝缘层击穿,造成管子永 久性损坏。因此,使用时应注意保护。目前很多场效应 晶体管在制作时已在栅源之间并联了一个二极管以限制 栅-源电压的幅值,防止击穿。
Ri RG RG1 // RG2 10 0.2 // 0.3 10.12MΩ
Ro RD 5kΩ
2.7.2 共漏极放大电路
C1
R1
D
+VDD S C2 + RS
+ ui
G RG
R2
RL
+ uo
共漏放大电路(源极跟 随器)特点: 输入阻抗高、输出电阻 低,放大倍数小于并且 接近l。
知识目标
• 理解共源极放大电路的结构与工作原理; • 熟悉共漏极放大电路的结构与工作原理; • 了解共栅极放大电路的特点。
能力目标
• 会画场效应管放大电路。 • 能画场效应管放大电路的交直流通路并 分析计算静态工作点、交流参数。 • 会测量共源极放大电路、共漏极放大电 路的电压、电流波形。
素质目标
(1)静态分析 +VDD R2
D S G
R2 U GSQ R R VDD I DQ RS 1 2 U GSQ 2 I DQ I DO ( 1) U GS (th)
RG R1
RS
U DSQ VDD I DQ RS
解上述方程便可求出静态工作点。
(2)动态分析
I DQ U GSQ I DSS 1 U GS(off)
2
由方程组求得:
U DSQ VDD I DQ RD RS
自给偏压电路仅适用于耗尽型场效应晶体管
I DQ
、U GSQ
2)场效应晶体管的微变等效电路
从输入端口看入,相当于电阻 rgs()。
从输出端口看入为受ugs 控制的电流源。
3)动态分析
Uo Au Ui
' g mU gs RD
U gs
' D
' g m RD
R RD // RL
Ri RG
R o RD
2.分压式共源极放大电路
(1)电路组成
1)静态分析
U SQ I DQ RS
U GSQ
I DQ
2
R1 U GQ VDD R1 R2
• 培养学生应用理论知识分析和解决实际问题的能 力; • 具有良好的团队意识和处理人际关系的能力; • 具有良好的沟通和交流能力; • 具有良好的资料整理能力。
相)场效应管的输入输出特性。
3)场效应管与晶体三极管的区别。
2.7 场效应晶体管放大电路
2.7.1 共源极放大电路
Ri
Ro Ro
gmugs ( RS // RL ) uo gm RS Au 1 ui ugs gmugs ( RS // RL ) 1 gm RS
Ri RG R1 // R2
U o Ro Io
U i 0 RL
U gs g mU gs
Uo Au g m RL Ui
Ro RD
Ri RG R1 // R2
例2-4 已知UGS(th)=2V, IDO=1.9mA,gm=1.38ms求: (1)估算静态工作点Q。 (2)求Au、Ri、Ro。 解:(1)静态工作点:
RG2 U VDD I DQ RS GSQ RG1 RG2 200 ( 15) 2.5k I DQ 300 200 6 2.5k I DQ V I I ( U GSQ 1) 2 1.9 (U GSQ - 1)2 mA D0 DQ U GS (th) 2V
共源、共漏、共栅
2.7.1 共源极放大电路
场效应晶体管放大电路的分析方法与晶体管放大电路相同。 常用的共源极放大电路有两种: 自给偏压式共源放大电路、分压式共源放大电路。 1. 自给偏压式共源放大电路
(1)电路组成
+VDD ID D C1 + . Ui - G S RG RS CS - T + . Uo RL RD C2
解联立方程得:
U GSQ 3.5V
I DQ 1mA
UDSQ VDD IDQ (RD RS ) 15 1 (5 2.5) 7.5V
(2)交流参数
RD // RL 5 // 5 2.5k RL
1.38 2.5 3.45 Au gm RL
R1 VDD I DQ RS R1 R2
U GSQ I DO 1 U GS (th)
U DSQ VDD I DQ RD RS
由方程组求得:
I DQ
、U GSQ
2)动态分析
U gs U i
g mUi RL U o I D ( RD // RL ) g mU gs RL