半导体材料及二极管
二极管按材料分为
二极管按材料分为一、硅二极管。
硅二极管是一种常见的半导体器件，由硅材料制成。
硅二极管具有正向导通特性和反向截止特性，广泛应用于电子电路中。
硅二极管的导通电压约为0.7V，具有较高的工作温度范围和较低的漏电流。
硅二极管的制造工艺成熟，成本较低，是电子设备中常用的元器件之一。
二、锗二极管。
锗二极管是另一种常见的半导体器件，由锗材料制成。
锗二极管与硅二极管类似，具有正向导通特性和反向截止特性，但其导通电压约为0.3V，比硅二极管低。
锗二极管的工作温度范围较窄，且漏电流较大，因此在实际应用中逐渐被硅二极管所取代。
然而，在一些特殊的应用场合，锗二极管仍然具有一定的用武之地。
三、砷化镓二极管。
砷化镓二极管是一种新型的半导体器件，由砷化镓材料制成。
砷化镓二极管具有较高的工作频率和较低的噪声系数，适用于高频、微波电路中。
砷化镓二极管的导通特性和反向截止特性优于硅二极管和锗二极管，但其制造工艺复杂，成本较高，因此主要应用于特定的高性能电子设备中。
四、碳化硅二极管。
碳化硅二极管是另一种新型的半导体器件，由碳化硅材料制成。
碳化硅二极管具有较高的工作温度范围和较低的漏电流，适用于高温、高压、高频电路中。
碳化硅二极管的性能优于硅二极管和锗二极管，但其制造工艺更为复杂，成本更高，因此在一般的电子设备中应用较少。
综上所述，二极管按材料分为硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管和碳化硅二极管。
每种材料的二极管都具有特定的特性和适用范围，可以根据实际需要进行选择和应用。
在今后的电子设备中，随着科技的不断进步和半导体材料的不断创新，相信会有更多新型的二极管材料出现，为电子行业带来更多的可能性和发展空间。
21半导体及二极管
常温下（T=300K）
VT 26(mV ) rd I D I D (mA )
5. 指数模型
i D I S (e
v D / VT
1)
较完整 且较准确
2.3. 稳压二极管
稳压特性
RZ
VZ
正向部分与普通二极管相同 当反向电压加到一定值时，反向 电流急剧增加，产生反向击穿。 稳压原理：在反向击穿时，电流 在很大范围内变化时，只引起很 小的电压变化。 稳压管稳压时必须工作在反向电击穿状态。
稳定的空间电荷区又称高阻区 也称耗尽层
PN结的接触电位
内电场的建立，使PN结中产生 电位差。从而形成接触电位V
接触电位V决定于材料及掺杂浓度 硅： V=0.7 锗： V=0.2
V
2.1.4 PN结的单向导电性
1. PN结加正向电压时的导电情况 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
具有单向导电性。
2.2 半导体二极管
2.2.1 半导体二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性
2.2.3 二极管的参数
2.2.1 半导体二极管的结构
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极 管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平 PN结面积小，结电 容小，用于检波和变频等 面型三大类。
高频电路。
(3) 反向电流IR
(4) 正向压降VF
(5) 极间电容CB
二极管V- I 特性的建模
1. 理想模型
2. 恒压降模型
3. 折线模型
正偏时导通，管 压降为0V;反偏时 截止，电流为0。
管子导通后,管压 降认为是恒定的, 典型值为0.7V。
管压降不是恒定 的,而是随电流的 增加而增加。
二极管半导体材料
二极管半导体材料二极管是一种常用的电子元件，它具有只允许电流在一个方向流动的特性。
二极管的基本结构包括P型半导体和N型半导体。
在二极管的研究和应用中，选取适合的半导体材料对于其性能和可靠性至关重要。
本文将介绍一些常用的二极管半导体材料。
一、硅(Si)硅是最常用的半导体材料之一。
它具有较宽的能隙和强的耐高温性能，适用于高功率和高频率应用。
硅材料的制备相对成熟，生产成本较低，稳定性高，广泛应用于各类电子器件。
二、锗(Ge)锗是另一种常用的半导体材料。
与硅相比，锗的能隙较窄，导致它的截止频率较低。
锗适用于一些低功率和低频率应用。
然而，由于其价格较高且存在稳定性问题，锗在现代二极管中已经被硅所取代。
三、砷化镓(GaAs)砷化镓是一种III-V族化合物半导体材料，具有较窄的能隙和良好的电子迁移率。
相比硅和锗，砷化镓的载流子浓度更高，速度更快，适用于高速和高频率应用。
砷化镓的主要应用领域包括光电子器件、微波器件和半导体激光器等。
四、氮化镓(GaN)氮化镓是一种宽能隙半导体材料，具有优异的热稳定性和高电子饱和迁移率。
氮化镓在高功率电子器件中具有广泛应用，如蓝光LED和高频率功率放大器。
它的特点包括高工作温度、高电子迁移率和较小的漏电流等。
五、碳化硅(SiC)碳化硅是一种耐高温和高电压的半导体材料。
它的能隙比硅更大，具有更好的导电性能和热导率。
碳化硅二极管适用于高温和高电压环境下的应用，如电动车充电桩、太阳能电池板和电力电子器件等。
六、氮化铟(InN)氮化铟是一种III-V族化合物半导体材料，具有较宽的能隙和良好的热稳定性。
氮化铟材料的制备工艺相对困难，但其在高频率电子器件中具有重要应用，如高速微波开关和通信系统等。
以上介绍了一些常用的二极管半导体材料，包括硅、锗、砷化镓、氮化镓、碳化硅和氮化铟。
选择适合的材料对于二极管的性能和可靠性至关重要。
未来，随着新材料的发展和应用研究的深入，我们可以期待更多新型的半导体材料在二极管领域的应用。
制作二极管的材料
制作二极管的材料
首先，制作二极管的材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。
P型半导体
材料通常是硅或者镓，它的杂质浓度较高，通常是通过掺入三价元素（如硼）来实现。
N型半导体材料也通常是硅或者镓，它的杂质浓度较高，通常是通过掺入五价元素（如磷）来实现。
这两种材料的选择对于二极管的性能具有重要影响。
其次，P型半导体材料和N型半导体材料的选择影响了二极管的导电性能。
P
型半导体材料具有空穴导电性，而N型半导体材料具有电子导电性。
当P型半导
体材料和N型半导体材料通过特定工艺结合在一起时，形成P-N结。
在P-N结中，由于P型半导体材料和N型半导体材料的不同导电性质，形成了二极管的整流特性。
因此，P型半导体材料和N型半导体材料的选择对于二极管的导电性能具有重要影响。
最后，除了P型半导体材料和N型半导体材料之外，制作二极管还需要金属材料用于连接电极。
金属材料通常是铝或者铜，它具有良好的导电性和焊接性，能够有效地连接P型半导体材料和N型半导体材料，形成二极管的电极。
因此，金属
材料的选择对于二极管的连接和稳定性具有重要影响。
综上所述，制作二极管的材料主要包括P型半导体材料、N型半导体材料和金
属材料。
这些材料的选择对于二极管的性能和特性具有重要影响，包括导电性能和连接稳定性。
因此，在制作二极管时，需要仔细选择和优化这些材料，以确保二极管具有良好的性能和稳定性。
二极管为什么是半导体
二极管为什么是半导体一、二极管简介二极管是一种电子元件，由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管有两个端子，分别为正极（阳极）和负极（阴极）。
它是电子学中最基本的元件之一，具有非常重要的作用。
二、半导体的特性半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。
在半导体中，电子的运动受到温度、掺杂等因素的影响，因此电导率介于导体和绝缘体之间。
半导体材料常常被用于制造二极管、晶体管等电子元器件。
三、为什么二极管是半导体1.PN结的结构二极管由P型半导体和N型半导体组成，这两种半导体材料的特性决定了二极管的特性。
P型半导体中有空穴，N型半导体中有自由电子，而PN结的结构使得空穴和自由电子在这一区域内聚集。
这种结构可以实现电荷的输送和阻止，实现二极管的导通和截止。
2.PN结的势垒PN结区域存在势垒，当二极管正向偏置时，势垒变小，使得空穴和自由电子得以通过；当反向偏置时，势垒增大，阻止了电荷的流动。
这种势垒形成的机制，正是半导体材料这种介于导体和绝缘体之间特性的表现。
四、二极管的应用二极管作为一种基础性的电子元器件，广泛应用于各种电路中，包括整流电路、放大电路、电压稳定器等。
它在电子设备中扮演着至关重要的作用，保证了电子设备的正常工作。
五、结语由于二极管结构包含P型半导体和N型半导体，而半导体具有介于导体和绝缘体之间的特性，因此二极管作为一种半导体器件具有独特的导电特性，能够实现电路中的多种功能。
二极管的半导体特性决定了它在电子学中的重要性和广泛的应用。
在电子学领域，理解二极管为何是半导体的特性，可以帮助我们更深入地理解电子元器件的工作原理，为我们设计和应用电路提供更多的启发和指导。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
电路中的半导体器件基础知识总结
电路中的半导体器件基础知识总结电路中的半导体器件是电子技术的重要组成部分，广泛应用于各种电子设备和系统中。
了解和掌握半导体器件的基础知识对于工程师和电子爱好者来说至关重要。
本文将对半导体器件的基础知识进行总结，包括半导体材料、二极管、场效应管和晶体三极管等方面。
一、半导体材料半导体器件的基础是半导体材料。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电性能，其电阻随着温度的变化而变化。
常用的半导体材料有硅和锗。
硅是最重要的半导体材料之一，应用广泛。
半导体材料的导电特性由材料中的杂质控制，将适当的杂质加入纯净的半导体中可以改变其导电性能，这就是掺杂。
二、二极管二极管是一种最简单的半导体器件，它由正负两极组成。
二极管的主要作用是对电流进行整流，也可以用于稳压、开关等电路。
二极管的工作原理是利用PN结的特性。
PN结是由P型半导体和N型半导体连接而成，在PN结的接触面上形成空间电荷区，通过控制电势差，可以控制空间电荷区的导电状态。
在正向偏置时，电流可以从P端流向N端，形成导通状态；在反向偏置时，电流不能从N端流向P端，形成截止状态。
三、场效应管场效应管是一种三电极器件，由栅极、漏极和源极组成。
场效应管的工作原理是利用栅极电场的调控作用来控制漏极和源极之间的电流。
常用的场效应管有MOSFET（金属氧化物半场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）等。
MOSFET主要由金属栅极、绝缘层和半导体构成，栅极电压的变化可以控制漏极和源极之间的电流；JFET 主要由PN结构成，通过栅极电压的变化来控制漏极和源极之间的空间电荷区的导电状态。
四、晶体三极管晶体三极管是一种三电极器件，由发射极、基极和集电极组成。
晶体三极管的主要作用是放大和控制电流。
晶体三极管的工作原理是利用少数载流子在不同电极之间的输运和扩散来实现，发射极和基极之间的电流变化可以通过集电极和基极之间的电流放大。
晶体三极管有NPN型和PNP型两种，其中NPN型的晶体三极管发射极和基极连接为N型半导体，集电极为P型半导体；PNP型的晶体三极管发射极和基极连接为P型半导体，集电极为N型半导体。
半导体分立元件--二极管
半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料（主要是硅或锗的单晶）而制成，故又称为晶体二极管（俗称二极管）。
二极管的主要电性能是“单向导电性”，是一种有极性的二端元件（一种典型的非线性元件）。
二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等，在数字电路中用作开关器件。
基本知识1、二极管。
自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。
导体具有良好的导电性能，其电阻率一般小于10-6Ω·m，如铜和银；绝缘体导电能力很差或不导电，其电阻率往往在108Ω·m以上，如橡胶、陶瓷等；而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。
半导体材料（如硅和锗）都是4价元素，其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构，所以在温度极低时（如绝对零度时）半导体不导电，在常温下，纯净的半导体的导电能力也很弱。
2、半导体的主要特点。
半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点：一是其“热敏性”与“光敏性”。
例如当环境温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率会降低一半左右（即导电能力提高一倍），且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能，人们利用半导体的这一性能，就可以制成各种热敏元件（如热敏电阻）、光敏元件（如光敏电阻、光电管）等；其二是半导体的“掺杂性”。
指在纯净的半导体内掺入微量的杂质，半导体的导电能力就急剧增强。
例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质，其导电能力将增加一百万倍。
人们正是利用半导体的这一独特性质。
做成“杂质半导体”，从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
3、杂质半导体。
（1）N型半导体（电子型半导体）。
在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。
5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子（自由电子）。
所以N型半导体中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。
半导体二极管
半导体二极管引言半导体二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
作为一种离子流控制器，二极管在电子学中扮演着重要角色。
本文将介绍半导体二极管的基本原理、结构和工作方式，以及在电子设备中的应用。
一、半导体二极管的基本原理半导体二极管基于半导体材料的特性而工作。
半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在不同条件下改变电阻性质的能力。
当特定电压施加到二极管的两个端口时，会产生特定的电流流动。
这是因为半导体材料具有能够控制电子流动的能力。
二、半导体二极管的结构半导体二极管通常由一个PN结构构成。
PN结是由一段N型半导体和一段P型半导体相接而成的。
N型半导体含有过量的自由电子，而P型半导体则含有过量的空穴。
当PN结连接时，自由电子和空穴会发生迁移，形成电子流和电流。
二极管还有多种包装形式，如玻璃管、塑料封装和金属封装等。
不同的包装形式适用于不同的应用场合，如航空、军事、汽车、电脑等领域。
三、半导体二极管的工作方式半导体二极管具有单向导电性，也就是电流只能在一个方向上流动。
这是因为PN结在不同电压下会产生不同的电流分布。
当正向偏置电压施加到二极管上时，电流会通过PN结而流动。
这时，电子从N型半导体区域流向P型半导体区域，形成正向电流。
相反，当反向偏置电压施加到二极管上时，PN结会变为势垒状态，电流不会流动。
四、半导体二极管的应用半导体二极管在电子设备中有着广泛的应用。
以下是一些常见的应用场景。
1. 整流器：二极管常用于整流电路中，将交流电转化为直流电。
在电子设备中，直流电是许多电路和元件所需的。
2. 信号检测：半导体二极管可以用于信号检测和解调。
通过将信号输入到二极管中，可以检测和过滤特定频率的信号。
3. 功率放大器：二极管可以作为功率放大器的基础元件。
通过控制输入信号和电流的关系，可以实现放大和调节电流的功能。
4. 光电二极管：光电二极管是一种特殊的二极管，能够将光能转化为电能。
这种二极管常用于光电传感器和光通信等领域。
半导体元件有哪些
半导体元件有哪些一、简介半导体元件是半导体材料制成的组件，广泛应用于电子和电力领域。
半导体元件的种类繁多，不同的元件具有不同的功能和特点，下面将介绍几种常见的半导体元件。
二、二极管（Diode）二极管是一种最简单的半导体元件，通常由P型半导体和N型半导体组合而成。
它具有导通方向和截止方向两种工作状态，能够将电流限制在一个方向上流动。
二极管被广泛用于整流和电源保护电路中。
三、晶体管（Transistor）晶体管是一种主要用于放大和开关电路的半导体元件。
它通常由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，包括发射极、基极和集电极。
晶体管可以放大电流和控制电路的开关，是现代电子设备中不可或缺的组成部分。
四、场效应管（FET）场效应管是一种利用电场调控电流的半导体元件，通常分为MOSFET和JFET两种类型。
它具有高输入阻抗、低输入电流、低功耗等特点，被广泛用于放大、开关和调制等电路中。
五、光电子器件（Photonic Device）光电子器件是一种能够在光和电信号之间相互转换的半导体元件，包括光电二极管、光伏电池、光发射二极管等。
它在通信、光纤传输、光储存等领域发挥着重要作用。
六、集成电路（Integrated Circuit）集成电路是将多个晶体管、二极管、电容器等元件集成在一块半导体芯片上的半导体元件。
它具有体积小、功耗低、成本低等优点，被广泛应用于电子产品中。
结语以上是几种常见的半导体元件，随着科技的发展，半导体元件的种类和应用领域将会不断扩展。
半导体元件的发展对电子、通信等行业起着至关重要的作用，带动了整个科技产业的发展和进步。
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则限流电阻 :
R VImax Vz 13.6 9 15.3
I z max
300
2021/3/6
42
提高训练： 如何设计小功率电压源电路？
2021/3/6
43
1.3.6 PN结电容效应及应用
势垒电容 CT 扩散电容 CD
变容二极管
2021/3/6
44
1.3.7 特殊二极管
太阳能电池 光电二极管 发光二极管 肖特基二极管
2021/3/6
53
二极管交流电阻 定义： 估算:
rd
diD dvD
1
Q
rd VT ID
二极管伏安特性
vD
iD Is (eVT 1)
二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想 开关、恒压源模型和折线模型三种近似。
2021/3/6
54
四、二极管应用 单向导电特性应用
整流器：半波整流，全波整流，桥式整流。 限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅。 钳位电路* 通信电路中的应用*：检波器、混频器、倍频器等。
2021/3/6
38
输入电压的变化量为：
VI 10%VI 1.5V
输出电压的变化量为：
Vo
rz // RL R rz // RL
VI
0.094V
输出电压的相对变化量为：
Vo 0.094 1%
Vo
9
2021/3/6
39
例1.4为汽车上的收音机设计一个稳压电源。要求该稳 压电源为汽车收音机提供一个9V的电压，稳压电
in R
Vz
ILmax
R VImin Vz I z min I L max
（2）当负载电流最小 ，IL输min 入电压最大 时，VI流max 过稳压
管的电流最大
I,则z max
VImax Vz R
R VImax Vz I z max
2021/3/6
41
令上两式相等，则:
(VImax Vz )(I z min ILmax ) I z max (VImin Vz )
第一章 半导体材料及二极管
2021/3/6
1
1.3 晶体二极管及其应用
二极管的核心是一个PN结。
2021/3/6
图1.11 二极管的结构和电路符号
2
1.3.1 晶体二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是指流过二极管中的电流
与其端电压 vD之间的关系。
iD
vD
iD Is (eVT 1)
（1.16）
vD --加在二极管上的端电压
代数法：求解非线性方程组
计算复杂，必须借助计算机
几何法：图解法
粗糙，必须知道伏安关系曲线
2021/3/6
模型法：近似线性法
方便，可以利用线性电路分析方法
如何模型化？
根据伏安关系
14
1.3.3 二极管模型
1.二极管伏安特性的分段线性近似模型
图1.18 二极管模型 （a)理想开关模型 （b）恒压源模型 （c）折线近似模型
2021/3/6
15
例1.1 硅二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路 如图1.19所示，求二极管工作点。
图1.19
2021/3/6
16
解：将二极管用恒压源模型近似后来估算二极管工作 点。
VD VON 0.7V
ID
E VD R
3 0.7 300
7.67mA
为什么采用恒压源模型？
2021/3/6
2021/3/6
20
利用线性电路的叠加原理，可以画出只反映交变 电压和交变电流之间关系的电路，称之为交流等效 电路，如图1.21(b)所示，由此交流通路可求出 :
I dm
Vm R rd
100 300 3.39
0.33mA
Vdm Idmrd 1.12mV
2021/3/6
21
1.3.4 二极管应用电路
2021/3/6
52
三、二极管知识
普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极， N区引出负电极。
在低频运用时，二极管具有单向导电特性，正偏时 导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和 0.2V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管 大得多。
二极管的低频小信号模型就是交流电阻，它反映了 在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间 的关系。
1.整流电路
图1.22 直流稳压电源方框图
2021/3/6
22
试分析半波整流电路的工作原理，指出其不足， 提出改进方法。
图1.23 半波整流电路
2021/3/6
23
试分析全波整流电路的工作原理，指出其不足， 提出改进方法。
全波整流电路
2021/3/6
24
试分析桥式整流电路的工作原理
桥式整流电路
17
2.二极管的交流小信号模型
图1.20 二极管的交流小信号模型
2021/3/6
18
例1.2 若在例1.1电路中串联一个正弦电压源
，
图1v.(2t)1（100as）in 2为 其104电mV路图，估算此时二极管上交流电
压与电流成分的振幅值 和 （T＝300K）。Vdm
I dm
图1.21 二极管交流电路分析
2021/3/6
47
空穴是半导体中的一种等效载流子。空穴导电的本 质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显 示电荷的空位宏观定向运动。
在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇， 使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。 复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载 流子处于平衡状态。
2021/3/6
48
2．杂质半导体
在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后 形成N型（或P型）杂质半导体。
在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会 全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和 杂质负离子对）。
由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子， 少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子 是自由电子。
R
VImin Vz
I z min
Vz RL min
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例1.3 采用 Vz 9V , rz 4的Si稳压管2DW3的稳压电路如图
1.34所示。如果输入电压 VI的波动 VI 1，0%试问输
出电压的波动 Vo ?
VI
Vo
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图1.34
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解：
图1.35 稳压电路模型及增量等效模型
源的输入电压来自汽车电瓶，电瓶电压的变化范围 （ 11 ～ 13.6 ） V ， 收 音 机 的 电 流 介 于 0( 关 掉 ) ～ 100mA(最大音量)之间。
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图1.36
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解：（1）当负载电流最大 ILm，ax 输出电压最小 时V，Imin流过
稳压管的电流最小
I
z
min， 则VIm
1.稳压管的伏安特性
图1.30 稳压管伏安特性曲线及电路符号
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2.稳压管的主要参数
稳定电压 Vz 最小稳定电流 Izmin 最大稳定电流 Izmax 动态电阻 rz 电压温度系数
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3.稳压管电路
图1.32 稳压管稳压电路
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1）稳压原理 试分析稳压原理
rd
dvD diD
Q
rd VT ID
如何证明？
说明:交流电阻与直流
电流成反比。
图1.17 二极管的交流电阻
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3.二极管的其它主要参数
➢最大平均整流电流 IF ➢最高反向工作电压 VR ➢反向电流 I R ➢最高工作频率 fmax
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含二极管电路的分析 （非线性伏安关系）
只含两个未知量： 和Izma。x I z min 取稳压管的最小电流是最大电流的十分之一，即
Iz min 0.1I z max
I z max
(VI min
VImax Vz Vz ) 0.1(VImax
Vz )
I L max
VImin
VImax Vz 0.9Vz 0.1VImax
300mA
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1.3.8 小结
半导体知识 二极管知识 二极管应用
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一、半导体知识
1．本征半导体
单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅 （Si）和锗（Ge）。前者是制造半导体IC的材料 （三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体 器件和IC的重要材料）。
纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。 在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现 象是本征激发（又称热激发或产生）。本征激发产 生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴 对。温度越高，本征激发越强。
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2.滤波电路
试分析滤波电路的工作原理。
图1.25 滤波电路
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3.限幅电路
限幅电路是一种能限制电路输出电压幅值的电路。
Vomax
VIL VIH
Vomin
图1.26 限幅电路的电压传输特性
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试分析双向限幅电路的工作原理。
图1.27 双向限幅电路
➢ Si二极管反向电流比Ge 二极管反向电流小得多， Si 管是pA量级，Ge管是 μA量级。
为什么？
图1.15 Si和Ge两种二极管伏安特性的差别
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1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻