电力电子技术期末考试试题 答案
电力电子技术期末考试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ；带阻感负载时，α角移相围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ，晶闸管控制角α的最大移相围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点
一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1。
（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为??2.45U 2?。
（电源相电压为U 2）为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相，一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发。
12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
电力电子技术期末考试试题含答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的根本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止__ 。
18.在如下器件：电力二极管〔Power Diode 〕、晶闸管〔SCR 〕、门极可关断晶闸管〔GTO 〕、电力晶体管〔GTR 〕、电力场效应管〔电力MOSFET 〕、绝缘栅双极型晶体管〔IGBT 〕中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _〔设U 2为相电压有效值〕。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
电力电子技术期末考试题 答案
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ，晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
电力电子技术期末测验试题及答案
电力电子技术期末测验试题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。
电力电子技术期末考试样卷含答案
）（10分，每小题1.0分）1、（）只要移相控制角090>α晶闸管变流器就可实现有源逆变。
2、(）单相半波可控整流电路带阻感性负载时，晶闸管承受反向阳极电压立刻关断。
3、（）在目前所有电力电子器件开关中，电力场效应管开关速度最快。
4、（）IGBT可视为一个场效应管和一个电力晶体管的达林顿连接。
5、（）三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是300H Z。
6、（）移相控制角越大，整流电路的功率因数越高。
7、（）晶闸管内部可视为两个晶体三极管的负反馈连接。
8、（）二极管单相桥式整流器带电容滤波电路重载时输出电压平均值约等于1.4U2。
9、（）高频PWM逆变电路输出电压含有低次谐波。
10、（）晶闸管整流电路中的功率因数与电流波形畸变无关。
二、单项选择题（20分，每小题2.0分）1、由IGBT组成的无源逆变器中其换流方式是（）A.电网换流B.器件换流C.强迫换流D.负载换流2、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向和反向电压为( )。
A.222,2UU B.2222,2UU C.222,2/2UU D.2/2,222UU3、单相桥式晶闸管整流电路带阻感性负载时输出电流平均值表达式为（）。
A.αcosUR.Id2342= B.αcosUR.Id2151=C.αcosUR.Id29= D.αcosUR.Id245=4、带电感性负载的三相全控桥，变压器二次侧相电流有效值为( )。
A.3/dI B.3/2dI C. 3/dI D. 3/2dI5、晶闸管直流侧过电压保护的元器件是（ ）A. 快速熔断器B. 压敏电阻C. 快速开关D. 过流继电器6、设开关周期和开关导通时间分别为on t T ,，在直流升降压斩波电路中，电源电压E 与负载电压平均值o U 之间的关系是（ ）。
（下式中Tt T t off on==βα,） A.E U o β= B. E U o α= C.E U o αα-=1 D. E U o αα-=17、能实现有源逆变的晶闸管整流电路为( )。
电力电子技术期末考试卷和答案
一、 填空题（每空1分，共26分）1. 将直流电变为交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。
2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和两种。
目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。
3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载，030=α，则整流输出平均电压d U = 。
4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类： 、 和 。
5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须设有 和 保护电路。
6. 晶闸管导通的条件有二：一是 ，二是 。
7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。
驱动电路还要提供 。
8. 若晶闸管电流的有效值是314A ，则其额定电流为 A 。
若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ，则其额定电压应为 V 。
（不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。
）9. 电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、 、 和 。
10. 电子技术包括 和 两大分支。
11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中，同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。
但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路，在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。
12. 在三相全控桥整流电路中，触发脉冲可采用 触发与 触发两种方法。
1．有源逆变 无源逆变 2．电压型 电流型 3．11734．半控型器件 不控型器件 全控型器件 5．过电压保护 过电流保护6．有正向阳极电压 门极有足够大的触发电流7．按控制目标的要求施加开通或关断的信号，对半控型器件提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。
提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节8. 200A 100V 9. 直流变交流 交流变交流 直流变直流10. 信息电子技术 电力电子技术 11. 互补 死区时间 12. 双窄脉冲 单宽脉冲二、单项选择题 13. c 14. d 15. b 16. b 17. d13. 下列电力半导体器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
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1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ，晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路角的移相范围是0-120o ，u d 波形连续的条件是α≤60°。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降_9.滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为__22U _，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC≥1.5-2.5 T ，此时输出电压为Ud≈1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。
10.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随的增大而 增大，当从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随的增大而减小。
11.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路；对于单相全波电路，当控制角 0<<时，电路工作在整流状态；时，电路工作在逆变状态。
12.在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全波、三相桥式整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的控制角a > 90O ，使输出平均电压U d 为负值。
13.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组平行的直线，当电流断续时，电动机的理想空载转速将抬高，随的增加，进入断续区的电流加大。
14.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作电动运行，电动机正转，正组桥工作在整流状态；当其处于第四象限时，电动机做发电运行，电动机反转转，正组桥工作在逆变状态。
15.CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路。
16.Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：Sepic斩波电路的电源电流和负载电流均连续，Zeta斩波电路的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为正极性的。
17.改变频率的电路称为变频电路，变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式，前者又称为直接变频电路，后者也称为间接变频电路。
18.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间逐渐延长。
19.晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原则是：该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等。
20.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交交变频电路_。
21.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
22.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz__。
23.电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
24.晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
25.在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
26.80°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
27.当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
28.在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α=β的工作方式。
29.常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
30.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
31.按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
32.直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有等频调宽控制；等宽调频控制；脉宽与频率同时控制 三种。
33.晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α；变压器漏抗X B ；平均电流I d ；电源相电压U 2。
等到参数有关。
34.带平衡电抗器的双反星形电路，变压器绕组同时有 两相 相导电；晶闸管每隔 60 度换一次流，每只晶闸管导通120度，变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端 相反，所以以两绕组的电流方向也 相反 ，因此变压器的铁心不会被 磁化 。
35.一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为()V 220225.1倍-；晶闸管的额定电流可选 为()A 57.11525.1倍-。
36.提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容几种。
37.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 几种。
38.要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。
39.一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护 而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
40.交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
41.在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态、逆变状态。
42.当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。
43.三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为150H Z ；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为300H Z ；这说明三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路电路要小。
44.对三相桥式全控变流电路实施触发时，如采用单宽脉冲触发，单宽脉冲的宽度一般取90度较合适；如采用双窄脉冲触发时，双窄脉冲的间隔应为60度。
45.三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0--150，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0--120，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0--180。
46.晶闸管的维持电流I H 是指在标准室温温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。
47.为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。
48.只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
49.半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
50.从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度51.单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
（电源相电压为U1）三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45U2。
（电源相电压为U2）为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相，一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发52.强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。