电子元件认识

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电子元件认识实训报告总结

电子元件认识实训报告总结

一、实训背景随着科技的不断发展,电子技术在各个领域的应用越来越广泛。

为了更好地适应社会需求,提高自己的专业技能,我参加了本次电子元件认识实训。

通过这次实训,我对电子元件有了更加深入的了解,为今后的学习和工作打下了坚实的基础。

二、实训目的1. 了解电子元件的基本概念、分类、性能特点及用途。

2. 掌握电子元件的识别、检测、选用和连接方法。

3. 培养动手操作能力,提高电子技术实践水平。

4. 增强团队合作意识,提高沟通协调能力。

三、实训内容1. 电子元件基本知识本次实训首先介绍了电子元件的基本概念、分类、性能特点及用途。

通过对各类电子元件的了解,我认识到电子元件在电子产品中的重要作用。

2. 电子元件识别与检测实训过程中,我们学习了如何识别和检测各类电子元件。

通过实际操作,掌握了电子元件的外观识别、尺寸测量、参数测试等方法。

3. 电子元件选用与连接实训重点讲解了电子元件的选用原则和连接方法。

我们学习了如何根据电路设计要求,选择合适的电子元件,并掌握了焊接、连接等基本技能。

4. 电子电路搭建在实训老师的指导下,我们完成了简单的电子电路搭建。

通过实际操作,加深了对电子元件应用的理解。

四、实训成果1. 掌握了电子元件的基本知识,了解了各类电子元件的性能特点及用途。

2. 学会了电子元件的识别、检测、选用和连接方法。

3. 提高了动手操作能力,锻炼了电子技术实践水平。

4. 增强了团队合作意识,提高了沟通协调能力。

五、实训总结1. 认识到电子元件在电子产品中的重要作用,为今后的学习和工作打下了坚实的基础。

2. 通过实训,提高了自己的动手操作能力,为以后从事电子技术相关工作积累了宝贵经验。

3. 培养了团队合作精神,学会了与他人沟通、协作,为今后在团队中发挥积极作用奠定了基础。

4. 深刻认识到理论知识与实践操作相结合的重要性,为今后的学习指明了方向。

六、改进意见1. 增加实训时间,使学员有更多的时间进行实践操作。

2. 丰富实训内容,引入更多实际应用案例,提高学员的实践能力。

电子元件的认识

电子元件的认识

电子元件的认识电子元件是指在电路中起特定功能的部件,如电容器、电阻器和电感器等。

随着科技的不断发展,电子元件的种类也越来越多,应用面也越来越广泛。

在现代化社会的各个领域,都有着电子元件的身影。

学习与认识电子元件是电子工程师必须具备的基础知识。

在进行电路设计、元件选型、故障排除等环节中,电子工程师都需要对电子元件有深入的了解才能够做出正确的决策。

首先,我们来了解一下电阻器。

电阻器的主要作用是提供电阻,使电流在电路中变弱。

电阻器的单位是欧姆(Ω),通常使用金属、碳和水晶等材料制成,常见的有钨丝电阻、电位器、压敏电阻等。

其次,我们来看看电容器。

电容器是一种储存电荷的元件,也是电路中常用的元件之一。

其主要作用是储存电荷,当电容器两端有电压时,它们会产生电场,关闭电路时,它们会释放储存的电荷。

电容器的单位是法拉(F)或微法(F),常见的有金属箔电容器、陶瓷电容器、钽电解电容器等。

再来看一下电感器。

电感器也叫线圈,主要作用是储存能量和阻碍电流变化。

当电流通过电感器时,它会产生磁场,当电流变化或消失时,电感器会释放储存的能量。

电感器的单位是亨利(H),常见的有电磁铁、开关电感、滤波器等。

接下来,我们了解一下二极管。

二极管是一种只能单向导电的元件,有正向导通和反向截止两种状态。

在电路中,二极管的主要作用是保护其他元件,防止其受到反向电压干扰。

常见的二极管有肖特基二极管、整流二极管等。

最后,我们来介绍一下晶体管。

晶体管是一种有三个电极的半导体器件,具有放大与开关的功能,是现代电子工程中不可或缺的元件。

晶体管有npn和pnp两种类型,是电路中重要的控制元件,被广泛应用于放大器、开关、振荡器等电路中。

总之,电子元件是电路中必不可少的一部分,如同基石一样,为电路提供了重要的支撑。

当我们了解了电子元件的类型、功能和应用场景,就可以更好的进行电路设计、维修等工作。

同时,也可以在实际应用中挖掘出它们更大的潜力,推动电子科技的进一步发展。

电子元件的认识

电子元件的认识

電子元件的認識:♦一﹑電阻1﹒種類﹕♦ a 按製作材料可分為﹕碳膜電阻﹑金屬膜電阻﹑線繞電阻和♦水泥電阻等。

其中常用的為碳膜電阻﹐而水泥電阻則常用♦於大功率電器中或用作負載。

♦ b 按功率大小可為1/8w以下(Chip)1/8w﹑1/4w﹑1/2w﹑1w﹑♦2w等。

♦ c 按阻值表示法又可分為數字表示法及色環表示法。

♦ d 按阻值的精密度又可分為精密電阻(五環)和普通電阻♦(四環)。

精密電阻通常在Z軸表中用“F”表示。

♦2﹒電阻的單位及換算﹕¨ a 電阻的單位﹕我們常用的電阻單位為千歐(KΩ),兆歐(MΩ)﹐¨電阻最基本的單位為歐姆(Ω)¨ b 電阻的換算﹕1MΩ= 1000KΩ= 106Ω1Ω= 10-3 KΩ=¨10-6 MΩ¨3﹒電阻的電路符號及字母表示﹕¨ a 電路符號﹕我們常用的電路符號有兩種﹕¨¨或¨ b 字母表示﹕R¨4﹒電阻的作用﹕阻流和分壓。

¨5﹒電阻的認識﹕各種材料的物體對通過它的電流呈現一定的阻力﹐這種阻礙電流的作用叫電阻。

具有一定的阻值﹐一定的幾何形狀﹐一定的技朮性能的在電路中起電阻作用的電子元件叫电阻器﹐即通常所稱的電阻。

電阻R在數值上等於加在電阻上的電壓U通過的電流I的比值﹐即R=U/I。

¨6, 電阻的阻值辨認﹕由於電阻阻值的表示法有數字表示法和¨色環表示法兩種﹐因而電阻阻值的讀數也有兩種﹕¨ a 數字表示法﹕此表示法常用於CHIP元件中。

辨認時數字之¨前兩位為有效數字﹐而第三位為倍率。

¨例如﹕¨表示﹕33×104Ω=330 KΩ表示﹕27×105Ω=2.7 MΩb.色環表示法﹕第一、二环颜色:黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金銀代码:0 1 2 3 4 5 6 7 8 9第三环:100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 10-2第四环:土5%土10%(a).以上為四環電阻的色環及表示相應的數字﹐其中第一﹑二環為有效數字﹐第三環為倍率﹐第四環為誤差。

电子元件的认识

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矩形片状瓷介质电容少数为单层结构,大多 数为层叠结构。
積層陶瓷電容
其規格主要有: 0402、 0603、0805、1206、 1210等,
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© USI proprietary and confidential
排容(Capacitor Networks)
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© USI proprietary and confidential
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普通電感
其規格主要有: 0603 、0805、1206等。
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© USI proprietary and confidential
四、二极管(D:Diode)
1.二极管概述
二极管是由一对PN结连接起来构成单向导通的电子元件。二极管有耐压、 耐流、导通电压、导通时间等技术指标。二极管都是有极性的元件。 二极管可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基快速二极 管、发光二极管等。 二极管在电路中可起整流、稳压、保护(如运放的输入、输出)、开关 的作用。
常见的IC主要有SOP(SOP、VSOP、HSOP、VHSOP) QFP(QFP、VQFP) SOJ PLCC BGA(PBGA、CBGA等) CSP FC
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SOP Small Outline Package
SOP型的IC從引腳數分類有:SOP08、SOP16、 SOP24、SOP30等多種
P 型 三 极 管
N 型 三 极 管
型 达 林 顿 管
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电子元件认识

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6.8頻率(誤差)1UHZ.
阻抗ppm
匹配容值Ω
7.其他半導體元件與整流瀘波電路
7.1整流電路的任務是將交流電流換成單向脈動電流,再通過瀘去其中的交流成分,得到比較平滑的直流電流.
7.2物質導電能力分:導體,絕緣體,半導體三類.
半導體的導電能力介于導體和絕緣之間.半導體的導電特性:導電能力隨著摻入雜質,輸入電壓(或電流)溫度和光照等條件的變化而發生很大變化.
1.2單位:歐姆符號:“Ω”
1.3數量級: 1MΩ=103KΩ=106Ω
1.4電阻分類: CHIP電阻、DIP電阻、可調電阻VR
1.5電阻作用:分流分壓和降壓限流的作用外,其它還有電平調節阻抗匹配等作用.
A.金屬皮膜電阻:阻值小、功率大,散熱作用.
B.碳膜電阻:阻值大、功率小,一般作用
備注:以上A、B兩種電阻均為插件電阻.
1.電子元件認識
名稱
單位
電路圖/基板代碼
電路符號
電阻
歐姆(Ω)

可變電阻
歐姆(Ω)
電容
法拉(F)
C
電感
亨利(H)
L
二極体
D
發光二極体
LED
齊納二極体
ZD
三極管
Q
集体電路
U&IC
變壓器
T
跳線
J
散熱片
HS
開關
HW
插座
B
1.電阻(RESISTOR)
1.1電路符號:“ ”(普通電阻)或“ ”
“ ”(可調電阻)
第三色環
第四色環
第1數字
第2數字
第3數字
誤差

0
0
100

认识常用电子元件(图解)

认识常用电子元件(图解)

一般二极管的负极用白色、红色或黑色色环标识,发光二极管 一般用引脚长度不同来区分极性,较短的引脚为负极。
C)二极管的变形体:整流块电路、数码发光管、双色发光管
晶体三极管管脚的判别
用万用表判别三极管管脚的根据是:NPN型三极管基极到
发射极和基极到集电极均为PN结的正向;而PNP型三极管
基极到发射极和基极到集电极均为PN结反向。根据二极管 正向电阻小、反向电阻大的特点,判断出三极管的基极,进 而确定集电极与发射极。
工作电压
元件值读取的例子:图片中电容的丝印为100,读取其元件值:
第一、二位10 X 第三位0=10X1=10μF
250V~表示工作电压为交流250V。
电容值
允许误差
安规认 证标志
工作 电压
e、安规电容:是一类比较特 殊的电容,它在电路中起到保 护作用。安规电容按照使用条 件可分为两大类:X安规电容, Y安规电容。元件表面有丝印, 无极性。印有各类安规认证标 志。容值识别规则:第一、二 位表示元件值有效数字,第三 位表示有效数字后应乘的倍率。 且印有允许误差、工作电压。 基本单位:pF.
温度系数
a、瓷片电容:是最常用的一类电容, 其性能稳定,可适用的频率广泛, 体积小型化容易。元件表面有丝印, 无极性。 容值识别规则:第一、二位表示元 件值有效数字,第三位表示有效数 字后应乘的倍率。允许误差也在丝 印上有体现,并且部分生产厂家将 温度系数也印在元件本体上。 基本 单位: pF。
电容值
★ 传声器是指驻极体电容传声器,即俗称的咪头。
贴片咪头
4. ★保险丝
玻璃管保险丝
温 度 保 险 丝
★ 保险丝也被称为熔断器。 ★ 保险丝的作用是:当电路发生故障 或异常时,伴随着电流不断升高,并 且升高的电流有可能损坏电路中的某 些重要器件或贵重器件,也有可能烧 毁电路甚至造成火灾。保险丝就会在 电流异常升高到一定的高度和一定的 时候,自身熔断切断电流,从而起到 保护电路安全运行的作用

常用电子元器件的认识

常用电子元器件的认识

电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ) 和兆欧(MΩ).1MΩΩ3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻,可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围Carbon Film :-55℃----+155℃Metal Film :-55℃----+155℃Metal Oxide Film :-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2 四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 ±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2%±2.5%±3%±5%±10%±20% Symbols F G H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻(保险丝电阻)(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率, P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factor and low ESR.High insulation resistanceHigh stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器)High moisture resistanceGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic insertionESR is minimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and high insulation resistance.High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.Low equivalent series resistance.Non-inductive construction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性)2.主要参数(1)电感量及允许偏差(2)品质因子(Q值)感抗x L=W L=2πfL Q=2πfL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODE Test # Description1 VF Forward voltage2 IR Reverse current leakage3 BVR Breakdown voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管 (4)变容二极管 (6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压V R(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENER Test # Description1 V F Forward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test #5)3 BV Z Maximum Zener voltage.(Use test #5)4 I R Reverse current leakage5 BV Z BVz with programmable soak6 ZZ1.电路符号(图一2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差 些. (3)额定功率损耗 (4)电压温度系数 (5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管) TRANSISTOR Test # Description1h FEForward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff current I CER, with base to emiter load,I CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter, BV CER with base to emiter load, BV CEX reverse bias,or BV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base 9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10V BESATBase emitter saturation voltage1.电路符号(b)PNPNPN(b) PNP结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β为三极管电流放大倍数.(1)NPN (2) PNP (3)共发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即 NPN型三极管V c>V b>V e, PNP型三极管V c<V b<V e.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE时,三极开始截止,为了截止可靠,常使U BE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当V CE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区. 饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管U CE(sat)≒4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即H fe,β=I C/I B(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗P CM(6)集电极最大允许电流I CM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 I GT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5 V GT Gate-trigger voltage6 BV GKO Reverse gaet breakdown voltage7 I DRM Forward Blocking current8 I RRM Reverse Blocking current9 I L Latching current11 I H Holding current(see also Appendix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward blocking voltage16 V RRM Reverse blocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压U F,约为(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=P o/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLER Test #(Requires Opto Adapter) 1 LCOFF Collector to emitter darkcurrent2 LCBO Collector to base dark current3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdown voltage,collector to base5 HFE Forward current transfer ratio,transistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse current8 VF Forward voltage9 CTR Current transfer ratio,coupled10 VSAT Saturation voltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FI C/I F=CTR十.场效应管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下结型场效应管有三极:珊极g g 源极 N型漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当U DS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时, 源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSON Drain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gate to Source leakage current forward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specified In at specified Vos.(see SISQ Appendix F) 9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11 VGSON On-state gate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管. 符号和极性(1)增强型 NMOS (2)增强型 PMOS(3)耗尽型 NMOS (4)耗尽型PMOS二.主要参数-+1.漏源击穿电压BV DS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A)TL431内部结构如图(b),其内部有一个的基准电压,当U R 时, K,A 极处于导通状态,当U R 时,K,A 极截止. A (b)(二).PWM 开关电源的集成电路(IC)片共16 Pin,各Pin 功能如下:1). CS 此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过时,IC 失去作用 2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET 管的输出(方波输出) 4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP 内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT 此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于时,占空比控比例开始减少.当时,占空比减少到最大占空比的65%.14).POCP 接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE 此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT 峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS 有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为9)REF 基准电压端,产生基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE 输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON 接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF 接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP点为10)V12 检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3 检测的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其UUP点为1.09~1.16V,OVP点为13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地,从而产生内部恒流参考电压输出16)Vcc IC电源。

电子元器件认识

电子元器件认识

05
电子元器件的应用与发展趋势
电子元器件的应用领域
通信领域
电子元器件广泛应用于通信设备、移动终端、基站等,实现信号的传 输、处理和接收。
计算机领域
电子元器件是计算机硬件的重要组成部分,包括中央处理器、内存、 硬盘等关键部件。
工业控制领域
在工业自动化和智能制造中,电子元器件发挥着至关重要的作用,如 传感器、控制器、执行器等。
特性
电阻器的阻值(也称为电阻)是 其主要特性,通常以欧姆(Ω) 为单位。
参数
电阻器的参数包括阻值、精度 、功率和温度系数等。
应用
电阻器在电路中用于分压、限 流和信号调节等。
电容器
定义
电容器是一种存储电荷 的电子元件。
特性
参数
应用
电容器的主要特性是容 量(也称为电容),通 常以法拉(F)为单位。
电容器的参数包括容量、 耐压、绝缘电阻和温度
确认替换需求
明确需要替换的电子元器件型 号、规格及参数。
拆卸原器件
使用适当的工具和技巧,安全 地拆卸需要替换的电子元器件。
测试与验证
对更换后的电子元器件进行测 试和验证,确保其工作正常且 符合电路要求。
04
电子元器件的常见问题与解决 方案
电子元器件的常见问题
元器件损坏
由于过载、电压过高、电流过大等原因,导 致电子元器件烧毁或损坏。
元器件性能不稳定
由于制造工艺、材料缺陷、使用环境等因素, 导致元器件性能波动或失效。
元器件接触不良
由于连接线路松动、焊点氧化等原因,导致 元器件间信号传输中断或不良。
元器件发热
由于功耗过大、散热不良等原因,导致元器 件温度升高,影响其性能和寿命。
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当□为 0 时,直接读取前两位数字即可;
当□大于或等于 1 时,前两位直接加次方数读入;
如此类推。
如标示为 473,表示 47×103=47000Ω=47KΩ。 标示为 10R5,表示 10.5Ω;标示为 100K,表示 100×103Ω。
四位标示法:※※※□,※表示电阻的有效值,□表示 10 的次方数。
TAN C
Tantalum Capacitor
钽质电容
EC
Electrolytic Capacitor
电解电容
QFP
Quad Flat Package
四面扁平封装
BGA
Ball Grid Array
锡球栅格数组
PLCC
Plastic Lead Chip Carrier
塑料导脚承载封装
DIP
Dual Inline Package
当□为 0 时,直接读取前三位为数字即可;
当□大于或等于 1 时,前三位直接加 10 的次方数;
如此类推。
如标示为 4753,表示:475×103=75000Ω=475KΩ。
色环标示法:用十种颜色分别表示 0~9,以不同颜色的环在电阻表面标注不同的阻值。
数值: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
电感的标示与电阻的标示的方法一致。 5.2.SMT 电感(Chip L) SMT 电感与 SMT 电阻在封装外形上完全一样。
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5.3.插件电感(DIP L)
插件电感与插件电阻封装外形上完全一样。 5.4.电感线圈
电感线圈就是电感绕在磁体上所构成的电子器件。在电路中起储能、扼流、滤波等作用。在 电路中的符号如左上图所示,开头如右上图所示。 6、二极管(D:Diode) 6.1.二极管概述 二极管是由一对 PN 结连接起来构成单向导通的电子组件。二极管有耐压、耐流、导通电压、 导通时间等技术指标。二极管都是有极性的组件。 二极管可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基快速二极管、发光二极管等。 二极管在电路中可起整流、稳压、保护(如运放的输入、输出)、开关的作用。 二极管的图形有:
管脚栅格数组
CSP
Chip Scale Package
芯片缩放式封装
COB
Chip On Board
板上芯片贴装
COC
瓷质基板上芯片贴装
MCM
Multi-Chip-Module
多芯片模型贴装
LCC
Leadless Chip Carrier
无引线片式载体
CFP
Ceramic Flat Package
陶瓷扁平封装
MPGA)。 (10) 色环的识别及读数。 (11) 电阻的分类(从外形分)及阻值的表示方法。 (12) 电容的分类(从外形/功能分)。 (13) 电感的分类(从外形分)及感值的表示方法。 (14) 英文简写(Tr、IC、TAN C、EC)及中文全称。
标★的内容很重要,必须掌握!!!
目录
1、课程目的 2、英文简写 3、电阻(R:Resistor)
双列直插
ZIP SOP(SOIC)
Zigzag Inline Package Small Outline Package
单列直插 小外形封装
SOJ MPGA
Small Outline J-lead Package Micro Pin Grid Array
塑料 J 形线封装 微型管脚栅格数组
PGA
Pin Grid Array
PQFP TQFP
Plastic Quad Flat Pack Thin Quad Flat Package
塑料四边引线封装 扁平簿片方形封装
TSOP
Thin Small Outline Package
微型簿片式封装
CBGA
Ceramic Ball Grid Array
陶瓷焊球数组封装
CPGA
Ceramic Pin Grid Array
3.3 插件电阻如上图所示,黑色为本体,两端为管脚,采用色环标示法,本体上的色环表示 其阻值。 3.4.排列电阻(Network R)
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排列电阻有两种外形,一种是单列直插(如左图),一种为 SMT 形式(如右图)。单列直插 一般有 5 脚(4 个电阻)和 9 脚(8 个电阻),且第一脚为公共脚(图中白点):SMT 一般有 8 脚(4 个电阻)和 16 脚(8 个电阻)。采用文字标示法。 4、电容(C:Capacitor) 4.1.电容概述 电容是由两片金属电极,中间夹着一层电介质所组成的电子组件。电容的技术指标 有容值、耐压与绝缘电阻等。 电容可分为陶瓷电容、铝电解电容、厚膜电容、钽质电容等。 电容在电路中起隔直流、旁路、滤波(RC、LC)与 LC 振荡器。 电容的单位是法拉(F),常用的单位有皮法(pF),微法(uF)。它们的换算关系为: 1F=106uF=1012pF, 1uF=106pF。 在电路中,电容的图形为:
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插件晶体管如上图示,本体是大半个圆柱体,三个管脚有成三足鼎立状态的,也有三个并排 的,其极性一般是从左到右是 e-b-c,但型号不同也会不一样的。 7.4.大功率晶体管
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钽质电容的封装与 SMT 电容基本一样,只是钽质电容是有极性的,图中的白色部分表示其 正极。 4.5.陶瓷电容(Ceramic C) 陶瓷电容如下图所示,其无极性,属于插件组件,采用文字标示法。其一般容值比较小,但 耐压较高。
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5、电感(L:Inductor) 5.1.电感概述 电感是用导线在绝缘体上单层或多层绕制而成的电子组件。电感具有阻碍交流电通过的特 性。电感的技术指标有感值、感抗等。电感都是无极性组件。 电感可分为铁氧体电感、线绕电感和陶瓷电感等。 电感在电路中起储能、阻交流、LC 振荡器、滤波(LC、LR)等作用。 电感的单位是亨利(H),常用的单位有毫亨(mH)、微亨(uH),它们的换算关系为: 1H=103mH=106uH,1mH=103uH. 在电路中,电感的图形为:
P MOSFET N MOSFET N P N P




三 极
三 极
达 林
达 林






7.2.SMT 晶体管(Chip Transistor)
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SMT 晶体管如上图所示,象个乌龟趴在那儿,其管脚极性型号不同不一样。标示方法与其 它 SMT 组件一样。 7.3.插件晶体管(DIP Transistor)
电子组件认识
基本认知:
(1) 电阻/电容/电感的简写。 (2) R/C/L 的标准单位及常用单位,以及它们之间的换算关系。★ (3) R/C/L 在电路中的符号表示。★ (4) SMTR/C/L 值的读数法。★ (5) R/C/L 有无极性(方向性),分别是哪些。 (6) R/C/L 外形尺寸的描述及读数法。★ (7) 二极管、晶体管的极性及二极管的正负极。 (8) 晶振的符号及作用。 (9) IC 的外形识别,英文简写、中文全称(SOP/SOIC、DIP、QFP、PLCC、BGA、PGA、
1MΩ=103KΩ=106Ω,1KΩ=103Ω。 在电路中,电阻的图形为
电阻的标示方法有直接标示法、文字标示法和色环标示法。
直接标示法即直接将电阻值标示于电阻上,如标示为 1500,即是 1500Ω。
文字标示法即是用三位或四位数字表示其电阻值。当有两位有效位时,采三位标示法※※□,
※表示电阻的有效值,□表示 10 的次方数。 K=103=1000,M=106=1000000。
L
DIP Inductor
SMT 电容 插件电容 SMT 电感 插件电感
D
Chip Transistor
D
DIP Diode
SMT 二极管 插件二极管
Tr
Chip Transistor
Tr
DIP Transistor
SMT 晶体管 插件晶体管
IC
Integrated Circuit Chip
集成电路芯片
晶圆片级芯片规模封装
FCOB
板上倒装片
TO MCM
Transistor Outline Multi Chip Model
多芯片模块系统
3、电阻(R:Resistor) 3.1 电阻概述 电阻是指物体对流过的电流产生的阻碍作用。而俗称的电阻是指电阻器,即是指具有一定 形状、一定电阻值、一定技术指针的在电路中起电阻作用的组件。电阻有阻值、功率与耐 压等技术指标。电阻都是无极性组件。 电阻可分为厚膜电阻、薄膜电阻、线绕电阻、水泥电阻等。 电阻在电路中起负载电阻、分流电阻、分压电阻、去耦电阻、偏置电阻、取样电阻与滤波电 阻(RC、LR)等作用。 电阻的单位是奥姆(符号为Ω),常用的有Ω、KΩ、MΩ,它们的换算关系为:
+-
电容的标示与电阻的标示的方法一致。 4.2.SMT 电容(Chip C)
SMT 电容本体上没有字,印在托盘或标签上,读数法与 SMT 电阻一样,参考单位为 pF。 4.3.电解电容(Electrolytic C )
电解电容的外形如上图示,是一个圆柱本体加两个细长的管脚,它有极性,较短的管脚为负 极,本体中用灰白色的“—”来表示(如图中所示)。电解电容目前主要是插件封装,SMT 封 装已经出现,但应用不广。 4.4.钽质电容(Tantalum C)
陶瓷针栅数组封装
CQFP
Ceramic Quad Flat Package
陶瓷四边引线扁平
CERDIP
Ceramic
陶瓷熔封双列
PBGA
Plastic Ball Grid Array
塑料焊球数组封装
SSOP
Shrink Small Outline Package
窄间距小外型塑封
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