NOR-Flash存储器介绍及编程

NOR-Flash存储器介绍及编程NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。

NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。

Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。

在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。

NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。

作为代码存储器，NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。

若设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。

因此NOR Flash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。

经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。

2 实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturer ID和device ID。

对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功(读出数据是否为为全0xFFFF)。

往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。

3实验分析1(Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性和读写操作的要求。

Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS 多用途Flash。

它的主要特性如下。

存储空间组织1M×16bit。

读写操作采用单一电源 2.7,3.6V。

可靠性, 可擦写100 000个周期(典型值);, 数据可保存100年。

低功耗- 动态电流 15mA(典型值);, 静态电流 4?A(典型值);, 自动低功耗模式4?A(典型值)。

扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。

快速读操作时间 70ns和90ns。

具有锁地址和数据功能。

快速擦除和以字为单位编程。

扇区擦除时间 18ms(典型值);快擦除时间 18ms(典型值);片擦除时间 70ms(典型值);字擦除时间 14?s(典型值);片重写时间 15s(典型值).自动写时序内部产生VPP写结束的检测, 翻转位;, 数据轮流检测。

与CMOS电平的I/O口兼容。

符合JEDEC标准采用Flash EEPROM的标准引脚排布和指令集。

芯片引脚分布(TSOP封装)如图1所示。

图1 Am29LV160D的引脚分布图引脚描述如表1所示。

表1 Am29LV160D引脚功能描述Am29LV160D的电路连接方式如图2所示。

图2 Am29LV160D的电路连接图5编程指导NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。

本实验将要对NOR Flash进行的操作包括“读”、“写”和“擦除”。

对与“读”操作，可以直接从相应地址读出数据，但对于“写”和“擦除”操作，应遵循NOR Flash的操作步骤，通常应根据地址定义的类型，向特定的地址处写入特定的命令字，如果需要，再读出数据，验证操作是否成功。

图3与图4分别是Am29LV160D的“写”与“整片擦除”操作流程图，表2是Am29LV160D的操作命令。

基本操作应按照表中所示的步骤进行，在进行各种操作前，应首先确定地址类型为“字(16位)”还是“字节(8位)”，例如:当进行“写”操作时，如果地址定义成“字”类型，则应首先向NOR Flash的地址0x555处写入0xAA，其次向地址0x2AA处写入0x55，再向地址0x555处写入0xA0，最后向指定地址写入数据。

“擦除”操作与“写”操作类似。

表中其它操作的含义，请参考Am29LV160D的数据手册。

内部操作不需要干预图3 “写”操作流程图4 “整片擦除”操作流程表2 Am29LV160D操作命令6 程序代码#include "ccblkfn.h"#include "sysreg.h"#include <sys\exception.h>#include <cdefBF532.h>#define pFlashAStartAddress #define pFlashAUnlock1Address0x555)#define pFlashAUnlock2Address 0x2aa)#define pFlashAManufacturerIDAddress #define pFlashADeviceIDAddress 0x01)#define DelayLength 100void delay(unsigned int DelayValue) {int i;for(i=0;i<DelayValue;i++) {;}}void Init_EBIU(void){*pEBIU_AMBCTL0 = 0xfff0fff0; (volatile unsigned short *)0x20000000 (volatile unsigned short *)(pFlashAStartAddress + (volatile unsigned short *)(pFlashAStartAddress + (volatile unsigned short*)(pFlashAStartAddress + 0x00) (volatile unsigned short*)(pFlashAStartAddress +*pEBIU_AMBCTL1 = 0xfff0fff0; *pEBIU_AMGCTL = 0x000f;}void FlashReset(void){*pFlashAStartAddress = 0xf0;delay(DelayLength);}unsigned short FlashGetManufacturerID(void) {unsigned short FlashValue;*pFlashAUnlock1Address = 0xaa;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock2Address = 0x55;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0x90;delay(DelayLength);FlashValue = *pFlashAManufacturerIDAddress; delay(DelayLength); return(FlashValue);}unsigned short FlashGetDeviceID(void){unsigned short FlashValue;*pFlashAUnlock1Address = 0xaa;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock2Address = 0x55;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0x90;delay(DelayLength);FlashValue = *pFlashADeviceIDAddress; delay(DelayLength); return(FlashValue);}void FlashEraserChip(void){*pFlashAUnlock1Address = 0xaa;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock2Address = 0x55;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0x80;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0xaa;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock2Address = 0x55;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0x10;delay(DelayLength);while((*pFlashAStartAddress) != 0xffff){;}}void FlashProgarmmeWord( unsigned short Value,unsigned int pFlashOffsetAddress) {*pFlashAUnlock1Address = 0xaa;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock2Address = 0x55;delay(DelayLength);*pFlashAUnlock1Address = 0xa0;delay(DelayLength);*(volatile unsigned short *)(0x20000000 + pFlashOffsetAddress) = Value;delay(DelayLength);while((*(volatile unsigned short *)(0x20000000 +pFlashOffsetAddress)) != Value) {;}}void main(void){unsigned short a;Init_EBIU();FlashReset();//reset flasha = FlashGetManufacturerID();//manufacturer ID is 0x0001a = FlashGetDeviceID();//device ID is 0x2249FlashReset();//reset flashFlashEraserChip();//eraser flash chipa = *(volatile unsigned short *)0x20000000;//read out is 0xffffFlashProgarmmeWord(0x5555,0x00);a = *(volatile unsigned short *)0x20000000;//read out is 0x5555while(1) {;}}。