模拟数字电路及答案ppt课件
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模拟电子技术基础PPT课件-经典全
模拟电子技术基础
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程
一、电子技术的发展
电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无 孔不入”，应用广泛！
• 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器
因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
最大功耗PZM＝ IZM UZ
动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会
因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电
流的限流电阻！
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
结电容小，故结允许 结电容大，故结允许 可大，小的工作频率
的电流小，最高工作 的电流大，最高工作 高，大的结允许的电
频率高。
频率低。
流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS(eUT 1) (常温下UT 26mV)
击穿 电压
温度的 电压当量
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程
一、电子技术的发展
电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无 孔不入”，应用广泛！
• 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器
因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
最大功耗PZM＝ IZM UZ
动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会
因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电
流的限流电阻！
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
结电容小，故结允许 结电容大，故结允许 可大，小的工作频率
的电流小，最高工作 的电流大，最高工作 高，大的结允许的电
频率高。
频率低。
流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS(eUT 1) (常温下UT 26mV)
击穿 电压
温度的 电压当量
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
模拟电路与数字电路寇戈蒋立平章详解
模拟电路与数字电路寇戈蒋立 平章ppt课件
课堂要求
• 认真听讲,做笔记,少睡觉 • 按时到教室听课 • 作业认真做
交作业安排
• 一班(21人): 1,8,9,13,15,22,24,25,26,31,35,39,45,46,48,52, 53,55,56,59,60
• 二班(25人): 11,13,15,18,20,22,23,26,27,29,30,31,36,37,40 ,44,47,48,50,55,56,57,59,63,64
第13章 脉冲信号的产生与整形
绪论
数字电路是指使用数字信号，并能对数字量 进行算术运算和逻辑运算的电路。
一、模拟量和数字量
模拟量：模拟量就是连续变化的量。自然界中可 测试的物理量一般都是模拟量,例如温 度，压力，距离，时间等。
数字量：数字量是离散的量。数字量一般是将模 拟量经过抽样、量化和编码后而得到的。
ec d
a fb g
ec d
a
电 路
位二
） 秒个
进制
位显
fb g
码
示码
ec
d
三、数字电路特点: 1) 工作信号是二进制表示的二值信号(具有“0”和“1”
两种取值); 2) 电路中器件工作于“开”和“关”两种状态,研究电路 的输出和输入的逻辑关系; 3) 电路既能进行“代数”运算,也能进行“逻辑”运算;
8.1 数制与BCD码 所谓“数制”，指进位计数制，即用进位的方法来计数.
数制包括计数符号（数码）和进位规则两个方面。 常用数制有十进制、二进制、八进制、十二进制、十 六进制、六十进制等。
8.1.1 常用数制 1. 十进制
(1) 计数符号: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9. (2) 基数: 10. (3) 进位规则: 逢十进一.
课堂要求
• 认真听讲,做笔记,少睡觉 • 按时到教室听课 • 作业认真做
交作业安排
• 一班(21人): 1,8,9,13,15,22,24,25,26,31,35,39,45,46,48,52, 53,55,56,59,60
• 二班(25人): 11,13,15,18,20,22,23,26,27,29,30,31,36,37,40 ,44,47,48,50,55,56,57,59,63,64
第13章 脉冲信号的产生与整形
绪论
数字电路是指使用数字信号，并能对数字量 进行算术运算和逻辑运算的电路。
一、模拟量和数字量
模拟量：模拟量就是连续变化的量。自然界中可 测试的物理量一般都是模拟量,例如温 度，压力，距离，时间等。
数字量：数字量是离散的量。数字量一般是将模 拟量经过抽样、量化和编码后而得到的。
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电 路
位二
） 秒个
进制
位显
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码
示码
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三、数字电路特点: 1) 工作信号是二进制表示的二值信号(具有“0”和“1”
两种取值); 2) 电路中器件工作于“开”和“关”两种状态,研究电路 的输出和输入的逻辑关系; 3) 电路既能进行“代数”运算,也能进行“逻辑”运算;
8.1 数制与BCD码 所谓“数制”，指进位计数制，即用进位的方法来计数.
数制包括计数符号（数码）和进位规则两个方面。 常用数制有十进制、二进制、八进制、十二进制、十 六进制、六十进制等。
8.1.1 常用数制 1. 十进制
(1) 计数符号: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9. (2) 基数: 10. (3) 进位规则: 逢十进一.
《模拟电路版图》PPT课件
❖ 在整个的设计流程中，都要不断沟通，以保 证所设计的版图不仅功能正确，且性能最优。
❖ 四、完成进度不同
❖ 在数字电路设计中，芯片的绝大部分电路往 往在开始版图工作时，就已经完成。而模拟 电路则不同，电路设计和版图设计可能会同 时进行。
❖ 五、创新要求不同
❖ 与数字电路不同，模拟电路的版图设计重复 性不多，创新很重要。
❖ 并联布线：将上下层金属线重叠起来，形成 叠层结构，实际上是几层金属线的并联，相 当于加宽了导线。
❖ 在高频电路中，寄生电感不可忽略。
❖ 利用寄生参数 ❖ 不能依赖寄生参数作为电路的一个成分，因
为无法很好的控制它们，通常的误差可以是 正负50%。 ❖ 但是在不关心电路参数的大小，例如只想要 一个大电容，可以利用寄生参数来满足。
❖ 一、CMOS晶体管 ❖ 由阱至衬底的电容 ❖ 由栅极至阱的电容 ❖ 这些寄生参数会使得电路的工作速度变慢。
❖ 一种技术：减少多晶硅的串联电阻。可以通 过将多晶硅分成多个“指形”的结构，然后 用导线将它们并联起来以降低电阻。
❖ 通过分成多个器件以及源漏共享可以大大减 小CMOS晶体管上的寄生参数。
❖ 匹配规则之八：用虚设器件围起来。
❖ 将器件围绕一个公共的中心点放置，称为共 心布置。甚至把器件在一条直线上对称放置 也可以看做是共心技术。
❖ 共心技术对减少在集成电路中存在的热或工 艺的线性梯度影响非常有效。
❖ 一、四方交叉
❖ 把一个器件分为两半，然后把他们成对角线 放置。这种特殊的工薪技术称为四方交叉。
❖ 一、规模不同
❖ 二、主要目标不同
❖ 数字电路的目标：优化芯片的尺寸和提高集 成度
❖ 模拟电路的目标：优化电路的性能、匹配程 度、速度和各种功能方面的问题。
❖ 四、完成进度不同
❖ 在数字电路设计中，芯片的绝大部分电路往 往在开始版图工作时，就已经完成。而模拟 电路则不同，电路设计和版图设计可能会同 时进行。
❖ 五、创新要求不同
❖ 与数字电路不同，模拟电路的版图设计重复 性不多，创新很重要。
❖ 并联布线：将上下层金属线重叠起来，形成 叠层结构，实际上是几层金属线的并联，相 当于加宽了导线。
❖ 在高频电路中，寄生电感不可忽略。
❖ 利用寄生参数 ❖ 不能依赖寄生参数作为电路的一个成分，因
为无法很好的控制它们，通常的误差可以是 正负50%。 ❖ 但是在不关心电路参数的大小，例如只想要 一个大电容，可以利用寄生参数来满足。
❖ 一、CMOS晶体管 ❖ 由阱至衬底的电容 ❖ 由栅极至阱的电容 ❖ 这些寄生参数会使得电路的工作速度变慢。
❖ 一种技术：减少多晶硅的串联电阻。可以通 过将多晶硅分成多个“指形”的结构，然后 用导线将它们并联起来以降低电阻。
❖ 通过分成多个器件以及源漏共享可以大大减 小CMOS晶体管上的寄生参数。
❖ 匹配规则之八：用虚设器件围起来。
❖ 将器件围绕一个公共的中心点放置，称为共 心布置。甚至把器件在一条直线上对称放置 也可以看做是共心技术。
❖ 共心技术对减少在集成电路中存在的热或工 艺的线性梯度影响非常有效。
❖ 一、四方交叉
❖ 把一个器件分为两半，然后把他们成对角线 放置。这种特殊的工薪技术称为四方交叉。
❖ 一、规模不同
❖ 二、主要目标不同
❖ 数字电路的目标：优化芯片的尺寸和提高集 成度
❖ 模拟电路的目标：优化电路的性能、匹配程 度、速度和各种功能方面的问题。
《数字电路技术》PPT课件
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（1-2）
模拟信号： 正弦波信号 u
锯齿波信号
u
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t t
（1-3）
研究模拟信号时，我们注重电路 输入、输出信号间的大小、相位关系。 相应的电子电路就是模拟电路，包括 交直流放大器、滤波器、信号发生器 等。
在模拟电路中，晶体管一般工作 在放大状态。
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（1-4）
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（1-11）
每四位2进 十六进制与二进制之间的转换： 制数对应
一位16进 制数
(0101 1001)B= [027+1 26+0 25+1 24
+1 23+0 22+0 21+1 20]D
= [(023+1 22+0 21+1 20) 161
+(1 23+0 22+0 21+1 20) 160]D =(59)H
(10011100101101001000)O=
(10 011 100 101 101 001 000)D =
( 2 3 4 5 5 1 0 )O
=(2345510)O
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（1-14）
（4）十进制与二进制之间的转换：
（N）D Ki 2i i0
两边除二，余第0位K0
（N 2） Di 1Ki 2i1K 20
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（1-19）
在BCD码中，用四位二进制数表示 0~9十个数码。四位二进制数最多可以 表示16个字符，因此0~9十个字符与这 16中组合之间可以有多种情况，不同的 对应便形成了一种编码。这里主要介绍：
8421码 5421码
2421码 余3码
模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全
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透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
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目前国内使用较多的电路设计仿真软件有PSPICE、Proteus和Multisim 等。就模拟电路仿真来说,Multisim 以其界面友好、功能强大、易于学习 的优点而受到高校电类专业师生和工程技术人员的青睐。Multisim13.0版 本已上市,但目前使用比较稳定、用户数较多的还是10.0版本。对于使用 者来说,只要有一台计算机和Multisim 软件,就相当于拥有了一间设备齐全 的电路实验室,可以调用元器件,搭建电路,利用虚拟仪器进行测量,对电路 进行仿真测试,可以实时修改各类电路参数,实时仿真,从而帮助使用者了解 各种电路变化对电路性能的影响,对电路的测量直观、智能,是进行电路分 析和设计的有效辅助工具。使用者在学习和解题的过程中,可以通过 Multisim 对电路中某个节点的电压波形、某条支路的电流波形、电路结构 变化产生的影响等方方面面问题快速仿真而得到答案。
模拟电路基础教程PPT课件
1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
模拟电路基础教程PPT课件
2.电子系统的构成
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模拟电路基础教程PPT课件
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。
数字逻辑电路大全PPT课件(2024版)
第6页/共48页
Rb1 4kΩ
Rc 2 1.6kΩ
Vc 2
1
+VCC（ +5V） Rc4 130Ω
3
T2 4
1
3
A
31
2T2
D Vo
B
T1
C
Ve 2
1
3
2T 3
Re2
1kΩ
输入级
中间级
输出级
第7页/共48页
2．TTL与非门的逻辑关系
（1）输入全为高电平3.6V时。
T2、T3导通，VB1=0.7×3=2.1（V ），
列。 6 ． 74AS 系 列 —— 为 先 进 肖 特 基 系
列， 它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低 功耗肖特基系列， 是74LS系列的后继产品。
第30页/共48页
2.3
一、 NMOS门电路 1．NMOS非门
MOS逻辑门电路
VDD (+12V)
VDD (+12V)
VDD (+12V)
0.4V
高 电 平 噪 声 容 限 第1V5页NH/共＝48V页OH （ min ） - VON ＝ 2.4V-2.0V ＝
四、TTL与非门的带负载能力
1．输入低电平电流IIL与输入高电平电流IIH （1）输入低电平电流IIL——是指当门电路的输入端
接低电平时，从门电路输入端流出的电流。
& Vo G0
呈 现 高 阻 ， 称 为 高 阻 态 ， 或 禁 止 态+V。CC
Rc2
Rc4
Rb1
Vc2 1
3
T2 4
A
&
B
L
EN
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常使用的二极管，是不允许出现这种现象的。
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第一节 晶体二极管
三、晶体二极管器件的参数及分类
1.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM 最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的
最大正向平均电流。当电流超过这个允许值时，二极管会因 过热而烧坏，使用时务必注意。 (2)最高反向工作电压VRM 指二极管在使用时允许加上的最高反向电压。如果超过此值 二极管可能被击穿。一般是反向击穿电压的1/2或2/3。
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第一节 晶体二极管
二、PN结合晶体二极管的结构和特性
1.PN结 如果在硅或锗本征半导体中采用掺杂工艺，使半导体的一边
形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在这两种导电性 能相反的半导体交界面上，将形成一个特殊的接触面，称为 PN结。如图1-2 ( a)所示。 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场 和其他激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移 运动的少子数目，从而达到动态平衡
和集电极电流之和。无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这
一规律。由于基极电流很小，因而 IE≈IC 在PNP型管中，IE流入三极管，IB IC流出三极管，如图1-19
所示
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第二节 晶体三极管
(2)三极管的电流放大作用。
在图1-18所示电路中，信号从基极与发射极之间输入，从集电 极和发射极输出，因此发射极是输入、输出回路的公共端，这
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第二节 晶体三极管
2.极限参数 极限参数是指管子工作时，不允许超过的参数，否则管子性
能下降或损坏。常见的极限参数主要有: (1)集电极最大允许电流ICM ：当集电极电流超过此值时，三
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第一节 晶体二极管
三、晶体二极管器件的参数及分类
1.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM 最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的
最大正向平均电流。当电流超过这个允许值时，二极管会因 过热而烧坏，使用时务必注意。 (2)最高反向工作电压VRM 指二极管在使用时允许加上的最高反向电压。如果超过此值 二极管可能被击穿。一般是反向击穿电压的1/2或2/3。
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第一节 晶体二极管
二、PN结合晶体二极管的结构和特性
1.PN结 如果在硅或锗本征半导体中采用掺杂工艺，使半导体的一边
形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在这两种导电性 能相反的半导体交界面上，将形成一个特殊的接触面，称为 PN结。如图1-2 ( a)所示。 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场 和其他激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移 运动的少子数目，从而达到动态平衡
和集电极电流之和。无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这
一规律。由于基极电流很小，因而 IE≈IC 在PNP型管中，IE流入三极管，IB IC流出三极管，如图1-19
所示
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第二节 晶体三极管
(2)三极管的电流放大作用。
在图1-18所示电路中，信号从基极与发射极之间输入，从集电 极和发射极输出，因此发射极是输入、输出回路的公共端，这
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第二节 晶体三极管
2.极限参数 极限参数是指管子工作时，不允许超过的参数，否则管子性
能下降或损坏。常见的极限参数主要有: (1)集电极最大允许电流ICM ：当集电极电流超过此值时，三
基于Proteus仿真模拟电路实验与设计PPT课件
❖ 常用的无极性电容的名称为“CAP”，极性电容为 “CAP-ELEC”，还有一个可动画演示充放电电荷的 电容为“CAPACITOR”。极性电容“CAP-ELEC”的 原理图符号正端不带填充，负端方框中填充有斜纹。 使用时可直接输入名字拾取即可。
.
13
❖ (5) 电感和变压器
❖ 电感和变压器同属电感“Inductors”这一分类，只不 过在子类中，又分为通用电感、表面安装技术(SMT) 电感和变压器。一般来说，使用电感时直接拾取 “INDUCTOR”元件，使用变压器时，要看原、副 边的抽头数而定。
❖ 变压器的匝比是通过改变原、副边的电感值来实现 的。打开“TRAN-2P2S”变压器的元件属性对话框， 如图4-5所示，原边和副边的电感值都是1H，即变 比n为1:1。如果我们想使它成为n=10:1的降压变压 器，可以改变原边电感，也可改变副边电感，还可 以两者同时改变，但要保证，即原、副边电压比值 等于原边电感与副边电感的平方比。
.
14
❖ 如“TRSAT2P2S2B”即Saturated Transformer with secondary and bias windings，意思是具有副边和 偏置线圈的饱和变压器。
图4-4 变压器拾取对话框
.
15
❖ 变压器在调用时，由于对称按钮可能处于选中状态， 原、副边绕组的位置就颠倒了，使用时要注意，尤 其是原边和副边绕组数目相同的变压器，这涉及到 原、副边的匝比是升压或降压变压器的问题。
直接输入“NPN”或“PNP”来拾取通用元件即可。 如果用到场效应管，则可以在对应的子类中查找。
如图4-1中右侧所示。
.
6
图4-1 三极管元件拾取对话框
.
7
(2) 二极管
.
13
❖ (5) 电感和变压器
❖ 电感和变压器同属电感“Inductors”这一分类，只不 过在子类中，又分为通用电感、表面安装技术(SMT) 电感和变压器。一般来说，使用电感时直接拾取 “INDUCTOR”元件，使用变压器时，要看原、副 边的抽头数而定。
❖ 变压器的匝比是通过改变原、副边的电感值来实现 的。打开“TRAN-2P2S”变压器的元件属性对话框， 如图4-5所示，原边和副边的电感值都是1H，即变 比n为1:1。如果我们想使它成为n=10:1的降压变压 器，可以改变原边电感，也可改变副边电感，还可 以两者同时改变，但要保证，即原、副边电压比值 等于原边电感与副边电感的平方比。
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14
❖ 如“TRSAT2P2S2B”即Saturated Transformer with secondary and bias windings，意思是具有副边和 偏置线圈的饱和变压器。
图4-4 变压器拾取对话框
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15
❖ 变压器在调用时，由于对称按钮可能处于选中状态， 原、副边绕组的位置就颠倒了，使用时要注意，尤 其是原边和副边绕组数目相同的变压器，这涉及到 原、副边的匝比是升压或降压变压器的问题。
直接输入“NPN”或“PNP”来拾取通用元件即可。 如果用到场效应管，则可以在对应的子类中查找。
如图4-1中右侧所示。
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6
图4-1 三极管元件拾取对话框
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7
(2) 二极管
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C A D C
.
B
二．填空题（每空3分，共54分）
6.在本征半导体中加入_五__价__元素可形成N型半导体，加入_三_价__元素可形成P型半导体。
7. OTL电路负载电阻RL=8欧，电源电压Vcc=16V,略去晶体管的饱和压降， 其最大不失真输出功率为_4____W
8. 集成运放在比例运算电路中工作在_线__性_区，在比较器中工作在_非__线__性_区。
Rb
V CC
U I BQ
BEQ
565k
（2）求解RL A&u UUoi 100 A&u rbRe L'
1 1 1 Rc RL
RL 1.5k
RL' 1k
.
解：先求解uO1，再求解uO。 .
解：
19 试用同步十进制计数器74LS160和必要的门电路设计一个365进制计
数器，要求各位之间为十进制关系。
14. 将变化缓慢的信号变换成矩形脉冲信号时，应当采用__施__密_特__触__发__器_
15.若
__ _ _ _ _ _ _
YABACBC
则根据反演规则，原函数Y=__A_B__+_B_C_+__A_C__。
.
解：（1）求解Rb
ICQ
V CC U CE
20μA
9. .已知 Aud 50， Auc 0.0，5 KCMR _6_0_dB
10. 一个32K X 4的存储系统具有___1_2_8_K存储单元，至少需要___1_5条地址线_4_条 数据线
11. 提高D/A转换器精度的措施有_提_高__转__换__器__分_辨__率、提高参考电压的稳定性、选 用低温度漂移的运算放大器。
Q0 Q1 Q2 Q3
C TT
Y
CTP 74LS160
CO
CP
CR LD D0 D1 D2 D3
CR LD
.
解：
.
.
12．十进制数513对应的二进制数是_1_0_0_0_0_0_0_0_0_1_,对应的8421BCD码是 __0_1_0_1_0_0_0_1_0_0_1_1,对应的十六进制数是___2_0_1___
13. CMOS门电路的闲置输入端不能__悬__空__，对于与门应当接到__高___电平， 对于或门应当接到__低___电平。
.
B
二．填空题（每空3分，共54分）
6.在本征半导体中加入_五__价__元素可形成N型半导体，加入_三_价__元素可形成P型半导体。
7. OTL电路负载电阻RL=8欧，电源电压Vcc=16V,略去晶体管的饱和压降， 其最大不失真输出功率为_4____W
8. 集成运放在比例运算电路中工作在_线__性_区，在比较器中工作在_非__线__性_区。
Rb
V CC
U I BQ
BEQ
565k
（2）求解RL A&u UUoi 100 A&u rbRe L'
1 1 1 Rc RL
RL 1.5k
RL' 1k
.
解：先求解uO1，再求解uO。 .
解：
19 试用同步十进制计数器74LS160和必要的门电路设计一个365进制计
数器，要求各位之间为十进制关系。
14. 将变化缓慢的信号变换成矩形脉冲信号时，应当采用__施__密_特__触__发__器_
15.若
__ _ _ _ _ _ _
YABACBC
则根据反演规则，原函数Y=__A_B__+_B_C_+__A_C__。
.
解：（1）求解Rb
ICQ
V CC U CE
20μA
9. .已知 Aud 50， Auc 0.0，5 KCMR _6_0_dB
10. 一个32K X 4的存储系统具有___1_2_8_K存储单元，至少需要___1_5条地址线_4_条 数据线
11. 提高D/A转换器精度的措施有_提_高__转__换__器__分_辨__率、提高参考电压的稳定性、选 用低温度漂移的运算放大器。
Q0 Q1 Q2 Q3
C TT
Y
CTP 74LS160
CO
CP
CR LD D0 D1 D2 D3
CR LD
.
解：
.
.
12．十进制数513对应的二进制数是_1_0_0_0_0_0_0_0_0_1_,对应的8421BCD码是 __0_1_0_1_0_0_0_1_0_0_1_1,对应的十六进制数是___2_0_1___
13. CMOS门电路的闲置输入端不能__悬__空__，对于与门应当接到__高___电平， 对于或门应当接到__低___电平。