PN结与二极管原理
PN结和二极管的工作原理
PN结和二极管的工作原理PN结是半导体器件中常见的结构之一，也是二极管的基本组成部分。
它具有特殊的工作原理，能够实现电流的单向导通，从而实现电子器件的正常工作。
在这篇文章中，我将详细介绍PN结和二极管的工作原理。
一、PN结的构成和形成PN结由两种不同类型的半导体材料P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的杂质掺杂物主要是三价元素，如硼(B)，而N型半导体中的杂质掺杂物主要是五价元素，如磷(P)。
当P型半导体和N型半导体接触时，发生电子的扩散过程。
当两种半导体相接触时，P型半导体中的电子会向N型半导体中扩散，而N型半导体中的空穴会向P型半导体中扩散。
这样，在相接触区域形成一个带有正电荷的区域，称为P区，和一个带有负电荷的区域，称为N区。
P区和N区之间的边界称为PN结。
二、PN结的正向偏置当在PN结上施加正向电压时，使P区的正电荷与N区的负电荷相吸引，减小了PN结的势垒，电子和空穴能够更容易地通过PN结区域。
在正向电压作用下，P区中的空穴朝着N区移动，N区中的电子朝着P区移动，形成空穴电流和电子电流的流动。
空穴和电子在PN结区域相互复合，产生的正负离子消失。
这样，PN结就能够导通，电流可以顺利通过。
三、PN结的反向偏置当在PN结上施加反向电压时，使P区的负电荷与N区的正电荷相吸引，增加了PN结的势垒，形成一个更大的阻碍电流流动的势垒。
在反向电压作用下，PN结的势垒增大，电子和空穴被阻止穿越PN 结区域，电流无法通过PN结。
只有当反向电压超过PN结的击穿电压时，才会发生击穿现象，电流才能够通过PN结。
四、二极管的工作原理二极管是一种基于PN结构的电子器件，它具有单向导电特性。
当二极管的正极施加正向电压，负极施加反向电压时，二极管处于正向偏置状态；当二极管的正极施加反向电压，负极施加正向电压时，二极管处于反向偏置状态。
在正向偏置状态下，二极管导通，电流可以从P区流向N区，实现低阻抗。
在反向偏置状态下，二极管截止，电流无法通过，形成高阻抗。
二极管的pn结
二极管的pn结二极管是一种具有两个电极的电子元件，其中一个电极被称为阳极（Anode），另一个电极被称为阴极（Cathode）。
二极管的关键部分是由p型半导体和n型半导体组成的pn结。
本文将详细介绍二极管的pn结的结构、工作原理以及其在电子技术中的应用。
一、pn结的结构pn结由p型半导体和n型半导体通过熔融或扩散等工艺连接而成。
p型半导体中含有杂质原子，如硼（B）或铝（Al），使其电子浓度较低；而n型半导体中含有杂质原子，如磷（P）或砷（As），使其电子浓度较高。
当p型和n型半导体连接在一起时，形成了一个p 区和一个n区，即pn结。
二、pn结的工作原理当二极管处于正向偏置时，即将阳极连接到p区，阴极连接到n区，此时电流可以流过二极管。
在正向偏置下，p区中的空穴将向n区移动，而n区中的电子将向p区移动。
由于空穴和电子在pn结中的重新组合，形成一个正电荷区和一个负电荷区，这被称为耗尽区。
在耗尽区中形成的电场会阻止进一步的电子和空穴移动，形成一个电势垒。
当二极管处于反向偏置时，即将阳极连接到n区，阴极连接到p区，此时电流几乎无法流过二极管。
在反向偏置下，p区中的电子将被吸引到n区，而n区中的空穴将被吸引到p区。
这导致电子和空穴在耗尽区中进一步分离，增加了电势垒的宽度。
因此，反向偏置下的电流非常小，几乎可以忽略不计。
三、pn结的应用1.整流器：由于二极管在正向偏置时允许电流通过，在反向偏置时阻止电流流动，因此它可用作整流器。
在交流电源中，二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，实现电能的有效利用。
2.发光二极管（LED）：发光二极管利用pn结的特性，当注入电流时，电子和空穴在pn结中重新组合，产生光。
这种发光现象被应用于各种照明和显示领域。
3.太阳能电池：太阳能电池是利用光照射时光电效应产生的电能。
太阳能电池利用pn结的特性，当光照射到pn结上时，光子会激发电子和空穴，从而产生电流。
4.温度传感器：二极管的电流与温度呈正相关关系。
pn结二极管原理
pn结二极管原理引言：pn结二极管是一种最简单、最基本的半导体器件，在电子学领域有着广泛的应用。
它的工作原理基于pn结的特性，通过调控电子和空穴的流动，实现对电流的控制。
本文将详细介绍pn结二极管的原理及其应用。
一、pn结的形成pn结是由p型半导体和n型半导体的结合而成。
p型半导体是通过在纯硅中掺杂三价元素（如硼）来形成的，它具有多余的空穴。
而n型半导体是通过在纯硅中掺杂五价元素（如磷）来形成的，它具有多余的自由电子。
当p型半导体与n型半导体相接触时，多余的电子和空穴会发生扩散，形成一个空间电荷区，即pn结。
二、pn结的特性1. 正向偏置：当外加电压的正极连接在p型半导体上，负极连接在n型半导体上时，称为正向偏置。
此时，正极电压使空间电荷区变窄，电子和空穴可以穿越pn结，形成电流。
这种电流称为正向电流，pn结处于导通状态。
2. 反向偏置：当外加电压的正极连接在n型半导体上，负极连接在p型半导体上时，称为反向偏置。
此时，正极电压使空间电荷区变宽，阻碍电子和空穴的流动。
只有当外加电压超过一定值，即击穿电压时，才会形成反向击穿电流。
一般情况下，pn结处于截止状态。
三、pn结二极管的原理pn结二极管的工作原理可以根据正向偏置和反向偏置的特性来解释。
1. 正向偏置：当pn结二极管处于正向偏置状态时，正极电压使空间电荷区变窄，形成一个电子流动的通道。
此时，由于p型半导体的多余空穴和n 型半导体的多余电子，电子从n型半导体流向p型半导体，空穴从p型半导体流向n型半导体。
这种电流流动的方向与正向偏置相反，称为正向电流。
正向电流的大小与外加电压成正比。
2. 反向偏置：当pn结二极管处于反向偏置状态时，正极电压使空间电荷区变宽，阻碍电子和空穴的流动。
此时，由于p型半导体的多余空穴和n型半导体的多余电子，形成一个电场，阻止电子和空穴的扩散。
只有当外加电压超过一定值，即击穿电压时，才会形成反向击穿电流。
四、pn结二极管的应用pn结二极管由于其独特的特性，在电子学领域有着广泛的应用。
半导体基础PN结与二极管的应用
半导体基础PN结与二极管的应用半导体技术是当代电子领域中最为重要的基础技术之一。
其中，PN 结和二极管作为半导体器件中的重要组成部分，发挥着至关重要的作用。
本文将介绍半导体基础PN结的原理及其在二极管中的应用。
一、半导体基础PN结原理PN结是由n型和p型半导体材料的结合而形成的。
其中，n型半导体与p型半导体的性质有着明显的区别。
1. n型半导体：在n型半导体中，材料中的杂质原子掺入了导电能力较强的杂原子，如磷（P）或砷（As）。
这些杂原子具有多余的电子，因此在外加电场的作用下，这些电子能够自由地移动，形成电流。
2. p型半导体：与n型半导体相反，p型半导体中的杂原子通常是掺入了硼（B）或铝（Al）等元素。
这些杂原子缺少电子，因此在外加电场的作用下，它们会吸引材料中的电子，形成称为“空穴”的空缺。
当n型半导体和p型半导体相互接触时，形成PN结。
由于电子流动的方向与空穴流动的方向相反，PN结会产生一个电场，这个电场阻碍电子和空穴的再次扩散。
由于这个电场，PN结具有单向导电性，即在正向偏置时能够导电，而在反向偏置时则不能导电。
二、二极管基于PN结的特性，可以制造出一种叫做二极管的器件。
二极管是半导体电子学中最简单也是最常用的器件之一。
它由一个PN结构成，具有两个引线（即正极和负极）。
1. 正向偏置二极管：在正向偏置情况下，即将正极连接到p区，负极连接到n区时，PN结处的电场会减小，从而使电子和空穴越过PN 结。
电流可以自由地流动，因此二极管可以导电。
2. 反向偏置二极管：在反向偏置情况下，即将正极连接到n区，负极连接到p区时，PN结处的电场会增大，从而阻碍电子和空穴的扩散。
此时，几乎没有电流通过二极管，因此二极管处于截止状态。
三、二极管的应用二极管由于其独特的特性，在电子领域中有广泛的应用。
1. 整流器：二极管可以用作整流器，即将交流信号转换为直流信号。
通过适当连接多个二极管，可以制造出多级整流电路，用于变压器和电源的设计。
二极管基本原理
二极管基本原理二极管是一种基本的电子器件，广泛应用于电子电路中。
它的基本原理是利用PN结的存在来控制电流的流动方向。
PN结是由P型半导体和N型半导体材料组成的结构，形成了一个具有特殊特性的区域。
P型半导体中富含正载流子，即空穴；N型半导体中富含负载流子，即电子。
当P区与N区接触时，由于两种不同的半导体材料性质不同，形成了能带的突变。
在PN结中，由于电子迁移到P区而空穴迁移到N区，形成了电子和空穴的扩散运动。
二极管的基本原理是基于PN结的这种特性。
当二极管的P区连接到正电压，N区连接到负电压时，就会发生“正向偏置”。
在这种情况下，电子会从N区向P区扩散，空穴则会从P区向N区扩散。
这种扩散运动导致了电流的流动，从而使二极管导通。
当正向电压施加到二极管上时，它将变成一个低阻抗路径，电流可以通过。
相反地，当二极管的P区连接到负电压，N区连接到正电压时，就会发生“反向偏置”。
在这种情况下，电子会被P区驱赶到N区，空穴被N区驱赶到P区。
这种阻挡运动阻止了电流的流动，使二极管处于截止状态。
当反向电压施加到二极管上时，它将变成一个高阻抗路径，电流无法通过。
通过控制二极管的偏置方式，我们可以有效地控制电流的流动。
这使得二极管在电路中有着广泛的应用。
例如，当我们需要将交流电转换为直流电时，可以使用二极管进行整流。
在这种应用中，交流电的正半周通过二极管的正向偏置，负半周则被反向偏置所截止，从而使电流只能在一个方向上流动，实现了交流到直流的转换。
此外，二极管还可以用作电路中的保护器件。
由于反向偏置状态下，二极管的电阻非常大，能够有效地阻止过大电压的通过，从而保护其他电子器件不受损坏。
总结起来，二极管的基本原理是基于PN结的特性。
通过对二极管的正向偏置和反向偏置控制，我们可以有效地控制电流的流动方向，从而实现各种电子电路的功能。
二极管作为一种基本的电子器件，在电子领域中发挥着重要的作用。
（字数：502字）。
二极管pn结原理
二极管pn结原理1 什么是二极管？二极管是一种最简单的半导体器件，由两种不同材料的半导体材料P型半导体和N型半导体组成。
PN结是二极管的核心部件，也就是p型半导体和n型半导体之间的结。
2 PN结的形成原理PN结的形成需要有参与原子的扩散过程。
首先将p型半导体和n型半导体的晶体材料分别注入一种外加杂质。
在p型半导体中加入的杂质叫做施主杂质，通常是将硼元素注入。
硼元素的价带少一个电子，它可以填充一些未被占据的价带和恰好和晶体中的价电子匹配。
在n型半导体中加入的杂质叫做受主杂质，通常是将磷元素注入。
磷元素的价带多一个电子，与主杂质配对后，会形成一个电子的过剩，也成为自由电子。
当把这两种材料放在一起时，施主杂质和受主杂质将互相扩散，形成一个p型区和一个n型区。
电荷载流子同时向两个相反的区域移动，并最终与另一方的载流子相遇。
n区的自由电子会在接近p区界面时遇到施主杂质，使电子与施主杂质原子结合，空出空穴。
空穴会转移到p区，可以在那里与受主杂质结合。
施主杂质和受主杂质在互相扩散时经过重复的迁移，最终n型区和p型区交织在一起，在p区和n区之间就形成了PN结。
PN结在没有外加电压时处于平衡状态，在PN结附近会形成电场。
电子在带负电的n型区中移动时，越靠近PN结就越难以通过电场而通过，最终聚集在PN结周围的接缝区域。
3 PN结的作用PN结具有单向导电性，当它被正向偏置时，内部的电场会减弱，水平移动的电荷会进入PN结，导致电流通过，形成电路。
当它被反向偏置时，内部的电场会加强，电荷运动将被阻止，不允许电流通过。
利用二极管的单向导电性，可以使电流在电路中向一个规定的方向流动，为许多电气设备的正常运作提供了保障。
pn结光电二极管工作原理
pn结光电二极管工作原理一、介绍光电二极管是一种将光能转化为电能的器件，是半导体材料的一种应用。
其中，pn 结光电二极管是应用最为广泛的一种光电二极管。
该器件结构简单，性能可靠，因此在许多领域中都得到了广泛的应用。
本文将深入探讨pn结光电二极管的工作原理。
二、pn结的形成1. 半导体材料介绍光电二极管是由半导体材料制成的，而半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一种材料。
它的导电性介于金属和非金属之间，具有较高电阻率的特点。
常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）等。
2. pn结的形成原理pn结是通过掺杂半导体材料形成的。
掺杂是在半导体材料中引入杂质，使其导电性发生变化的过程。
对于pn结，我们需要在一个半导体材料中掺入两种不同导电性质的杂质。
掺入五价元素（如磷）的区域称为n型区域，具有自由电子；掺入三价元素（如硼）的区域称为p型区域，具有空穴。
当n型和p型区域相互接触时，形成了pn结。
三、pn结的基本特性1. 内建电场pn结形成后，由于n型区域和p型区域的电荷分布不均匀，会形成内建电场。
内建电场的存在导致n型区域中的自由电子向p型区域运动，而p型区域中的空穴则向n型区域运动，最终形成一个电子亏损区和空穴亏损区。
能带图是描述半导体材料中电子能量分布的图表。
在pn结中，n型区域的导带和p 型区域的价带会有重叠，导带中的电子可以向价带中的空穴复合。
在内建电场作用下，电子会从n型区域向p型区域运动，而空穴则从p型区域向n型区域运动，从而减小了重叠的程度。
四、pn结光电二极管的工作原理1. 光的能量转换光线射到pn结的表面时，部分光子会穿过表面并进入光敏区域。
光子激发了光敏区域内的电子，使其跃迁到导带中，形成自由电子和空穴对。
在内建电场的作用下，自由电子会被推向n型区域，而空穴则被推向p型区域。
这导致了在pn结两侧产生了一个正负电荷的信号。
2. 电流的生成当光子入射光敏区域时，会导致pn结两端产生电势差。
这个电势差可以驱动自由电子在n型区域和空穴在p型区域中运动。
二极管pn结原理
二极管pn结原理
二极管是一种由p型半导体和n型半导体组成的电子元件。
在二极管中，p型半导体中的杂质原子的电子不足，形成了空穴；而n型半导体中的杂质原子则有多余的电子。
当二极管的p区和n区相接时，形成了一个pn结。
P区的空穴和N区的自由电子会发生扩散运动，由于电荷的性质相反，它们会相互吸引，形成一个电场。
这个电场阻碍了更多的空穴和自由电子的扩散。
当向二极管施加正向偏置电压时，即将P区连接到正电压电源，而N区连接到负电压电源，外加电压会增大电场，进一
步阻止空穴和自由电子的扩散。
这种情况下，电流流过二极管的通路，被称为正向电流。
此时，二极管处于导通状态。
相反，当向二极管施加反向偏置电压时，即将N区连接到正
电压电源，而P区连接到负电压电源，外加电压会减小电场，使空穴和自由电子更容易扩散。
因此，电流不能流过二极管的通路，被称为反向电流。
此时，二极管处于截止状态。
二极管的经典应用包括整流器、开关和波形修整器等。
在整流器中，二极管可以将交流电信号变为直流电信号；在开关中，二极管可以控制电流的通断；在波形修整器中，二极管可以将输入信号的波形进行修整。
总体来说，二极管的工作原理是通过p区和n区之间形成的
pn结，利用空穴和自由电子的扩散运动和电场的阻碍效应来实现电流的控制和信号的处理。
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比较：平衡PN结
扩散 正向注入
复合
e 漂移
扩散区中的少子扩散电流都通过复合转换为多子漂移电流。 PN结内任意截面的电流是连续的。
5、PN结的正向电流-电压关系
PN结内各处的电流是连续的，则通过PN结的任意截面电流都 一样。因此只要求出空间电荷区的交界面 X N 处的电子电流和 空穴电流，就是总的PN结电流：
1016/cm3
缓变结
结深
与突变结相似
2.1.2 平衡PN结的空间电荷区和能带图
1、空间电荷区的形成
接触前
电子为少子
空穴为多子
电子为多子 空穴为少子
相互接触时，在交界面处存在着电子和空穴的浓 度差，各区中的多子发生扩散，并复合、消耗；
P区
N区
P
耗尽层空 间电荷区
空穴
扩散运动方向
电子
自建场
空穴
电子
2
扩散
本质
e 少子
扫过
电子电流 漂移
边界
边界
空穴电流
少子
IR
多子被阻挡
电子电流
空穴电流
反向电流实质上是在结附近所产生的少子构成的电流。 一般情况下，少子浓度都很小，因而反向电流也很小。
反向饱和电流
反向电压U 和流过PN结的反向电流 IR 之间的关系为
令 UT kT q
IRI0(eUUT 1)
I 0 为反向饱和电流， 在300 K时，UT≈26 mV
I(XN处 的 电 子 漂 移 电 流 )XN处 的 空 穴 扩 散 电 流 =(XP处 的 电 子 扩 散 电 流 )XN处 的 空 穴 扩 散 电 流
=In(XP)IpXN
N区非平衡少子-空穴的分布函数为： x p(x) p(0)e Lp
空穴扩散电流密度为：
jp(x)qDpp d(xx)p(0)qL D ppeLxp
qU
I I0 (e kT 1)
I0 是不随外加正偏压而变化的。
在常温（300 K）下，可近似为
I I0eqUkT
ALqpD NpD
qDn LnNA
NCNVeqUEg
kT
qU
I I0e kT
即: 正向电流随外加正偏压的增加按指数规律快速增大 ——重要特性
2.2.2 PN结的反向特性 1、反向抽取作用——反向PN结空间电荷区具有“抽取”少子的作用
2、能带状态图
接触时
各自独立时
平衡后
没有外加电压，费米能级应处处相等； 即 ：两个区的费米能级拉平 。
电场
电场方向是电势降落的方向；
定义电势能：EqU qe
能带图是按电子能量的高低画 EeU
P区电子的电势 能比N区的高
势能坡垒
空间电荷区
PN结接触电势差
在空间电荷区内，能带发生弯曲，电子从势能低的N区向势 能高的P区运动时，必须克服这个势能“高坡”
其中：Dp 空穴扩散系数
Lp 空穴扩散长度
qU
同理，把注入P区边界 X P 的非平衡电子的浓度 n p 0 (e KT 1) ，乘
以电子的扩散速度 D n 、电量 q 和PN结的截面积 A ,便可 Ln
以得到在 X P 处注入 p 区的电子扩散电流 Ip XN ：
In
XP
Aqnp0
Dn Ln
2.5 PN结的电容效应 2.5.1 PN结的势垒电容 2.5.2 PN结的扩散电容 2.6 PN结的开关特性 2.6.1 PN结的开关作用 2.6.2 PN结的反向恢复时间 2.6.3 提高PN结开关速度的途径 2.7 金属半导体的整流接触和欧姆接触 2.7.1 金属半导体接触的表面势垒 2.7.2 金属半导体接触的整流效应与肖特基
2. 反向PN结空间电荷区的产生电流； 反偏时，由于空间电荷区对载流子的抽取作用，空间电 荷区内载流子浓度低于平衡值，故产生率大于复合率;
产生出来的 电子空穴对
产生电流是反向扩散电流之外的一个附加的反向电流; 空间电荷区宽度随着反向偏压的增大而展宽，电荷区的数 目增多，产生电流是随反向偏压增大而增大。
比较：平衡PN结
e
电场加强
宽度变宽
E/E /
平衡
非平衡
多子被阻挡——无大电流 多子 少子做贡献——微电流
作用——电阻很大
e
注入少子
电场反向抽取
势垒加高
扩散
扩散
2、反向边界少子浓度和分布 平衡PN结
少子平衡值
少子平衡值
qU
n(XP) nP0e kT
qU
p(XN) pN0e kT
负指数变化
少子
正向电压——正向导通；正向注入使边界少数载流子浓度增 加很大 ，成指数规律增加，电流随着电压的增加快速增大；
反向电压——反向截止 ；反向抽取使边界少数载流子浓度减 少，很快趋向于零，电压增加时电流趋于“饱和” ；
2.2.4 影响PN结伏安特性的因素(简述)——V-A特性的偏离原因
引起与实验结果偏离的主要原因有：
3．PN结表面复合和产生电流； (1) 表面电荷引起表面空间电荷区
PN结的空间电荷区被延展、扩大；
表面空间电荷区的复合中心将引起附加的正向复合电流和 反响的产生电流，表面空间电荷越大，引起的附加的电流 也就越大。
交界区域就形成了空间电荷区（也叫空间电荷层、耗尽层）
空间电荷区中，形成一个自建电场 PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=电 阻
空穴
电子
以带负电的电子为例：
扩散运动 浓度差 多子
？
漂移运动 电场力 少子
动态平衡——两个相反的运动大小相等、方向相反；
由于耗尽层的存在，PN结的电阻很大。
思考：自建电场对各区中的少子发生什么影响？
NA=1017/cm3
ND=1015/cm3
室温下，硅的 U D = 0.70 V， 锗的U D = 0.32 V
2.1.3 平衡PN结及两侧的载流子浓度分布
多子
n:电子
p:空穴
少子
自建电场
空间电荷区 扩散区
多子
分布按指数规律变化 少子
耗尽区或耗尽层——空间电荷区的载流子已基本被耗尽；
Depletion layer
反向饱和电流
Eg /q
图有问题！ 急剧增大
正向电流很小
导通电压UTH（称门槛电压）——正向电流达到某一明显数值时 所需外加的正向电压——正常工作区的边界；
室温时，锗PN结的导通电压约为0.25 V，硅PN结为0.5 V。
单向导电性
leakage
R U I
正向电阻小 反向电阻大
正向导通， 多数载流子扩散电流； 反向截止， 少数载流子漂移电流；
其中，负号表示载流子从浓度高的地方向浓度低的地方扩散
即载流子的浓度随 x 增加而减小，在 x 0 处（ X N 的边界
处）空穴电流密度为：
jp(0)jp(XN)p(0)qLDpp
则Ip XN :
Ip XN
AjP ( X N )
qAp(0) D p Lp
=AqpN 0
Dp Lp
qU
(e KT
1)
随着反向电压U的增大，IR 将趋于一个恒定值 -I0
因 少子浓度与本征载流子浓度成正比，并且随温度升高而 快速增大。所以，反向扩散电流对温度十分敏感，随温度 升高而快速增大。
这时 PN结处于截止状态, 呈现的电阻称为反向电阻, 其阻 值很大, 高达几百千欧以上。
2.2.3 PN结的正、反向V-A特性 将PN结的正向特性和反向特性组合起来
Dn ni2 Ln nN0
D Lpp
且NAPp0， NDnNO， Ln Dnn， LP DPP
因此，I0AqN ni2ALnn N niD 2 Lpp
其 中 ： np区 非 平 衡 电 子 寿 命 pN区 非 平 衡 空 穴 寿 命
正向电流-电压关系
I0
Aq
ni2 NA
Ln
n
ni2 ND
Lp
p
qU
(eKT
1)
其中：Dn 电子扩散系数
Ln 电子扩散长度
将 I n ( X P ) 和 I p X N 相 加 ， 得 到 P N 结 的 总 电 流 ：
IAqnpL0nDn pNL0pDp(eqKU T 1)
若 假 设 AqnpL0nDn pNL0pDpI0
qU
I I0 (eKT 1)
因为AqnpL0nDn pNL0pDpAqP nP i20
电场加强
2
边界
边界
扩散长度
少子 反向偏置时， 漂移大于扩散
由于反向抽取， 边界处少子浓度 低于平衡值 。
由于反向PN结外加反向偏压U的数值一般比KT大很多，即有 q
U KT，因此eqKUT 0，所以边界处的少子浓度为： q P(XN)0 n(XP)0
反向电流的转换和传输
Reverse regime
2、外加多子正向注入效应
非平衡不同区的少子浓度分布
比较：平衡PN结
电阻很小
两边的多子易 通过势垒区
e 空穴
p
电子
e
电子
空穴
扩散长度
注入之后都成为所在区域的非平衡少子。它们主要以扩散方 式运动，即在边界附近积累形成浓度梯度，并向体内扩散， 同时进行复合，最终形成一个稳态分布。
3、正向扩散区边界少子浓度和分布
电子扩散区
空穴扩散区
势垒区
准费米能级
边界
两边界的少子分布
qU
nXP nP0ekT
qU
pXN pN0ekT
平衡被破坏，在扩散区和势垒区，电子和空穴没有统一的费米 能级，这时只能用准费米能级表示 。
非平衡少子浓度随着距离的增加而按指数规律衰减 。