光电探测器的种类
有机光电探测器的定义和分类
有机光电探测器的定义和分类有机光电探测器是一种通过有机材料将光信号转化为电信号的器件。
它具有结构简单、加工工艺成本低、可用于大面积器件制备等优点，因此被广泛应用于光电信息处理领域。
根据其工作原理的不同，有机光电探测器可以分为光电导型、光电流型和光电压型三类。
光电导型有机光电探测器是指那些在光照下，其电导率会随着光强度的增加而增加的器件。
这种器件的工作原理是利用光子的能量将有机材料中的电子激发到传导带中，从而形成电导电流。
光电导型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成，例如聚合物、小分子化合物等。
这类器件具有响应速度较快、灵敏度较高、制备工艺简单等优点，因此在光通信、光存储、光传感等领域有着广阔的应用前景。
光电流型有机光电探测器是指那些在光照下，其输出信号是光电流的器件。
这种器件的工作原理是利用外界光照下的光子能量将有机材料中的载流子激发到传导带或者价带中，从而产生电流。
光电流型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成，例如聚合物、小分子化合物等。
这类器件具有高电流响应、低噪声等特点，适用于光通信、光传感等领域。
光电压型有机光电探测器是指那些在光照下，其输出信号是光电压的器件。
这种器件的工作原理是通过光激发的载流子在有机材料中产生空间电荷分离形成电压信号。
光电压型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成，例如聚合物、小分子化合物等。
这类器件具有高电压响应、低噪声等特点，适用于成像传感器、光电转换器等领域。
除了根据工作原理的分类，有机光电探测器还可以根据其器件结构的不同进行分类。
常见的有机光电探测器结构包括有机薄膜型、有机异质结型、有机量子阱型等。
其中，有机薄膜型具有制备工艺简单、成本低廉等优点，适用于大面积器件制备；有机异质结型具有电荷分离效果好、较高的光电转换效率等特点，适用于高性能光电器件制备；有机量子阱型则具有高载流子迁移率、低激子束缚能等特点，适用于光电转换效率、响应速度等要求较高的器件制备。
光电探测器的几种类型
光电探测器的几种类型红外辐射光子在半导体材料中激发非平衡载流子电子或空穴、，引起电学性能变化。
因为载流子不逸出体外，所以称内光电效应。
量子光电效应灵敏度高，响应速度比热探测器快得多，是选择性探测器。
为了达到性能，一般都需要在低温下工作。
光电探测器可分为：1、光导型：又称光敏电阻。
入射光子激发均匀半导体中的价带电子越过禁带进入导带并在价带留下空穴，引起电导增加，为本征光电导。
从禁带中的杂质能级也可激发光生载流子进入导带或价带，为杂质光电导。
截止波长由杂质电离能决定。
量子效率低于本征光导，而且要求更低的工作温度。
2、光伏型：主要是p－n结的光生伏特效应。
能量大于禁带宽度的红外光子在结区及其附近激发电子空穴对。
存在的结电场使空穴进入p区，电子进入n区，两部分出现电位差。
外电路就有电压或电流信号。
与光导探测器比较，光伏探测器背影限探测率大于40％；不需要外加偏置电场和负载电阻，不消耗功率，有高的阻抗。
这些特性给制备和使用焦平面阵列带来很大好处。
3、光发射－Schottky势垒探测器：金属和半导体接触，典型的有PtSi/Si结构，形成Schottky势垒，红外光子透过Si层为PtSi吸收，电子获得能量跃上Fermi能级，留下空穴越过势垒进入Si衬底，PtSi层的电子被收集，完成红外探测。
充分利用Si集成技术，便于制作，具有成本低、均匀性好等优势，可做成大规模1024×1024甚至更大、焦平面阵列来弥补量子效率低的缺陷。
有严格的低温要求。
用这类探测器，国内外已生产出具有像质良好的热像仪。
PtSi/Si结构FPA是早制成的IRFPA。
4、量子阱探测器QWIP：将两种半导体材料A和B用人工方法薄层交替生长形成超晶格，在其界面，能带有突变。
电子和空穴被限制在低势能阱A层内，能量量子化，称为量子阱。
利用量子阱中能级电子跃迁原理可以做红外探测器。
90年代以来发展很快，已有512×512、640×480规模的QWIPGaAs/AlGaAs焦平面制成相应的热像仪诞生。
光电探测器原理及应用
光电探测器原理及应用
光电探测器是一种能够将光信号转化为电信号的装置，其基本原理是利用光的能量激发材料中的电子从而产生电流。
根据光电效应的不同机制，光电探测器通常可以分为光电二极管、光电导、光电二极管阵列等多种类型。
光电二极管是最基本的光电探测器之一，其工作原理是光照射到光敏材料表面时，材料中的电子会被光激活并跃迁至导带中，从而形成电流。
光电二极管具有响应速度快、灵敏度高等特点，广泛应用于光通信、光谱分析、光电测量等领域。
光电导是一种利用光照射后材料电阻发生变化的光电探测器，其工作原理是光激发后，光电导材料中的载流子浓度发生改变，从而引起电阻的变化。
光电导具有较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围，可广泛应用于光谱分析、光学测量、遥感等领域。
光电二极管阵列是由多个光电二极管组成的阵列结构，可以同时检测多个光信号，具有高灵敏度和高分辨率的特点。
光电二极管阵列常被用于光通信、图像传感、光谱分析等领域，如CCD（电荷耦合器件）摄像头就是经典的光电二极管阵列应
用之一。
此外，光电探测器还广泛应用于激光测距仪、扫描仪、光电子显像、医学诊断、环境监测等领域。
例如，激光测距仪利用光电探测器检测激光脉冲的发射和接收时间差，实现对目标距离的测量；扫描仪利用光电探测器对扫描光线的反射或透射光进行检测，实现图像的数字化处理和存储。
总之，光电探测器通过将光信号转化为电信号，实现了光能量的检测和测量。
其应用领域广泛，并在科学研究、工业生产、医疗诊断等领域发挥着重要的作用。
光电探测器
2、光电导(PC)探测器
其工作原理基于内光电效应。 光电导效应？
半导体吸收能量足够大的光子后，会把其 中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚 态激活到能导电的自由态，从而使半导体 电导率增加。
(1)特点
光电导探测器的结构一般为金属一半导体 一金属（测
一、 光电探测器的定义 及工作原理
光电探测器接收光信号并进行光电转换， 是半导体电子学的重要器件，是光电系统中 的重要组成部分，被称为这类仪器的“心 脏”。
光电探测器是利用入射的光子流与探测 材料中的电子之间直接互相作用，从而改变 电子能量状态的光子效应来制作的一类器件。
二、光电探测器的分类
PE探测器
2001年，美国军方实验室的Liang等人利用 MOCVD方法以蓝宝石为衬底生长ZnO薄膜，制 备出MSM结构肖特基型紫外探测器。
2004年，浙江大学叶志镇等利用磁控溅射生 长的ZnO薄膜，采用Au电极形成肖特基接触， Al电极形成欧姆接触，在Si(100)衬底上制 备出肖特基型ZnO紫外探测器，Si3N4为绝缘 隔离层，器件性能较好。
光电探测器
PC探测器
PV探测器
1、光电子（PE）发射探测器
此探测器的工作原理是基于外光电效应。
当辐射照射在某些金属、金属氧
外
化物或半导体材料表面时，若光
光 电
子能量hv足够大，则足以使材料
效
内一些电子完全脱离材料从表面
应
逸出。
与外光电相对应的则为内光电效应，两 者的不同点在与内光电效应的入射光子并不 直接将光电子从光电材料内部轰击出来，而 只是将光电材料内部电子从低能态激发到高 能态，于是在低能态留下一个空位一空穴对， 而在高能态上产生一自由移动的电子，形成 光生电子一空穴对。通过检测这一性能的变 化，来探测光信号的变化。本节主要讨论的 利用内光电效应的光电探测器的制备及其性 能特点。
光电探测器的研究与应用现状
光电探测器的研究与应用现状光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，它在现代科技领域中起着至关重要的作用。
光电探测器的研究与应用正在逐渐发展和拓展，本文将从几个方面介绍光电探测器的研究和应用现状。
一、光电探测器的种类根据光电探测器的种类可将其分为光电二极管、光电倍增管、光电导和光电晶体管等，其中光电二极管是应用和研究最为广泛的一种光电探测器。
光电二极管是利用半导体材料的PN结来实现光电转换的，其性能优越，在光通信、光电子学等领域被广泛应用。
同时，其接收速度快，响应时间短，可以达到亚纳秒级别。
不过，其灵敏度与面积不成比例，而且其响应速度会受到温度和电流的影响，因此在一些高速光通信领域中需要使用其他类型的光电探测器。
二、光电探测器在光通信中的应用光通信技术已经成为现代通信技术的主流，而光电探测器则是光通信中不可或缺的关键组成部分。
光电探测器可以将光信号转换为电信号，实现光信号与电信号之间的互相转换，使得信息得以在光学和电学之间进行传输。
目前，光接收模块中最常用的光电探测器是光电二极管，其高速度和高灵敏度使其成为优选的光电探测器。
此外，还有一些新型光电探测器正在研究和发展中，例如纳米光电探测器、有机半导体探测器和基于石墨烯的探测器等。
三、光电探测器在医学及生物科学中的应用光电探测器在医学及生物科学领域中也发挥着重要的作用。
例如，医学领域中经常使用的磁共振成像（MRI）技术就需要使用光电探测器以便探测信号。
此外，在生物科学研究中，光电探测器也可用于如蛋白质定量、药物筛选、DNA测序等方面，成为生物领域中广泛使用的夹道器之一。
为了更好地满足医学及生物领域中的研究需求，科研人员正在研发更高分辨率、更高灵敏度的光电探测器，同时不断探索新型的光电探测技术和应用。
四、光电探测器在安防中的应用在安防领域中，光电探测器也广泛应用。
例如，在夜视仪和光学望远镜等设备中都采用了光电探测器。
此外，在热成像设备中，IR光电二极管也是常用的探测器，其可将红外辐射转化为电信号，以便检测并分析热量信息。
光电探测器列表
紫外探测器：碳化硅（SiC）材质，响应波段200-400nm。
应用：火焰探测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光、医疗灯光的控制等。
————————————————————————————————————————————可见光探测器：硅（Si）材质，响应波段200-1100nm。
有室温、热电制冷两种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。
主要用在测温、激光测量、激光检测、光通信等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（1）：锗（Ge）材质，响应波段0.8-1.8um，有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。
主要应用在光学仪表、光纤测温、激光二极管、光学通信、温度传感器等————————————————————————————————————————————红外探测器（2）：铟钾砷（InGaAs）材质，响应波段0.8-2.6um，波段内可以进行优化。
有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前放，可以配光纤输出，多种封装形式可选。
主要应用在光通信、测温、气体分析、光谱分析、水分分析、激光检测、激光测量、红外制导等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（3）：砷化铟（InAs）材质，响应波段1-3.8um，有室温和热电制冷两种，可以配内置前放，多种封装形式可选。
主要用于激光测量、光谱分析、红外检测、激光检测等领域。
红外探测器（4）：锑化铟（InSb）材质，响应波段2-6um，液氮制冷，可以带内置前放，多种封装形式可选。
主要应用在光谱测量、气体分析、激光检测、激光测量、红外制导等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（5）：硫化铅（PbS）材质，响应波段为1-3.5um，有室温和热电制冷两种，可以带内置前放，多种封装形式可选。
光电探测器的制作及其在通信领域中的应用
光电探测器的制作及其在通信领域中的应用光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件，也是光通信中关键的组成部分之一。
目前，光电探测器已经广泛应用于通信、医学、军事、航空等领域。
本文将介绍光电探测器的制作及其在通信领域中的应用。
一、光电探测器的制作1.1 探测器的种类常见的光电探测器有光电二极管、光电倍增管、光电子倍增管、光耦合器等。
其中，光电二极管是最常用的一种，它具有易用、低成本、体积小等优点。
1.2 制作工艺光电二极管的制作采用半导体工艺，主要包括以下几个步骤：（1）材料生长：在晶体生长炉中制备出探测器所需的半导体材料，比如硅、锗等。
（2）制作P-N结：在半导体片上涂上金属掩膜，经过光刻、腐蚀等工艺将掩膜除去，然后用掩膜后的半导体材料进行扩散或外延生长，形成P-N结。
（3）包装：将制作好的探测器芯片封装到保护壳内。
二、光电探测器在通信领域中的应用2.1 光通信光通信是一种基于光传输进行信息传输的技术，它具有带宽大、传输距离远、抗干扰性强等优点。
而光电探测器则是将光信号转化为电信号的核心器件。
在光通信系统中，光电探测器扮演着重要的角色，它能够将光信号转化为电信号，并通过信号处理器处理后输出。
2.2 光纤通道检测光纤通道检测是指使用光电探测器检测光纤通道的损耗和信号衰减，在光纤通讯系统中具有非常重要的作用。
光电探测器能够将光信号转化为电信号，通过信号处理器分析电信号的强度，从而确定光纤信道的损耗和衰减程度。
2.3 光纤传感光纤传感是利用光纤作为传感器进行信号检测的一种技术。
光电探测器则是将光信号转化为电信号的核心器件。
在光纤传感系统中，光电探测器通常与光纤衰减器、光源等组成一个光衰减传感器，用于检测光纤信号的衰减程度，从而确定被测量的物理量。
2.4 医疗领域在医疗领域中，光电探测器常用于医学影像系统中的探测器和光源。
光电探测器能够将光信号转化为电信号，并通过信号处理器处理后输出，从而成为医学影像系统的关键组成部分，为医疗事业做出了重要的贡献。
有机光电探测器的定义和分类
有机光电探测器的定义和分类《有机光电探测器的定义和分类》有机光电探测器是一种基于有机材料制备的光电器件，用于检测和转换光信号的设备。
它利用有机材料的特性，将光信号转化为电信号，实现光与电的相互转换。
有机光电探测器在光通信、光储存、光传感、光信息处理等领域具有广泛应用的潜力。
本文将对有机光电探测器的定义和分类进行介绍。
有机光电探测器可以根据材料类型、工作原理和结构特点进行分类。
一、根据材料类型分类：有机光电探测器主要包括有机半导体光电探测器和有机无机杂化光电探测器。
1.有机半导体光电探测器：该类探测器使用有机半导体材料作为感光层，通过光生载流子的生成和传输来实现光电转换。
有机半导体材料具有柔韧性、可溶性和低成本等优势，可以通过溶液法或真空蒸发法制备。
有机半导体光电探测器的性能受到材料的能带结构和光电特性的影响。
2.有机无机杂化光电探测器：该类探测器将有机材料与无机材料进行组合，充分发挥两者的优势。
有机无机杂化材料的结构可以通过控制无机材料的表面形貌和有机材料的分子结构来实现。
有机无机杂化光电探测器具有高效率、宽光谱响应和快速响应等优点，适用于不同光谱范围的应用。
二、根据工作原理分类：有机光电探测器可以分为光电流型探测器和光电压型探测器。
1.光电流型探测器：该类探测器通过光生载流子在材料中的运动形成电流信号。
所采用的工作原理包括光电效应、内部光电效应和光致导电效应等。
光电流型探测器具有高信号质量和快速响应的特点，适用于高速光通信和光信息处理等应用。
2.光电压型探测器：该类探测器通过光生载流子在材料中的运动形成电压信号。
所采用的工作原理包括光电效应、内部光电效应和光电导效应等。
光电压型探测器具有稳定性好、低噪声和宽动态范围等优点，适用于光传感和光储存等应用。
三、根据结构特点分类：有机光电探测器可以分为有机薄膜光电探测器和有机器件集成光电探测器。
1.有机薄膜光电探测器：该类探测器采用有机薄膜材料作为感光层，在基底上进行制备。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
常用光电导探测器材料有： （1）射线和可见光波段：CdS、CdSe、CdTe、Si、 Ge等； （2）在近红外波段：PbS、PbSe、InSb、HgCdTe 等 （3）在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1xTe、Si掺杂、Ge掺杂等； 可见光波段的光电导探测器极少用于光谱探测，通常 称为光敏电阻。可见光波段的光探测器通常为PMT 和光电二极管。
2、光敏二极管的响应波 长与GaAs激光管和发光二 极管的波长一致，组合制 作光电耦合器件。 3、光电二极管结电容很 小，频率响应高，带宽可 达100kHz。
2013-11-8 9
CCD主要功能： 信息处理和信息存 储 有体积小、重量轻 、分辨率高、灵敏度 高、动态范围宽、光 敏元的几何精度高、 光谱响应范围宽、工 作电压低、功耗小、 寿命长、抗震性和抗 冲击性好、不受电磁 场干扰和可靠性高等 一系列优点。
摄像管
光电二极管
（1）光谱响应度 光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流 与入射光功率之比。 光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱 响应曲线 （2）等效噪声功率（NEP） 等效噪声功率是信噪比为1时探测器能探测到的最小 辐射功率，即最小可探测功率。 （3）时间常数 时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化的速 率
2013-11-8
6
光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度的光探 测器件，同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极 （光敏面）等特点。 光电倍增管采用了二次发射倍增系统，光电倍增管 在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的 光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。
2013-11-8
7
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 倍增极
2013-11-8
2
探测器件
热光电探测元件
光电探测元件
气体光电探测元件
外光电效应
内光电效应
非放大型
真空光电管 充气光电管
放大型
光电倍增管 变像管 像增强器
光电导探测 器
光磁电效应探测器
光生伏特探测 器
本征型
光敏电阻
掺杂型
红外探测器
非放大
光电池
放大型
光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管
2013-11-8 3
阳极
阴极在光照下发射出光电子，光电子受到电极间电场 作用获得较大能量打在倍增电极上，产生二次电子发 射，经过多极倍增的光电子到达阳极被收集而形成阳 极电流，随光信号的变化。在倍增极不变的条件下， 阳极电流随光信号变化。
2013-11-8 8
1、光敏二极管在较小负 载电阻下，光电流与入射 光功率有较好的线性关系 。
2013-11-8 4
1、实际光谱测量范围是选择光探测器的首要注意问题； 2、光电倍增管是高灵敏的探测器，使用时要求配套高稳 定性的高压电源； 3、光伏型探测器具有响应快、灵敏度高的特点，使用时 一般可不需要锁相放大器，探测微弱信号时可选用锁相 放大器以提高信噪比； 4、光导型探测器响应较慢，使用时要求信号光必须调制， 并且需要搭配锁相放大器进行信号检出，同时要注意调 制频率的选择； 5、探测器选择时尤其需要注意选择配套的前置放大器， 才能更大限度的发挥探测器的探测效率； 6、选择制冷型探测器时，还要注意对应的温控器选择， 探测器、温控器及前置放大器均需根据需要单独选择； 7、红外探测器通常需要制冷和配合锁相放大器使用。
小组成员： 祝卓茂 何小亮
周长平
孙原超
2013-11-8
1
（1）按工作波段分 : 紫外光探测器、可见光探测器、 红外光探测器
（2）按应用分： 非成像型光探测器：光信息转换成电信息 成像型光探测器：变像管、像增强器、 摄像管 、真 空摄像管、 固体成像器件CCD
（3）光电探测器包括真空光电器件（光电倍增管） 和固体光电探测器（光电二极管、光导探测器、 CCD等）
2013-11-8 10
CCD的基本单元是MOS 电容器 .半导体硅作为底 电极，作为衬底。 .蒸镀一层小面积 金属作为电极，作为 栅极。 .硅片上通过氧化 生成一层SiO2为绝 缘层。
2013-11-8
11