超净高纯试剂行业研究报告
年产8万超高纯湿法电子化学品—超净高纯试剂光刻胶及配套试剂技改扩能二期检测报告

一、概述本报告旨在对超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目进行检测评估,以确保其生产过程符合国家相关标准和技术要求,保障产品质量和安全。
二、项目背景超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目旨在提升生产线的生产能力,扩大产量,并进行生产工艺的优化,提高产品质量和安全性。
三、检测方法根据国家相关标准和技术要求,本次检测主要采用以下方法:1.检测超净高纯试剂中的杂质含量和纯度,采用化学分析方法和仪器分析法。
2.检测光刻胶的重金属含量和挥发性有机物含量,采用光谱分析法和气相色谱法。
3.检测配套试剂的各项指标,包括纯度、离子含量、溶质残留量等,采用化学分析法和仪器分析法。
四、检测结果1.超净高纯试剂中的杂质含量和纯度在国家标准范围内,符合要求。
2.光刻胶的重金属含量和挥发性有机物含量在国家标准限制范围内,符合要求。
3.配套试剂的各项指标达到或超过国家标准要求,符合要求。
五、检测结论超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目的生产过程和产品质量符合国家相关标准和技术要求,达到了预期的效果。
产品安全性和稳定性得到有效保障,可以正常投入市场销售。
六、建议1.继续加强生产过程中的质量控制和管理,确保产品的一致性和稳定性。
2.建议对生产线进行定期维护和设备检修,及时解决设备故障和磨损问题,确保生产能力和质量稳定。
七、总结超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目的检测评估结果显示,项目的生产过程和产品质量符合国家相关标准和技术要求,产品安全性和稳定性得到有效保障。
建议在后续的生产中继续加强质量控制和设备维护管理,确保产品质量和生产能力的稳定。
年产8万超高纯湿法电子化学品—超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期检测报告

161012050364建设项目竣工环境保护验收检测报告YYJC-BG-2019-09257委托单位:江阴江化微电子材料股份有限公司项目名称:年产8万吨超高纯湿电子化学品一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目江苏源远检测科技有限公司2019年9月27日项目名称:年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目委托单位:江阴江化微电子材料股份有限公司承担检测单位:江苏源远检测科技有限公司报告编制人:复核:审核:签发:签发人职务:参加检测人员:洪杰、李柳、朱扬帆、李逸文、许鹏栋、周梦娇、戈逸、金榕、惠尤倩、蔡琦迪、许英姿、张莉、潘新琦等江苏源远检测科技有限公司电话:86885208传真:86885208邮编:214400地址:江阴市东外环路528号检测报告说明对本报告检测结果如有异议者,请于收到报告之日起十天内向本公司提出。
二、鉴定检测,系对新产品、新工艺、新材料等有关技术性能的检测。
验收检测,系对建设项目“三同时”和限期治理项目进行的检测。
四、委托检测,系受用户委托所进行的检测,其中送样委托检测,其检测结果,本公司仅对来样负责,检测结果供委托者了解样品品质之用。
五、本报告非经本公司同意,不得以任何方式复制。
经同意复制的复印件,应有我公司加盖公章予以确认。
江阴江化微电子材料股份有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品——超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目“三同时”环保竣工验收检测报告1、概述江阴江化微电子材料股份有限公司(以下简称“江化微公司”)是国内一流的集超高纯电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂的研发、生产、销售为一体的龙头企业。
该公司原位于江阴市周庄镇山泉村,企业名称原为“江阴市江化微电子材料有限公司”,后于2012年12月更名为江阴江化微电子材料股份有限公司。
因江化微公司山泉村厂区离居民区较近并且没有发展空间,不利于企业长远发展,为适应市场需求和满足企业自身发展,公司于2010年初将原山泉村厂区整体搬迁至周庄镇周南工业集中区云顾路581号并对原有规模进行扩建,该搬迁扩建项目环评《江阴市江化微电子材料有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目环境影响报告书》已于2010年12月31日通过环评审批(锡环管[2010]90 号)。
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术

1 微 电 子 技 术 的 发 展
本 同时起 步 , 比韩 国早 1 0年 。现 在 我 国 已经 有 了 从 双 极 ( 5 m) C 到 MOS 从 2~ 3 m 到 0 8 、 . ~ 1 2 m 及 0 3 ~0 5 m 工 艺 技 术 , 形 成 了规模 . . 5 . 并 生 产 , . 5 m 工 艺 技 术 生 产 线 目前 正 在 北 京 和 0 2 上 海 同 时建 设 , 计 到 2 0 预 0 2年 即可 投 产 。“ 五 ” 十 期间及 到 21 0 0年 北 京 建 设 的北 方 微 电 子 基 地将 建成 2 0条 0 3 、 . 5和 0 1 工 艺 技 术 生 产 .502 .8m 线 , 海在 浦东将 建成 大 约 4 上 0条 0 3 、 . 5及 .5 0 2
蓄 电量 需 要 尽可 能 的增 大 , 因此 氧 化 膜变 得 更 薄 ,
动 态 存 贮 器 。进 入 2 0世 纪 9 0年代 后 期 , 的 发 I C 展 更 迅 速 , 争 更激 烈 。美 国 的 Itl 司 、 竞 ne 公 AMD 公 司 和 日本 的 NE C公 司这 3个 I C生产 厂 家 的 竞 争 尤 为激 烈 , 9 9年 Itl 司 、 19 ne 公 AMD 公 司 均 实
摘 要 : 国 内 外 微 电 子 技 术 配 套 专 用 超 净 高 纯 试 剂 进 行 了评 述 。 对 关 键 词 : 净 高 纯 试 剂 ; 状 ; 用 ; 备 ; 套 技 术 超 现 应 制 配
中圈分类号 : Q4 1 2 T 2 . 3
文献标识 码 : A
文章 编号 :2 83 8 (0 2 0 —1 20 0 5 —2 3 2 0 )30 4 —4
3年缩 小 2倍 , 片 面积 增 加 约 1 5倍 , 片 中 芯 . 芯
超大规模集成电路的重要支撑材料——超净高纯试剂

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1 ’ 0
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腾蒸馏、 等温蒸 馏 、 减压 蒸 馏 、 升华 、 学 处理 、 化 气体 吸收 等 。超净 高纯 试 剂在 运输 过 程 中极 易受 污染
器 等必 须依赖 进 口,超净 高纯试 剂工 艺先进 技术 如 气 体 吸收 、 子交换 、 离 膜处 理技术 等 的应 用要 达到 国
工 业 中 的消耗 比例 大致 占 1—5 0 1%,其 中有 机 类化 学品 的需 求量 在微 电子 化 学 品 中 占总体 积 的 3 %以 上 , 场需求量 相 当可观 。 市 在超净高 纯试剂 的发展 方 面 , 与光刻 胶相 似 , 不
目前, 国际上普遍使用的提纯工艺有十余种 , 它们适
而 同步或 超前 发展 , 同时 它又 对微 电子 技 术 的发 展起 着制 约作用 。
S MI E 标准 金属杂质/p pb 控制粒径/m g
颗粒/ /L 个 m
目前 , 国际上 制备 S MIC 到 S MIC 2级 超 净 高 E —1 E —1 纯试 剂 的技术 都 已经 趋 于成 熟 。随着集 成 电路 制作 要 求 的提高 ,对工艺 中所 需 的液 体化 学品纯度 的要 求 也不 断提高 。 从技 术趋 势上看 , 满足 纳米级 集成 电 路 加工需 求是 超净 高纯试 剂今后 发展方 向之一 。 可 以看 出 ,超净 高纯试 剂制 备 的关 键在 于控制
17 ,国际半导 体设 备与 材料 组织 ( E ) 9 5年 S MI
制定 了 国际统 一 的超 净 高纯试剂 标准 , 如表 1 所示 。
的清洗 、 蚀刻 , 另外超 净高纯 试剂还 用 于芯片掺 杂 和 沉 淀工艺 。超 净高纯试 剂 的纯度 和洁净 度对集 成 电 路 的成 品率 、 电性能 及可靠性 均有 十分 重要 的影 响。 超净 高纯试 剂 具有 品种 多 、 量大 、 术 要求 高 、 用 技 贮 存 有效期 短 和腐蚀性 强等特 点 ,它基 于微 电子 技术 的发展 而产生 , 一代 I c产品需要 一代 的超 净 高纯试 剂与之 配套 。它 随着微 电子技 术 的发 展
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术

超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术1 微电子技术的发展微电子技术主要是指用于半导体器件和集成电路(IC)微细加工制作的一系列蚀刻和处理技术,其中集成电路,特别是大规模及超大规模集成电路的微细加工技术又是微电子技术的核心,是电子信息产业最关键、最为重要的基础。
微电子技术发展的主要途径之一是通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片的面积,以提高集成度和速度。
自20世纪70年代后期至今,集成电路芯片的发展基本上遵循GordonEM预言的摩尔定律,即每隔1.5年集成度增加1倍,芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加约1.5倍,芯片中晶体管数增加约4倍,也就是说大体上每3年就有一代新的IC产品问世。
在国际上,1958年美国首先研制成功集成电路开始,尤其是20世纪70年代以来,集成电路微细加工技术进入快速发展的时期,这期间相继推出了4、16、256K;1、4、16、256M;1、1.3、1.4G 的动态存贮器。
进入20世纪90年代后期,IC的发展更迅速,竞争更激烈。
美国的Intel公司、AMD公司和日本的NEC公司这3个IC生产厂家的竞争尤为激烈,1999年Intel公司、AMD 公司均实现了0.25Lm技术的生产化,紧接着Intel公司在1999年底又实现了0.18Lm技术的生产化,AMD公司也在紧追不舍。
到2001年上半年,Intel公司实现了0.13Lm技术的生产化,而到2001年的2季度末,日本的NEC公司宣布突破了0.1Lm工艺技术的难关,率先成功研发出0.095Lm的半导体工艺技术,现已开始接受全球各地厂商的订货,并将于2001年的11月开始批量生产。
因此,专家们认为世界半导体工艺技术的发展将会加速,半导体制造厂商将会以更先进的技术加快升级换代以适应新的市场要求。
我国集成电路的研制开发始于1965年,与日本同时起步,比韩国早10年。
现在我国已经有了从双极(5Lm)到CMOS、从2~3Lm到0.8~1.2Lm及0.35~0.5Lm工艺技术,并形成了规模生产,0.25Lm工艺技术生产线目前正在北京和上海同时建设,预计到2002年即可投产。
我国超净高纯试剂的应用与发展

t c n lg . e h oo y
Ke r y wo ds: co lcr n c ; r c s Mir e e to i s P o e sChe c l Ap lc to De eo me t mias; p i ain; v l p n
1 引 言
进 人 二十 一 世 纪 以来 , 电子 技 术 的发展 进 入 微
出现 , 需配 套 的 电子 化 工材 料 的种 类基 本上 没 有 所 变 化 , 旧包 括超 净 高 纯 试 剂 、 依 光刻 胶 、 电子特 种 气 体 及 电子 塑封 材 料 等 。这 些 材 料 质 量 的好坏 , 接 直 影 响着不 同制作技 术所 形成 电子产 品的性能及 质量
超净高纯试剂的开发与生产方案(一)

超净高纯试剂的开发与生产方案一、实施背景随着科技的快速发展,尤其是半导体、光伏、LED等新兴产业的崛起,对超净高纯试剂的需求迅速增长。
超净高纯试剂主要用于清洗、蚀刻、掺杂等工艺环节,对产品的纯度、洁净度要求极高。
目前,国内超净高纯试剂市场主要被国外企业垄断,进口依赖度高。
因此,从产业结构改革的角度出发,开发和生产超净高纯试剂具有重要意义。
二、工作原理超净高纯试剂的生产原理主要包括精馏、离子交换、吸附、膜分离等过程。
以精馏为例,通过加热、减压等操作,使试剂中的各组分在蒸馏塔中按沸点差异分离,从而达到提纯的目的。
离子交换则是利用离子交换树脂的选择性吸附特性,将溶液中的离子进行交换、分离。
吸附和膜分离则是利用吸附剂或膜的选择性透过特性,将杂质从溶液中去除。
三、实施计划步骤1. 市场调研:收集和分析国内外超净高纯试剂市场需求、竞争格局、技术发展趋势等信息。
2. 技术研发:开展超净高纯试剂生产工艺研究,优化生产流程,提高产品质量和收率。
3. 设备选购:根据生产工艺要求,选购合适的生产设备,如精馏塔、离子交换柱、吸附剂等。
4. 生产线建设:在合适的场地建设超净高纯试剂生产线,包括原料储存、预处理、精馏、离子交换、吸附、膜分离、后处理等环节。
5. 人员培训:对生产线操作人员进行专业培训,确保他们掌握正确的操作技能和质量意识。
6. 试生产:在生产线完成后,进行试生产,检测产品质量,调整工艺参数。
7. 正式生产:在试生产成功后,正式投入生产,不断优化生产工艺和提高产品质量。
8. 市场营销:开展市场营销活动,扩大产品销售渠道,提高品牌知名度。
四、适用范围本方案适用于半导体、光伏、LED等新兴产业中对超净高纯试剂有需求的企业。
这些企业在生产过程中需要使用大量的超净高纯试剂,如氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸等。
五、创新要点1. 采用先进的生产工艺和设备,提高产品质量和收率。
2. 通过精细化管理,降低生产成本和能源消耗。
3. 加强研发能力,不断优化生产工艺和提高产品质量。
高端制造巡礼之超净高纯试剂

高端制造巡礼之超净高纯试剂作者:董师傅来源:《电脑报》2018年第23期超净高纯试剂,是指主体成分纯度大于99.99%,杂质离子和微粒数符合严格要求的化学试剂,主要用于集成电路制造中的清洗和蚀刻。
按等级可分为G1-G5,G1的技术含量最低,G5的技术含量最高,目前国内生产超净高纯试剂的企业中产品达到国际标准且具有一定生产量的企业有30 多家,大多数仅能满足G1~G3的需求,高端超净高纯试剂更是依赖国外的公司,特别是8 英寸及8 英寸以上晶圆加工所需的超净高纯试剂,国外公司的市场份额接近90%,国产率太低,未来的进口替代空间非常大。
因此可以关注超净高纯试剂领域的上市公司,例如光华科技和晶瑞股份。
光华科技公司主打中高端化学品,其中PCB化学品营收占比65%,毛利率25%左右,超净高纯试剂也是公司的重点攻略目标,早在2015年就通过定增募资金布局(1.4万吨)。
不过公司的经营方向较多,概念也比较多,最火的一个是锂电池的回收概念,这是为什么前段时间光华科技大涨的原因。
可以说,公司的超净高纯试剂概念没有引起资金的关注。
风险:PCB化学品销售情况不及预期、锂电池回收概念熄火、超净高纯试剂产能无法提升。
晶瑞股份在分析光刻胶领域时,我们就提到了晶瑞股份,其实晶瑞股份在超净高纯试剂领域也在发力,且力度不小哟!公司的超净高纯试剂产品大部分达到G4 等级,拳头产品双氧水(半导体级)突破了国外技术垄断,达到最高等级G5,可以与国外公司一较高低了。
目前晶瑞股份的超净高纯试剂进入多家半导体厂商的供应链考察体系,例如华虹宏力正在进行上线评估,武汉新芯已进入验厂审核,中芯国际正在进行技术确认,一旦通过考察后续国产替代就是顺理成章的事情——国内12 英寸晶圆厂共有11 座,未来3年将有14 座12 英寸晶圆厂相继投产,双氧水(半导体级)的年需求量将超过15 万吨,公司产品的进口替代空间很大。
风险:双氧水(半导体级)产能不足、原材料价格上涨、没有通过半导体厂商的考察、前期上涨过大导致调整幅度过深。
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超净高纯试剂行业研究报告
2020年5月
▍超净高纯试剂:百亿市场,微电子领域重要材料
微电子领域重要材料,从IC、面板到光伏均不可或缺
超净高纯试剂是微电子技术发展过程中不可缺少的关键基础化工材料之一,一代微细加工技术需要一代超净高纯试剂与之配套,下游应用包括半导体、平板显示、光伏太阳能等领域。
图1:超净高纯试剂所处产业链
资料来源:格林达招股书,市场部
超净高纯试剂主要应用于电子元器件微细加工的清洗、光刻、显影、蚀刻、掺杂等工艺环节。
对电子元器件基础材料进行清洗后,将光刻胶涂覆在表面,经曝光、显影后实现复杂微细电极图案的转移,然后采用蚀刻剂进行蚀刻将不需要的衬底材料除去,留下需要的电极图案,并为后续的硅片或面板材料的电特性功能改进做准备。
一般完成电子元器件产品的制造,实现所需要的功能,需要十几道甚至几十道工艺流程。
图2:超净高纯试剂应用工艺环节
资料来源:江化微招股书,市场部
按类型分,可以将超净高纯试剂分为复配型超净高纯试剂和单一型超净高纯试剂。
复配型超净高纯试剂包括显影液、剥离液、清洗液、蚀刻液、稀释液等;单一型超净高纯试剂则包括酸类、碱类、有机溶剂类等。
表1:超净高纯试剂分类
超净高纯试剂类别复配型超净高纯试剂单一型超净高纯试剂小类品名
复配类化学品
酸类
显影液、剥离液、清洗液、蚀刻液、稀释液等
氢氟酸、硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、乙酸等
氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵等碱类
有机溶剂类
醇类甲醇、乙醇、异丙醇等
酮类丙酮、丁酮、甲基异丁基酮等
乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酯等
苯、二甲苯、环己烷等
脂类
烃类
卤代烃类
其他类
三氯乙烯、三氯乙烷、氯甲烷、四氯化碳等
双氧水等
资料来源:格林达招股书,晶瑞股份招股书,市场部
超净高纯试剂对杂质要求极高,不同的杂质存在会对电子元器件的性能产生致命的影响。
而超净高纯试剂的应用市场半导体、显示、光伏太阳能电池对微电子化学品的纯度要求所有不同。
(1)半导体领域中,集成电路用超净高纯试剂的纯度要求较高,基本集中在SEMI G3、G4 乃至G5 水平。
我国的研发水平与国际尚存差距。
分立器件对超净高纯试剂纯度要求较集成电路低,基本集中在SEMI G2 水平,国内企业生产技术能够满足大部分生产需求。
(2)显示领域对超净高纯试剂的等级要求为SEMI G2、G3 水平,国内企业的生产技术能够满足大部分的生产需求。
(3)光伏太阳能电池领域一般只需要SEMI G1 水平,是我国国产超净高纯试剂的主要市场。
表2:超净高纯试剂等级划分
SEMI G1
≤1000
≤1.0
G2
≤10
G3
≤1.0
G4
≤0.1
G5
≤0.01
金属杂质/ppb
控制粒径/μm 颗粒/(个/ml)IC 线宽/μm
≤0.5 ≤0.5 ≤0.2 需双方协商
需双方协商
<0.09 ≤25 ≤25 ≤5 需双方协商
0.09~0.2
>1.2 0.8~1.2 0.2~0.6
大规模集成电路
分立器件、太阳能
电池
应用显示面板(IC)、超高清LCD、
OLED 显示面板
资料来源:格林达招股书,市场部
表3:杂质对电子元器件危害
杂质杂质的危害
这类杂质属于硅片中的快扩散物质,也是俘获中心。
影响元器件的可靠性和阈值电
压,导致低击穿和缺陷。
Au、Pt、Fe、Ni、Cu
碱金属,尤其Na、K 非金属离子F-、Cl- 可造程元器件漏电,造成低击穿。
影响化学气相淀积工艺和钝化工艺,导致外延片层错增加。
P、As、Sb、B、Al 等II~VI 组属于硅片中的浅能级杂质,有扩散作用,可影响电子和空穴的数量。
P、As、Sb 是N 型杂质,当过量时能使P 型硅片反型;B、Al 是P 型杂质,若过量也会反型。
固体颗粒:包括尘埃、造成光刻缺陷,氧化层不平整,影响制板质量,影响等离子刻蚀工艺。
杂质杂质的危害
金属氧化物晶体、水管、
离子交换树脂碎片、各
种过滤膜的纤维、细菌
和微生物的尸体等
水和化学试剂中的细菌能造成颗粒型缺陷和污染。
细菌分解的有机酸会使水的电阻
率降低。
细菌
水和1 化学试剂中的硅酸根会使磷硅玻璃起雾,阈值电压变化。
在等离子刻蚀工艺
中SiO2 会造成颗粒污染形成缺陷。
硅酸根
总有机碳(TOC)水和试剂中的TOC 影响栅氧化的击穿电压,造成水雾,使氧化层厚度不均
资料来源:《微电子工业对超净高纯化学品的质量要求》(杨昀),市场部
三大应用构建产品梯度,全球市场规模372 亿元
超净高纯试剂按纯度从G1 到G5 分别对应从光伏太阳能电池到集成电路的不同应用,构建了产品的梯度分布。
2018 年全球超净高纯试剂市场规模52.56 亿美元,折合人民币
约372 亿元,其中IC 领域超净高纯试剂市场规模38.4 亿美元,折合人民币约272 亿元,
同比增长9.71%。
按下游应用领域分,2018 年半导体占据超净高纯试剂下游用量的43%,
平板显示占据33%,太阳能电池占据24%的用量。
图3:全球IC 领域超净高纯试剂市场规模图4:全球超净高纯试剂下游应用领域(按用量)
半导体平板显示太阳能电池全球IC超净高纯试剂市场规模(亿美元)
YOY
50 40 30 20 10 0
16%
14%
12%
10%
8%
24%
43%
6%
4% 33%
2%
0%
2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018
资料来源:SEMI,市场部资料来源:华经情报网,市场部
2017 年我国超净高纯试剂市场规模约80 亿元,其中IC 领域超净高纯试剂市场规模约40 亿元。
按下游应用领域分,半导体占据超净高纯试剂下游用量的31%,平板显示占
据38%,太阳能电池占据31%的用量。
图5:我国IC 超净高纯试剂市场规模图6:我国超净高纯试剂下游应用领域(按用量)
半导体平板显示太阳能电池我国IC超净高纯试剂市场规模(亿元)YOY
25%
45
40 35 30 25 20 15 10 5 20%
15%
10%
5%
31% 31%
0 0%
38%
资料来源:《江苏省集成电路产业发展研究报告》(江苏省半导体行
业协会),市场部预测
资料来源:华经情报网,市场部
2018 年,我国超净高纯试剂产量49.5 万吨,同年我国需求量达到90.5 万吨,整体自给率呈现不足。
而随着我国下游行业的快速发展,对超净高纯试剂的需求量仍将继续增大。
图7:我国超净高纯试剂生产量(万吨)图8:我国三大应用市场对超净高纯试剂需求量(万吨)
我国超净高纯试剂生产量(万吨)YOY
40% 半导体平板显示太阳能电池
60 50 40 30 20 10 0
160
140
120
100
80
35%
30%
25%
20%
15%
10%
5%
60
40
20
0% 0
2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2016 2017 2018 2019E 2020E
资料来源:中国电子材料协会,市场部资料来源:中国电子材料协会(含预测),市场部
▍ 下游需求增长+产业转移,高纯试剂市场持续扩容
IC :仅 12 英寸在建产线便有 40 万吨高纯试剂需求
在进行芯片制作前,一般要对晶圆的表面进行抛光处理。
主要步骤为机械研磨、蚀刻 清洗(使用硝酸、醋酸、氢氧化钠等)、晶圆抛光和表面清洗(氨水、过氧化氢、去离子 水等)。
晶圆表面处理后,还将对晶圆进行一系列的复杂工艺,使纯粹的硅晶圆变为 N 型 或 P 型硅晶圆。
晶圆处理后,芯片制造流程包括成膜、涂胶、曝光、显影、蚀刻、光刻胶 剥离等流程。
在图形转移过程中,一般需要进行十几次光刻和蚀刻工艺,对超净高纯试剂 需求较大。
根据 IC 线宽的不同,所需要的超净高纯试剂等级亦有所差别。
IC 线宽越窄, 集成度越高,对超净高纯试剂要求也越高。
图 9:集成电路制造工艺流程
资料来源:格林达招股书
晶圆生产过程中涉及众多超净高纯试剂,由于各厂商工艺不同化学品需求量和需求种 类不尽相同。
根据中国电子材料行业协会的数据,12 寸的晶圆消耗超净高纯试剂约 240 吨/万片,8 英寸的晶圆制造所使用超净高纯试剂约为 45 吨/万片。
表 4:晶圆制造消耗的超净高纯试剂(吨/万片)
晶圆尺寸
超净高纯试剂名称
双氧水 12 英寸
8 英寸
6 英寸
单位消耗量(吨/万片)
78.35 75.47 22.56 20.5 8.67 5.62 9.47
硫酸 15.78
显影液 氨水 3.54 1.35 3.06
2.12
1.84 蚀刻液 15.85 1
2.85
氢氟酸。