腐蚀工艺简介教学文案
腐蚀工艺流程
腐蚀工艺流程腐蚀工艺流程是一种通过腐蚀剂将金属材料表面部分或全部消除的工艺。
腐蚀工艺主要用于去除金属表面的氧化层、膜、受污染的层等，以提高材料的表面质量和使用性能。
下面将介绍一种常见的腐蚀工艺流程。
一、腐蚀材料选择根据待处理金属的材质和需要去除的表面层，选择适合的腐蚀剂。
常用的腐蚀剂有酸性腐蚀剂、碱性腐蚀剂、氧化物腐蚀剂等。
选择腐蚀剂时需考虑其腐蚀性能、对金属材料的影响以及安全性。
二、表面处理准备在进行腐蚀前，需要对待处理金属的表面进行清洁和准备工作。
清除表面附着物，如油污、水分、灰尘等，并确保表面干燥。
若待处理金属表面存在氧化层，可以采用化学或机械方法进行除氧处理，以提高腐蚀效果。
三、腐蚀操作将清洁干燥的金属样品放入腐蚀槽中，浸入腐蚀剂中。
根据待处理材料的特点和需要达到的腐蚀效果，选择合适的腐蚀时间，通常从几分钟到几小时不等。
四、腐蚀后处理腐蚀结束后，将金属样品从腐蚀槽中取出，并用清水彻底冲洗，去除腐蚀剂的残留。
然后，将样品进行中和处理，以防止腐蚀剂残留对样品造成进一步的腐蚀。
中和处理可使用碱溶液或中和剂，根据腐蚀剂的酸碱性选择适当的中和方法。
五、干燥和防护将中和后的样品进行干燥，以防止水分对金属表面的再次腐蚀。
可以使用自然干燥或加热干燥的方法。
干燥后，对金属样品进行防护处理，可以使用涂层、油剂或防锈液等，以提高金属表面的耐腐蚀性能。
六、质量检验对腐蚀后的金属样品进行质量检验，检查腐蚀效果是否符合要求，如是否完全去除了待处理材料表面的氧化层和膜。
可以使用显微镜、扫描电子显微镜等设备对腐蚀后的样品进行观察和分析。
腐蚀工艺流程是一项技术复杂的工艺，需要在实际操作中根据不同金属材料和腐蚀要求进行调整和优化。
通过正确的腐蚀工艺流程，可以有效改善金属材料的表面质量和使用性能，提高产品的质量和使用寿命。
金属腐蚀反应教案
金属腐蚀反应教案一、教学目标1. 让学生了解金属腐蚀的概念，知道金属腐蚀的类型和原因。
2. 让学生掌握金属腐蚀的基本原理，了解腐蚀过程中发生的化学反应。
3. 培养学生运用化学知识解决实际问题的能力，提高学生的科学素养。
二、教学内容1. 金属腐蚀的概念及类型2. 金属腐蚀的原因3. 金属腐蚀的原理及化学反应4. 防止金属腐蚀的方法5. 金属腐蚀在实际生活中的应用三、教学重点与难点1. 教学重点：金属腐蚀的概念、类型、原因、原理及化学反应。
2. 教学难点：金属腐蚀原理及化学反应的理解和应用。
四、教学方法1. 采用问题驱动法，引导学生思考金属腐蚀的奥秘。
2. 利用多媒体教学，展示金属腐蚀的微观过程。
3. 开展小组讨论，培养学生合作学习的能力。
4. 结合实际案例，让学生感受金属腐蚀在生活中的应用。
五、教学安排1. 第一课时：金属腐蚀的概念及类型2. 第二课时：金属腐蚀的原因3. 第三课时：金属腐蚀的原理及化学反应4. 第四课时：防止金属腐蚀的方法5. 第五课时：金属腐蚀在实际生活中的应用教案内容待补充。
六、教学活动1. 课堂讨论：让学生分享生活中经历的金属腐蚀现象，引导学生关注金属腐蚀在日常生活中的普遍性。
2. 实验演示：进行金属腐蚀实验，让学生直观地观察金属腐蚀过程，加深对金属腐蚀现象的理解。
3. 案例分析：分析金属腐蚀在工程、环境等方面的影响，让学生了解金属腐蚀的严重性。
4. 小组讨论：让学生探讨防止金属腐蚀的方法，提高学生的实践能力。
七、教学评价1. 课堂问答：检查学生对金属腐蚀概念、类型、原因、原理的掌握情况。
2. 实验报告：评估学生在金属腐蚀实验中的观察、分析能力。
3. 小组报告：评价学生在防止金属腐蚀方法探讨中的参与度、合作精神。
4. 课后作业：检查学生对金属腐蚀知识的理解和应用能力。
八、教学资源1. 教材：选用合适的化学教材，提供金属腐蚀相关知识。
2. 多媒体课件：制作金属腐蚀原理、实验过程等课件，辅助教学。
金属的腐蚀与防护教案
金属的腐蚀与防护教案一、教学目标1. 了解金属腐蚀的概念及其危害。
2. 掌握金属腐蚀的类型和主要原因。
3. 学习金属防护的方法和措施。
4. 培养学生的实验操作能力和科学思维。
二、教学内容1. 金属腐蚀的概念与危害2. 金属腐蚀的类型与原因3. 金属防护的方法与措施4. 实验操作与观察5. 案例分析与讨论三、教学重点与难点1. 教学重点：金属腐蚀的概念、类型及原因，金属防护的方法和措施。
2. 教学难点：金属腐蚀机理的理解，金属防护技术的应用。
四、教学方法1. 讲授法：讲解金属腐蚀的概念、类型、原因及防护方法。
2. 实验法：进行金属腐蚀实验，观察和分析腐蚀现象。
3. 讨论法：分析案例，探讨金属腐蚀的防护策略。
4. 提问法：引导学生思考和巩固所学知识。
五、教学准备1. 实验室设备：金属样品、腐蚀试剂、防护材料等。
2. 教学课件：金属腐蚀与防护的相关图片、视频和动画。
3. 案例材料：金属腐蚀事故案例及相关数据。
4. 实验指导书：详细介绍实验步骤、观察指标和评价标准。
六、教学步骤1. 引入新课：通过展示金属腐蚀现象的图片或视频，引发学生兴趣，提问学生对金属腐蚀的了解。
2. 讲解金属腐蚀概念：讲解金属腐蚀的定义，解释金属腐蚀是指金属在接触环境中的化学或电化学作用下，造成金属性能下降或结构破坏的现象。
3. 介绍金属腐蚀类型：介绍均匀腐蚀、局部腐蚀、腐蚀疲劳、电化学腐蚀等不同类型的金属腐蚀，并解释其特点和原因。
4. 分析金属腐蚀原因：讲解金属腐蚀的主要原因，包括金属的化学性质、环境因素、材料选择等。
5. 总结金属防护方法：介绍金属防护的方法和措施，包括选择合适的材料、涂层保护、阴极保护、腐蚀抑制剂等。
七、实验操作与观察1. 准备实验材料和设备：准备金属样品、腐蚀试剂、防护材料等实验用品。
2. 进行金属腐蚀实验：按照实验指导书的要求，将金属样品与腐蚀试剂接触，观察和记录腐蚀现象。
3. 观察金属腐蚀过程：通过显微镜等工具，观察金属腐蚀的形态和程度，记录实验结果。
铜腐蚀工艺(3篇)
第1篇一、引言铜作为一种重要的金属材料，广泛应用于电气、电子、建筑、装饰等领域。
然而，在长期使用过程中，铜材料容易受到腐蚀的影响，导致性能下降甚至失效。
因此，研究铜腐蚀工艺对于提高铜材料的使用寿命和性能具有重要意义。
本文将介绍铜腐蚀工艺的基本原理、常用方法以及在实际应用中的注意事项。
二、铜腐蚀工艺基本原理铜腐蚀工艺是指利用化学或电化学方法，使铜材料表面发生腐蚀反应，从而达到改变其表面性能的目的。
腐蚀过程主要包括以下步骤：1. 铜材料表面预处理：通过机械、化学或电化学方法，去除铜材料表面的氧化物、油污、锈蚀等杂质，提高铜材料表面的清洁度和均匀性。
2. 腐蚀剂选择：根据所需铜材料表面性能，选择合适的腐蚀剂。
常见的腐蚀剂有酸、碱、盐等。
3. 腐蚀条件控制：通过调节腐蚀剂浓度、温度、时间等参数，控制腐蚀程度，以达到所需表面性能。
4. 腐蚀后处理：腐蚀完成后，对铜材料表面进行处理，如清洗、干燥、钝化等，以提高其耐腐蚀性能。
三、常用铜腐蚀工艺1. 酸性腐蚀工艺酸性腐蚀工艺是利用酸溶液对铜材料进行腐蚀，使铜材料表面形成一定厚度的氧化膜。
常用的酸性腐蚀剂有硫酸、盐酸、硝酸等。
（1）硫酸腐蚀：硫酸腐蚀具有腐蚀速度快、氧化膜致密等优点，但腐蚀过程中易产生有害气体。
（2）盐酸腐蚀：盐酸腐蚀速度较快，氧化膜较薄，腐蚀过程中不易产生有害气体。
（3）硝酸腐蚀：硝酸腐蚀速度快，氧化膜致密，但腐蚀过程中易产生有害气体。
2. 碱性腐蚀工艺碱性腐蚀工艺是利用碱溶液对铜材料进行腐蚀，使铜材料表面形成一定厚度的氧化膜。
常用的碱性腐蚀剂有氢氧化钠、氢氧化钾等。
碱性腐蚀工艺具有腐蚀速度慢、氧化膜较薄、腐蚀过程中不易产生有害气体等优点，但腐蚀过程中需严格控制温度，以免产生有害物质。
3. 盐溶液腐蚀工艺盐溶液腐蚀工艺是利用盐溶液对铜材料进行腐蚀，使铜材料表面形成一定厚度的氧化膜。
常用的盐溶液有氯化钠、硫酸钠、硫酸铜等。
盐溶液腐蚀工艺具有腐蚀速度适中、氧化膜较薄、腐蚀过程中不易产生有害气体等优点，但腐蚀过程中需严格控制温度和时间，以免产生有害物质。
金属的腐蚀与防护教案
金属的腐蚀与防护教案一、教学目标1. 让学生了解金属腐蚀的概念及其原因。
2. 让学生掌握金属腐蚀的类型和常见腐蚀现象。
3. 让学生了解金属防护的方法及其原理。
4. 培养学生运用科学知识解决实际问题的能力。
二、教学内容1. 金属腐蚀的概念及其原因1.1 金属腐蚀的定义1.2 金属腐蚀的原因1.2.1 化学腐蚀1.2.2 电化学腐蚀2. 金属腐蚀的类型和常见腐蚀现象2.1 均匀腐蚀2.2 局部腐蚀2.3 腐蚀速率2.4 常见腐蚀现象举例三、教学重点与难点1. 教学重点：金属腐蚀的概念、原因、类型及常见腐蚀现象。
2. 教学难点：金属腐蚀原因中的电化学腐蚀原理。
四、教学方法1. 采用问题驱动法，引导学生思考金属腐蚀的奥秘。
2. 利用图片、视频等多媒体资源，直观展示金属腐蚀现象。
3. 案例分析，让学生了解金属腐蚀在实际生活中的应用。
4. 小组讨论，培养学生合作学习的能力。
五、教学准备1. 教学课件：金属腐蚀与防护的相关图片、视频等。
2. 教学素材：金属腐蚀现象的案例。
3. 实验器材：铁钉、硫酸铜溶液等。
教案剩余部分（六至十章）待您提供相关要求后，我将为您编写。
六、教学过程1. 引入新课：通过展示金属腐蚀现象的图片，引发学生对金属腐蚀的思考。
2. 讲解金属腐蚀的概念及其原因：介绍金属腐蚀的定义，分析金属腐蚀的化学和电化学原因。
3. 分析金属腐蚀的类型和常见腐蚀现象：讲解均匀腐蚀、局部腐蚀等类型，展示常见腐蚀现象的图片。
4. 探究金属防护的方法及其原理：介绍金属防护的方法如镀层、阴极保护等，解释其原理。
5. 总结与作业布置：对本节课内容进行总结，布置相关作业，引导学生深入思考。
七、课堂练习a) 金属腐蚀只会发生在金属表面。
（）b) 所有的金属都会发生腐蚀。
（）c) 金属腐蚀只有一种类型。
（）a) 金属腐蚀的原因主要有化学腐蚀和电化学腐蚀。
（）b) 金属腐蚀的类型有均匀腐蚀和局部腐蚀两种。
（）c) 金属防护的方法只有镀层一种。
化学金属腐蚀实验教学的实验教学教案
实验操作
1. 步骤一：准备金 属试样，确保试样表 面干净； 2. 步骤二：将试样 浸泡于腐蚀介质中， 观察腐蚀现象； 3. 步骤三：记录腐 蚀过程中的数据，如 腐蚀速率； 4. 步骤四：清洗试
样并分析腐蚀程度，
进行结果记录。
实验数据处理
数据记录与 分析方法
确保数据准确性
实验中可能 出现的误差 及处理方式
结语
01 牢记实验精神
实验中的细致和耐心
02 探索科学奥秘
科学知识的广阔领域
03 学业有成
在努力中迎接成功
总结
实验教学的 重要性
实践是理论的落 脚点
教师的责任
潜心教学，引领 学生
学生成长的 见证
教学是种子，学 生是未来
教学反思
在化学金属腐蚀实验教学中，我们不仅要注重实 验操作的技能培养，更要引导学生探索科学的奥 秘，培养他们的实验精神和创新意识。教师的责 任重大，希望我们能够不断完善教学方法，激发 学生的学习兴趣，助力他们未来的发展。
识别实验误差
实验结果的 呈现和说明
分析腐蚀数据
实验结果展示
实验数据的图表分 析
绘制腐蚀速率图 绘制对比实验结果表
腐蚀速率计算与比 较
计算各试样腐蚀速率 对比不同金属试样速率
结果讨论及结论
分析腐蚀速率对比结果 总结实验结论
实验总结
通过本实验，学生能够掌握金属腐蚀的基本实验 方法和数据处理技巧，培养实验操作能力和实验 数据分析能力，为深入学习化学金属腐蚀提供基 础知识。同时，通过实验结果展示和结论讨论， 引导学生进行实验结果合理解读和推理分析。
实验中遇到的问题 及解决方案
实验设备故障 通过更换设备解决问题
对实验教学的建议与 改进
POLYSIN 腐蚀工艺培训update
SIN ETCH
Equipment ENP5K01(mxp): 主要刻蚀气体：SF6
ENP5K02(mxp+)： 主要刻蚀气体：CHF3，CF4，O2，AR，
CH3F（可提高对SIO2的选择比）
反应式
CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+12F* 3SiF4 +2N2
选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条 件下，不同材料的腐蚀速率的比值。
材料A 材料B
SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料
（光刻胶或衬底）的影响。
ETCH BASE PARAMETER
形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表 面的地貌特征；
POLY/SIN 腐蚀工艺简介
WHAT IS ETCH？
什么是腐蚀？ 腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特 气等）把光刻曝光显影后形成的图形转 移到硅片上，从而形成管芯的各种结构 和图形。
ETCH BASE PARAMETER
腐蚀速率（ETCH RATE）=单位时间内 同种衬底损失掉的厚度；
A
B
E/R=（A-B）/ETCH TIME
ETCH BASE PARAMETER
腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不 同位置的腐蚀速率的差异；
UNIF=[MAX E/R（1，5）—MIN E/R（1， 5）]/2AVG E/R（1，5） 1 234 5
ETCH BASE PARAMETER
注：
残氧的测量是采用椭偏光测量方法。这种方 法是利用椭圆偏振光照射到被样品表面，观 测反射偏振状态的改变，从而能测定样品固 有光学参数（折射率和消光系数）或者样品 上膜层的厚度。
干法腐蚀工艺培训讲义汇总教材
干法腐蚀工艺培训讲义目录第一章基本概念第二章干法腐蚀基本原理第三章常用材料的等离子体腐蚀原理与工艺第四章在线干法腐蚀设备结构/原理简介第五章干法腐蚀工艺中的终点检测第六章干法去胶第七章在线腐蚀工艺中常见异常及处理方法第一章基本概念1．WHAT IS ETCHED？A process for removing material in a specified area through chemicalreaction and/or physical bombardment.2. WHAT WE ETCHED?1)Dielectric (oxide,nitride,etc.)2)Silicide (polysilicon and silicide)3)Silicon(single crystal silicon)4)Metal(AL.Cu.Si)3. WHAT IS ETCH RATE?腐蚀速率是指所定义的膜被去除的速率，单位通常用UM/MIN，A/MIN 来表示。
4.E/R UNIFORMITY表示一个圆片中不同点腐蚀速率的差别（WITHIN A W AFER）或两个以上圆片片与片之间的腐蚀速率差异（W AFER TO W AFER。
）如：假定一个圆片片内测试了5个点，那就有5个速率值UNIFORMITY=（MAX ETCH RATE—MIN ETCH RATE）/2/（A VERAGE ETCH RATE）*100%5. SELECTIVITY是指两种不同膜的腐蚀速率比。
选择比反应腐蚀过程中主要被腐蚀膜对另一种膜的影响（光刻胶，衬底等）6. ISOTROPY---各向同性腐蚀速率在纵向和横向上相同。
7．ANISOTROPY---各向异性腐蚀速率在纵向和横向上不一样。
8．CD---（CRITICAL DIMENSIONS）关键尺寸CD LOSS---条宽损失9．LOADING---负载效应MICROLOADING（微负载效应）---不同的孔尺寸或纵深比例对腐蚀速率和选择比的影响。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
腐蚀工艺简介腐蚀工艺教程一、什么是半导体？半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。
自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。
纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。
但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。
我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。
P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。
PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。
在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。
在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。
二、什么是集成电路？不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。
集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。
三、集成电路中的常用薄膜。
多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极。
也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。
在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。
用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。
Al-Si-Cu用在集成电路中作为金属互连线。
四、什么是刻蚀集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。
把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。
五、什么是等离子体？简而言之，等离子体是指电离的气体，是由电子、离子、原子和分子或自由基团粒子的集合体。
而这些原子和自由基团通常具有很强的化学活性，可以与其它物质反应。
等离子刻蚀就是选用合适的气体，通过低压放电产生等离子体，利用其中的活性原子和自由基团与硅片表面的薄膜反应，生成挥发性产物而被去除掉，从而实现腐蚀的目的。
六、为什么要用等离子刻蚀？集成电路的制造已从LSI（大规模集成电路）发展到了ULSI（甚大规模集成电路）阶段，图形密度越来越高，加工线条越来越细，加工精度的要求也越来越严格。
传统的湿法腐蚀工艺由于存在着横向腐蚀大，条宽损失严重，均匀性差，工艺控制难的缺点，无法实现现代集成电路生产的要求。
现通常只用于无条宽要求的图形腐蚀和大面积薄膜的剥离。
等离子刻蚀，特别是反应离子刻蚀（RIE），均匀性好，横向腐蚀少，可以实现近乎垂直的腐蚀，条宽损失小，工艺重复性好，并且能够实现终点控制，易控制，在现代集成电路的生产中得到广泛应用。
相对传统的湿法腐蚀工艺，等离子刻蚀亦可称为干法腐蚀。
七、腐蚀中的常用术语1、各向同性（isotropic）和各向异性（anisotropic）在刻蚀过程中，除了在垂直方向存在着腐蚀之外，还存在着侧向腐蚀。
当横向腐蚀与侧向腐蚀速率相等时，称为各向同性。
此时，边缘剖面面表现为一个圆弧。
当侧向腐蚀很小，近似为零时称之为各向异性，图形边缘剖面表现为一个垂直的剖面。
我们把各向异性程度定义为A f=1-V1/V，其中V1，和V分别是侧向和直向的刻蚀速率。
2、选择比（selectivity）由于在刻蚀过程中圆片上各点的刻蚀速率是不均匀的，被刻蚀薄膜的厚度也存在着一定的不均匀。
并考虑到圆片表面在加工的过程中会出现一定的高度差。
因此在刻蚀时一定量的过刻蚀是必须的，这意味着圆片上被刻蚀膜的下层薄膜也会被腐蚀，而这层薄膜在集成电路的加工中的损失量有一定的要求（如多晶栅刻蚀时栅氧的损失）。
因此在刻蚀时需要对两层薄膜有选择性。
另外，在腐蚀时作为掩蔽的光刻胶也同时承受着腐蚀，对它的腐蚀也需要选择。
在腐蚀工艺中主腐蚀膜和其它薄膜的刻蚀速率之比称之为选择比。
3、终点控制在等离子刻蚀中常采用发射光谱法对等离子体中刻蚀剂或刻蚀产物的浓度进行检测，判断被腐蚀膜是否基本去除干净，从而对工艺进行控制，这称为终点控制。
4、剖面形貌八、常用湿法腐蚀工艺1、硫酸双氧水去胶说明：去除光刻胶配比：H2SO4：H2O2=3：1温度：140℃流程：1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干2、DHF去二氧化硅说明：HF酸漂去二氧化硅配比：HF：H2O=1：10温度：室温流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干3、氮化硅说明：推阱及场氧后LPSIN的剥离配比：98%磷酸温度：160℃流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分钟→磷酸槽60min→溢流5分钟→冲水10次→甩干5、BOE腐蚀二氧化硅说明：非关键尺寸二氧化硅图形窗口的腐蚀配比：BOE温度：室温流程：BOE漂（依须腐蚀二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干注意：由于圆片上带有光刻胶，腐蚀前须热坚膜，条件是120℃30min，若腐蚀时间超过3min，腐蚀前热坚膜120℃30min+150℃15min，每腐蚀1min30sec加烘120℃30min。
6、EKC清洗说明：金属腐蚀及通孔腐蚀干法去胶后的清洗，去除因干法腐蚀而残留在图形边缘的聚合物配比：EKC265/IPA温度：EKC265 65℃IPA 室温流程：EKC槽30min→IPA3min→→冲水10次→甩干九、等离子刻蚀设备及工艺一个简单的等离子刻蚀机包括：气体管路系统，真空系统，反应室，射频及匹配系统，传片系统，终点控制系统。
按反应室结构可将其分为桶型反应腔，平板电容型，六面体电极结构等；按硅片处理方式可分为单片式和批处理式。
1、PRS800——桶型批处理式等离子去胶机，工艺气体为O2，适用工艺有：大束流注入后的干法去胶、金属腐蚀后、孔腐蚀后的干法去胶及一些不适合硫酸双氧水去胶工艺的光刻胶的去除。
操作步骤：1)确认反应室在大气状态，如果反应室不在大气状态，按VENT键，VENT绿灯亮，一分钟后，听见“嗤嗤”声，说明反应室已处于大气状态，按VENT，绿灯熄灭，停止充气。
2)戴上手套，用倒角器理片，大切片向上，根据工艺需要用吸笔将硅片装入石英舟。
3)拉开反应室的门，用叉将舟装入反应室，推上反应室门。
4)设定工艺时间，根据工艺，按Process Time下的白色按钮设定工艺时间，左起第一位为十位，第二位为个位，单位为分。
5)按PUMP键，PUMP绿灯亮，去胶自动进行。
6)刻蚀开始后，观察功率（watts）,流量（Flow sccm），压力（pressure×10-3）是否正常。
7)刻蚀结束后，“VENT”绿灯闪烁。
8)按NENT，向反应室充气，“VENT”绿灯亮。
9)约等1分钟，听到有轻微“嗤嗤”声，说明反应室已到大气状态，按VENT键，停止充气，“VENT”绿灯灭。
10)戴上手套，拉开反应室门，用叉取出石英舟，冷却一会，用吸笔将圆片移回传片架。
11)做干法腐蚀送出片作业。
2、AUTO490——平板电容型单片腐蚀机，用于多晶和Si3N4的腐蚀。
工艺气体分别为Cl2/He和SF6/He。
操作步骤：1)按STATUS键，屏幕显示STATUS页，IDIE状态。
2)选择所需工艺*的Recipe Module，插入接口，按LOAD键，显示所需的工艺菜单号。
3)按RECIPE键，查看工艺菜单内容及菜单号。
4)确认工艺菜单后，按STATOS键，返回STATUS页，Idle状态。
5)把整理好的待加工圆片放在左边Index中，右边Index放空片架。
6)按START键，待片子流出片架，按STOP键，进行先行片腐蚀。
7)先行片腐蚀结束后，取出，在显微镜下检查，若无异样，用膜厚仪测剩余SiO2厚度。
8)先行片检查合格片，将片架放回右边Index。
9)按START键，进行批腐蚀。
腐蚀结束后，将圆片移回传片架进行腐蚀，送出作业。
注意：视490设备工作情况，决定先行片腐蚀前是否走些假片。
3、RAINBOW4500I——平板电容型单片腐蚀机，带一各向同性腐蚀腔，用于二氧化硅腐蚀。
操作步骤：1)若设备处于status页，Load and process idle状态画面右上角RCP菜单号是否为所需菜单。
若不是，按LOAD键，输入所需菜单号，按ENT键确认，按SEL键取消。
2)先行片腐蚀：按START键，待片子进入传输系统后，按STOP键。
3)先行片刻蚀结束后，在显微镜下检查圆片，若片子表面图形无异常，进行膜厚仪测试检查，测5点。
4)多晶通孔腐蚀后，划片槽内SiO2<2nm。
5)接触孔各向同性腐蚀后，划片槽内SiO2400~500nm。
6)通孔各向同性腐蚀后，划片槽内SiO2600~700nm。
7)spacer腐蚀后，有源区内SiO2<2nm，场区SiO2>380nm。
8)平坦化腐蚀后，划片槽Al上SiO2厚450-650nm之间。
9)二氧化硅腐蚀后，剩余SiO2厚度由流程单规定。
10)先行片检查合格后，进行批腐蚀，将片架放回出料台，按START键，腐蚀自动进行。
11)批腐蚀结束后，将圆片移回传片架，进行干刻送出作业。
4、AM8330——六面体电极结构型批腐蚀机，用于金属腐蚀。
工艺气体为Cl2/BCl3，辅助气体为CF4/CHF3。
操作步骤：1)当屏幕显示PROCESS：Waiting for operator action.LOADER: Idle.2)按DOOR开门。
3)LOADER显示Waiting for cassette replacement时可进行装片，右边为装片台，左边为出片台，底部为假片片架，一次可装工艺片两批。
4)装好片的后，按DOOR键关门，自动将LOAD反应室压力抽到<5m,此过程约需10分钟。
5)按F5 PROGRAM ，再按F1 RECIPES，用→←↑↓键将光标移到Select ARecipe,按ENTER，检查左上角RECIPE To RUN是否为所需的工艺菜单（一般为METAL1-EPD），若不是所需菜单，将光标移到右边所需菜单名称上，按ENTER，则此菜单被选上。
6)按F5 再按F2 LOAD，将光标移到Select A Sequence上，按ENTER，检查左上角Sequence to Run是否为所需装片程序（一般用Full-LOAD），若不是所需程序，将光刻移到右边所需程序上，按ENTER，此程序被选。