微电子器件基础第一章补充
微电子器件 学习辅导资料 第 1 章

1 半导体物理基础1.1 半导体材料 1.1.1 学习重点1.半导体通常把电阻率介于10-2Ω·cm 到109Ω·cm 之间的材料称为半导体。
2.半导体的分类 根据成分的不同,半导体可分为元素半导体和化合物半导体两类。
由单一元素构成的半导体称为元素半导体;由两种或两种以上的元素组成的半导体称为化合物半导体。
3.固体材料中原子、分子或分子团的排列方式根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同,固体材料分为无定形、多晶和单晶三种基本类型。
• 无定型材料:原子或分子只在几个原子或分子尺度内排列有序。
• 多晶材料:原子或分子在小区域内排列有序。
• 单晶体:原子或分子在整个晶体中有序排列。
4.硅和锗的晶体结构硅和锗的单晶体中原子的排列方式与金刚石相同,称为金刚石结构,如下图所示。
1.1.2自学练习1、半导体材料是指( )。
(a) 金刚石结构(b)硅单晶的正四面体结构硅和锗的晶体结构2、根据成分的不同,半导体材料可分为( )和( )两类。
3、根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同,固体材料分为( )、 ( )和( )三种基本类型。
4、无定型、多晶和单晶在原子或分子的排列方式各有什么特点?5、硅和锗单晶的结构为( )结构。
6、硅单晶的结构特点是什么?1.1.3练习答案1、半导体材料是指( 电阻率介于导体和半导体之间的材料 )。
2、根据成分的不同,半导体材料可分为( 元素半导体 )和( 化合物半导体 )两类。
3、根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同,固体材料分为( 无定形 )、( 多晶 )和( 单晶 )三种基本类型。
4、无定型、多晶和单晶在原子或分子的排列方式各有什么特点? 答:无定型材料中原子或分子只在几个原子或分子尺度内排列有序。
多晶材料中原子或分子在小区域内排列有序。
单晶体中原子或分子在整个晶体中有序排列。
5、硅和锗单晶的结构为( 金刚石 )结构。
半导体物理(微电子器件基础 )知识点总结

第一章●能带论:单电子近似法研究晶体中电子状态的理论●金刚石结构:两个面心立方按体对角线平移四分之一闪锌矿●纤锌矿:两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成(001)面ABAB顺序堆积●禁带宽度:导带底与价带顶之间的距离脱离共价键所需最低能量●本征激发:价带电子激发成倒带电子的过程●有效质量(意义):概括了半导体内的势场作用,使解决半导体内电子在外力作用下运动规律时,可以不涉及半导体内部势场作用●空穴:价带中空着的状态看成是带正电的粒子●准连续能级:由于N很大,每个能带的能级基本上可以看成是连续的●重空穴带:有效质量较大的空穴组成的价带●窄禁带半导体:原子序数较高的化合物●导带:电子部分占满的能带,电子可以吸收能量跃迁到未被占据的能级●价带:被价电子占满的满带●满带:电子占满能级●半导体合金:IV族元素任意比例熔合●能谷:导带极小值●本征半导体:完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体●应变半导体:经过赝晶生长生成的半导体●赝晶生长:晶格失配通过合金层的应变得到补偿或调节,获得无界面失配位错的合金层的生长模式●直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置●间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置●允带:允许电子能量存在的能量范围.●同质多象体:一种物质能以两种或两种以上不同的晶体结构存在的现象第二章●替位杂质:杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。
●间隙杂质:杂质原子位于晶格的间隙位置。
●杂质浓度:单位体积中的杂质原子数。
●施主(N型)杂质:释放束缚电子,并成为不可动正电荷中心的杂质。
●受主(P型)杂质:释放束缚空穴,并成为不可动负电荷中心的杂质。
● 杂质电离:束缚电子被释放的过程(N )、束缚空穴被释放的过程(P )。
● 杂质束缚态:杂质未电离时的中性状态。
● 杂质电离能:杂质电离所需的最小能量:● 浅能级杂质:施(受)主能级很接近导(价)带底(顶)。
微电子器件基础PPT全套课件

电子管的发明
1883年,美国发明家爱迪生 (T· A· Edison,1847—1931)发现了 热的灯丝发射电荷的现象,并被称之为 “爱迪生效应”。 1897年,英国物理学家汤姆逊 (J· J· Thomson1856~1940 )解释了 这种现象,并把带电的粒子称为“电 子”。 1904英国伦敦大学电工学教授弗莱明 (S· J· A· Fleming1849~1945)研制出检测 电波用的第一只真空二极管,从而宣告 人类第一个电子二极管的诞生。
SW uP
MPEG ROM
PCB
ROM ATM ASIC
SW
FPGA
SW
SW
SRAM ROM
uP Core
MPEG ROM
FPGA A/D Block
ATM Glue Logic
SOC
SoC Example
R O M
D R A M
CPU
DSP
FPGA
SRAM
Flash
Switch
Fabric
Al V Rc Rb in out n SiO2 E n+ p n n+ B
300 Cu Strained Si high-K metal
300 ? Strained Si high-K metal
SiO2 poly Si
SiO2 poly Si
SiO2 poly Si
The limit for oxide -0.8 nm Dielectrics with high k= HfO2, ZrO2… Polysilicon metal
2009 0.045 64G 520 620 2500 8-9 0.6-0.9 300
半导体器件基础 第1章(第二版)PPT课件

电 子的浓度是一定的,反向电流在一定
的电压范围内不随外界电压的变化而
子 变化,这时的电流称为反向饱和电流,第
技 以IR(sat) 表示。
一
术 章
基
础
电
少数载流子的浓度很小,由
子 此而引起的反向饱和电流也很小, 技 但温度的影响很大。表1.2.1是硅 第
管的反向电流随温度的变化情况 一
术 章
基
础
三、PN结的伏安特性
一
术 温度每升高8℃,硅的载流子浓度增加一倍。
章
基
+4
+4
+4
+4
+4
+4 自
由
础
+4
+4
+4
+4
+4
+4 电
子
空穴
+4
+4
+4
+4
+4
+4
1.1.3 杂质半导体的导电特性
电
掺杂后的半导体称为杂质半导体,
子 杂质半导体按掺杂的种类不同,可分为N 第
技 型(电子型)半导体和P型(空穴型)半
一
术 导体两种。
1.2.1 PN结的形成
电
当P型半导体和N型半
子 导体相互“接触”后,在
它们的交界面附近便出现
第
技 了电子和空穴的扩散运动。
一
术 N区界面附近的多子电子将 基 向P区扩散,并与P区的空
同样,P区界面形章 成一个带负电的薄电
础穴复合,N区界面附近剩下 荷层。于是在两种半 了不能移动的施主正离子, 导体交界面附近便形
成了一个空间电荷区,
微电子器件基础-PN结

eN d x 2 eN a 2 φ(x) = (x n ⋅ x − ) + xp εs 2 2εs
1.2.3 空间电荷区宽度
例7-2
1.3 反偏
z
例7.3
势垒电容
z z
势垒电容产生机理 定义
1.3.3 单边突变结
z
P+N,Na>>Nd
电容倒数的平方与反 偏电压线性关系。曲 线外推与横轴交点, 为内建电势差的绝对 值。 通过实验方法可确定 掺杂浓度。
突变结当xpx0时?enaexxps?endexn?xs当0xxn时12空间电荷区的电势分布均匀掺杂pn结空间电荷区的电势p区p区电势表达式同样对n区电势表达式积分可得电势12空间电荷区的电场和电势分布当xpx0时当0xxn时ena2xxxp2sendena2xxxn?x?xps22s2123空间电荷区宽度例7213反偏z例73势垒电容zz势垒电容产生机理定义133单边突变结zpnnand电容倒数的平方与反偏电压线性关系
第1章
PN 结
z z z z
1.1 1.2 1.3 1.4
PN结的基本结构 零偏-空间电荷区的电场和电势分布 反偏 非均匀掺杂pn结
1.1 PN结基本结构
PN 结含义: 在一块N型(或P型)半导体单晶上,用特定的工 艺方法把P型(或N型)杂质掺入其中,使这块单晶 相连的二个不同区域分别具有N型和P型的导电类 型,在二者交界面的过渡区即称为PN结-冶金结。
1.4 非均匀掺杂pn结
z
NONUNIFORMLY DOPED JUNCTIONS
线性缓变结的电场是距离的二次函数,而均匀掺杂pn结中电场是距离的 线性函数。线性缓变结的电场最大值仍是冶金结处的电场。
第一章 微电子器件 半导体物理课件

1 d 2 Ec 1 2 2 dk k k0 mn
1 dE 电子运动速度 dk
基本图形 • • • • 半导体、绝缘体、导体能带示意图 半导体本征激发能带示意图 硅半导体能带结构图 砷化镓半导体能带结构图
基本图示 • 一定温度下,载流子迁移率与杂质浓度的关系 • 一定掺杂浓度下,载流子迁移率与温度的关系 • 载流子漂移速度与电场关系 • 砷化镓载流子漂移速度与电场关系
第五章 非平衡半导体
一、基本关系式
导带电子浓度(包含非平衡导带电子)n n n0 价带空穴浓度(包含非平衡价带空穴)
表面复合率 U s s p s 电子扩散电流密度 J n 扩 空穴扩散电流密度 J p 扩 电子漂移电流密度 J n 空穴漂移电流密度
d n x qDn dx
d p x qD p dx
漂
q(n0 n)n E
q( p0 p) p E
半导体空间电荷密度方程 0 x q p0 x nDj x n0 x p Ai x
基本概念
1、状态密度——能带中能量E附近单位能量间隔内的电子状态数
2、费米统计分布——半导体电子服从的统计分布 3、少子浓度——半导体单位体积中的少子数 4、多子浓度——半导体单位体积中的多子数 5、非简并半导体——载流子分布从费米分布蜕化化服从波尔兹曼统计分布的半导体 6、简并半导体—掺杂浓度很高,使费米能级非常接近、甚至进入导带或价带的半导体 7、载流子冻析效应——温度很低时,杂质不能完全电离,电子或空穴被杂质束缚
基本关系式 漂移电流密度 J (nqn pq p ) E
微电子器件基础第一章补充共17页PPT资料

Jn
qnnE
qDn
dn dx
Jp
qp
pE
qDp
dp dx
(1-10) (1-11)
1.1.3 连续性方程
n t
1 q
Jn x
Un
p t
1 q
Jp x
Up
(1-12) (1-13)
1.2 基本方程的简化与应用举例
例 1.1 对于方程 ( 1-9 )
ddE xqspnNDNA
在耗尽区中,可假设 p = n = 0 ,又若在 N 型耗尽区中,则还可 忽略 NA ,得
dE dx
q
s
ND
(1-14)
若在 P 型耗尽区中,则得
dE dx
q
s
NA
例 1.2 对于方程(1-10),
式中的 Un 和 Up 分别代表电子和空穴的 净复合率。当 U > 0 时表示净复合,当 U < 0 时表示净产生。
所谓连续性是指载流子浓度在时空上的连续性,即:造成 某体积内载流子增加的原因,一定是载流子对该体积有净流入 和载流子在该体积内有净产生。
1.1.4 方程的积分形式
以上各方程均为微分形式。其中泊松方程和连续性方程可 根据场论中的积分变换公式而变为积分形式。
Jn
qnnEqDn
dn dx
当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时,则
漂移电流密度远小于扩散电流密度,可以忽略漂移电流密度,
方程(1-10)简化为
Jn
qDn
微电子器件(第1章)

1.6 半导体器件基本方程
半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用 一套 基本方程 来加以描述,这套基本方程是分析一切半导体 器件的基本数学工具。
半导体器件基本方程是由 麦克斯韦方程组 结合 半导体的 固体物理特性 推导出来的。这些方程都是三维的。
先来复习场论中的有关内容
i j k x y z
(c)单晶
一个典型单元或原子团在三维的每一个方向上按某种 间隔规则重复排列就形成了单晶。晶体中这种原子的周期 性排列称为晶格。
(a)简立方
(b)体心立方
(c)面心立方
元素半导体硅和锗具有金刚石晶体结构,参数a代表的是 晶格常数。
金刚石晶体结构最基本的结构单元是四面体,该四面体 中的每个原子都有四个与它最近邻的原子。
用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法, 称为非平衡载流子的光注入。光注入时
n p
当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后,经过毫秒 到微秒数量级的时间,原来激发到导带的电子又回到价带, 载流子浓度恢复到平衡时的值,半导体又回到平衡态。这 一过程称为非平衡载流子的复合。
非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的 寿命,用τ表示。
晶体中电子所遵守的薛定谔方程为
2
2m0
d2 (x)
dx2
V (x) (x)
E (x)
• 晶体中电子处在不同的k状态,具有不同的能量E(k), 求解上式可得出E(k)和k的关系曲线
硅、锗都属于金刚石型结构,它 们的固体物理原胞和面心立方晶体的 相同,其第一布里渊区如右图
在第一布里渊区求解薛定谔方程, 可得出半导体硅和锗的能带图
1.5载流子的输运现象
在外场׀E׀的作用下,半导体中载流子做定向运动,这 种运动称为漂移运动,其定向运动速度v称为漂移速度。
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dQn 0 ,上式可再简化为 定态时, dt Qn In
n
(1-27)
空穴的电荷控制方程为
Ip
dQp dt
Qp
p
(1-28)
定态时,
Ip
Qp
p
(1-29)
方程 (1-26) ~ (1-29) 是电荷控制模型中的常用公式 ,只是具 体形式或符号视不同情况而可能有所不同。
1.1.1 泊松方程
d 2 q p n ND NA 2 dx s s
式中 为静电势,它与电场强度 E 之间有如下关系:
d E dx
所以泊松方程又可写成
dE q p n ND NA dx s
(1-9)
1.1.2 输运方程
Un
n
n
(1-18)
在 N 型区中,空穴的净复合率为
Up
p
p
(1-19)
例 1.4 将电子的扩散电流密度方程 (1-16)
dn J n qDn dx
代入电子的连续性方程 (1-12)
n 1 J n Un t q x
设 Dn为常数,再将 Un 的表达式代入,可得 电子的扩散方程,
dn J n qn nE qDn dx
当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时,则
漂移电流密度远小于扩散电流密度,可以忽略漂移电流密度,
方程(1-10)简化为
dn J n qDn dx
(1-16)
反之,则可以忽略扩散电流密度,方程(1-10)简化为
J n qn nE
例 1.3 对于方程 ( 1-12 ) 、( 1-13 )
n 1 Jn Un t q x p 1 Jp Up t q x
其中的净复合率 U 可表为
np ni2 U n p 2ni
(1-17)
式中, 代表载流子寿命,n n0 n, p p0 p, n0 p0 ni2
在 P 型区和 N 型区中,净复合率 U 可分别作如下简化。 在 P 型区中,电子的净复合率为
例 1.1 对于方程 ( 1-9 )
dE q p n ND NA dx s
在耗尽区中,可假设 p = n = 0 ,又dx s
若在 P 型耗尽区中,则得
(1-14)
dE q NA dx s
例 1.2 对于方程(1-10),
D
N A dv
在 N 型耗尽区中可简化为
A
E dA
q
s
V
N D dv
(1-25)
例 1.6 电子的电荷控制方程为
dQn Qn In dt n
(1-26)
式中,Qn q ndv, Qn q ndv ,分别代表体积 V
V V
内的电子总电荷量和非平衡电子总电荷量。
输运方程又称为电流密度方程。 电子电流密度 Jn 和空穴电流密度 Jp 都是由漂移电流密度和 扩散电流密度两部分所构成,即
dn J n qn nE qDn dx dp J p qp pE qDp dx
(1-10) (1-11)
1.1.3 连续性方程
n 1 Jn Un t q x p 1 Jp Up t q x
n 2 n n Dn 2 t x n
同理可得 空穴的扩散方程,
(1-21)
p 2 p p Dp 2 t x p
(1-23)
也可对积分形式的基本方程进行简化。 例 1.5 对于泊松方程的积分形式 (1-6) ,
A
E dA
q
s
pn N
V
以上各方程均为微分形式。其中泊松方程和连续性方程可 根据场论中的积分变换公式而变为积分形式。 泊松方程
dE q p n ND NA dx s
的积分形式就是著名的 高斯定理,
A
E dA
q
s
pn N
V
D
N A dv
(1-6)
连续性方程的积分形式称为 电荷控制方程。
分析半导体器件时,应先将整个器件分为若干个区,然后
在各个区中视具体情况对基本方程做相应的简化后进行求解。
求解微分方程时还需要给出 边界条件。扩散方程的边界条件为
边界上的少子浓度与外加电压之间的关系。于是就可以将外加
电压作为已知量,求解出各个区中的少子浓度分布、少子浓度
梯度分布、电场分布、电势分布、电流密度分布等,最终求得
器件的各个端电流。
这些就是本课程的主要内容。
(1-12) (1-13)
式中的 Un 和 Up 分别代表电子和空穴的 净复合率。当 U > 0 时表示净复合,当 U < 0 时表示净产生。 所谓连续性是指载流子浓度在时空上的连续性,即:造成 某体积内载流子增加的原因,一定是载流子对该体积有净流入
和载流子在该体积内有净产生。
1.1.4 方程的积分形式
半导体器件基本方程
1.1 半导体器件基本方程的形式
半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用 一套 基本方程 来加以描述,这套基本方程是分析一切半导体 器件的基本数学工具。 半导体器件基本方程是由 麦克斯韦方程组 结合 半导体的 固体物理特性 推导出来的。
分析半导体器件的基本方程包含三组方程。
在用基本方程分析半导体器件时,有两条途径,一条是用 计算机求 数值解。这就是通常所说的半导体器件的数值模拟; 另一条是求基本方程的 解析解,得到解的封闭形式的表达式。 但求解析解是非常困难的。一般需先 对基本方程在一定的近似
条件下加以简化后再求解。本课程将讨论第二条途径。
1.2 基本方程的简化与应用举例