AVR单片机熔丝位设置方法
AVR第10讲复位熔丝位设置
通过JTAG 接口实现对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程熔丝位1.选择时钟源CKSEL0-3和启动时间SUT0, SUT12.掉电检测BODLEVEL,BODEN3.选择BOOT区大小BOOTRST,BOOTSZ0, BOOTSZ14.SPIEN=0,串行下载使能；JTAGEN=1,边界扫描功能禁用；OCDEN=1片上调试禁用5.EESAVE=1芯片擦出时EEPROM内容不保留6.CKOPT=1振荡器由CKSEL0-3决定如果不需要Boot Loader 功能，则整个Flash 都可以为应用代码所用。
Boot Loader 具有两套可以独立设置的Boot 锁定位。
用户可以灵活地选择不同的代码保护方式。
用户可以选择：• 保护整个Flash 区，不让MCU 进行软件升级• 不允许MCU 升级 Boot Loader Flash 区• 不允许MCU 升级应用Flash 区• 允许MCU 升级整个Flash 区ATmega16 有两个熔丝位字节。
Notes: 1. 在SPI 串行编程模式下SPIEN 熔丝位不可访问。
2. CKOPT 熔丝位功能由CKSEL 位设置决定，详见P23 “ 时钟源” 。
3. BOOTSZ1..0 默认值为最大Boot 大小，详见 P244Table 100。
4. 不论锁位与JTAGEN熔丝位设置为什么，产品出厂时不对OCDEN编程。
对OCDEN 熔丝位编程后会使能系统时钟的某些部分在所有的休眠模式下运行。
这会增加功耗。
5. 如果没有连接JTAG 接口，应尽可能取消JTAGEN 熔丝位的编程状态，以消除存在于JTAG 接口之TDO 引脚的静态电流。
熔丝位的状态不受芯片擦除命令的影响。
如果锁定位1(LB1) 被编程则熔丝位被锁定。
在编程锁定位前先编程熔丝位。
ATmega16 提供了6 个锁定位，根据其被编程(“0”) 还是没有被编程(“1”) 的情况可以获得Table 104 列出的附加性能。
AVR单片机熔丝位设置教程
0表示已编程，1表示未编程，未选中熔丝低位BODLEVEL设置BOD电平1（2.7V），0（4V）因为M16L可以工作在2.7v－5.5v所以触BODEN BOD功能（电源检测）1（禁止），0（允许）SUT1复位启动时间选择SUT0CKSEL3时钟源选择CKSEL2时钟源选择CKSEL1时钟源选择CKSEL0时钟源选择熔丝高位OCDEN OCD功能允许1：OCD功能禁止；0：OCD功JTAGEN JTAG允许1：JTAG禁止； 0：JTAG允许NACKOPT选择这两种放大器模式 CKOPT＝0：高幅度振荡输出；CKOPT＝1：低幅度振荡输出EESAVE烧录时EEPROM数据保留 1：不保留；0：保留BOOTSZ1引导区程序大小及入口 00： 1024Word/0xc00；BOOTSZ001： 512Word/0xe00；10： 256Word/0xf00；11： 128Word/0xf80BOOTRST 复位入口选择 1：程序从0x0000地址开始 0：复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1）BOD功能：作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。
然后允许BOD检测。
这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。
而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。
SPIEN: SPI下载允许 1：SPI下载禁止；0：SPI下载使能当CKOPT 被编程时振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡。
这种模式适合于噪声环境，以及需要通过XTAL2 驱动第英文中文On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能 (ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; 芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为 $yyyyBoot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V; 掉电检测的电平为 VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled; 掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms 启动时间 xxx 个时钟周期 + yy 毫秒Ext. Clock; 外部时钟Int. RC Osc. 内部 RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc. 外部 RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal; 外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器高频时钟总表时钟源 启动延时 熔丝外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00内部RC振荡2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11在2.7v－5.5v所以触发电平可选2.7v或4.0v。
AVR单片机解锁器的制作以及熔丝配置
A VR单片机解锁器的制作以及熔丝配置随着A VR单片机日益普及，很多单片机爱好者都试用了这种类型的快速8位单片机。
由于单片机试用ISP下载线下载代码到单片机中，而A VR单片机内部又具有可编程振荡模式选择熔丝位，初学A VR 单片机，对熔丝位的配置有时很不了解，很容易误写熔丝位，结果是单片机锁死无法再次使用。
本人也是刚学A VR单片机也遇到了这种情况，根据自己的经验写下此文希望对初学者用帮助。
首先说说怎么样设置熔丝位。
本人使用串口ISP下载自己制作的串口下载器，试用的是SLISP下载软件（天龙）。
SLISP安装后，确保下载器连接正确，单片机放置正确，点击配置熔丝弹出熔丝配置设置，将最后一个[ ]Int(……………………)勾选上，再将JTAG Interface Enable勾掉，然后点击写入，确定，是，最后点击确定完成熔丝的配置，而界面上的配置熔丝可选可不选。
下面说说A VR单片机锁死后的解锁。
按照下面的电路图正确连接制作时需要注意本电路试用正负电压。
7805和7905的管脚连接方式不一样，正对自己，7805左边输入，中间地，右边输出，7905左边地，中间输入，右边输出。
电阻R为1MΩ，电阻R1为2~6.5KΩ，晶振最好为2~16Mhz，输出为一定频率的方波。
使用方法：电路制作好后，正确和电源连接，将输出A VR解锁器的输出脚和单片机的XTAL1相连再次下载，写入正确的熔丝配置既可解锁，本人经过测试可以解决大部分A VR单片机锁死的情况，同时，有了它可以节约资源避免浪费。
经验之谈：熔丝配置时，点去JTAG后，最好不要勾选选择EXT 选项。
本人在自己的电脑上每次勾选单片机总是锁死。
由于本人也是初学，所以一切只能作为参考！！A VR单片机解锁器的制作以及熔丝配置作者：张仁友2010年2月1日。
AVR单片机熔丝位设置方法和设置步骤 大全
什么是熔丝位?熔丝是一个保护知识产权的设计。
简单的说，你在特定的引脚上加电压，足够的电流，就可以烧断里边的这根熔丝，烧断以后，片里的程序就不可以被读出来也不能改写了，只能用来运行。
一般成品出售时都这样做。
专用的写片机支持这个功能。
自己也可以根据芯片的官方文档来操作。
熔丝位是在一个特定的地址上可以读到熔丝状态的一个位。
0表示已熔断，1表示未熔断。
熔丝位介绍AVR Studio中STK500处理熔丝位有巨大的优势：它是以功能组合让用户配置。
这种方式与小马(PonyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的优势(优势是如此明显，可以用“巨大优势”来形容)：有效避免因不熟悉熔丝位让芯片锁死(这是初学者的恶梦)，笔者曾经锁死过三片Atmega16。
不需要靠记忆与查文档，就能配置熔丝位(这也是初学者的恶梦)动手之前：请你一定弄清楚了，你这样改会有什么后果，除非你有很多钱不在乎多锁死几个芯片。
AVR单片机熔丝位设置熔丝配置错，单片机被锁，非常抑闷，这篇文章具有一定价值，留作下次配置时参考之用。
对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。
下面给出对AVR熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。
有关ATmega128熔丝位的具体定义和功能请查看本书相关章节，在附录中将给出一个完整的汇总表。
（1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。
因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。
（2）在使用通过选择打钩“√”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“√”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。
（3）使用CVAVR中的编程下载程序时应特别注意，由于CVAVR编程下载界面初始打开时，大部分熔丝位的初始状态定义为“1”，因此不要使用其编程菜单选项中的“all”选项。
AVR单片机常用熔丝位说明
BOD，掉电检测功能。比如4.3V，当检测到电源低于4.3V时，单 片机复位。 AVR是宽电压工作的芯片，当电压跌至2.5V，系统程序还能工作 。这时有2个可怕的现象可能出现： 1.外围芯片工作已经混乱，AVR读到的东西不正确，造成程序的 执行发生逻辑错误（不是AVR本身的原因）。 2.当电源低到临界点，如2.4V时，并且在此忽上忽下，AVR本身 的程序执行也不正常，取指令、读数据都可能发生错误，或程 序乱飞、不稳定（AVR本身的原因，实际任何的单片机都是这样 的），非常容易造成EEPROM、FALSH的破坏。
0010：校准的内部RC振荡器
精度不高，一般不使用
0000：外部时钟
一般不用
0：PC6为普通引脚
慎点，PC6默认是复位引脚C6为复位引脚
GPIO用，同时，无法再ISP烧写程序，因为无法复位。
0：使能片上调试系统
1：部使能片上调试系统
片上调试，即后面的BOOTLoader功能。
用于设置复位后从哪一段程序存储区内启动，主要用于boot功 能。Boot区存储一块引导程序，开启boot功能，可以通过串口 在线给单片机更新程序，而不用依赖ISP
Boot Loader锁死功能 ，针对Boot Loader区域
Boot Loader锁死功能 ，针对应用区域
锁死以后不能再使用ISP等方式进行程序烧写或读取，但可以通 过专用烧写器接触锁定，主要用于加密防抄
AVR单片机常用熔丝位说明（以Atmega88为例）
配置说明
备注
0：时钟8分频
设置系统时钟的分频书，比如，电路晶振为8M，使能分频后，
1：时钟不分频
系统晶振就是1M
0：系统时钟输出（PB0）
1：不输出，PB0是普通IO
AVR单片机熔丝位设置详细知识文档
AVR单片机熔丝位设置详细知识文档
本说明以AVR单片机中ATmega16的熔丝位为例，说明熔丝位如何正确设置。
1.编程与状态说明
(1)在AVR的器件手册中，使用已编程(Programmed)和未编程(U nprogrammed)定义熔丝位的状态。
未编程表示熔丝位状态为“1”(禁止)；已编程表示熔丝位状态为“0”(允许)。
(2)AVR的熔丝位可以多次编程，不是一次性的OPT熔丝。
(3)熔丝位的配置可以通过并行方式、ISP串行方式和JTAG串行方式实现。
(4)AVR芯片加密锁定后(LB2/LB1=1/0,0/0)不能通过任何方式读取芯片内部的FLASH和EEPROM数据，但是熔丝位的状态仍然可以读取，只是不能修改配置。
(5)芯片擦除命令是将FLASH和EEPROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成无锁定的状态(LB2/LB1=1/1)，但芯片擦除命令不改变其熔丝位的配置。
(6)下载编程的正确操作程序是：对芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的加密锁定位。
(7)如果芯片被加密锁定后，发现熔丝位配置不对，则必须使用擦除命令，清楚芯片的数据，解除加密锁定，然后重新下载运行代码和数据，修改配置相关的熔丝位，最后再次配置芯片的加密锁定位。
2.芯片加密锁定熔丝位
3.功能熔丝位
4.Bootloader的熔丝位(1)上电启动地址选择
5.有关系统时钟源的选择熔丝位
(1)系统时钟选择
注释(2)：当CKOPT=0时，振荡器的输出振幅较大，适用于干扰大的场合；反之，振荡器的输出振幅较小，可以降低功耗，对外电磁辐射也较小；
注释(3)：CKOPT默认状态为“1”。
AVR单片机熔丝位设置_以及搞错熔丝位_导致芯片死锁的恢复办法
Mega8 熔丝位设置：内部8MHz 低位：d4/E4 高位：D9 FFA VR单片机熔丝位设置详解1、BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路BODLEVEL(BOD电平选择): 1: 2.7V电平； 0：4.0V电平。
这需要根据芯片的工作电压来选择。
BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许使用方法：如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL 决定。
一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v)以下，MCU复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。
2、复位启动时间选择SUT 1/0:当选择不同晶振时，SUT有所不同。
如果没有特殊要求，推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升（即SUT1：0；SUT0：1）。
3、CKSEL3/2/10:时钟源选择。
芯片出厂的默认情况下，CKSEL3—0和SUT1、SYT0分别设置为“0001”和“10”，这样将使用芯片8mHz的内部晶振和使用最长的启动延时。
配置方法：4、M103：设置ATmega103兼容方式工作。
出厂时的默认设置为0，即以ATmega103兼容模式下运行。
5、JTAGEN：如果不使用JTAG接口，应该将JTAGEN的状态设置为1，即禁止JTAG 功能，JTAG引脚用于I/O接口。
6、SPIEN：SPI方式下载数据和程序允许，默认状态为允许0，一般保留其状态。
7、WDTON:看门狗定时器始终开启。
默认情况下为“1”，即禁止看门狗定时器始终开启。
选择为“0”表示看门狗定时器始终开启，建议设置为0，防止程序跑飞。
8、EESAVE：EESAVE设置为“1”表示对芯片进行擦除操作时，flash和EEPROM 中的数据一同擦除，设置为“0”表示擦除操作只对flash中的数据有效而对EEPROM无效。
芯片出厂的默认设置为“1”。
在实际应用中需要根据实际需要进行设置。
AVR单片机熔丝位设置方法和设置步骤大全
AVR单片机熔丝位设置方法和设置步骤大全AVR单片机是一种常用的嵌入式系统开发平台之一、在单片机的开发中，熔丝位（Fuse）是决定单片机工作模式的重要设置之一、设置正确的熔丝位可以保证单片机的正常运行。
本文将介绍AVR单片机熔丝位的设置方法和设置步骤。
一、什么是熔丝位？熔丝位是用来定义单片机的一些基本特性的设置值，每个熔丝位可以设置为“0”或“1”，对应不同的功能。
通过设置熔丝位，可以选择以下几个方面的属性：1.时钟源（Clock Source）：选择单片机的系统时钟源。
2.启动时间延迟（Start-up Time Delay）：为了让单片机的晶振系统正常工作，需要在上电复位后等待一段时间。
3.JTAG接口：选择是否启用JTAG接口。
4.保护：保护单片机的外部程序和数据，防止非授权访问。
二、如何设置熔丝位？1.选择适当的单片机型号：在烧写工具的软件中，选择正确的单片机型号。
2.熔丝位设置：在烧写工具的软件中找到“Fuses”或“熔丝位”选项。
3.设置单片机的时钟源：根据实际需要，选择合适的时钟源。
常见的时钟源有外部晶振、外部时钟信号、内部RC振荡器等。
4.设置启动时间延迟：选择合适的启动时间延迟。
启动时间延迟是为了让外部晶振系统正常工作所需的等待时间。
5.选择是否启用JTAG接口：如果需要使用JTAG接口进行调试或编程，选择启用；否则选择禁用。
6.设置保护位：根据实际需求，选择是否启用保护位。
启用保护位可以防止未授权的访问。
7.写入熔丝位：在设置完所有的熔丝位后，点击“写入”或“烧写”按钮，将设置写入单片机的熔丝位中。
三、常见的一些熔丝位设置示例：1.外部晶振作为时钟源：熔丝位：CLKSEL[3:0]=1111说明：将单片机的时钟源设置为外部晶振，晶振频率可以根据实际需求选择。
2.外部时钟信号作为时钟源：熔丝位：CLKSEL[3:0]=0111说明：将单片机的时钟源设置为外部时钟信号，外部时钟信号的频率必须在单片机规格书中规定的范围内。
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A VR单片机熔丝位设置方法A VR Studio中STK500处理熔丝位有巨大的优势：它是以功能组合让用户配置。
这种方式与小马(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的优势(优势是如此明显，可以用“巨大优势”来形容)：1. 有效避免因不熟悉熔丝位让芯片锁死(这是初学者的恶梦)2. 不需要靠记忆与查文档，就能配置熔丝位(这也是初学者的恶梦)这是我们网站为何推荐使用STK500下载器的又一原因。
操作界面如下：(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。
没有打勾的表示1)。
上图的资料整理如下(该表下面有中文翻译与说明)：On-Chip Debug Enabled; [OCDEN=0]JTAG Interface Enabled; [JTAGEN=0]Serial program downloading (SPI) enabled; [SPIEN=0]Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; [EESA VE=0]Boot Flash section size=128 words Boot start address=$1F80; [BOOTSZ=11]Boot Flash section size=256 words Boot start address=$1F00; [BOOTSZ=10]Boot Flash section size=512 words Boot start address=$1E00; [BOOTSZ=01]Boot Flash section size=1024 words Boot start address=$1C00; [BOOTSZ=00] ; default valueBoot Reset vector Enabled (default address=$0000); [BOOTRST=0]CKOPT fuse (operation dependent of CKSEL fuses); [CKOPT=0]Brown-out detection level at VCC=4.0 V; [BODLEVEL=0]Brown-out detection level at VCC=2.7 V; [BODLEVEL=1]Brown-out detection enabled; [BODEN=0]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0000 SUT=00]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0000 SUT=01]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0000 SUT=10]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0001 SUT=00]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0001 SUT=01]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0001 SUT=10]; default value Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0010 SUT=00]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0010 SUT=01]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0010 SUT=10]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0011 SUT=00]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0011 SUT=01]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0011 SUT=10]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0100 SUT=00]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0100 SUT=01]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0101 SUT=00]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=01]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0101 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=11]Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0110 SUT=00] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=01] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0110 SUT=10] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=11] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0111 SUT=00]Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=01] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0111 SUT=10] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=11]Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=1000 SUT=00] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=01] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=1000 SUT=10] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=11] Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1001 SUT=00]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=01]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 32K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=10]Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1010 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1010 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1011 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1011 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1100 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1100 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=11]Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1101 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1101 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1110 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1110 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1111 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1111 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=11]上表的英文翻译说明如下：英文中文On-Chip Debug Enabled片内调试使能JTAG Interface EnabledJTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled串行编程下载(SPI) 使能(ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy;引导(Boot)区开始地址为$yyyyBoot Reset vector Enabled引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V;掉电检测的电平为VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled;掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms启动时间xxx 个时钟周期+ yy 毫秒Ext. Clock;外部时钟Int. RC Osc.内部RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc.外部RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal;外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq外部晶体/陶瓷振荡器高频注：以上中文是对照A Tmega16的中、英文版本数据手册而翻译。