电力电子器件
电力电子器件概述

5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
d
t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小
电力电子器件

3.电路如图所示 VT承受正向门级电压,画出负载R上的电压波
5.判断下列图形中何时灯亮,何时不亮? (1)u2为直流电源,上+下-,S未闭合前灯泡亮不亮? 答:不亮。晶闸管虽具有上+、下-导通的条件,但没有触发 电流,所以不能导通。 (2)u2为直流电源,上+、下-,S闭合后灯泡亮不亮?S闭合 后又断开了,灯泡亮不亮? 答:S闭合后灯泡亮。S闭合后又断开了灯泡照常亮。 (3)u2为直流电源,上-、下+,S未闭合前灯泡亮不亮?S 闭合后又断开了灯泡亮不亮? 答:不亮。u2上-、下+,不具备导通的条件。S闭合也不会亮。
IG2
IG1 IG=0 Ubo +UA
的反相漏电流流过。
当反向电压达到反向击穿电 压后,可能导致晶闸管发热
击穿
损坏。
-IA
• 1.1 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受 正向阳极电压,并在门极注入正向触发电 流。 • 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样 才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的 电流大于能保持晶闸管导通的最小电流 (即维持电流)。 要使晶闸管由导通变为关断,可通过外加 反向阳极电压或减小负载电流的办法,使 流过晶闸管的电流降到维持电流值以下。
UA IA 正向 导通IHOIG2IG1 IG=0 Ubo +UA
随着门极电流幅值的增大, 正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小, 在1V左右。
击穿
-IA
晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
(2)反向特性
反向特性类似二极管的反向 特性。 反向阻断状态时,只有极小
IA 正向 导通
IH UA O
电力电子器件的概念

电力电子器件的概念:直接承担电能的变换或控制的电路称为主电路。
可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件称为电力电子器件。
电力电子器件的特征:(1)、电力电子器件所能处理电功率的大小,所能承受的电压、电流的能力是其重要参数,一般都大于信息电子器件。
(2)、电力电子器件为减小自身损耗,提高效率,一般都工作在开关状态,通态阻搞接近于短路,电流由外电路决定;断态阻搞接近于断路,电流几乎为零,电压决定于外电路。
(3)、电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。
(4)、自由功率损耗远大于信息电子电路,需要良好的散热导热设计。
电力电子器件的系统组成:一般由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。
电力电子器件的分类:1、按能够被控制信号所控制的程度来分类:全控型:既可控制其导通,又可控制其关断(绝缘栅双极晶体管,电力MOSFET)半控型:可以控制其导通,不能控制其关断(晶闸管、其大部分派生器件)不可控型:导通与关断取决于所承受的电流、电压(电力二极管)2、按照驱动电路加在器件控制端的信号性质分类:电压驱动型、电流驱动型3、根据驱动电路加在器件控制端有效信号的波形分类:脉冲触发型、电平控制型4、按照器件内部电子的空穴参与导电的情况:单极型、双极型、复合型电力二极管特征:能承受高电压和大电流(垂直导电结构、低掺杂N区)静态特征:伏安特征动态特征:零偏、正偏、反偏时的过滤过程(图)主要参数:1、正向平均电流I F(AV),正向压降VF,反向重复峰值电压V RRM,最高工作结温T JM,反向恢复时间,浪涌电流。
主要类型:普通二极管(整流二极管)、快恢复二极管、有特基二极管电导调制效应:PN结通过大电流,大量空穴被注入基区,它们来不及和基区中的电子中和就到达负极,使基区电子浓度大幅增加。
——使原始基片的电阻率下降。
晶闸管:正常导通条件:晶闸管承受正向阳极电压,向门极施加触发电流。
关断条件:。
电子行业电力电子器件综合概述

电子行业电力电子器件综合概述1. 引言电力电子器件是电子行业中的重要组成部分,用于控制和转换电能。
随着电力需求的不断增长,电力电子器件的应用范围也在不断扩大。
本文将对电力电子器件进行综合概述,包括其定义、分类、应用以及未来发展趋势等内容。
2. 电力电子器件的定义电力电子器件是指用于控制和转换电能的电子元件。
它可以将交流电转换为直流电,也可以将电能转换成其他形式,如机械能、光能等。
电力电子器件具有变流、变压、变频等功能,广泛应用于电力系统、工业控制、交通运输等领域。
3. 电力电子器件的分类电力电子器件根据其功能和工作原理的不同,可以分为以下几类:3.1 整流器整流器是一种将交流电转换为直流电的电力电子器件。
它使用半导体器件(如二极管、晶闸管等)将交流电的负半周或正半周去除,使输出电流呈现单向流动的特点。
整流器广泛应用于电力系统、工业设备以及电子产品中。
3.2 逆变器逆变器是一种将直流电转换为交流电的电力电子器件。
它通过控制半导体开关器件(如晶闸管、IGBT等)的开关状态,使直流电通过电路产生交流电输出。
逆变器广泛应用于可再生能源发电系统、电动车充电桩、家用电器等领域。
3.3 变频器变频器是一种可控制交流电频率的电力电子器件。
它通过调节半导体开关器件的开关频率,可以实现对交流电输出频率的调节。
变频器广泛应用于交通运输、工业生产等领域,如交流电机调速控制、电动车驱动系统等。
3.4 开关电源开关电源是一种通过开关器件在输入端和输出端之间进行快速切换来实现电能转换的电力电子器件。
开关电源具有高效率、小体积、稳定性好的特点,广泛应用于电子产品、通信设备等领域。
4. 电力电子器件的应用电力电子器件在电力系统、工业生产、交通运输、家用电器等领域都有广泛的应用。
在电力系统中,电力电子器件被用作电网稳定器、无功补偿装置、电力质量调节器等,提高电力系统的稳定性和效率。
在工业生产中,电力电子器件被用于电机调速、电力负荷控制、短路电流限制等,提高生产效率和质量。
电力电子技术知识点总结

电力电子技术知识点总结一、电力电子器件1. 晶闸管:晶闸管是一种具有双向导电性能的电子器件,可以控制大电流、大功率的交流电路。
其结构简单,稳定性好,具有一定的可逆性,可用作直流电压调节元件、交流电压调节元件、静止开关、逆变器等。
2. 可控硅:可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件,具有控制开关特性,可用于控制大电流、大功率的交流电路。
可控硅具有可控性强,工作稳定等特点,适用于电力调节、交流电源、逆变器等领域。
3. MOSFET:MOSFET是一种以金属氧化物半导体栅极场效应晶体管为基础的器件,和普通的MOS晶体管相比,MOSFET在导通电阻上有较低的压降、耗散功率小、寄生电容小、开关速度快等优点,适用于开关电路、逆变器、电源调节等领域。
4. IGBT:IGBT是一种继承了MOSFET和双极晶体管的特点的半导体器件,具有高阻塞电压、低导通压降、大电流、耐脉冲电流等特点,适用于高频开关电路、变频器、电源逆变器、电机调速等领域。
5. 二极管:二极管是最基本的电子元件之一,具有正向导通和反向截止的特点,广泛用于整流、短路保护、开关电源等方面。
以上所述的电力电子器件是电力电子技术的基础,掌握了这些器件的特性和应用,对于电力电子技术的学习和应用具有重要的意义。
二、电力电子拓扑结构1. 变流器拓扑结构:变流器是电力电子技术中的一种重要装置,用于将直流电转换为交流电或者改变交流电的频率、电压和相数等。
常见的变流器拓扑结构包括单相全桥变流器、三相全桥变流器、单相半桥变流器、三相半桥变流器等。
2. 逆变器拓扑结构:逆变器是电力电子技术中的一种重要装置,用于将直流电转换为交流电,逆变器可以选择不同的拓扑结构和控制策略,以满足不同的电力系统需求。
常见的逆变器拓扑结构包括单相全桥逆变器、三相全桥逆变器、单相半桥逆变器、三相半桥逆变器等。
3. 母线型柔性直流输电系统:母线型柔性直流输电系统是一种新型电力电子系统,用于将大容量的交流电转换为直流电进行长距离输电。
电子行业电力电子器件相关资料

电子行业电力电子器件相关资料1. 介绍电力电子器件是电子行业中的重要组成部分,主要用于控制和转换电力。
它们在电力传输、变换和分配中发挥着关键的作用。
本文档将介绍电力电子器件的主要类型、工作原理、应用领域以及相关的技术资料。
2. 电力电子器件的类型电力电子器件广泛应用于各个领域,包括能源转换、电力传输、电机控制等。
以下是一些常见的电力电子器件类型:2.1 变流器变流器是将交流电转换为直流电或将直流电转换为交流电的装置。
主要包括整流器和逆变器两种类型。
整流器将交流电转换为直流电,逆变器将直流电转换为交流电。
2.2 逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的装置。
它通常用于交流电到直流电的转换,例如太阳能电池板和风力发电机输出的直流电转换为交流电以供家庭和工业使用。
2.3 储能器储能器是一种能够存储电能并在需要时释放的装置。
它通常用于平衡电力的供应和需求之间的不匹配,以及在电力系统中储存和释放能量。
2.4 整流器整流器是将交流电转换为直流电的装置。
它常用于将交流电转换为直流电以供稳定的电力需求。
2.5 逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的装置。
它常用于将直流电转换为交流电以供各种电力设备使用。
3. 电力电子器件的工作原理电力电子器件的工作原理基于不同的电力转换和控制原理。
以下是一些常见的电力电子器件及其工作原理:3.1 变流器的工作原理变流器将交流电转换为直流电或将直流电转换为交流电,其工作原理基于开关器件的使用。
开关器件在不同的状态下打开和关闭,从而控制电流的流动。
逆变器将直流电转换为交流电,其工作原理也基于开关器件的使用。
开关器件通过调整开关频率和占空比来实现对输出波形的控制。
3.3 储能器的工作原理储能器通过将电能存储在电容或电感器中,并在需要时释放,实现对电力系统的能量平衡。
其工作原理基于能量的存储和释放。
整流器将交流电转换为直流电,其工作原理基于半导体器件的整流特性。
半导体器件只允许电流在一个方向上流动,从而实现对交流电的整流。
电力系统中的电力电子器件及其应用

电力系统中的电力电子器件及其应用在当今高度依赖电力的社会中,电力系统的稳定运行和高效发展至关重要。
电力电子器件作为电力系统中的关键组成部分,正发挥着日益重要的作用。
它们的出现和应用,为电力系统的优化、控制和能源转换带来了革命性的变化。
电力电子器件是一种能够对电能进行高效控制和转换的半导体器件。
常见的电力电子器件包括二极管、晶闸管、晶体管(如 MOSFET 和IGBT)等。
这些器件具有不同的特性和性能,适用于各种不同的电力系统应用场景。
二极管是最简单的电力电子器件之一,它只允许电流单向通过。
在电力系统中,二极管常用于整流电路,将交流电转换为直流电。
例如,在电源适配器中,二极管将交流市电整流为直流电,为电子设备提供稳定的电源。
晶闸管则是一种具有可控导通特性的器件。
通过施加合适的触发信号,可以控制晶闸管的导通和关断。
晶闸管在电力系统中的应用非常广泛,如用于高压直流输电系统中的换流器、无功补偿装置等。
通过控制晶闸管的导通角,可以实现对交流电压和电流的调节,从而达到控制无功功率和提高电能质量的目的。
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是现代电力电子系统中常用的晶体管器件。
它们具有开关速度快、导通电阻小、驱动功率低等优点。
MOSFET 适用于高频、小功率的应用场景,如开关电源、电动汽车充电器等。
IGBT 则在中大功率的电力变换领域表现出色,如变频器、新能源发电系统中的逆变器等。
在电力系统中,电力电子器件的应用范围十分广泛。
首先,在发电环节,可再生能源的开发和利用离不开电力电子技术。
例如,太阳能光伏发电系统中,通过电力电子逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并并入电网。
风力发电系统中,电力电子变流器用于控制风机转速,实现最大功率跟踪,同时将风机发出的交流电转换为符合电网要求的电能。
在输电环节,高压直流输电技术凭借其输电距离远、输电容量大、损耗低等优势,成为了远距离大容量输电的重要手段。
电力电子器件原理

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轨道交通
在城市轨道交通中,电力电子器 件用于实现牵引供电和信号控制 。
在磁悬浮列车中,电力电子器件 可以实现高效的电机控制和能量 回收。
在高速铁路中,电力电子器件用 于实现列车牵引和供电系统的控 制。
在轨道交通的自动化和智能化方 面,电力电子器件也发挥着重要 的作用。
05 电力电子器件的未来发展
智能化与网络化的趋势
智能化
随着人工智能技术的发展,电力电子器件的智能化成为一种趋势。智能化能够提高电力电子系统的自适应性、可 靠性和容错性,实现更加高效和智能的能源管理。
网络化
通过互联网和物联网技术,将电力电子器件与智能终端、云计算等相互连接,实现远程监控、数据采集和智能控 制等功能。网络化的电力电子器件能够提高能源利用效率和可再生能源的接入能力,促进能源的可持续发展。
热特性
最大结温
指电力电子器件在工作过程中所允许的最高结温, 超过此温度将导致器件性能下降或损坏。
热阻
指电力电子器件在工作过程中因温度升高而产生 的热量传导阻力。
散热设计
为确保电力电子器件的正常工作,需要采取有效 的散热措施,如散热片、风冷或液冷等。
安全工作区
安全工作区
指在规定的电源电压和负载电流范围内,电力电子器件能够安全、可靠地工作 而不会发生损坏或性能下降的区域。
新材料与新工艺的应用
新材料
随着科技的发展,新型材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN) 等在电力电子器件中的应用越来越广泛。这些新材料具有更高 的热导率、禁带宽度和击穿场强等特点,能够提高电力电子器 件的效率和可靠性。
新工艺
新型工艺技术如薄膜工艺、微纳加工技术等在电力电子器件 制造中逐渐得到应用。这些新工艺能够减小器件尺寸、降低 制造成本和提高集成度,为电力电子器件的发展提供了新的 可能性。
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图1-29 典型的直接耦合式 GTO驱动电路
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
GTR
开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态,使之 不进入 放大区和深饱和区 关断 GTR 时,施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和 关断损耗,关断后同样应在基射极之间施加一定幅值(6V左 右)的负偏压 i
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
常用的有三菱公司的M579系列(如M57962L和M57959L) 和 富 士 公 司 的 EXB 系 列 ( 如 EXB840 、 EXB841 、 EXB850和EXB851) 内部具有退饱和检测和保护环节,当发生过电流时能快 速响应但慢速关断IGBT,并向外部电路给出故障信号 M57962L输出的正驱动电压均为 +15V左右,负驱动电压 为 -10V。
电力电子装置
R1 过电压抑制电路 C1
C2
R2
保护电路参数计算可参考相关工程手册
图1-36 反向阻断式过电压抑制用RC电路 图1-36
其他措施:用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折 二极管(BOD)等非线性元器件限制或吸收过电压
4.2.2 过电流的产生及过电流保护
过电流——过载和短路两种情况 常用措施(图1-37)
第五讲 电力电子器件(四)
4.1 4.2 4.3 电力电子器件驱动电路 电力电子器件器件的保护 电力电子器件器件的串联和并联使用
4.1 电力电子器件驱动电路
4.1.1
4.1.2 4.1.3
电力电子器件驱动电路概述
晶闸管的触发电路 典型全控型器件的驱动电路
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4.1.1 电力电子器件驱动电路概述
驱动电路——主电路与控制电路之间的接口
C2 VD3
VD2
R1 R2 V1 GTO L R3 R4
典型的直接耦合式 GTO 驱动 电路:
• 二极管VD1和电容C1提供+5V电压
VD1 50kHz N N2 C1 C3 V2 50V 1 V3 N3 C VD4 4
• VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流 电路提供+15V电压
• VD4和电容C4提供-15V电压 • V1开通时,输出正强脉冲 • V2开通时输出正脉冲平顶部分 • V2关断而V3开通时输出负脉冲 • V3关断后R3和R4提供门极负偏压
4 VCC 14 检测电路 定时及 复位电路 接口 电路 门极 关断电路 13 5 uo ui 8 故障指示 6 VEE
1
4.7k 8 +5V 14 M57962L 1 5 4 100F 100F 快恢复 trr≤0.2 s 30V 3.1 +15V
1 检测端
13
6
-10V
图1-33 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图
ä Á ÷Æ ÷Ö ì Ë ¿ Ù È Û ¶ Ï Æ ÷± ±Á ÷¿ ì Ù Ë ¶ Ï Â ·Æ ÷ ä Ñ ± ¹ ÷ Æ ç µ Á ÷» ¥ ¸ Ð Æ ÷ º Ô ¸ Ø » Á ½ ÷¶ Ï Â ·Æ ÷ µ ç Á ÷¼ ì ² â ¹ ç ý µ Á ÷ Ì µ ¼ ç ÷ Æ Ì Â ¶ ·Æ ÷ ¶ × ¯ ÷µ ç Á ÷ û ¶ Õ ¨Ö µ ª ¹ ¿ Ø µ ç  · ¥ · ´ ¢ µ ç  ·
返回
4.1.2
晶闸管的触发电路
IM
I t
t1 t2 t3 t4
图1-26 理想的晶闸管触发脉冲电流波形
t1~t2脉冲前沿上升时间(<1s) t1~t3强脉宽度IM强脉冲幅值 (3IGT~5IGT) t1~t4脉冲宽度 I脉冲平顶幅值(1.5IGT~2IGT)
4.1.2
+E1 +E2 TM VD2
驱动电路的基本任务:
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4.1.1 电力电子器件驱动电路概述
驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离 环节,一般采用光隔离或磁隔离 光隔离一般采用光耦合器
磁隔离的元件通常是脉冲变压器
ID R Uin IC R1 Uout E R R1 E R R1 E
a)
b)
c)
图1-25 光耦合器的类型及接法
C2为加速开通过程的电容。开通时,R5被C2短路。 可实现驱动电流的过冲,并增加前沿的陡度,加 快开通
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
2.电压驱动型器件的驱动电路
– 栅源间、栅射间有数千皮法的电容,为快速建立驱动 电压,要求驱动电路输出电阻小 – 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V,使IGBT开 通的驱动电压一般15 ~ 20V – 关断时施加一定幅值的负驱动电压(一般取 -5 ~ 15V)有利于减小关断时间和关断损耗 – 在栅极串入一只低值电阻(数十欧左右)可以减小寄 生振荡,该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增 大而减小
R2 R4 C1
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
专为驱动电力 MOSFET 而设计的混合 集成电路有三菱公司的 M57918L ,其 输入信号电流幅值为 16mA ,输出最大 脉冲电流为 +2A 和 -3A ,输出驱动电压 +15V和-10V。
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
IGBT的驱动 多采用专用的混合集成驱动器
a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型
4.1.1 电力电子器件驱动电路概述
电流驱动型和电压驱动型
具体形式可为分立元件的,但目前的趋势是采用专用 集成驱动电路 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内 的混合集成电路
为达到参数最佳配合,首选所用器件生产厂家专门
开发的集成驱动电路
4.2 电力电子器件器件的保护
4.2.1 过电压的产生及过电压保护
4.2.2 过电流的产生及过电流保护
4.2.3 缓冲电路(Snubber Circuit)
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4.2.1 过电压的产生及过电压保护
电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压
外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) 操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起 (2) 雷击过电压:由雷击引起 内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1) 换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结 束后不能立刻恢复阻断,因而有较大的反向电流流过,当恢复了阻断 能力时,该反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电 压 (2) 关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路 电感在器件两端感应出的过电压
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4.2.1 过电压的产生及过电压保护
过电压保护措施
T S C RV D RC1 RC2 RC3 RC4 RCD U F SD C LB M
图1-34
过电压抑制措施及配置位置
F避雷器 D变压器静电屏蔽层 图1-34 C静电感应过电压抑制电容 RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路 RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电 路 RV压敏电阻过电压抑制器 RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4直流侧RC抑制电路 RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路
4.2.2 过电流的产生及过电流保护
快速熔断器
电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施 选择快熔时应考虑: (1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定 (2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定 (3)快熔的I 2t值应小于被保护器件的允许I 2t值
(4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化,应考虑其时间电流特性
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电 路,也即一种抗饱和电路,负载较轻时,如V5发 射极电流全注入V,会使V过饱和。有了贝克箝位 电路,当 V 过饱和使得集电极电位低于基极电位 时, VD2 会自动导通,使多余的驱动电流流入集 电极,维持Ubc≈0。
VD3
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
uG O t
1. 电流驱动型器件的驱动 电路 GTO
GTO 的开通控制与普通晶闸 管相似,但对脉冲前沿的幅 值和陡度要求高,且一般需 在整个导通期间施加正门极 电流
iG O t
使 GTO 关断需施加负门极电 流,对其幅值和陡度的要求 更高,关断后还应在门阴极 图1-28 推荐的GTO门极电压电流波形 施加约 5V 的负偏压以提高抗 干扰能力
4.1.3 典型全控型器件的驱动电路
电 力 MOSFET 的 一 种 驱动电路:电气隔离和 晶体管放大电路两部分
无输入信号时高速放大 ui
器 A 输出负电平 ,V3 导通 输出负驱动电压
+VCC R1 V1 R3 + A R5 V2 MOSFET RG 20V V3 20V
当有输入信号时 A 输出 -VCC 正电平, V2 导通输出正 驱动电压 图1-32 电力MOSFET的一种驱动电路
晶闸管的触发电路
R4
V1、V2构成脉冲放大环节 脉冲变压器TM和附属电 路构成脉冲输出环节 V1、V2导通时,通过脉 冲变压器向晶闸管的门极 和阴极之间输出触发脉冲 VD1和R3是为了V1、V2由 导通变为截止时脉冲变压 器TM释放其储存的能量 而设
VD1
R1
R3 V1 R2 V2
图1-27 常见的晶闸管触发电路
使电力电子器件工作在较理想的开关状态,缩短开关时间, 减小开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重 要的意义 对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中, 或通过驱动电路实现 将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求,转换为加在 电力电子器件控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的 信号 对半控型器件只需提供开通控制信号 对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制 信号